| 意味 | 例文 |
layer- thicknessの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 13314件
Next, the bond wafer 2 is cut and removed, excluding the boron-doped oxide film 3D' and an Si layer 2A (membrane layer 2A) with a specified thickness from that boron-doped oxide film 3D', whereby an SOI substrate 4 is obtained.例文帳に追加
次に、ボロンドープ酸化膜3D´及び同ボロンドープ酸化膜3D´から所定層厚のSi層2A(メンブレン層2A)を除き、ボンドウェハ2を研削除去して、SOI基板4を得る。 - 特許庁
To obtain an optical waveguide which has characteristics as designed by fixing contents of GeO2 and P2O5 in the thickness direction of a core layer, then, forming a core layer with a uniform refractive index profile.例文帳に追加
コア層の厚さ方向のGeO_2およびP_2O_5の含有量を一定にすることにより、屈折率プロファイルの一様なコア層を形成して、設計どおりの特性を有する光導波路を得る。 - 特許庁
To provide a micro-machine manufacturing method capable of reducing internal stress generated in a polysilicone layer having a predetermined thickness when flattening a recessed part in the polysilicone layer.例文帳に追加
所定の厚みのポリシリコン層で凹部を平坦化したときに、かかるポリシリコン層に発生する内部応力を緩和させることができるマイクロマシンの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The solid oxide type fuel cell separator material is a separator material in which a TiN coating layer having a thickness of 0.05-100 μm is formed to a ferrite stainless steel of 11-40 mass% of Cr, and a Ti concentration of the TiN coating layer is adjusted to more than 40 atom%.例文帳に追加
Cr:11〜40質量%のフェライト系ステンレス鋼に膜厚:0.05〜100μmのTiN被覆層を形成したセパレータ材であり、TiN被覆層のTi濃度が40原子%以上に調整されている。 - 特許庁
The surface of the power generation layer 4 has a mean square roughness of 2 nm or less, and the variation in film thickness of the whole power generation layer 4 is within ±10%.例文帳に追加
発電層4の表面の面平均自乗粗さが2nm以下であり、かつ発電層4の膜厚のばらつきが、発電層4の全体で±10%以内であることを特徴とする。 - 特許庁
The coincidence of the lines 12b-12f of the bar guide 12 with the upper end of a collar 3 is confirmed after every layer is tampered, and variations in the thickness in every layer of the specimen are reduced.例文帳に追加
また、棒ガイド12の線12b〜12fがカラー3の上端と一致することを各層を突き固めた後に確認することにより、供試体の各層の厚さのばらつきはなくなる。 - 特許庁
The refractive index and the thickness of the easily adhesive layer are set to be 1.50 to 1.65 and 1 to 50 nm, respectively and the refractive index of the low refractive index layer is set to be 1.20 to 1.50.例文帳に追加
そして、易接着層は屈折率が1.50〜1.65で厚みが1〜50nmに設定されていると共に、低屈折率層は屈折率が1.20〜1.50に設定されている。 - 特許庁
The wiring layer is patterned to a metal layer that can be manufactured to uniform thickness regardless of the interlayer connection, and a finer pattern can be also formed with a high yield.例文帳に追加
配線層のパターニングが、この層間接続とは関係なく均一厚に製造可能である金属層に対して行われ、より微細なパターンも高歩留まりで形成可能となる。 - 特許庁
To provide a thin film device which comprises a substrate; and a lower conductive layer, a dielectric film, and an upper conductive layer which are laminated on the substrate, wherein a uniformity of a thickness of the dielectric film is enhanced.例文帳に追加
基板と、この基板上に積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層とを備えた薄膜デバイスにおいて、誘電体膜の厚みの均一性を向上させる。 - 特許庁
To avoid damaging a protecting layer 34 at measurement of its film thickness, of a heating device 109c with the protecting layer of a sliding film or the like formed.例文帳に追加
摺動膜等の保護層34を形成具備させている加熱装置109cについて、保護層34の膜厚測定時に保護層34に傷をつけるのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁
The thickness of the insulating layer 14a is adjusted to such a value that changes can tunnel their ways through the layer 14a, and the thicknesses of the insulating layers 14b and 14d are adjusted to such thicknesses that the charges cannot easily tunnel their ways through the layers 14b and 14d.例文帳に追加
絶縁層14aの厚さは電荷がトンネル可能な厚さとし、絶縁層14bおよび絶縁層14dの厚さは電荷が容易にトンネルできない厚さとする。 - 特許庁
In the metal back layer, a plurality of oxidized ranges 7b which are oxidized on one surface to the other surface in the direction of thickness of the layer and a plurality of non-oxidized ranges 7a are provided.例文帳に追加
