「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(318ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

In pixel layout structure for forming the auxiliary capacitance 25 over the two adjacent pixels on the same pixel column, a first metal layer 302 which forms the auxiliary capacitance 25 is electrically connected to an anode electrode 307B of an organic EL element 21B.例文帳に追加

同一画素行上で隣り合う２つの画素に跨って補助容量２５を形成する画素レイアウト構造において、補助容量２５を形成する第１の金属層３０２を有機ＥＬ素子２１Ｂのアノード電極３０７Ｂと電気的に接続する。 - 特許庁

To obtain a large magnetoresistance effect based on a conductor with improved reproducibility by controlling the state of a current path including the conductor, when applying an intermediate layer having the conductor to a spin-valve GMR element in a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に導通部を有する中間層を適用する場合に、導通部を含む電流経路の状態を制御することによって、導通部に基づく大きな磁気抵抗効果を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

There is described a thermal recording system which utilizes a donor element comprising a substrate and a thermal transfer material layer having a dye-containing phase which is amorphous and wherein the dye or dyes present in the amorphous phase form a continuous film.例文帳に追加

基材、及び非晶質であり非晶質相に存在する染料又は染料類は連続状フィルムを形成する染料含有相を有する感熱転写物質層を含む供与体要素を利用する感熱記録システムが記載されている。 - 特許庁

The color photographic element includes a support and at least one dye image forming layer unit with radiation sensitive silver halide grains deflocculated with gelatin, a fragmentable electron donative compound and an electron transferring agent releasing compound.例文帳に追加

支持体、並びにゼラチン解膠された輻射線感受性ハロゲン化銀粒子、フラグメント化可能な電子供与性化合物、及び電子移動剤放出型化合物を有する少なくとも１つの色素像生成層ユニットを含んでなるカラー写真要素。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device high in reliability and having a small-size nonvolatile memory, by suppressing extreme field concentration on an active layer surface in a channel region and realize a minute semiconductor memory element.例文帳に追加

チャネル領域における活性層表面での極端な電界集中を抑え、かつ微細な半導体記憶素子を実現することで、信頼性が高く小型の不揮発性メモリを有する半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor element at a low cost, which is equipped with an organic semiconductor layer formed of photosensitive organic semiconductor material, capable of restraining an OFF-current from increasing, and ensuring excellent stability.例文帳に追加

本発明は、感光性有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体素子であって、ＯＦＦ電流の増加等が少なく、安定性に優れた有機半導体素子を低コストで提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

This light emitting element formed with an organic thin film containing a luminescent layer between two electrodes of a positive electrode and a negative electrode and emitting light by electric energy contains at least a compound expressed by the general formula (A).例文帳に追加

陽極と陰極の２つの電極間に発光層を含む有機薄膜が形成された、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は少なくとも下記一般式（Ａ）に示す化合物を含有することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

The thin film transistor element 108 is composed of a source electrode 108a formed on a gate insulating film 109 and a gate electrode 108d formed on a 1st glass substrate 101a semiconductor layer 108b and a drain electrode 108c.例文帳に追加

薄膜トランンジスタ素子１０８を、ゲート絶縁膜１０９の上に形成されたソース電極１０８ａ、半導体層１０８ｂ及びドレイン電極１０８ｃと第１のガラス基板１０１ａの上に形成されたゲート電極１０８ｄとにより構成する。 - 特許庁

The average film thickness of each element S in at least one of the two or more dopant-containing layers 1 is in the range from 90% to 110% of the average film thickness of the whole dopant-containing layer 1.例文帳に追加

二以上のドーパント含有層１のうちの少なくとも一つのドーパント含有層１は、当該ドーパント含有層１における各要素Ｓの平均膜厚が、当該ドーパント含有層１全体の平均膜厚の９０〜１１０％の範囲内である。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element using a pad electrode opaque to a light emitted from a light emitting layer, for improving the light extraction efficiency with respect to the conventional configuration, and a production thereof.例文帳に追加

発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resistance electrical heating element 3 is embedded inside a ceramic substrate 2, a film-shaped electrode 5 is formed on one main surface 2a of the ceramic substrate 2, and a ceramic dielectric layer 4 is formed at the side of one main surface 2a, so that the film-shaped electrode 5 can be covered.例文帳に追加

セラミックス基体２の内部に抵抗発熱体３を埋設し、セラミックス基体２の一方の主面2a上に膜状電極５を形成し、この膜状電極５を覆うように、一方の主面2a側に、セラミックス誘電体層４を形成する。 - 特許庁

