「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

The auxiliary capacitance is provided by a first transparent conductive pattern 39 on a gate insulating film 15 in a lower side of the thick type resin film 5, and a second transparent pattern 19 in a lower layer than the gate insulating film 15.例文帳に追加

補助容量が、厚型樹脂膜５より下層側で、ゲート絶縁膜１５上の第１透明導電パターン３９と、ゲート絶縁膜１５より下層の第２透明導電パターン１９とにより設けられる。 - 特許庁

The voltage supply side electrode layer is disposed in the lower surface of a piezoelectric body so that the tip side and the base end side of the lower surface of the piezoelectric body are exposed to form a tip exposed surface and a base end exposed surface.例文帳に追加

電圧供給側電極層は、圧電本体の下面の先端側及び基端側が露出して先端側露出面及び基端側露出面を形成するように前記圧電本体の前記下面に設けられる。 - 特許庁

During dry etching of the carbon-contained film for forming a lower mold layer, a storage node hole having an outer diameter size that is larger in a lower part than in an upper part by using an isotropic etching characteristic of the carbon-contained film.例文帳に追加

下部モールド層の形成のための炭素含有膜のドライエッチング時、炭素含有膜の等方性エッチング特性を利用して、上部より下部でさらに大きい外径サイズを持つストレージノードホールを形成できる。 - 特許庁

Disclosed is a resin board to be used for the lower electrode substrate of a touch panel, that is, a resin board for lower electrode substrate configured by laminating acryl-based resin layers on the both surfaces of a methyl methacrylate/styrene copolymer resin layer.例文帳に追加

タッチパネルの下部電極基板に使用される樹脂板であって、メチルメタクリレート−スチレン共重合体樹脂層の両面にアクリル系樹脂層が積層されてなる下部電極基板用樹脂板である。 - 特許庁

The via to be formed here is in this low-k dielectric layer, and combines a lower metallization line formed on the lower metallization level and an upper metallization line formed on an upper metallization level.例文帳に追加

ここで形成するバイアは、このｌｏｗ−ｋ誘電体層内にあり、下部メタライゼーション・レベル内に形成した下部メタライゼーション・ラインを、上部メタライゼーション・レベル内に形成した上部メタライゼーション・ラインに結合する。 - 特許庁

(2) The original plate for photosensitive printing, as stated in (1), in which the residual solvent included in (B) the photosensitive resin layer consists mainly of water and a lower aliphatic alcohol and the ratio of the water and the lower aliphatic alcohol is 2/8 to 8/2.例文帳に追加

（Ｂ）感光性樹脂層に含まれる残存溶剤が、主として水と低級脂肪族アルコールからなり、水と低級脂肪族アルコールの比率が２／８〜８／２である前記 記載の感光性印刷用原版。 - 特許庁

An insulation film having an opening in its center may be stuck to the lower surface and the conductive layer of the projecting type terminal and stick the conductive adhesion film to the lower surface and the opening periphery part of the projecting type terminal exposed to the opening.例文帳に追加

中央に開口を有する絶縁フィルムを凸型端子の下面及び導電層に貼付け、開口に露出する凸型端子の下面と開口周縁部に導電粘着フィルムを貼着してもよい。 - 特許庁

The foot part 50 is provided with a laminated body 30 laminated with a lower plate 13b, an impact absorbing layer 14 and an upper plate 13a in this order, and a link mechanism 20 connecting the lower plate 13b and the upper plate 13a to each other.例文帳に追加

足部５０は、下板１３ｂ、衝撃吸収層１４、及び上板１３ａがこの順で積層された積層体３０と、下板１３ｂ及び上板１３ａを相互に連結させるリンク機構２０と、を備える。 - 特許庁

The earth and sand below the casing 30 is prevented from being further pushed into a lower layer, and is urged to move to the outside of the radial direction of the lower tip of the casing 30, so as to prevent the replacement of the soil particles in the ground.例文帳に追加

そして、ケーシング３０下側を土砂のさらに下層へと押し込んでしまうことを防ぎ、ケーシング３０下側先端部の半径方向外側への移動を促すことで、地盤の土粒子の入れ替えを防止する。 - 特許庁

