「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

In the two layer coating system, an upper coating layer consists of tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene, vinylidene difluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene or tetrafluoroethylene/perfluorodioxole and a lower coating layer consists of vinylidene difluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene, vinyl fluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene, vinyl acetate/tetrafluoroethylene/hexafluoroisobutylene or tetrafluoroethylene-graft poly(vinyl alcohol).例文帳に追加

２層被覆系では、上方の被覆層をＴＦＥ／ＨＦＰ、ＶＦ_2／ＴＦＥ／ＨＦＰまたはＴＦＥ／パーフルオロジオキソールで構成させそして下方の被覆層をＶＦ_2／ＴＦＥ／ＨＦＰ、ＶＦ／ＴＦＥ／ＨＦＰ、ＶＡｃ／ＴＦＥ／ＨＦＩＢまたはＴＦＥグラフト化ＰＶＯＨで構成させる。 - 特許庁

The heat sink layer 103 is formed at a distance of 20 nm or shorter from the magnetic recording layer 105 and between the intermediate layer 104 and the substrate 101, uses a material with a thermal conductivity of 23 to 90 W/m k, and has a roughness Ra of 0.35 nm or lower.例文帳に追加

ヒートシンク層１０３は磁気記録層１０５から２０ｎｍ以内の距離、かつ中間層１０４と基板１０１間に形成され、熱伝導率が２３Ｗ／ｍ ｋ以上、９０Ｗ／ｍ ｋ以下の材料を用い、ラフネスＲａは０．３５ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The transistors TR11-TR14 are driven so as to be turned on when a chip is layered on a lower layer and a chip is not layered on an upper layer, in a state where a control voltage VDD and a reference voltage VSS are applied from a chip of the lowermost layer to chips of respective layers.例文帳に追加

制御電圧ＶＤＤと基準電圧ＶＳＳを最下層から各層のチップに対して印加した状態で、トランジスタＴＲ１１乃至１４は、下層にチップが積層され、上層にチップが積層されないときにオンとなるように駆動する。 - 特許庁

An intermediate layer (IL) having a hexagonal close packing (hcp) crystal structure, and made from Ru or Ru alloy, is vapor-deposited in a sputter pressure substantially lower than before, so that a columnar structure of the intermediate layer decreases more than before, and a surface of the intermediate layer becomes smoother than before.例文帳に追加

六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。 - 特許庁

The signal line 8 is made to be of a redundant wiring structure comprising signal line lower layer wiring 31 as main wiring formed of a metal, and signal line upper layer wiring 51 as auxiliary wiring, and also the signal line upper layer wiring 51 is omitted at the point of the crossing part 7.例文帳に追加

信号線８を、金属からなる主たる配線としての信号線下層配線３１と、補助配線として信号線上層配線５１との冗長配線構造とするとともに、信号線上層配線５１を交差部７の個所で省く。 - 特許庁

The first core layer 21 is made of a material whose thermal expansion coefficient increases in a temperature range higher than or equal to predetermined temperature, and the second core layer 22 includes lower thermal expansion coefficient than the first core layer 21 in a temperature range higher than or equal to the predetermined temperature.例文帳に追加

第１のコア層２１は、所与の温度以上の温度域において熱膨張率が増大する材料からなり、第２のコア層２２は、前記所与の温度以上の温度域において第１のコア層２１の熱膨張率より低い熱膨張率を有する。 - 特許庁

The angular velocity sensor 1 is composed of a substrate 4 made of a single crystal silicon; a barrier layer 12 made of a silicon dioxide film; a first adhesion layer 5 made of at least titanium; and a lower electrode layer 6 made of platinum including at least titanium or titanium oxide.例文帳に追加

基板４が単結晶シリコンからなり、バリア層１２はシリコン酸化膜からなり、第一の密着層５は少なくともチタンからなり、下部電極層６は少なくともチタンもしくは酸化チタンを含む白金からなることを特徴とする角速度センサ１である。 - 特許庁

A region on the surface of the flattening layer 8 demarcated by the pixel electrodes 9 and the common electrode 10 is specified to be an aperture part 11 and the electric field shielding layer 7 is an upper layer of the signal lines 5 and is disposed at a lower part of the aperture part 11.例文帳に追加

画素電極９と共通電極１０とによって画定される平坦化層８表面上の領域を開口部１１とし、電界遮蔽層７は、信号線５の上層であって、かつ開口部１１の下部に配置された構造を有する。 - 特許庁