Hot side capacitor electrodes 35A, 35B and 35C of the matching capacitative element are arranged on the inside of the first layer of a 2nd main surface (dielectric sheet 46) located on the opposite side to the first main surface, and the trimming of a capacity is conducted from the second main surface side.例文帳に追加

整合容量素子のホット側コンデンサ電極３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃは前記第１主面とは反対側に位置する第２主面（誘電体シート４６）の１層内側に配置され、第２主面側から容量のトリミングが行われる。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display device having high reliability by reducing the number of times of photolithographic treatment(PR) and passivating a semiconductor layer with a channel protective film at low cost, in a reflection type liquid crystal display panel driven by using an active matrix driving element.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動素子を用いて駆動される反射型液晶表示パネルにおいて、フォトリソ（ＰＲ）回数を下げ、低コストでかつチャネル保護膜で半導体層をパッシベートし、信頼性の高い反射型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

A first substrate 1 where an active matrix element 16 is disposed of a reflection type liquid crystal display device consists of a transparent substrate, and a light-absorbing layer 14 is formed directly or with a gap 21 interposed on the outer face of the transparent substrate 1.例文帳に追加

反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス素子１６を配置した第一の基板１を透明基板で構成し、この透明基板１の外側の面に、ギャップ２１を介して又は直接に光吸収層１４を形成している。 - 特許庁

On a light reception side or light extraction side, a ZnO film 8 is formed in contact with the p-type GaN layer 6, and each semiconductor element is formed to a size of ≤200 μm×200 μm when viewed from a light receiving surface side or light extraction surface side.例文帳に追加

受光面側又は光取り出し面側にｐ型ＧａＮ層６に接してＺｎＯ膜８が形成され、半導体素子は受光面側又は光取り出し面側から見た大きさが２００μｍ×２００μｍ以下に作製されている。 - 特許庁

When a main power source switch 250 is turned off, the control part 211 does not connect the switch 225 to any part to cut off an electric double layer capacitor 233 which is a power storage element from other elements for charge or discharge.例文帳に追加

そして、主電源スイッチ２５０がオフとされた場合、制御部２１１は、スイッチ２２５をいずれにも接続しないようにし、これにより蓄電素子である電気二重層コンデンサ２３３と充電や放電のための他の素子との間が遮断される。 - 特許庁

The pixel electrode 9 is provided with a plurality of island like parts 29 two-dimensionally separated from each other and each island like part 29 and the switching element 30 are electrically connected to each other via the contact hole C formed in the insulating layer.例文帳に追加

画素電極９は、互いに平面分離された複数の島状部２９を備えており、各島状部２９と前記スイッチング素子３０とは、それぞれ前記絶縁層に形成されたコンタクトホールＣを介して電気的に接続されている。 - 特許庁

The display device is characterized by that auxiliary wiring formed as the same layer as the conductive film of the electrode and wiring of a semiconductor element, a signal line, scanning line or power source line etc., is connected to the electrode, as represented by the second electrode, and the wiring.例文帳に追加

本発明は、第２の電極を代表とする電極や配線に、半導体素子の電極や配線、信号線、走査線、又は電源線等の導電膜と同一層に形成された補助配線を接続することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic thin-film transistor, in which an element with a large area is easily manufactured, a gate insulation layer is not damaged during forming a source electrode and a drain electrode, and flexibility of an organic insulation material is not deteriorated.例文帳に追加

大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The antenna device includes: two radiating elements; a via for grounding the tip of one radiation conductor to the ground of a lower layer; a ground conductor for connecting the respective radiation elements at roots via a resistor; and a feeder to each radiation element.例文帳に追加

アンテナ装置は、２つの放射素子と、一方の放射導体の先端を下層のグランドに接地するビアと、各放射素子をその根元部分で抵抗を介してそれぞれ接続するグランド導体と、各放射導体への給電線で構成される。 - 特許庁

By these processes, the formation of the inter-metal wiring abnormal film caused by etching a part of the metal wiring 101A when the inter-metal layer insulating film 104 is formed is prevented, to suppress the deterioration of the element characteristics.例文帳に追加

以上の工程を経ることで、金属層間絶縁膜１０４を形成する際に金属配線１０１Ａの一部がエッチングされてしまうことで金属配線間に異常膜が形成されるのを防ぎ、それにより素子特性の劣化を抑える。 - 特許庁

