「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical waveguide is manufactured by successively forming the lower clad layer, the optical waveguide core and the upper clad layer which are each made of organic materials after providing the buffer layer made of the silicon oxide or the spin-on glass on the inorganic substrate except the silicon substrate.例文帳に追加

この光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層を設けた後、各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層を順次形成することより製造される。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。 - 特許庁

This member is provided with a steel base material 1 having a surface hardened layer 2 and a facial pressure reducing layer 3 of soft metal such an Sn and an Sn-Cu alloy formed on the surface hardened layer 2 and whose hardness is lower than that of the surface by ≥150 Hv.例文帳に追加

表面硬化層２を有する鋼製母材１と、前記表面硬化層２の上に形成され、その表面硬度に対して硬度がＨｖ１５０以上低いＳｎ、Ｓｎ−Ｃｕ合金等の軟質金属からなる面圧低減層３とを備える。 - 特許庁

A channel-doped layer 123 is formed in a well layer 121 which is the lower layer to the gate electrode 29A of a MOS transistor T51, and a nitrogen inlet region N11 is formed in the gate electrode 29A and near a junction interface between the gate electrode 29A and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴ５１のゲート電極２９Ａの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２３が形成され、ゲート電極２９Ａ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１１が形成されている。 - 特許庁

This hologram transfer sheet comprises a base film obtained by laminating a shrink film stretched in the same direction as a direction where the transfer sheet is sent, a release layer, a hologram film with a lower face as a hologram-forming face and a vapor-deposition layer vapor-deposited thereon and an adhesive layer, all of these constituents being laminated over each other.例文帳に追加

転写シートの送り方向と同一の方向に延伸された収縮フィルムを積層したベースフィルムと、離形層と、下面をホログラム形成面とし蒸着層を蒸着したホログラムフィルムと、接着層とを積層したことを特徴とする。 - 特許庁

In one mode of this invention, each of two or more network communications has a different condition object in a high order layer of a network-protocol stack, and can have a common condition object in a lower layer (for example a framing layer) of the network-protocol stack.例文帳に追加

本発明の一態様では、２つまたはそれ以上のネットワーク通信はそれぞれ、ネットワークプロトコルスタックの上位層内に異なる状態オブジェクトを持ち、ネットワークプロトコルスタックの下位層（例えば、フレーミング層）内に共通状態オブジェクトを持つことができる。 - 特許庁

The circuit upper face pattern layer 2a or the circuit lower face pattern layer 4 and the intermediate pattern layer 3 are connected by a conductor film 2b with thermal conductivity of 50 W/(m K) or above, which is continuously formed on an inner wall face of the first back facing hole 9.例文帳に追加

回路上面パターン層２ａ又は回路下面パターン層４のいずれか１つと中間パターン層３が、第１のザグリ穴９の内壁面に連続して形成された熱伝導率５０Ｗ/(ｍ・Ｋ)以上の熱伝導体膜２ｂで接続されている。 - 特許庁

In the black matrix layer, the reflectivity on the side of aluminum alloy film 211 as high reflectivity layer arranged on the light source side is high and the reflectivity on the side of Cr film 212 arranged on the liquid crystal layer side of the opposite side thereof is sharply lower than that on the side of aluminum alloy film 211.例文帳に追加

このブラックマトリックス層では、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜２１１側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜２１２側の反射率がそれよりも大幅に低くなっている。 - 特許庁

Finally, the upper layer wirings and a via plug for electrically connecting the upper layer wirings and lower layer wirings are formed by filling the first and the second hole apertures with a conductor.例文帳に追加

最後に、前記第一および第二の溝状開口部、並びに、前記第一および第二の孔状開口部に導電体を充填することにより、前記上層配線および当該上層配線と前記下層配線とを電気的に接続するビアプラグを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a capacitor comprises a step for forming a lower electrode 35 of a capacitor on a semiconductor substrate 31 by using an electrochemical deposition method, a step for carrying out wet cleaning for removing impurities on a surface of the lower electrode, a step for forming a dielectric layer 40 on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 41 on the dielectric layer.例文帳に追加

