「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent damages in the formed state of lower electrodes when upper electrodes are formed without introducing a process of forming a protective insulating layer.例文帳に追加

上部電極を形成する際に、保護用絶縁層形成の工程導入をせずに、下部電極の形成状態の損傷を防止する。 - 特許庁

A joining layer composed of a low-melting point metal having a lower liquidus temperature than a metal constituting a metal plate is formed on the metal plate.例文帳に追加

金属板の一面に、この金属板を構成する金属よりも液相線温度が低い低融点金属からなる接合層を形成する。 - 特許庁

The golf ball comprises a polyurethane cover layer, a solid core, and one or more intermediate layers and has a sound pressure level lower than 81.5 dB.例文帳に追加

ポリウレタンカバー層、固体コアーおよび１つ以上の中間層を含むゴルフボールであって、ボールは８１．５ｄＢ未満の音圧レベルＳを有する。 - 特許庁

A substrate 11 for the liquid crystal display device is provided with a coil 31 on the layer lower than an electrode 11a for driving the liquid crystal 17.例文帳に追加

その液晶表示装置用基板１１では、液晶１７を駆動する電極１１ａより下層のところにコイル３１が設けられる。 - 特許庁

A holding means 17 holding the lower end of the shielding panel 16 is installed at the upper place of a waterproof-layer holddown 11 constituting the corner drain 1a.例文帳に追加

コーナードレイン１ａを構成する防水層押え１１の上部位置に、遮蔽パネル１６の下端を保持する保持手段１７を設けた。 - 特許庁

A ferroelectric substance capacitor 400 has a three-layer structure of a ferroelectric substance film 600, a lower electrode part 500 and an upper electrode part 700.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ4００は強誘電体膜６００、下部電極部５００および上部電極部７００の三層構造をしている。 - 特許庁

On a substrate 2 where a lower electrode 11 is formed, a memory layer material film 13A and an upper electrode material film 12A are formed sequentially.例文帳に追加

下部電極１１が形成された基板２上に、記憶層材料膜１３Ａと上部電極材料膜１２Ａとを順に形成する。 - 特許庁

Also, coverage that the lower layer insulating film 10 has when forming the film is higher (better) than coverage that the liner film 11 has when forming the film.例文帳に追加

なお、成膜時における下層絶縁膜１０が有するカバレッジは、成膜時におけるライナー膜１１が有するカバレッジよりも高い（良い）。 - 特許庁

The pixel transistor 30 is superposed on an element substrate 10 of the liquid crystal device 100 on the lower layer side of a light reflective pixel electrode 9a.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板１０では、画素トランジスター３０が光反射性画素電極９ａに対して下層側で重なっている。 - 特許庁

The epitaxial wafer is composed of a carbon-doped CZ silicon wafer to be a substrate and an epitaxial layer grown at low temperatures lower than 1000°C.例文帳に追加

及び、炭素がドープされたＣＺシリコンウエーハである基板と、１０００℃未満の温度で成長されたエピタキシャル層からなるエピタキシャルウエーハ。 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer is thicker in a lower part of the gate electrode 19 than in a side part of the gate electrode 19.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層は、ゲート電極１９の下側部分の厚さが該ゲート電極１９の側方部分の厚さよりも大きい。 - 特許庁

An organic EL layer is formed like a matrix between a lower electrode and an upper electrode in the display region of an organic EL display device.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置の表示領域には、下部電極と上部電極の間に有機ＥＬ層がマトリクス状に形成されている。 - 特許庁

a type of skin cancer that arises from the basal cells, small round cells found in the lower part (or base) of the epidermis, the outer layer of the skin. 例文帳に追加

皮膚がんの一種で、表皮（皮膚の外層）の下層（基底部）に存在する小さな円形の細胞である基底細胞から発生するもの。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

a condition in which abnormal cells grow on the thin layer of tissue that covers the cervix (the lower, narrow end of the uterus). 例文帳に追加

子宮頸部（子宮の下端で狭くなっている部分）を覆っている薄い組織層の表面上で異常な細胞が増殖している状態。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

A low temperature fluid inlet 3a of the low temperature fluid passage layer 3 is provided in a right upper side in the figure, and an outlet 3b is provided in a right lower side.例文帳に追加

低温流体通路層３の低温流体入口３ａを図中の右側上寄りに、同出口３ｂを右側下寄りに設ける。 - 特許庁

The reflection layer coated on the lower face 20b and the left face 20c of the inner wall respectively is provided with a spectral reflection characteristic that transmits infrared rays.例文帳に追加