A first shield layer 40 is formed between the upper wiring pattern and the lower wiring pattern, and the upper wiring patterns 18a and 18b and the lower wiring patterns 16a and 16b are superposed in a plan view.例文帳に追加

前記上部配線パターンと前記下部配線パターンの間に第１シールド層４０が設けられ、前記上部配線パターン１８ａ，１８ｂと前記下部配線パターン１６ａ，１６ｂとが平面視にて重ねられている。 - 特許庁

This AFC structure allows the decrease of such composite Mrt to be attained, without increasing the Mrt of any of the three lower layers beyond a maximum Mrt of a single lower layer in the conventional AFC structure.例文帳に追加

このＡＦＣ構造は、かかる合成Ｍｒｔの低下を、前記３つのいずれの下部層のＭｒｔをも従来のＡＦＣ構造の単一の下部層の最大Ｍｒｔ以上に増大させることなく達成する。 - 特許庁

The difference in the contact areas between the lower and upper electrodes 19, 21 causes an electric field concentration in the variable resistance layer 20, resulting in the generation of a resistance change area 20a near the part to which the lower electrode 19 is connected.例文帳に追加

そして、この電極１９、２１の接続領域の相違により、可変抵抗層２０では、電界集中が生じ、下部電極１９が接続された部分近傍に抵抗変化領域２０ａが発生する。 - 特許庁

The third lower semiconductor DBR 103_3 is provided between a resonator structure and the second lower semiconductor DBR 103_2, and each refraction layer is set to have an optical thickness of λ/4.例文帳に追加

第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３は、共振器構造体と第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ／４の光学厚さとなるように設定されている。 - 特許庁

The constitution of a capacitor lower electrode side is turned into a structure of Pt/Pt-Ti/TiO2, for instance, and excess Ti is not left under a lower electrode and the heat treatment is performed before forming a dielectric layer.例文帳に追加

キャパシタ下部電極側の構成を、例えば、Ｐｔ／Ｐｔ−Ｔｉ／ＴｉＯ_2の構造にし、下部電極下に余剰なＴｉを残さないようにし、誘電体層を形成する前にあらかじめ熱処理を加えておく。 - 特許庁

The nonlinear element 10x includes: the lower electrode 13x composed of a tantalum film containing nitrogen and tungsten; the insulating layer 14x covering the surface side of the lower electrode 13x; and an upper electrode 15x.例文帳に追加

非線形素子１０ｘは、窒素およびタングステン含有のタンタル膜からなる下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、および上電極１５ｘを備えている。 - 特許庁

In the step (c), by forming the intermediate layer opening 15 in such a shape that the second dimension becomes smaller at a lower portion lower than at an upper portion, the third dimension is made smaller than the first dimension in the step (d).例文帳に追加

工程（ｃ）において、第２の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口１５を形成することにより、工程（ｄ）において、第３の寸法を第１の寸法よりも小さくする。 - 特許庁

In a vibration part 20, upper/lower faces of a thin film having piezoelectric thin film 16 having not less than one layer and formed on the hollow part 17 are sandwiched by an upper electrode 15b and a lower electrode 15a by making them face each other.例文帳に追加

空洞部１７上に形成されている１層以上の圧電薄膜１６を有する薄膜部の上下面を上部電極１５ｂおよび下部電極１５ａを対向させて挟む振動部２０を設ける。 - 特許庁

At that time, while a water supply pipe is pulled up to the ground, the soil cement column wall 1 from the vicinity of the lower end of the sand layer 3 to the vicinity of the lower end of the rounded steel pipe 9 is crushed so that the groundwater can flow.例文帳に追加

その際、送水管２１を地上へ引き上げつつ、砂層４の下端付近から丸型鋼管９の下端付近までのソイルセメント柱列壁１を地下水が通水可能な状態になるまで破砕する。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

After forming a pattern of a lower electrode made of metal on the surface of a substrate, an etching stop layer made of material different from that of the lower electrode is formed on the surface of the pattern of the lower electrode, which is an area including an area that is not covered by a piezoelectric thin film.例文帳に追加

前記基板の表面に金属からなる下部電極のパターンを形成した後、この下部電極のパターンの表面であって、前記圧電体薄膜により被覆されない領域を含む領域に前記下部電極とは異なる材質のエッチングストップ層を形成する。 - 特許庁