To effectively use resource of a relay device even if there mixedly exist an apparatus which can be brought into a halt state (a state that "a resource of a lower layer is released while keeping a resource of an upper layer in conjunction with the halt of the upper layer"), and an apparatus which cannot be brought into the state.例文帳に追加

休止状態（「上位層の休止に連動して、上位層のリソースを維持したまま下位層のリソースを解放する」状態）になりうる機器となりえない機器とが混在する場合でも、中継装置のリソースを有効利用できるようにする。 - 特許庁

An inclination angle sensor device 1 is structured so that a layer (slit layer 4) positioned in the middle of a layering direction is put between lower and upper electrode layers 2 and 3 while layer forming materials are given symmetry in the layering direction.例文帳に追加

傾斜角センサ装置１は、積層方向の中央に位置する層（スリット層４）が下部電極層２と上部電極層３とにより両側から挟み込まれるように構成されるとともに、層の形成材料について積層方向に対称性が持たせられている。 - 特許庁

Especially the ink receptive layer is formed of at least two layers, and the lower layer near a waterproof base material contains the fluorescent brightner and the upper layer apart from the waterproof base material contains the hydrazine derivative, the sulfur compound and at least one kind of the saccharides.例文帳に追加

特に、インク受容層が２層以上であり、耐水性支持体に近い下層が蛍光増白剤を含有し、耐水性支持体から離れた上層がヒドラジン誘導体、含イオウ有機化合物、および糖類の少なくとも１種を含有するインクジェット用記録材料。 - 特許庁

The structure includes a photonic crystal layer including a first member 1000 having a first refractive index and having a surface with a plurality of holes periodically arranged therein, and a low refractive index layer 1020 adjacent to the photonic crystal layer and having a second refractive index lower than the first refractive index.例文帳に追加

第１の屈折率を有する第１の部材１０００に複数の孔が周期的に配列されたフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層に隣接し、該第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有する低屈折率層１０２０とを備える。 - 特許庁

In a fixing device employing configuration having an upper roller and a lower belt, a pressure member for applying a pressure to the belt to the upper roller from a rear side of the belt has a two-layered constitution having a silicone rubber foam as a base layer and LTV silicone rubber as a surface layer on the base layer formed on a supporting member of the pressure member.例文帳に追加

上ローラ＋下ベルトの構成で、ベルトの裏側からベルトを上ローラに加圧させる加圧部材が、その支持部材の上に、シリコーンゴム発泡体を基層とし、その上層の表層はＬＴＶシリコーンゴムとした２層構成の定着装置とする。 - 特許庁

When a concealing instruction accepting section accepts a concealing instruction, a conceal image producing section uses the OSD producing section to produce an image in a non-transparent color on the second layer, thereby concealing the main moving picture being displayed on the lower-order layer than an OSD layer.例文帳に追加

そして隠蔽指示受付部が隠蔽指示を受け付けた際に、隠蔽用画像生成部はＯＳＤ生成部を用いて第二層に不透過色の画像を生成することにより、ＯＳＤ層よりも下位層に表示されている主動画を隠蔽する。 - 特許庁

In a method for forming a double layer coating film, a powder coating (A) for forming a lower layer and a powder coating (B) for forming an upper layer are heated at a temperature while being agitated so that the surface of the particle is melted, while the inside of the particle is not melted to be fixed.例文帳に追加

下層を形成する粉体塗料（Ａ）と上層を形成する粉体塗料（Ｂ）を撹拌下にその粒子表面が溶融し、且つその粒子内は溶融しない温度に加熱して固着させることを特徴とする複層塗膜形成方法。 - 特許庁

The lower magnetic pole layer 10 has the magnetic pole part 10a which comes into contact with the magnetic gap layer 14, the flat part 10c and a sloping part 10d which connects the magnetic pole part 10a ad the flat part 10c and approaches nearer the recording gap layer 14 the nearer the air bearing surface.例文帳に追加

下部磁極層１０は、記録ギャップ層１４に接する磁極部分１０ａと、平坦部分１０ｃと、磁極部分１０ａと平坦部分１０ｃとを連結し、エアベアリング面に近づくほど記録ギャップ層１４に近づく傾斜部分１０ｄとを有している。 - 特許庁

The TFT90 has a top gate structure, with a gate electrode 65 provided only at the upper layer side of a channel forming region 91, while the TFT80 has a bottom gate/top gate structure, with gate electrodes 65a, 65b provided at the lower layer side and the upper layer side of the channel forming region 91, respectively.例文帳に追加

これに対して、Ｐチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ８０は、チャネル形成領域９１の下層側および上層側の各々にゲート電極６５ａ、６５ｂを備えており、ボトムゲート構造、およびトップゲート構造の双方を有している。 - 特許庁