メタルバック層は、その一方の表面から他方の表面に渡って層厚方向に酸化された複数の酸化領域7bと、複数の非酸化領域7aとを有している。 - 特許庁
The method includes: a gas diffusion layer treatment step of permeating pressurized water to at least one of the pair of the gas diffusion layers in the thickness direction of the gas diffusion layers; and a gas diffusion layer treatment step of immersing at least one of the pair of gas diffusion layers into boiled water.例文帳に追加
また、前記一対のガス拡散層のうちの少なくとも一方を沸騰した水中に浸漬するガス拡散層処理工程を有することを特徴とする。 - 特許庁
Thereafter, the surface of the stranded wire 10 is covered with an insulating layer 20 thicker than the thickness of the insulating layer 12 to constitute the surface of the strand 11 to manufacture the lead wire 1.例文帳に追加
その後、撚線10の表面を素線11の表面を構成する絶縁層12の厚みよりも厚肉に絶縁層20で被覆することで製造される導線1である。 - 特許庁
The pellicle is provided that includes an aluminum pellicle frame having an alumite layer on its entire surface; and a pellicle film stretched over and affixed to the pellicle frame, the anodized layer having a thickness of 4 to 8 μm.例文帳に追加
アルマイト層を表面に有するアルミニウム製ペリクルフレーム、及び、前記ペリクルフレームに張設したペリクル膜を有し、前記アルマイト層の厚さが、4〜8μmであることを特徴とするペリクル。 - 特許庁
To provide a technique of improving durability of a carbon film formed on a mold surface by selectively increasing only the thickness of a nitride layer without increasing the thicknesses of a compound layer and the carbon film.例文帳に追加
化合物層および炭素膜の厚みを増すことなく窒化層のみを選択的に厚くし、金型表面に形成される炭素膜の耐久性を向上させる技術を提供する。 - 特許庁
In the positive electrode, the average thickness of the nickel coating layer is 0.5-5 μm, and the ratio of the nickel coating layer to the positive electrode substrate is 30-80 wt.%.例文帳に追加
このうち、ニッケル被覆層の平均厚みは、0.5μm以上5μm以下であり、正極基板に占めるニッケル被覆層の割合は、30重量%以上80重量%以下である。 - 特許庁
The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.例文帳に追加
また、第1半導体レーザ素子部10を形成する工程は、p型第2クラッド層16を、p型第2クラッド層26の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁
To provide a nitride-based semiconductor element which can suppress cracking in a semiconductor element layer due to difference in the thickness of the semiconductor element layer, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
半導体素子層の厚みの差に起因して半導体素子層にクラックが発生するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Gold is fused and evaporated by resistance heating on a tungsten boat, and an electron beam, and the evaporated gold is deposited on the titanium layer 2 to form the gold layer 3 of 0.1 to 0.2 μm thickness.例文帳に追加
金をタングステンボートによる抵抗加熱および電子ビームにより融解・気化させ、気化した金をチタン層2に堆積させることにより0.1〜0.2μmの金層3を形成する。 - 特許庁
The ceramic base and a composite material of aluminum and ceramic are bonded together interposing a bonding layer containing an aluminum alloy layer of 50 to 200 μm thickness between them.例文帳に追加
セラミックス基体と、アルミニウムとセラミックスのコンポジット材からなる冷却部材とを50μm以上200μm以下の厚みを持つアルミニウム合金層を含む接合層を介して接合させる。 - 特許庁
A blade base body part 60a is covered with a coat layer 60b made of rubber to constitute a cleaning blade 60, and the thickness of the coat layer 60b is made extremely thinner than that of the blade base body part 60a.例文帳に追加
ブレード基体部60aをゴム製のコート層60bで覆ってクリーニングブレード60を構成し、コート層60bの厚さは、ブレード基体部60aの厚さに比べて極めて薄くする。 - 特許庁
The thickness (t) of the polarized light selecting reflecting layer 11 is set to a value so that transmissivity in the center wavelength of selective reflection of the polarized light selecting reflecting layer 11 is unsaturated.例文帳に追加
偏光選択反射層11の厚さtは、当該偏光選択反射層11の選択反射中心波長における透過率が不飽和となるような大きさに設定されている。 - 特許庁
The impact ion control layer 24 is laminated within a lamination range (thickness Tst of the lamination range) of the ground compound semiconductor layer 23 to control the occurrence position of the impact ionization phenomenon.例文帳に追加