The surface electrode 3 keeps the current passing through the electron passing layer 4 in a prescribed value during a forward voltage period T1 impressing a voltage higher than that of the lower electrode 2 on the surface electrode 3, and a reverse voltage period T2 impressing a voltage lower than that of the lower electrode 2 on the surface electrode 3.例文帳に追加

表面電極３を下部電極２よりも高電位とした電圧を印加する順電圧期間Ｔ１と、表面電極３を下部電極２よりも低電位とした電圧を印加する逆電圧期間Ｔ２とにおいて、電子通過層４を通過する電流を設定値に保つ。 - 特許庁

There are provided a first lower layer wiring (31) formed on an insulation film of a semiconductor substrate; a first via hole (61) formed on the first lower wiring; and a MIM capacitor formed on the first via hole being composed of a lower electrode (9), insulating film (8), and upper electrode (12).例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁

When the external wiring voltage becomes lower than a lowest voltage of the rated voltage range, the external wire voltage is prevented from becoming lower than the lower limit of the rated voltage range by use of discharge power from the electric double layer capacitor by pressure dropping action and pressure boosting action of a pressure adjusting chopper (restriction of voltage fall).例文帳に追加

外線電圧が定格電圧範囲の下限電圧を下回ったときには、昇降圧チョッパの降圧動作と昇圧動作による電気二重層キャパシタからの放電電力によって外線電圧がその定格電圧範囲の下限を下回らないよう保持する（電圧降下抑制）。 - 特許庁

The projection and recessed surface 31a of the light diffusion plate 31 for which a convex and concave surface 31a is formed on at least one surface is turned to a lower side and disposed, a primer liquid is applied from the lower side to the convex and concave surface 31a turned to the lower side, and thus the light diffusion plate with the primer layer is manufactured.例文帳に追加

少なくとも片面に凹凸面３１ａが形成された光拡散板３１の凹凸面３１ａを下側に向けて配置せしめ、該下側を向いた凹凸面３１ａに対して下方側からプライマー液を塗布することによって、プライマー層付き光拡散板を製造する。 - 特許庁

To design layout of lower modules of a semiconductor integrated circuit having a plurality of layers while considering a wiring state of an upper layer near the lower modules in each location of the lower modules to be used in a plurality of places.例文帳に追加

複数階層を有する半導体集積回路の階層レイアウトを行なう際に、複数個所で使用される下位モジュールについての各配置箇所における下位モジュール近傍の上位階層の配線状況を考慮して、下位モジュールのレイアウト設計を行なうことを課題とする。 - 特許庁

The electronic part 1 has a lower conductor 21 (a first conductor) formed on the planarizing layer 52 of a substrate 51, a dielectric film 31 formed on the lower conductor 21, and an upper conductor (a second conductor) 23 which is formed on the dielectric film 31 and is thinner than the lower conductor 21.例文帳に追加

電子部品１は、基板５１の平坦化層５２上に形成された下部導体（第１導体）２１と、下部導体２１上に形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成されて下部導体２１より薄い上部導体（第２導体）２３とを有している。 - 特許庁

This lower roofing material is provided with a nonslip layer 2 capable of providing a state having high friction resistance between a rear surface of a lower roofing material main body 1 and a surface of the substrate board of the pitched roof on the rear surface of the lower roofing material main body 1 to achieve excellent nonslip property between the surface of the substrate board of the pitched roof and it.例文帳に追加

本発明に係る屋根下葺材は、屋根下葺材本体１の裏面に、勾配屋根下地板の表面との間で摩擦抵抗が高い状況を作ることのできる滑り止め層２を設けたことを特徴とし、勾配屋根下地板の表面との防滑性が図れるようにした。 - 特許庁

Thus, even when the stamp 1 is left unused for a long period of time in a state that the lid member 56 is attached to the lower end of the lower holder 31 of the holder member, ink on the printing part 48 of the lower layer 47 of the printing material 3 is prevented from being oxidized, and hence drying and caking can be prevented.例文帳に追加

これにより、蓋部材５６をホルダ部材における下部ホルダ部３１の下端部に取り付けた状態で、スタンプ１が長期間、使用されずに放置されても、印材３の下側層４７の印面部４８のインクが酸化することを防止でき、インクが乾燥・固化することを防止できる。 - 特許庁