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤, 0<y≤1) quantum well layer and GaPzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the super part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＰ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。 - 特許庁

A resin-made protective layer 2 is provided on the side of a columnar ferrite core 1 with a winding 4 applied thereon, and a resin 3 having a lower Young's modulus than the protective layer 2 is embedded in only recesses around exposed faces of the core with the resin, in a gap between the protective layer 2 and the ferrite core 1.例文帳に追加

巻線４を施した柱状のフェライトコア１の側面に樹脂製の保護層２を設け、この保護層２と前記フェライトコア１の隙間における該コアの露出面の周囲のみに前記保護層２よりヤング率の低い樹脂３を埋め込む。 - 特許庁

The conductive member 5 to connect a primary electrode 11 of a lower layer and a secondary electrode 21 of an upper layer is arranged on a partial surface or the whole surface of a recess portion that is depressed in a horizontal direction formed in an adhesion layer 3 located between the primary electrode 11 and the secondary electrode.例文帳に追加

下層の第１電極１１と上層の第２電極２１の間の接着層３に形成された横方向に窪んだ凹部４の一部または全ての面に、第１電極１１および第２電極２１を接続する導電部材５が設けられている。 - 特許庁

A glass powder layer with a lower softening point than that of the quartz glass structuring the arc tube is arranged in dispersion on the inner surface of the arc tube to form the phosphor layer on the surface in the arc tube and the glass powder layer.例文帳に追加

発光管を構成する石英ガラスよりも軟化点が低いガラス粉末層を、前記発光管の内表面上に分散させて配置し、該発光管内表面上及び前記ガラス粉末層上に前記蛍光体層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

This light emitting element includes a light transmissive lower electrode formed on the resin base material, a light emitting layer, and an upper electrode, and the light emitting element includes a layer comprising at least silicon oxynitride film between the light emitting layer and the resin base material.例文帳に追加

樹脂基材上に形成された光透過性を有する下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子であって、該発光層と該樹脂基材の間に少なくとも酸窒化珪素膜からなる層を有することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

The coaxial transmission line includes a laminated conductor whose center conductor provided with layers of conductor having a plurality of different conductivities, and makes lower the conductivity of the conductor layer on the surface layer side in contact with a dielectric, compared with the conductivity on the inner layer side.例文帳に追加

同軸構造の伝送線路において、中心導体が、複数の異なる導電率を持つ導体の層を有して構成された積層導体を有し、誘電体と接する表層側の導電体層の導電率を、内層側の導電率と比べて低くする。 - 特許庁

The composite sheet comprises a hydrophobic first plastic film layer 2 for forming its upper surface, a second plastic film layer 5 for forming its lower surface, and a hydrophobic intermediate fiber aggregate layer 3 connected to the layers 2, 5 between the layers 2 and 5.例文帳に追加

複合シートがその上面を形成する疎水性の第１プラスチックフィルム層２と、下面を形成する第２プラスチックフィルム層５と、第１，２プラスチックフィルム層２，５間に介在して、これら両層２，５に接合する疎水性の中間繊維集合層３とを有する。 - 特許庁

Much air included in the toner image (toner layer) is eliminated by bringing the toner image into press-contact by the roller 60, and heat generated in the toner on an upper layer side is propagated to the toner on a lower layer side with high heat propagating efficiency by absorbing the irradiating flash light.例文帳に追加

圧接ローラ60によってトナー像を圧接することで、トナー像(トナー層)に多量に含まれている空気が排除され、照射されたフラッシュ光を吸収することで上層側のトナーで発生した熱が、高い熱伝播効率で下層側のトナーへ伝播する。 - 特許庁

In a memory 207 wherein a lower electrode 202, a recording part 203 and an upper electrode 204 are formed in this order on a substrate 201, the recording part 203 includes a cylindrical recording layer 205 and a dielectric layer 206 enclosing the recording layer 205.例文帳に追加

基板２０１の表面に、下部電極２０２、記録部２０３および上部電極２０４がこの順に形成されたメモリ２０７であって、記録部２０３が、円柱状の記録層２０５および記録層２０５を取り囲む誘電体層２０６を含む構成を有する。 - 特許庁

The dielectric film layer 3, the lead concentrations of which is lower than that of a layer 4 of lanthanum lead zirconate titanate film, and containing at least Sr, Bi and Ta or Nb, is formed between a glass substrate 1 and the layer 4 of the lanthanum lead zirconate titanate film.例文帳に追加

