「memory hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that stably operates by allowing formation of a via hole, having a vertical wall, and achieving equalization of threshold voltage characteristics at the upper part and the lower part of the via hole, even when the via hole is formed into a tapered shape, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

垂直壁の貫通ホールが形成でき、また、貫通ホールがテーパ状となった場合においても上部と下部とでしきい値電圧特性が均一化でき、安定して動作する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a storing case 10 for storing the memory card, a thin base plate 1 is provided with a storing portion 3 for storing the memory card 2, and the storing portion 3 is provided with: a hole part 4 with a space; and a holding part 5 to hold the memory card 2 in the space.例文帳に追加

薄板状の台板１に、メモリーカード２を収納する収納部３を設け、該収納部３は、空間を有する孔部４と、該空間にメモリーカード２を保持する保持部５とを備えて形成したことを特徴とするメモリーカード用収納器１０。 - 特許庁

Thereafter, first to fifth word interline insulating layers 31a to 31e, and first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are laminated, a memory hole 35 is formed so as to penetrate them, and a memory gate insulating layer 36 and a memory sacrificing layer 82 are formed on the sidewall thereof.例文帳に追加

次に、第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅと第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを積層し、それらを貫通させてメモリホール３５を形成し、その側壁にメモリゲート絶縁層３６、メモリ犠牲層８２を形成する。 - 特許庁

This USB memory storage for storing a USB to be used in an office is provided with a key hole 7 on which a USB memory 11 with a key, in which an electronic key 20 equipped with an IC chip 14 and a USB memory 21 are integrally formed, is mounted and a reading means for reading data from the IC chip 14.例文帳に追加

オフィスにおいて使用されるＵＳＢを保管するためのＵＳＢメモリ保管庫において、ＩＣチップ１４を備える電子キー２０とＵＳＢメモリ２１が一体に形成されたキー付きＵＳＢメモリ１１が装着される鍵孔７と、ＩＣチップ１４からデータを読取る読取手段と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor memory 21 is a plate-like small memory, and is inserted inside a cellular phone 1 in the arrow B direction (in the left upper direction in Fig.) from a semiconductor memory inserting hole 3, and is locked (installed) by an unillustrated lock mechanism when inserted up to the inmost part.例文帳に追加

半導体メモリ２１は、板状で小型のメモリであり、半導体メモリ挿通孔３から矢印Ｂ方向（図中左上方向）に向って携帯電話機１の内部に挿入され、奥まで挿入されると図示せぬロック機構によりロックされる（装着される）。 - 特許庁

To provide a device of structure that drawing wiring from a hole and a memory cell forming a resistance variation layer and wiring of circuits around the memory cell, etc. are almost simultaneously formed using the memory cell of 1T1R type; and to provide a simplified method of manufacturing the same.例文帳に追加

１Ｔ１Ｒ型のメモリセルを用いて、抵抗変化層を形成するホールとメモリセルからの引き出し配線およびメモリセル領域の周辺の回路などの配線をほぼ同時に形成できる構成の装置およびその簡素化された製造方法を提供する。 - 特許庁

A through-hole 43 and a contact hole 21, which connect the lower electrode 49 of the noise reduction capacitor Cn to an N+-type semiconductor region 6 are wider in opening area than a through-hole 43 and a contact hole 21 which connect the data storage capacitor element Cs to either of the source and drain (N--type semiconductor region 11) of the memory cell selection MISFET Qs.例文帳に追加

また、ノイズ対策用容量素子Ｃn の下部電極４９とｎ^+ 型半導体領域６とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積は、情報蓄積用容量素子Ｃs とメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）の一方とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積よりも広い。 - 特許庁

To resolve the problem of memory cell region size increase and large increase of memory cell array region, in the case that the size of the memory cell region increases in the row direction, caused by the influence of the connection hole for connecting a first layer bit line and a second layer bit line in a semiconductor memory device constituted by the bit lines of two layers.例文帳に追加

２層のビット線で構成される半導体記憶装置において、第１層のビット線と第２層のビット線を接続する接続孔の影響により、メモリセル領域の行方向のサイズ大きくなる場合に、メモリセル領域のサイズが拡大し、さらにはメモリセルアレイ面積が大幅に拡大する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which common electrodes and segment electrodes are wired so as to avoid an air passage communicating with the outside air and provided successively to a hole part sealant for forming a through hole and are driven by the display data in the picture memory and in which display data are accurately written in or read out to or from a picture memory.例文帳に追加