This manufacturing method of ceramic heater comprises forming the resistant heating element having a prescribed pattern by forming a conductive layer in a prescribed area of the surface of a ceramic board followed by irradiation with laser beam to partially remove it.例文帳に追加

セラミック基板表面の所定領域に導体層を形成した後、前記導体層にレーザ光を照射してその一部除去することにより、所定パターンの抵抗発熱体を形成することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 特許庁

To solve the problem that, in a method of making an electrode forming unit simply by dry etching in a GaN RHET element, it is difficult to form an electrode with sufficient yield while reducing a contact resistance with a thin base layer as low as possible.例文帳に追加

ＧａＮ系ＲＨＥＴ素子においては、単純にドライエッチングによって電極形成部を作り込むだけの方法ではその薄いベース層に接触抵抗を極力低くしつつ歩留まりよく電極を形成することは困難である。 - 特許庁

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss.例文帳に追加

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。 - 特許庁

The function element structure 3 is mounted on a package substrate 2 including thereon many electrodes 7 for external connection arranged in a frame shape by constituting a hollow space 11 kept in an airtight state by an insulating blade 5 and an adhesive resin frame layer 4.例文帳に追加

枠状に配列した多数個の外部接続用電極７を設けたパッケージ基板２上に絶縁プレート５と接着樹脂枠層４とにより気密状態を保持した中空空間部１１を構成して機能素子体３を実装する。 - 特許庁

To reduce with superior reproducibility in-plane uniformity of a TaN film to be used as a barrier layer of a semiconductor element by a method wherein the peak intensity in a specified direction measured by an X rays diffraction method is specified on the surface of a sputtering target composed of high pure TaN.例文帳に追加

Ｃｕ配線のバリア層などとして用いられるＴａＮ膜において、膜厚の面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなＴａＮ膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with a magneto-resistance effect type magnetic head element in which disturbance of magnetic domain structure in a magnetic shield layer by a high saturation magnetic flux density material is suppressed and occurrence of Barkhausen noise is suppressed, and its manufacturing method.例文帳に追加

高飽和磁束密度材料による磁気シールド層での磁区構造の乱れを抑制しバルクハウゼンノイズ発生が抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を備える薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜１２／酸化物膜１３／強磁性膜１４で構成し、酸化物膜１３に酸素との結合力の強い元素（Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど）を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

A light shading film 16 for covering therewith the top surface and the side-wall surfaces of each transferring electrode of transferring-electrode rows 14 of the solid-state imaging element 10 is isolated completely by an oxidation preventing passivation layer 34 from a photoconductive film 26 which exhibits an oxidizing property when film-forming it.例文帳に追加

固体撮像素子１０の転送電極列１４の上面及び側壁面を覆う遮光膜１６を、酸化防止用のパッシベーション層３４によって、成膜時に酸化性を呈する導光性膜２６から完全に隔離した。 - 特許庁

The printing mask 101 is provided, in a prescribed position, with a through-hole 109 penetrating in the thickness direction on a base material 106 having insulation, wherein a heating element layer 116 generating heat at the time of energization is formed on the inner periphery of the through-hole 109.例文帳に追加

印刷マスク１０１は、絶縁性を有する基材１０６に、厚み方向に貫通する貫通孔１０９が所定の位置に設けられており、貫通孔１０９の内周面に通電時に発熱する発熱体層１１６が形成される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element, a magnetoresistive effect head, a magnetoresistive conversion system, and a magnetic recording system, wherein a sense current is prevented from flowing to a vertical bias layer, noise is little in a reproduction waveform, and a S/N ratio and a bit error rate are execellent.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

In the enamel substrate for mounting a light-emitting element in which the surface of a core metal is covered with an enamel layer, the aspect ratio of the substrate is not more than 20 times and the thickness of the substrate is not less than 1.0 mm.例文帳に追加

コア金属の表面にホーロー層が被覆されてなる発光素子実装用ホーロー基板であって、基板の縦横比が２０倍以下であり、且つ板厚が１．０ｍｍ以上であることを特徴とする発光素子実装用ホーロー基板。 - 特許庁

To provide a liquid crystal optical element that can prevent liquid crystal dripped on an alignment layer from spreading to come into contact with an uncured sealing material in a liquid crystal cell manufacturing stage using a liquid crystal dripping system and can be reduced in size and cost, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