ガラス基板１とジルコン酸チタン酸ランタン鉛膜の層４との間に、含まれる鉛の濃度が該ジルコン酸チタン酸ランタン鉛膜の層４の濃度より低く、少なくともＳｒ、Ｂｉ及びＴａもしくはＮｂを含む誘電体膜の層３を形成する。 - 特許庁

The surface of a blank is plated with plural layers by plating of different color tones and the plating on the top surface layer is removed by laser marking to expose the color of the plating of the lower layer thereof, by which a difference into color from the top surface layer is created and the display having the good visual recognizability is obtained.例文帳に追加

素材の上に色調の異なるめっきで複数層のめっきを施し、レーザーマーキングで上面層のめっきめっきを除去して、その下層のめっきの色を出しマークと上面層の色の差をだすことで、視認性の良い表示を得ることができる。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit having a clock signal circuit for propagating a clock signal, the clock circuit is configured by using a cell 1 having a pin structure, wherein pins are connected in the same layer, and a pin layer 1b-2 which is located lower than a power supply layer 1b-3.例文帳に追加

クロック信号を伝播するクロック回路を有する半導体集積回路でにおいて、クロック回路が、同じレイヤで接続可能なピン構造を有しかつピンのレイヤ１ｂ−２が電源層１ｂ−３より下に位置するセル１を用いて構成されている。 - 特許庁

This manufacturing method of a lower electrode, which is suitable for use in a ferroelectric capacitor on a substrate comprises a process for forming an adhesion layer on the substrate and a process for forming a platinum thin-film layer deposited on the adhesion layer at 300 to 800°C.例文帳に追加

基板上の強誘電性キャパシタにおいて使用するのに適した下部電極の製造方法であって、該基板上に接着層を形成する工程と、該接着層上に３００〜８００℃にて堆積されるプラチナ薄膜層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein the contact hole of an interlayer insulation film is filled with an upper conductive layer and the upper conductive layer is substantially electrically connected with an lower conductive layer even the semiconductor device is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微細化されても、層間絶縁膜のコンタクト・ホール内に上層の導電層が充填され、上層の導電層と下層の導電層とが電気的に充分に接続された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The lower limit value of the contact angle is preferably 0°, and the contact angle is further preferably 30° considering a possibility of increasing the material property change of a polishing layer during polishing by increasing hydrophilic property of the polishing layer in addition to the good holding property of slurry on the surface of the polishing layer.例文帳に追加

接触角の下限値は好ましくは０度であり、研磨層表面でのスラリーの良好な保持性に加えて、研磨層の親水性が大きくなって研磨中の研磨層の物性変化が大きくなる可能性を考慮して、より好ましくは３０度である。 - 特許庁

A structure of bus wiring (scanning line) to supply power to the electron source is formed to be a laminated structure of the lower layer 17 composed of a CrMo alloy, an intermediate layer 18 composed of Al or an Al alloy, and an upper layer 19 composed of Cr successively from the side nearer to a cathode substrate 10.例文帳に追加

電子源に給電するためのバス配線（走査線）の構造を、陰極基板１０に近いほうから、ＣｒＭｏ合金からなる下層１７、Ａｌ又はＡｌ合金からなる中間層１８、Ｃｒからなる上層１９の積層構造とする。 - 特許庁

The Fe group metal substrate 11 and respective plating layers 31 to 33 are heated at a temperature lower than a melting point of the Ni plating layer 31 and higher than an eutectic point of the Ni-P plating layer 32 by a predetermined temperature to melt only the Ni-P plating layer 32 (Step S2).例文帳に追加

Ｆｅ基金属基板１１及び各めっき層３１〜３３を、Ｎｉめっき層３１の融点よりは低く、Ｎｉ−Ｐめっき層３２の共晶点から所定温度だけ高い温度で加熱して、Ｎｉ−Ｐめっき層３２のみ溶融させる（ステップＳ２）。 - 特許庁

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤1, 0<y≤1) quantum well layer and GaNzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the upper part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＮ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。 - 特許庁

The blanket for printing in which the substrate layer is provided on the lower face of the surface layer being a printing face, is characterized by that a woven fabric forming the substrate layer comprises a synthetic fiber and a cotton yarn and the content of the synthetic fiber is 65-90% by the volume ratio.例文帳に追加

印刷面となる表面層の下面に支持体層を設けてなる印刷用ブランケットにおいて、前記支持体層を形成する織布は合成繊維と綿糸とからなり、合成繊維の含有率を体積比で６５〜９０％としたことを特徴とする。 - 特許庁