キャパシタの製造方法は、半導体基板３１上に電気化学蒸着法を用いてキャパシタの下部電極３５を形成するステップと、前記下部電極の表面の不純物を除去するため湿式洗浄するステップと、前記下部電極上に誘電体層４０を形成するステップと、前記誘電体層上に上部電極４１を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is composed of an organic layer containing a luminous layer between a lower electrode and an opposing electrode formed on a substrate, and the defective part, generating short-circuiting between the opposing electrodes and the lower electrode, is treated so as to become non-conductive by making at least either the opposing electrodes or the lower electrode contact active gas.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極と対向電極の間に、発光層を含む有機層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該対向電極と下部電極の少なくとも一方に活性ガスを接触させることによって、対向電極と下部電極の間の短絡を生ずる欠陥部分を非導通化処理した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

To form at least two layers of coating films on the surface of a support simultaneously by using two coatings in which the viscosity of the coating of the lower layer is lower than that of the coating of the upper layer, to make the coating films of the upper and lower layers thin and uniform, and to enable shorter wave recording to be realized.例文帳に追加

下層塗料の粘度が上層塗料の粘度よりも低い塗料を用いて支持体表面に少なくとも二層の塗布膜を同時に形成し、形成される少なくとも二層の塗布膜の膜厚の均一化および薄膜化を可能とするダイヘッドを有する塗布装置を提供し、さらなる短波長記録化を可能とする磁気記録媒体を提供することである。 - 特許庁

The display body comprises: a printed pattern layer having a prescribed pattern formed on a rear surface of a transmissive substrate by printing; a reflection enhancing film layer wherein thin films having a refractive index higher than that of the substrate and thin films having a refractive index lower than that of the substrate are alternately laminated on the printed pattern layer; and a color layer formed on the reflection enhancing film layer.例文帳に追加

透過性を有する基板裏面に所定の図柄を印刷により形成した印刷模様層と、印刷模様層の上に基板の屈折率よりも高い屈折率からなる薄膜と，基板の屈折率よりも低い屈折率からなる薄膜とを交互に積層してなる反射増加膜層と、反射増加膜層の上に着色層と、が形成されることによりなる。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor includes: an effective layer formed by alternately laminating inner electrodes and dielectric layers; and a protection layer formed by stacking dielectric layers on upper and lower surfaces of the effective layer, wherein the thickness of the protection layer is 10.0 to 30.0 times the sum of an average thickness of the inner electrodes and an average thickness of the dielectric layers within the effective layer.例文帳に追加

本発明による積層セラミックキャパシタは、内部電極及び誘電体層が交互に積層されて形成された有効層と、上記有効層の上面及び下面に誘電体層が積層されて形成された保護層とを含み、上記保護層の厚さは上記有効層内の内部電極の平均厚さと誘電体層の平均厚さの和の１０．０から３０．０倍である。 - 特許庁

The inorganic electroluminescent element at least includes: a substrate 18; a light-emitting active layer 11 including quantum dots and arranged above the substrate; the insulating layer 15 arranged between the substrate 18 and the light-emitting active layer 11; a lower part electrode 17 arranged between the substrate 18 and the insulating layer 15; and an upper electrode 16 arranged above the light-emitting active layer 11.例文帳に追加

無機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１８と、量子ドットを含み且つ基板の上方に配置される発光活性層１１と、基板１８と発光活性層１１の間に配置される絶縁層１５と、基板１８と絶縁層１５の間に配置される下部電極１７と、発光活性層１１の上方に配置される上部電極１６とを少なくとも有する。 - 特許庁

A search control unit 40 sets a search range in the reference image in a layer higher by one layer than the marked layer in accordance with the initial search point determined by the determining unit 70 as a reference, allows the search unit 30 to carry out a search process within the search range and controls the search unit 30 to carry out the search process from a lower layer to an upper layer.例文帳に追加

探索制御部４０は、決定部７０により決定された初期探索点を基準として、注目階層の１つ上の階層の参照画像における探索範囲を設定し、探索範囲内において探索部３０に探索処理を実行させ、当該探索処理が下位の階層から上位の階層に向けて実行されるように探索部３０を制御する。 - 特許庁