A display electrode 12 on a lower substrate 3 and a routed wiring 9 are two-layer-structured holding an insulating film 21 in-between, and in the state in which the lower substrate 3 is placed to face an upper substrate 4, the routed wiring 9 on the lower substrate 3 is formed at the position opposing the display electrodes 13 on the upper substrate 4.例文帳に追加

下基板３の表示電極１２と引き廻し配線９とを絶縁膜２１を挟んだ２層構造とし、下基板３の引き廻し配線９は、下基板３と上基板４とを対向配置させた状態で上基板４の表示電極１３と対向する位置に形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device equipped with a ferroelectric capacitor comprises processes of forming the lower electrode layer of the ferroelectric capacitor on the semiconductor wafer provided with an underlying structure for the ferroelectric capacitor, forming an amorphous ferroelectric layer on the lower electrode layer, thermally treating the ferroelectric layer in an atmosphere containing a prescribed gas, and forming an upper electrode on the ferroelectric layer that has been crystallized through a thermal treatment.例文帳に追加

本発明による強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタに対する下地構造を有する半導体ウエハに、強誘電体キャパシタの下部電極層を形成する工程と、下部電極層に、アモルファス相の強誘電体層を形成する工程と、所定のガスを含む雰囲気中で、強誘電体層に熱処理を行う工程と、熱処理により結晶化した強誘電体層に、上部電極を形成する工程より成る。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

A yoke layer 135 is formed in contact with the main pole layer 24, and the width dimension of the yoke layer 135 gradually or continuously spreads toward the backside in the height direction, and toward a lower surface from an upper surface.例文帳に追加

前記主磁極層２４に接してヨーク層１３５が形成されており、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方に向かって、段階的または連続的に幅寸法が広がるとともに、上面から下面に向って段階的または連続的に幅寸法が広がる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a semiconductor element is connected to an element connection surface via an element connection layer composed of solder, and another member is connected to the another member connection surface via an another member connection layer composed of solder having a melting point lower than that of the solder for forming the element forming layer.例文帳に追加

半導体装置は、素子接続面に、半田からなる素子接続層を介して半導体素子を接続し、他部材接続面に、前記素子接続層を形成する半田より融点の低い半田からなる他部材接続層を介して他部材を接続した。 - 特許庁

The upper surface layer 3 and the lower surface layer 5 are formed respectively of thermoplastic synthetic fibers 11 and 12, as main materials, each having a fiber length of 25-70 mm and a fineness of 0.7-3.5 dtex, while the intermediate layer 6 is formed of a pulp fiber 13 as the main material.例文帳に追加

上部表面層３と下部表面層５とのそれぞれは、繊維長２５〜７０ｍｍ、繊度０．７〜３．５ｄｔｅｘの熱可塑性合成繊維１１，１２のそれぞれを主体にして形成され、中間層６がパルプ繊維１３を主体にして形成される。 - 特許庁

The cover body 4 is provided with a metal layer 2, consisting of a nickel-cobalt alloy which is formed to the entire circumferential part of the external circumference of the lower surface of a plate body 1, and a solder layer 3 consisting mainly of tin formed to the entire circumferential part of the surface of the metal layer 2.例文帳に追加

蓋体４は、板状体１の下面の外周部に全周にわたって形成されたニッケル−コバルト合金からなる金属層２と、金属層２の表面に全周にわたって形成された錫を主成分とする半田層３とを具備している。 - 特許庁

The charging roller 10 charges a body to be charged by applying voltage between the body to be charged and the charging roller while abutting on the body to be charged, and is successively equipped with an urethane foam layer 2, a lower layer 3, and a surface layer 4 on the outer periphery of a shaft 1.例文帳に追加

被帯電体に当接させて、該被帯電体との間に電圧を印加することにより該被帯電体を帯電させる帯電ローラであって、軸１の外周に、ウレタンフォーム層２と、下層３と、表層４と、を順次備える帯電ローラ１０である。 - 特許庁

The semiconductor laser which is equipped with a refractive index waveguide structure and a current stricture structure and oscillates in basic lateral mode has light guide layers 5 and 7 above and below a quantum wall layer 6, and the upper light guide layer 7 is made thicker than the lower light guide layer 5.例文帳に追加