内壁下面２０ｂ及び内壁左面２０ｃにコーティングされた反射層は、赤外光を透過する分光反射特性を有する。 - 特許庁

This work transport apparatus 1 is formed by a two-layer structure of an upper transport path 2 and a lower transport path 6, and loaded on a frame 12 and fixed thereto.例文帳に追加

ワ−ク搬送装置１は、上部搬送路２と下部搬送路６との上下二層で構成し、架台１２に積載して固定している。 - 特許庁

Thus, a margin of evading the corrosion and disconnection of the lower layer wiring 8a by the influence of the etchant used in other processes is increased.例文帳に追加

よって他の工程で用いられるエッチャントの影響による下層配線８ａの腐食、断線を回避するマージンを、大きくすることができる。 - 特許庁

Upper and lower alignment layers 65, 67 arranged at the boundary of the liquid crystal layer 66A are subjected to the alignment treatment corresponding to an OCB mode.例文帳に追加

液晶層６６Ａの界面に配置される上下の配向膜６５、６７には、ＯＣＢモードに対応した配向処理がなされている。 - 特許庁

A mold assuming the shape of the board is filled with the core material mixture and the surface material mixture so that the core material mixture becomes an inner layer and the surface material mixture becomes upper and lower layers.例文帳に追加

芯材混合物を内層とし、表面材混合物を上層及び下層のとしてボードを形取った型内に充填する。 - 特許庁

These reactor cell layer parts 5 are formed in parallel in the upper and lower directions in a plurality of layers, and electrically connected by an electrical connection path 25.例文帳に追加

このリアクターセル層状部５は、上下方向に平行に複数層形成され、電気接続パス２５により、電気的に接続されている。 - 特許庁

The first return magnetic path part 60 has a coupling layers 65 and 68 magnetically coupling the lower shield 13A and a yoke layer 21 each other.例文帳に追加

第１の帰磁路部６０は、ヨーク層２１と、下部シールド１３Ａとヨーク層２１とを磁気的に連結する連結層６５，６８とを含んでいる。 - 特許庁

In the lower vessel 3, a fluidized layer 31 constituted by suspending and fluidizing the powder 4 by gas and a free board part 32 are formed.例文帳に追加

一方，下槽３には，抜出粉体４を気体によって浮遊流動させてなる流動層３１と，フリーボード部３２とが形成されている。 - 特許庁

To provide a process for uniformly keeping a gap between a passivation layer of lower base material and upper base material of an LCD integrated circuit device.例文帳に追加

ＬＣＤ集積回路装置の下基材のパシベーション層と上基材との間の隙間を均等に維持するためのプロセスを提供する。 - 特許庁

A method of mounting the wafer on a printed wiring substrate includes a step of providing a through hole 2 penetrating upper and lower surfaces of the wafer 1, and forming an insulating layer 14 on an inner surface of the through hole 2.例文帳に追加

ウエハ１に、上下の面に貫通するスルーホール２を設けると共に該スルーホール２の内面に絶縁層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a transistor whose bonding capacitance and junction leakage are prevented by preventing a dopant diffusion from a dopant channel layer towards lower directions.例文帳に追加

不純物チャネル層から下方向への不純物拡散を防止することにより、接合容量や接合リークを抑えたトランジスタを提供する。 - 特許庁

A feeding film is formed on the upper surface of the insulating member and thereafter an opening whose bottom is the lower layer wire is formed of the feeding film.例文帳に追加

絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から下層配線を底部とする開口部を形成する。 - 特許庁

Even more, the length in a longitudinal direction is shortened at such lower magnetic pole end layer 32 but a large spread is assured in a track width direction.例文帳に追加

しかも、こういった下部磁極端層３２では、前後方向の長さは短縮されるものの、トラック幅方向に大きな広がりが確保される。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a board with a first semiconductor layer 2 provided with projections on its surface, an electrode layer 4 formed of metal material having lower thermal conductivity than semiconductor material that forms the first semiconductor layer 2, and an alloy layer 5 of alloy of the component material of the first semiconductor layer 2 and the component material of the electrode layer 4.例文帳に追加

表面に凸部が形成された第１の半導体層２を有する基板と、第１の半導体層２上に形成され、第１の半導体層２の半導体材料よりも熱伝導率の低い金属材料からなる電極層４と、凸部の上部領域に選択的に形成され、第１の半導体層２の構成材料と電極層４の構成材料との合金からなる合金層５とを備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a two-layer dessert by filling an upper layer liquid followed by filling a lower layer liquid higher in viscosity and specific gravity than the upper layer to make a two-layer form followed by cooling to effect solidification, wherein the separableness between the two layers is good even in case that insoluble particles are present in the upper layer liquid and the gelation needs long time due to slow cooling.例文帳に追加