In the semiconductor laser in which light generated in an active layer is emitted through a window, the window formed on a substrate is formed with a first semiconductor layer formed with a first carrier concentration and a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer so as to comprise the extended surface of the active layer with a second carrier concentration lower than the first carrier concentration.例文帳に追加

活性層で発生した光が、窓部を経て出射される半導体レーザにおいて、基板上に形成された窓部は、第１のキャリア濃度で形成された、第１の半導体層と、第１の半導体層上に、活性層の延長面を含むように形成され、かつ、第１のキャリア濃度より低い第２のキャリア濃度で形成された、第２の半導体層とを有している。 - 特許庁

This ferroelectric capacitor comprises a first electrode layer (a lower electrode 31) formed of a compound including a first metal and a second metal which are at least any one of Ir and Ru, a ferroelectric layer 32 formed on the first electrode layer, and a second electrode layer (an upper electrode 33) formed on the ferroelectric layer 32.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタは、ＩｒおよびＲｕのうち、少なくとも何れか一つの第１金属と、第２金属と、を含む化合物より形成された第１電極層（下部電極３１）と、第１電極層上に形成された強誘電体層３２と、強誘電体層３２上に形成された第２電極層（上部電極３３）と、を備えている。 - 特許庁

In the laser beam machining method for removing a machined material layer by irradiating laser beams from a first material layer side on a laminate consisting of a first material layer and a second machined material layer of a predetermined thickness in this order from the face side of the laminate, a material forming the first material layer is lower in deposition property than the second machined material.例文帳に追加

積層体の表面から順に第一の材料層と、所定の厚さの第二の加工材料層とから構成される積層に対して、第一材料層側からレーザ光を照射して加工材料層を除去するレーザ加工法において、前記第一の材料層を形成する材料を、前記第二の加工材料に対して付着性の低い材料とする。 - 特許庁

The reversible thermal recording medium 1 has a reversible thermal recording layer 6 that consists of a resin matrix and particles having organic acid dispersed therein, and becomes transparent or a white turbid state through heating, in which ceramics 5 are added to irradiate infrared rays on at least one layer of the recording layer 6, upper layer thereof, or lower layer thereof.例文帳に追加

樹脂母材とこれに有機酸を主成分とする粒子を分散してなる加熱により可逆的に透明あるいは白濁状態となる可逆性感熱記録層を有する可逆性感熱記録媒体において、この記録層、その上の層、若しくはその下の層の少なくとも１つの層に遠赤外線を放射するセラミクスを添加したことを特徴とする可逆性感熱記録媒体。 - 特許庁

In this coated magnetic tape having a lower non-magnetic layer containing non-magnetic powder and binding materials and an upper magnetic layer containing ferromagnetic powder and binding materials on a tape-shaped non-magnetic support body, the intermediate adhesion layer which contains only binding materials and the average dry thickness of which is ≥10 and <50nm is provided just under the upper layer magnetic layer.例文帳に追加

テープ状の非磁性支持体上に、非磁性粉末および結合剤を含有してなる下層非磁性層と、強磁性粉末および結合剤を含有してなる上層磁性層とを有する塗布型の磁気テープにおいて、上層磁性層の直下に、実質的に結合剤だけを含む平均乾燥厚みが１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満の中層結合層を設ける。 - 特許庁

The provisioning system of multilayer service network calculates the facility of physical layer to be installed based on a predicted traffic demand of that layer using an extended multilayer traffic engineering algorithm such that the topology of a lower layer network is designed simultaneously while taking account of addition of the physical layer facility when the path network of an objective layer is designed.例文帳に追加

対象とするレイヤのパス網を設計する際に、物理レイヤ設備の追加を考慮しながら、下位レイヤ網のトポロジーの設計を同時に行うように、マルチレイヤトラヒックエンジニアリングアルゴリズムを拡張した拡張マルチレイヤトラヒックエンジニアリングアルゴリズムを用い、当該レイヤの予測トラヒック需要に基づいて、配備すべき物理レイヤの設備を算出するマルチレイヤサービスネットワークのプロビジョニングシステムである。 - 特許庁