It is preferable that the outsole, studs, and projections, etc., formed in the intermediate layer exposed to the grounding face through a through hole in the lower layer in a three-layer structure of the grounding face should be made of the mixed composition including a titanium oxide member with apatite crystals.例文帳に追加

接地面として、アウトソール、スタッド、および、三層構造において下層の貫通孔を介し接地面に露出した中間層に設けられた突起等をアパタイト結晶を付した酸化チタン部材が含まれている混合組成物より構成すると良い。 - 特許庁

In the laminated water-resistant pepr wherein at least one layer comprising a thermoplastic resin is laminated on each of both surfaces of the paper base material, the heat shrinkage stress of the resin layer laminated on a printing surface side of the paper base material is made lower than that of the resin layer laminated on the back thereof.例文帳に追加

紙基材の両面に１以上の熱可塑性樹脂からなる層が積層された積層耐水紙において、印字面側に積層された樹脂層の熱収縮応力が裏面に積層された樹脂層の熱収縮応力より小さくする。 - 特許庁

Thereby, since the energizing structure is formed, when a pattern is deep etched at the silicon layer 150 and the oxide layer 130, it is hard to concentrate charge on the lower part of the etching pattern which touches the oxide film layer 150, and the generation of the notch can be suppressed.例文帳に追加

これにより、前記通電構造が形成されるので、シリコン層１５０および酸化膜層１３０にかけてパターンをディープエッチングする際に、酸化膜層１５０と接するエッチングパターンの下部に電荷が集中しにくく、ノッチの発生を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of preventing certainly short circuit between a lower electrode layer and an upper electrode layer without degrading productivity, even in the case a liquid object is filled and a functional layer is formed in a region surrounded by a barrier rib.例文帳に追加

隔壁で囲まれた領域内に液状物を充填して機能層を形成する場合でも、生産性を低下させることなく、下部電極層と上部電極層との短絡を確実に防止できる発光装置、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Namely the pair of the wiring for external connection have a first conductive layer composed of metal alone and metal compound formed on the lower substrate and a second conductive layer composed of a transparent conductive material laminated on the first conductive layer and constitute a two-layered structure.例文帳に追加

即ち一対の外部接続用配線は、下側基板上に形成された金属単体又は金属化合物よりなる第１導電層と、その第１導電層上に積層された透明導電材料よりなる第２導電層とを有し２層構造をなす。 - 特許庁

In the antireflection film comprising a transparent substrate film 3, a hard coat layer 1 and an antireflection layer having a lower refractive index than that of the hard coat layer, layered in this order, the change rate of the reflectance (%) calculated by the formula: change rate of reflectance (%)=(reflectance B - reflectance A)×100/(reflectance_max - reflectance A) is specified to 30%.例文帳に追加

透明基材フィルム３、ハードコート層１、及び当該ハードコート層よりも屈折率が低い反射防止層２がこの順で積層されている反射防止フィルムにおいて、下記式（Ｉ）により算出される反射変化率（％）を３０％以下とする。 - 特許庁

To detect the surface flaw in the uppermost layer even if a flaw, for example, film thickness irregularity or the like is present in the lower layer of the uppermost layer exposed to the inspection surface of a specimen in the surface flaw inspection device without being affected by the flaw.例文帳に追加

表面欠陥検査装置において、被検体の検査表面に露出する最上層の下層に、例えば膜厚ムラなどの欠陥が存在しても、それらの欠陥に影響されることなく最上層における表面欠陥を検出できるようにする。 - 特許庁

After transferring a chip pattern to the negative resist film by EUV light exposure, the chip pattern is transferred by etching the intermediate layer film by using the negative resist film as a mask, and then the chip pattern is transferred by etching the lower layer film by using the intermediate layer film as a mask.例文帳に追加

ＥＵＶ光露光によりネガ型レジスト膜にチップパターンを転写した後、当該ネガ型レジスト膜をマスクとして中間層膜をエッチングしてチップパターンを転写し、その後、当該中間層膜をマスクとして下層膜をエッチングしてチップパターンを転写する。 - 特許庁

To make detectable defects in a fine pattern on a transparent layer insulating film and on the same layer with high sensitivity while detecting the defects of a lower layer pattern and the same pattern in the defocused state to detect only the defect of a process to be originally inspected.例文帳に追加

透明な層間絶縁膜上の微細パターンおよび同一層の欠陥を感度良く検出する一方、下層のパターンおよび同一層の欠陥をデフォーカスした状態で検出し、本来検査したい工程の欠陥のみを検出可能とすること。 - 特許庁