上層液を先に充填した後、上層液よりも粘度および比重の高い下層液を充填して二層状態を形成させ、冷却固化させてデザートを製造する場合に、上層液に不溶性粒子が存在し、かつ、緩慢冷却によってゲル化までに時間がかかる場合であっても、二層間の分離性が良い二層状デザートの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The electrostatic sensor 15 detects change in electrostatic capacity resulting from tracing with a finger, and includes a dielectric layer 3, a first electrode layer 11 disposed on a surface of the dielectric layer 3 on the side of the finger, and a second electrode layer 12 disposed on a surface of the dielectric layer 3 on the opposite side from the side of the finger, the dielectric layer being lower in moisture absorptivity than polyimide.例文帳に追加

本発明の静電容量センサは、指のなぞりによる静電容量の変化を検知する静電容量センサ１５であって、誘電体層３と、誘電体層３の、指の側の面に位置する第１の電極層１１と、誘電体層３の、指の側と反対側の面に位置する第２の電極層１２とを備え、誘電体層の吸湿率が、ポリイミドよりも小さいことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a plurality of integrated photosensors arranged on the same substrate, each composed of at least a lower electrode layer 103, a semiconductor layer 105 and an upper electrode 107, comprises a step of forming an insulation film 108 on the surface of the electrode layer or the semiconductor layer and a step of scribing at least the electrode layer or the semiconductor layer, starting from the insulation film 108.例文帳に追加

少なくとも下部電極層１０３と、半導体層１０５と、上部電極層１０７とからなる光起電力素子を同一基板上に複数配列してなる集積型光起電力素子の製造方法において、電極層または半導体層の表面に絶縁膜１０８を形成する工程と、絶縁膜１０８側から少なくとも電極層または半導体層をスクライブする工程とを有する。 - 特許庁

The machine side layer 23 is a batting layer containing a core-sheath conjugated fiber composed of a core component made of a high-melting nylon and a sheath component made of a nylon having a melting point lower than that of the core component and the surface of the machine side layer 23 is formed with a fusion layer of the sheath component.例文帳に追加

機械側層２３は、高融点のナイロンからなる芯成分と該芯成分よりも低融点のナイロンからなる鞘成分とから構成される芯鞘複合繊維を含むバット層であり、機械側層２３の表面は鞘成分の溶着層を形成していることを特徴とする湿紙搬送用ベルトである。 - 特許庁

The piezoelectric element formed on the surface of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 has a multilayered structure provided with a piezoelectric layer 31 consisting of an upper layer piezoelectric material 34 and a lower layer piezoelectric material 35 which are alternately laminated, and electrode layers 36, 37, 35 for generating an electric field to be applied to the layer 31.例文帳に追加

圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備えた多層構造とする。 - 特許庁

The metering roll of the roll coater which is incorporated into a paper machine of a papermaking machine and is exposed to coating liquids used in a papermaking process such as a coat liquid and a sizing liquid, has a chromium plated layer at its outermost layer and has a nickel-tungsten alloy plated layer consisting essentially of nickel at a lower layer thereof directly contacting with the chromium plating.例文帳に追加

製紙機械の抄紙機に組み込まれて、コート液あるいはサイズ液のような製紙工程で用いるコーティング液に晒されるロールコーターのメタリングロールにおいて、最外層にクロムめっき層を有し、その下層の直接的にクロムめっきと接触する層にニッケルを主成分とするニッケル−タングステン合金めっき層を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device having fuse elements, the fuse elements are formed in a wiring layer present on the side of the lower layer than the uppermost wiring layer of the semiconductor device, and at the time point when completing the manufacturing process of the wiring layer, a fuse trimming is performed, and thereafter, the manufacturing processes of residual wiring layers are completed constitutionally.例文帳に追加

ヒューズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒューズ素子を半導体装置における最上配線層よりも下層側の配線層にて形成し、その配線層の製造工程が完了した時点で、ヒューズトリミングを行い、その後に残りの配線層の製造工程を完了する構成とする。 - 特許庁

To resolve a problem that partial HC desorbed is discharged without being oxidized in a catalyst activating process because a desorption temperature of HC is lower than an activating starting temperature of a catalyst layer, in a catalytic converter of a multiplayer structure provided with an oxidation catalytic layer on a surface of an HC adsorptive layer (zeolite layer).例文帳に追加

ＨＣ吸着層（ゼオライト層）の表面に酸化触媒層を設けた多層構造の触媒コンバータにおいて、ＨＣの脱離温度が触媒層の活性開始温度よりも低いことから、触媒が活性化する過程では脱離した一部のＨＣが酸化されることなく排出されてしまう。 - 特許庁