液晶滴下方式の液晶セル製造工程において、配向膜上に滴下した液晶が広がって未硬化のシール材に触れるのを防ぎ、小型化、低コスト化の可能な液晶光学素子とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

The layer consisting essentially of a high melting point metal element has a high heat resistance, high Young's modulus, and hardness, shows a small mechanical deformation against the force acting by accompanying an optical deflection action (the increase in the contact area is suppressed), and the increase in sticking force is suppressed.例文帳に追加

高融点金属元素を主成分とする層は、高い耐熱性と高いヤング率と硬さを有し、光偏向動作に伴い作用する力に対して機械的変形が少なく（接触面積の増大を抑制）、固着力の増加を抑制する。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

The thin film EL element uses an electric charge transporting luminous material as an emission layer 4 which has a part contributing to the electric charge transport in a molecule, and a part contributing to the emission where at least two molecular orbitals contributing to the transition for emission are localized.例文帳に追加

本発明の薄膜ＥＬ素子は、発光層４として、分子内に電荷輸送に寄与する部分と、発光遷移に寄与する少なくとも２つの分子軌道が局在した発光に寄与する部分とを有する電荷輸送性発光材料を用いる。 - 特許庁

The first prism 531 totally reflects the second linearly polarized light reflected by the polarizing element body 533 on a boundary surface between the luminous flux incident side end face 531A and the air layer Lair, and emits it in a direction where it keeps away from the liquid crystal panel 51.例文帳に追加

第１プリズム５３１は、偏光素子本体５３３にて反射された第２の直線偏光光を光束入射側端面５３１Ａおよび空気層Ｌairの境界面にて全反射して液晶パネル５１を避ける方向に射出する。 - 特許庁

The inkjet recording head has also a close contact layer 4 provided in the surface of the silicon substrate 1, and for holding one part of the flow channel forming member 3, and a delivery energy generating element 2 arranged opposed to each delivery port 7, and for delivering ink from the delivery port 7.例文帳に追加

また、シリコン基板１の表面に設けられ、流路形成部材３の一部を保持している密着層４と、各吐出口７に対向して配置され、インクを吐出口７から吐出させる吐出エネルギー発生素子２と、を有している。 - 特許庁

A liquid crystal element having a liquid crystal layer in which a discotic liquid crystal compound and a rod-like liquid crystal having essentially different molecular structures and different refractive index anisotropies accompanied thereby with each other are co-exists in a phase separation state is formed.例文帳に追加

本質的に異なる分子構造ならびにこれに伴う異なる屈折率異方性を有するディスコティック液晶化合物と棒状液晶化合物とが互いに相分離した状態で共存する液晶層を有する液晶素子を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element where the generation of an electric field between a drain impurity area and an impurity layer for threshold voltage control is prevented, leak current is reduced and the reliability of the semiconductor is improved, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン不純物領域としきい値電圧調節用不純物層との間の電界発生を防止して漏洩電流を減少させ、半導体素子の信頼性を改善できるようにした半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element which allows the manufacturing cost to be reduced because of being capable of improving the sensitivity at the time of exposure and has a light shielding layer of which troubles like cracks or peeling occur less probably.例文帳に追加

本発明は、露光時の感度を向上させることができることから製造コストを低減することができ、かつ欠けや剥がれ等の不具合が生じる可能性の少ない遮光層を有する光学素子を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

The optical memory element 10 having a recording layer for the optical recording is housed in a cartridge 12, and opening parts 13A, 13B for passing a recording/reproducing light and an opening/closing member 14 enabled to shield them are arranged on the cartridge 12.例文帳に追加

光記録用の記録層を有した光メモリ素子１０がカートリッジ１２内に収納され、カートリッジ１２に、記録／再生光の通過用の開口部１３Ａ，１３Ｂと、これを遮蔽し得る開閉部材１４とが設けられている光記録媒体１１。 - 特許庁

The metallic mold for molding the optical element has a preform 10 for the metallic mold, an intermediate layer 12 formed at the preform 10 and a protective film 13 formed on the intermediate rayer 12, and the protective film 13 is substantially composed of an amorphous alloy.例文帳に追加

本発明の光学ガラス素子成形用金型は、金型用母材10と、母材10に形成された中間層12と、中間層12上に形成された保護膜13とを有し、保護膜13が実質的に非晶質な合金からなることを特徴とする。 - 特許庁