インパクトイオン制御層24は、下地化合物半導体層23の積層範囲(積層範囲の厚さTst)内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。 - 特許庁
To provide a suitable technique for manufacturing a semiconductor member of optional thickness (especially, a thin semiconductor member) which is equipped with a semiconductor layer where a circuit element is formed on an insulating layer.例文帳に追加
回路素子が形成された半導体層を絶縁層の上に有する任意の厚さの半導体部材(特に、薄い半導体部材)を製造するために好適な技術を提供する。 - 特許庁
To provide a film forming method, which is capable of forming a high-quality single crystal β-FeSi2 epitaxial layer on an Si substrate and enhancing the β-FeSi2 epitaxial layer in thickness.例文帳に追加
Si基板上に高品質な単結晶のβ−FeSi_2のエピタキシャル層を形成するとともに、β−FeSi_2の厚膜化を可能とする成膜方法を提供する。 - 特許庁
The thickness of an interface layer 2A of a gate insulating film 52a in the first MIS transistor is thicker than that of an interface layer 2b of a gate insulating film 52b in the second MIS transistor.例文帳に追加
第1のMISトランジスタにおけるゲート絶縁膜52aの界面層2Aの厚さは、第2のMISトランジスタにおけるゲート絶縁膜52bの界面層2bの厚さよりも厚い。 - 特許庁
The buffer layer is formed between the active layer and the source and drain electrodes respectively, and comprises a plurality of materials having a continuously variable content ratio, depending on its thickness.例文帳に追加
バッファ層は、アクティブ層とソース電極及びドレイン電極との間にそれぞれ形成され、厚さによって連続的に変動する含有量比を有する複数の物質からなる。 - 特許庁
Since the 2nd epoxy resin layer 6 is applied to the entire polyethylene layer 4, the thickness of the polyethylene is increased and the impact resistance of housing at collision with an external body is enhanced.例文帳に追加
第二エポキシ樹脂(6)はポリエチレン層(4)全体に塗布されるので、ポリエチレンの厚みが増加し、これによって外部物体に衝突したときのハウジングの耐衝撃性が強化される。 - 特許庁
The thickness of the catalyst layer 2 coating the partition 11 constituting the section neighboring portion 4 is larger than that of the catalyst layer 2 coating the partition 11 constituting the section central portion 3.例文帳に追加
断面周辺部4を構成する隔壁11を被覆する触媒層2の厚みは、断面中心部3を構成する隔壁11を被覆する触媒層2の厚みよりも大きい。 - 特許庁
The conductive diffusion layer 13 having a through-hole formed in a thickness direction covers a catalyst layer 12 for electrodes fitted at either side of an electrolyte film 11.例文帳に追加
導電性を有するとともに厚さ方向に貫通孔が形成され、電解質膜11の両面に設けられた電極用の触媒層12を被覆する拡散層13である。 - 特許庁
The polarizer protective film has a cellulose-based resin layer having 0.3-3 μm thickness on at least one side of a transparent resin layer containing an (meth)acrylic resin having a lactone ring structure.例文帳に追加
本発明の偏光子保護フィルムは、ラクトン環構造を有する(メタ)アクリル系樹脂を含む透明樹脂層の少なくとも片面に、厚みが0.3〜3μmであるセルロース系樹脂層を有する。 - 特許庁
The SOI wafer is composed of a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer.例文帳に追加
支持基板と、500nmよりも薄い厚さを有する単結晶シリコン層とを有し、前記のシリコン層の全体積中で格子間ケイ素原子の過剰が優勢であるSOI基板 - 特許庁
Then, the second metal layer 106b of about 250 nm of the thickness made of a nickel (Ni) is laminated by depositing on the first metal layer 106a and the shielding film S which are exposed.例文帳に追加
その後、露出している第1金属層106aと遮蔽膜Sの上に、ニッケル(Ni)から成る膜厚約250nmの第2金属層106bを蒸着によって積層した。 - 特許庁
An oxide semiconductor is desirable as a semiconductor constituting the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 22, and thickness of the protection film 20 is desirable to be less than 5 μm.例文帳に追加
p型半導体層21およびn型半導体層22を構成する半導体としては酸化物半導体が好ましく、保護膜20の厚みは5μm未満とすることが好ましい。 - 特許庁
The tape has a pressure-sensitive adhesive layer 2 comprising styrene-isoprene block copolymer pressure-sensitive adhesive or styrene-butadiene block copolymer adhesive and the thickness of the layer 2 is 0.05-03 mm.例文帳に追加
粘着剤層2として、スチレンーイソプレンブロック共重合体系粘着剤もしくはスチレンーブタジエンブロック共重合体系粘着剤を用い、その膜厚を0.05〜0.3mmとする。 - 特許庁
The thickness of the portion of the dielectric layer 13a corresponding to the protruded portions of the discharge maintaining electrodes 12a, 15a is made smaller than that of the other portion of the dielectric layer 13a.例文帳に追加