An Si-Cap layer 3c is formed in an upper portion of the intrinsic base layer, and the emitter layer 8 includes an upper emitter region 8b formed over the Si-Cap layer 3c and a lower emitter region 8a formed below the upper emitter region 8b and in contact with the upper emitter region 8b.例文帳に追加

真性ベース層の上部には、Ｓｉ−Ｃａｐ層３ｃが形成されており、エミッタ層８は、Ｓｉ−Ｃａｐ層３ｃの上部に形成された上部エミッタ領域８ｂと、該上部エミッタ領域８ｂの下側に該上部エミッタ領域８ｂと接して形成された下部エミッタ領域８ａとにより構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated container wherein even in the case where an inner layer is formed of a resin material of a lower melting point than that of an outer layer, a suitable laminated structure is obtained while a highly precise parison is obtained by injection molding, and partial bonding of the inner layer to the outer layer can be easily carried out.例文帳に追加

内層が外層よりも融点の低い樹脂材料から形成される場合であっても、射出成形によって精度の高いパリソンを得つつ、適切な積層構造を得るとともに、内層と外層との部分結合を容易に成すことができる積層容器の製造方法を提供する。 - 特許庁

This structure of grave soil is composed of a surface layer 1 formed of a bamboo material in the chip state or a powdery state containing an antimicrobial component for suppressing the propagation of microorganisms, an intermediate sand layer 2 for leveling unevennesses, an intermediate carbon layer 3 having absorptivity of water and moisture and humectant properties and a lower layer 4 formed of gravels having draining properties.例文帳に追加

本発明墓土の構造は、菌の繁殖を抑える抗菌成分を含むチップ状又は粉状の竹材で形成する表面層１と、凹凸を均す中間砂層２と、水分湿気の吸収性と保温性を備えた中間炭層３と、排水性を備えた礫で形成した下層４とから構成される。 - 特許庁

Since the inner layer 3a is sheathed with an outer layer 3a made of a synthetic resin whose content of the radiopaque material is lower than the content of the radiopaque material in the inner layer 3a, the area occupied by the radiopaque material in the outer surface of the outer layer 3a is smaller than a conventional one.例文帳に追加

また、その内層３ａは、内層３ａにおけるＸ線不透過材料の含有率より低割合でＸ線不透過材料を含有する合成樹脂製の外層３ａで被覆されているので、外層３ａの外表面におけるＸ線不透過材料の占める面積の割合は従来と比較して減少する。 - 特許庁

A drain region is provided on the upper part of the distorted semiconductor layer and the second semiconductor layer, a source region is provided on the lower part of the distorted semiconductor layer and the second semiconductor layer and on the surface of the semiconductor substrate, and a vertical type MISFET for which a wiring body is connected to each region is configured.例文帳に追加

歪み半導体層及び第２の半導体層の上部にはドレイン領域を設け、歪み半導体層及び第２の半導体層の下部且つ半導体基板の表面にはソース領域を設けておき、配線体をそれぞれの領域に接続した縦型のＭＩＳＦＥＴを構成すること。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a SiO_2 layer 13 on a silicon substrate 11, a step for forming a SiN layer 14 containing nitrogen less than the stoichiometric composition of an SiN film on the SiO_2 layer 13 by using an ALD method, and a step for performing plasma nitriding treatment of the SiN layer 14 at the substrate temperature of lower than 500°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrophotographic photoreceptor, by which the contamination of a surface resin of a lower layer by a solvent contained in a coating liquid for a surface layer is prevented and a lubricant is stably dispersed on the surface layer, when immersion coating method is performed in a step for forming the surface layer of the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

電子写真感光体の表面層を形成する工程において、浸漬コーティング法を行う際、表面層用塗布液に含有される溶剤による下層の表面樹脂のコンタミネーションを防ぎ、且つ潤滑剤が表面層に安定的に分散された電子写真感光体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

There is provided a semiconductor layer 6 of a convex structure composed of a self-matching lateral and vertical epitaxial semiconductor layer having a wiring layer 3 in the lower part through an oxide film 2 on a semiconductor substrate 1, and the semiconductor layer 6 of the convex structure is isolated like an island by an element isolation region embedding insulating film 4 and the oxide film 2.例文帳に追加

半導体基板1上に酸化膜2を介して、下部に配線層3を有する自己整合の横及び縦方向エピタキシャル半導体層からなる凸状構造の半導体層6が設けられ、凸状構造の半導体層6は素子分離領域埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。 - 特許庁