This anisotropically conductive adhesive film 1A is composed of a first nonconductive adhesive layer 2, second nonconductive adhesive layer 3 having lower modulus of elasticity after cured than modulus of elasticity of the first nonconductive adhesive layer 2 after cured and conductive particles 4 dispersed in at least one side of the first nonconductive adhesive layer 2 and the second nonconductive adhesive layer 3.例文帳に追加

異方導電性接着フィルム１Ａが、第１の絶縁性接着剤層２と、硬化後の弾性率が第１の絶縁性接着剤層２の硬化後の弾性率よりも低い第２の絶縁性接着剤層３と、第１の絶縁性接着剤層２又は第２の絶縁性接着剤層３の少なくとも一方に分散している導電粒子４からなる。 - 特許庁

When a subgraph as a graphics image of a specific layer is generated and a subgraph of a lower layer for a specific node of the subgraph is generated, the size of the node whose low-layer subgraph is generated is so varied to include the subgraph of the low layer and another node nearby the size-varied node is moved without interfering with the subgraph of the low layer.例文帳に追加

そして、所定の階層のグラフィックス・イメージであるサブグラフを生成し、このサブグラフにおける所定のノードに対する下位階層のサブグラフを生成した場合に、下位階層のサブグラフが生成されたノードのサイズを、この下位階層のサブグラフを包含するように変更し、さらにサイズ変更したノードの近隣の他のノードをこの下位階層のサブグラフに干渉しないように移動する。 - 特許庁

The multichannel thermooptic variable attenuator has a heat conductive layer made of a substance having high heat conductivity below the arm waveguide pair constituting the MZI circuit separately from a heat conductive layer provided below an adjacent MZI circuit, and also has a heat insulating layer made of a substance having lower heat conductivity than each heat conductive layer below the heat conductive layer.例文帳に追加

多チャンネルの熱光学可変減衰器は、ＭＺＩ回路を構成するアーム導波路対の下部に、熱伝導率の高い物質からなる熱伝導層を、隣接するＭＺＩ回路の下部に設けた熱伝導層とは分離して配置するとともに、各々の熱伝導層の下部に当該熱伝導層よりも熱伝導率の低い物質からなる断熱層を配置した構造を有する。 - 特許庁

A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

On the layer 11, an undoped lower GaAs spacer layer 4, a multi-quantum well active layer composed of three active layers (quantum well active layer) 12 as Ga_xIn_1-xAs quantum well layers and GaAs barrier layers (20 nm) 13, and an undoped upper GaAs spacer layer 4 are laminated to form a resonator which has a thickness λ of one oscillation wavelength λin a medium.例文帳に追加

そしてその上にアンドープ下部ＧａＡｓスペーサ層４と、３層のＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＡｓ量子井戸層である活性層（量子井戸活性層）１２とＧａＡｓバリア層（２０ｎｍ）１３からなる多重量子井戸活性層と、アンドープ上部ＧａＡｓスペーサ層４とが積層されて、媒質内における発振波長λの１波長分の厚さ（λの厚さ）の共振器を形成している。 - 特許庁

A planar cell 100 comprises: a negative electrode structure layer 110; a first separator 120 placed on the negative electrode structure layer 110; a chlorophyll layer 130 placed on the first separator 120; a second separator 140 placed on the chlorophyll layer 130; a positive electrode structure layer 150 placed on the second separator 140; an upper flat plate 160; and a lower flat plate 170.例文帳に追加

本発明に係る平板電池１００は、負極構造層１１０と、負極構造層１１０上に設けられる第一セパレータ１２０と、第一セパレータ１２０上に設けられる葉緑素層１３０と、葉緑素層１３０上に設けられる第二セパレータ１４０と、第二セパレータ１４０上に設けられる正極構造層１５０と、上平板１６０と、下平板１７０と、を備える。 - 特許庁

The laminated porous film has a lamination of at least two layers of porous layers, and the one layer of the porous layers is a layer containing polypropylene resin, and the other layer is a shutdown layer composed of a composition having a crystal melting peak temperature lower than the crystal melting peak temperature of a resin composition of the layer containing the polypropylene resin and moreover has a β-activity and/or β crystallogenicity.例文帳に追加