屈折率導波構造および電流狭窄構造を備えた基本横モード発振する半導体レーザにおいて、量子井戸層６の上下に光ガイド層５，７を備え、上部光ガイド層７の厚みを下部光ガイド層５の厚みより薄くする。 - 特許庁

When the in-plane resistance of a write layer 2b is set relatively high and the in-plane resistance of a conductive layer 2c is set lower than that of write layer 2b, the image is written with high accuracy and the potential of the electrostatic latent image is regulated with high accuracy.例文帳に追加

その場合、書込層２ｂの面内抵抗を比較的高く、導電層２ｃの面内抵抗を書込層２よりも低く設定することで、像の書込が高精度に行われるとともに、静電潜像の電位調整がより高精度に行われる。 - 特許庁

Each conductive plug 15 of the cross-sectional form of almost a rectangle is connected between each upper Al wiring layer 14 and each lower Al wiring layer 13, but the plug 15 is formed in such a way that the half length of the plug 15 squeezes out from the layer 13.例文帳に追加

横断面形状が概略長方形の導電性プラグ１５は上層Ａｌ配線層１４と下層Ａｌ配線層１３間に接続されるが、導電性プラグ１５は下層Ａｌ配線層１３から半分の長さがはみ出すように形成される。 - 特許庁

In a calcination step that calcines the lower electrode 3, the calcination is performed at a low temperature at which only the low-temperature melting layer 3A melts, and in an annealing process step of the piezoelectric layer 4, the annealing process is performed at a high temperature at which the high-temperature melting layer 3B melts.例文帳に追加

下部電極３を焼成する焼成工程においては、低温溶融層３Ａのみが溶融する低い温度で焼成を行い、圧電層４アニール処理工程においては、高温溶融層３Ｂが溶融する高い温度でアニール処理を行う。 - 特許庁

When the cork layer 1a and a core sheet 1b are respectively used as upper and lower layers to be laminated integrally, the cork layer 1a mixed with a resin binder and sheetlike rubber cloth are superposed one upon another to be vulcanized and molded to form a coating film 1c on the surface of the cork layer 1a.例文帳に追加

コルク層１ａを上層とし、芯板１ｂを下層として積層一体化させるとき、樹脂バインダーを混合したコルク層１ａと、板状ゴム生地とを重ね合わせて加硫形成し、前記コルク層１ａの表面に皮膜１ｃを形成せしめる。 - 特許庁

A white paperboard having a multilayer structure, in which dark gray color derived from used paper included inside a white lower layer may be uniformly covered, may be obtained by adding 3 mass% or more and 10 mass% or less of calcium carbonate to a white layer with respect to a total amount of pulp included in the white layer.例文帳に追加

白層に炭酸カルシウムを白層のパルプ量に対して３質量％以上、１０質量％未満内添することにより、白下層より内側の古紙に起因する暗灰色を均一に隠蔽する多層抄構造の白板紙が得られる。 - 特許庁

An energy level at a conduction-band end in at least one of an electric field adjusting layer in a laminating direction is higher than an energy level of the conduction-band end in the light absorbing layer, and is lower than an energy level of the conduction-band end of the multiplying layer.例文帳に追加

電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 - 特許庁

After an insulating layer 12 composed of SiO_2 etc. and a buffer layer 14 composed of a strontium oxide (SrO) etc., are successively formed on a substrate 10, such as single-crystal silicon substrate etc., a lower electrode 16 composed of a strontium ruthenate (SRO) is formed on the buffer layer 14.例文帳に追加

シリコン単結晶基板等の基板１０上にＳｉＯ_２等からなる絶縁層１２及び酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等からなるバッファ層１４を順に形成し、バッファ層１４上にルテニウム酸ストロンチウム（ＳＲＯ）からなる下部電極１６を形成する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium wherein medium performance e.g. higher power, lower noise, etc., is improved by improving orientation properties of a magnetic recording layer, reducing an initial growing layer and decreasing a grain size of the magnetic recording layer.例文帳に追加

磁気記録層の配向性を改善し、磁気記録層における初期成長層を低減し、および磁気記録層の結晶粒径を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能を改善された垂直磁気記録媒体の提供。 - 特許庁