これにより、誘電体層13aの、放電維持電極12a,15aの突出部分に対応する部分の厚さが誘電体層13aの他の部分よりも小さくなる。 - 特許庁
To produce a layered perovskite type compound thin film whose film thickness and structure are controlled on a monomolecular layer level and further on which various perovskite type compounds can be layered as a monomolecular layer.例文帳に追加
単分子層レベルで膜厚や構造が制御され、加えて種々の層状ペロブスカイト化合物を単分子層レベルで複合化することが可能な層状ペロブスカイト化合物薄膜の作製。 - 特許庁
To ensure good withstand voltage characteristics in a both-side copper clad laminated sheet for forming a capacitor layer obtained by laminating electrolytic copper foils on both sides of a dielectric layer with a thickness of 10 μm or below.例文帳に追加
10μm以下の厚さの誘電層の両面に電解銅箔を張り合わせたキャパシタ層形成用の両面銅張積層板で、良好な耐電圧特性を確保する。 - 特許庁
The substrate for flexible printed circuit comprises a thin film layer of copper and a sheet-like substrate of aromatic polyamide wherein the thin film layer of copper has a thickness of 50-500 nm.例文帳に追加
銅薄膜層と芳香族ポリアミドからなるシート状基材とからなり、かつ銅薄膜層の厚みが50nm以上500nm以下であることを特徴とする、フレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁
The film thickness of the catalyst layer 23 is 1 nm to 50 nm, and the catalyst layer is made of Fe, Co or an alloy including at least one kind of these metals.例文帳に追加
この触媒層23の膜厚を1nmから50nmまでの範囲とし、また、この触媒層をFe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種類を含む合金から形成する。 - 特許庁
In the electrode pad 103, at least a surface layer of a region where the wire is bonded is formed by ruthenium or ruthenium oxide, and the film thickness of the surface layer is 20 nm or thicker.例文帳に追加
電極パッド103において、ワイヤがボンディングされている領域の少なくとも表層はルテニウム又は酸化ルテニウムにより構成され、その表層の膜厚は20nm以上である。 - 特許庁
The panel comprises a photostimulable phosphor layer having transmissivity satisfying an expression (1): 0 ≤ B ≤ 90A^-0.17 (where, A is the film thickness μ of the phosphor layer and B denotes the transmissivity % of the photostimulable excitation light or photostimulable luminescence) with respect to photostimulable excitation light and/or photostimulable luminescence.例文帳に追加
0≦B≦90A^-0.17・・・(1) 但し、上記式(1)において、Aは輝尽性蛍光体層の膜厚(μ)であり、Bは輝尽励起光または輝尽発光光の透過率(%)を示す。 - 特許庁
To change a sound-absorbing characteristic of a sound absorbing structure, by changing pseudo-thickness of an air layer by controlling air flow in the air layer, in the sound-absorbing structure of a plate-film vibration type.例文帳に追加
板・膜振動型の吸音構造体において、空気層における空気の流れを制御して擬似的に空気層の厚さを変更して、当該吸音構造体の吸音特性を変える。 - 特許庁
The warpage of a multi-layered optical recording medium can be reduced and the thickness of an light transmissive intermediate layer can be made uniform by forming the intermediate layer of the medium in at least two laminating stages.例文帳に追加
多層光記録媒体の光透過性中間層形成を少なくとも2回の積層工程とすることで、媒体の反りを低減し、中間層の厚みを均一にすることが出来る。 - 特許庁
In the nematic phase, as the natural helical pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently greater than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer to facilitate alignment of the ferroelectric crystal layer in the device.例文帳に追加
ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。 - 特許庁
The thickness of the solder material layer 4 is adjusted to a range of ≥30 μm and ≤500 μm so as to secure fixed ductility while retaining bond strength of the solder material layer 4.例文帳に追加
そして、このロー材層4の接合強度を保持しつつ一定の延性を確保するため、このロー材層4の厚みは30μm以上500μm以下の範囲内にて調整されている。 - 特許庁
To obtain a sheet structural body which omits a porous layer that has been regarded as a necessary and indispensable layer in the conventional artificial leather and attains a reduction in a manufacturing cost, a decrease in thickness and improvement in air permeability.例文帳に追加
従来の人工皮革で必要不可欠とされてきた多孔質層を省略し、人工皮革の製造コスト低減、最低厚み低減及び通気性向上を達成すること。 - 特許庁
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