少なくとも２層の多孔質層を積層した積層多孔性フィルムであって、前記多孔質層の１層がポリプロピレン系樹脂を含む層であり、他の１層が前記ポリプロピレン系樹脂を含む層の樹脂組成物の結晶融解ピーク温度より低い結晶融解ピーク温度を持つ組成物からなるシャットダウン層であり、かつβ活性および／又はβ晶生成力を有する。 - 特許庁

A transparent conductor comprises: a substrate 11 containing a first resin; a conductive layer 14 containing conductive particles 10 and a second resin 12; and a medium layer 15 placed between the substrate 11 and the conductive layer 14 and formed by a third resin 13; where a glass transition temperature Tg of the medium layer 15 is lower than Tg of the conductive layer 14.例文帳に追加

本発明は、第１の樹脂を含有する基体１１と、導電粒子１０及び第２の樹脂１２を含有する導電層１４と、基体１１と導電層１４との間に設けられ第３の樹脂１３で構成される中間層１５と、を備え、中間層１５のガラス転移温度（Ｔｇ）が導電層１４のＴｇよりも小さいことを特徴とする透明導電体である。 - 特許庁

In such a structure that an inspection electrode pad part comprises an electrode of an upper layer connected electrically to a lower-layer electrode and a high-insulation layer held between both the layers to hold electric insulation, some or all of lead-out wires are overlapped with the upper-layer electrode in a plane across the high-insulation layer so as to be able to maximize the area of the inspection electrode pad.例文帳に追加

検査電極パット部が、下層電極と電気的に接続されている上層の電極、前記両層に挟まれた電気的に絶縁を保持する高絶縁層からなる構造において、引き出し配線の一部もしくは全てが、高絶縁層を介して平面的に上層電極と重なる構造により検査電極パッドの面積を最大限に配置する事が可能である。 - 特許庁

The fluorine coat structure 1 has an intermediate layer 12 consisting of a highly crystalline silicon oxide formed on the iron-based material 11 and, on the intermediate layer 12, there is formed a bonding layer 13 consisting of a low crystalline silicon oxide that is lower in crystallinity than the highly crystalline silicon oxide and, on the bonding layer 13, the coat layer 14 containing fluorine is formed.例文帳に追加

フッ素皮膜構造１は、鉄系基材１１の上に高結晶性酸化シリコンよりなる中間層１２が形成されており、中間層１２の上には、高結晶性酸化シリコンよりも結晶性の低い低結晶性酸化シリコンよりなる結合層１３が形成されており、結合層１３の上には、フッ素を含有してなる皮膜層１４が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 1, an undoped channel layer 4 formed on the substrate 1, two supply layers 3 and 5 provided on and under the channel layer and doped with impurities, a metallic gate electrode 7 formed on the upper supply layer 5 constituting the two supply layers, and a semiconductor gate layer 2 formed under the lower supply layer 3 constituting the two supply layers.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたアンドープのチャネル層４と、チャネル層を挟んで上下に設けられ、不純物をドープされた２つの供給層３，５と、２つの供給層を構成する上部供給層５の上側に形成された金属ゲート電極７と、２つの供給層を構成する下部供給層３の下側に形成された半導体ゲート層２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor layer 24 of the upper semiconductor multilayer 26 is partially removed to the optical waveguide, and the semiconductor layer 3 of the lower semiconductor multilayer 5 is also partially removed to the optical waveguide, making a DBR structure which consists of an air space 24a and the semiconductor layer 25, and another DBR structure which consists of an air layer 3a and the semiconductor layer 4.例文帳に追加

上部多層半導体層２６を一部の半導体層／半導体層を残して半導体層２４を光導波部まで取り除き、下部多層半導体層５も一部の半導体層／半導体層を残して半導体層３を光導波部まで取り除き、各々空気層２４ａ／半導体層２５ＤＢＲ構造、空気層３ａ／半導体層４のＤＢＲ構造とする。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁

A mixing tank 16 for mixing a contaminated cleaning solvent 14 containing a harmful substance 12 by cleaning treatment with dimethyl sulfoxide (DMSO) 15 is provided and, after the mixed solvent 17 is allowed to stand after mixing, the solvent layer of the upper layer 18 is separated from the DMSO layer being a lower layer 19 and the solvent of the upper layer 18 is reutilized as a washing solvent 13.例文帳に追加

洗浄処理により有害物質１２を含有する汚染洗浄溶媒１４とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１５とを混合する混合槽１６を備えており、混合した後混合溶剤１７を静置した後、上層１８の溶媒層を下層１９のＤＭＳＯ層とを分離し、上層１８の溶剤を再度洗浄溶剤１３として再利用する。 - 特許庁

When a voltage is applied to the electrically conductive blade, toner particles contained in the liquid toner move to the lower layer side of the toner layer on the developer support, and the liquid toner having a carrier liquid layer whose solid concentration is low formed in a state where toner particles become small in number in a surface layer of the toner layer is passed between the electrically conductive blade and the developer support without regulating.例文帳に追加

導電性ブレードに電圧を印加して、液体トナーに含まれているトナー粒子は、現像液支持体上のトナー層の下層側に移動し、該トナー層の表層においてトナー粒子が疎になる状態に形成した固形分濃度の低いキャリア液層を有する液体トナーを規制すること無く、該導電性ブレードと現像液支持体との間に通過させる。 - 特許庁

A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加

有機ＳＯＧ膜３ａおよびＴＥＯＳ酸化膜３ｂが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第２絶縁層３に溝パターン４が形成されており、この溝パターン４の側壁に設けられたＴＥＯＳ酸化膜５を介してバリア層６を形成することで、有機ＳＯＧ膜３ａとバリア層６とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a drip foundation capable of preventing a waterproof sheet from being fluttered by fixing the lower end of the waterproof sheet by an adhesive layer and enabling a releasing sheet pasted on the adhesive layer to be easily peeled off.例文帳に追加

防水シートの下端部を粘着層で固定してばたつくことを防ぐことができると共に、粘着層に貼った離型シートの剥離作業を容易に行なうことができる土台水切りを提供する。 - 特許庁

When the connecting part 17 for the fuel tank is attached on an outer circumference part from the attachment hole 18, a lower end part of the ring 25 reaches a gas insulating layer 13 in a synthetic resin layer 12.例文帳に追加

そして、燃料タンク用接続部品１７が取付け孔１８より外周部分に取付けられたときには、リング２５の下端部が合成樹脂層１２内の気体遮断層１３に達するようになっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the connection resistance of a connection part between an ITO layer and a lower layer side via a contact hole, an electro-optical device and an electronic apparatus, using the electro-optical device.例文帳に追加

コンタクトホールを介してのＩＴＯ層と下層側との接続部分での接続抵抗を低減することのできる半導体装置、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁

The lower layer 31 including MoSi_2 as a main component also has a function for preventing moisture or oxygen passing the upper layer 32 from invading the multilayered film 20, and is excellent from the viewpoint of oxidation resistance.例文帳に追加

このようにＭｏＳｉ_２を主成分とする下部層３１は、上部層３２を通過した水分や酸素が多層膜２０に侵入することを阻止する機能も有し、耐酸化性の観点でも優れたものとなっている。 - 特許庁

A newly constructed trunk road 30 is included in the latest route calculation data indicated in an upper layer, but it is not included in the road data before update recorded in an HDD indicated in a lower layer.例文帳に追加

新設された幹線道路３０は、上側の層に示す最新の経路計算データの中には含まれているが、下側の層に示すＨＤＤに記録されている更新前の道路データの中には含まれていない。 - 特許庁

The resin film comprising a polyester resin is composed of an upper layer part with a double refractive index of 0.040-0.070 and a thickness of 1-4 μm and a lower layer part with a double refractive index of 0.035 or below and a thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂からなる樹脂皮膜が、複屈折率が０．０４０〜０．０７０である厚さ１〜４μｍの上層部と、複屈折率が０．０３５以下である厚さ１０〜２５μｍの下層部からなる。 - 特許庁