貫通孔形成用の孔部シール材に連設されている外気と連通する空気通路を避けてコモン電極とセグメント電極とを配線し、その各電極を画像メモリ内の表示データにより駆動するにあたって、画像メモリに対する表示データの正確な書き込み・読み出しを可能とする。 - 特許庁

In the memory cell array of this NOR type flash memory, a conductive material is supplied to the cavity 22 formed in the source wiring 21 having a U-shaped structure not only from a hole for source contacting but also from a hole for dummy source contacting in the process of forming a source contact electrode 23 and a dummy contact electrode 24.例文帳に追加

本発明に係るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルアレイは、ソースコンタクト電極２３及びダミーコンタクト電極２４を形成する工程においてＵ字構造のソース配線２１に形成された空洞２２にソースコンタクト用のホールに加えてダミーソースコンタクト用のホールからも導電体が供給される。 - 特許庁

To enhance a semiconductor device in memory capacity, to lessen a bit contact hole in an aspect ratio, and furthermore to etch the bit contact hole in a self-aligned manner, in a semiconductor device equipped with a capacitor composed of a lower and an upper capacitor electrode and a capacitor insulating film interposed between them.例文帳に追加

容量絶縁膜を介して下部容量電極と上部容量電極とが対向するキャパシタを備えた半導体装置において、記憶容量を増大させ、かつ、ビットコンタクト孔のアスペクト比を低減し、さらにビットコンタクト孔のエッチングを自己整合で行なう。 - 特許庁

When a hexalobular screw 41 is threaded with the nut 42 via the screw insertion hole 38a of an opening/closing lid 38 and the screw insertion hole of the front panel 8, the opening/closing lid 38 is fixed to a closing position for covering the card slot 10 and the card eject button to prohibit taking-out of a memory card 5.例文帳に追加

ヘクサロビュラネジ４１を、開閉蓋３８のネジ挿通孔３８ａ、フロントパネル８のネジ挿通孔を介してナット４２に螺合させると、開閉蓋３８は、カードスロット１０及びカードイジェクトボタンを覆う閉じ位置に固定され、メモリカード５の取り出しが禁止される。 - 特許庁

In addition, antistatic contact hole 5 is formed, an electrification protection groove 6 is formed on the interlayer insulation film on the electrification protection contact hole 5, and a cell plate electrode 7 is formed so as to cover the whole face of the memory cell part area and the antistatic capacitor part.例文帳に追加

また、帯電保護用コンタクト孔５が形成され、帯電保護用コンタクト孔５上であって層間絶縁膜に帯電保護用溝６が形成され、セルプレート電極７が上記メモリセル部領域の全面および帯電保護キャパシタ部を被覆するように形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 10 is configured with an interlayer dielectric 11 with a contact hole 11a, a lower electrode 12 provided in the contact hole 11a, an adhesive layer 14 provided on the interlayer dielectric 11 in this order, the recording layer 15, and an upper electrode 16.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０は、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１と、コンタクトホール１１ａ内に設けられた下部電極１２と、層間絶縁膜１１上にこの順に設けられた接着層１４、記録層１５及び上部電極１６とを備えて構成されている。 - 特許庁

This image forming apparatus is constituted by providing an adapter plate of the substrate which can be flexibly and slightly moved on a surface perpendicular to a card extraction and insertion direction on a surface with a hole so that the substrate of the memory card slot may be exactly positioned with the hole provided on the housing.例文帳に追加

メモリーカードスロットの基板が、外装に設けられた穴と正確に位置合わせ可能なように、穴の開いた面上でカード抜き差し方向と垂直な面で、フレキシブルに微動可能な基板の取付け板金を設けた構成。 - 特許庁

The storage unit 30 includes a storage space S for storing a memory card 170, an insertion port 103 that is disposed so that the memory card 170 can be inserted in an inserting direction and at least a hole 102 that is disposed so that the storage space S can be communicated with an external part.例文帳に追加

収容ユニット３０は、メモリカード１７０を収容するための収容空間Ｓと、メモリカード１７０を挿入方向に挿入可能に配置された挿入口１０３と、収容空間Ｓを外部と連通可能に配置された少なくとも一つの孔１０２と、を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory device for preventing the characteristics of a ferroelectric capacitor from deteriorating due to the occurrence of hillocks and further preventing the characteristics of the ferroelectric capacitor from deteriorating by easily forming a contact hole leading to an upper electrode, and to provide a ferroelectric memory device.例文帳に追加

ヒロックの発生に起因して強誘電体キャパシタの特性が劣化するのを防止し、さらには、上部電極に通じるコンタクトホールの形成も容易にして強誘電体キャパシタの特性低下を防止した、強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which prevents characteristics of a ferroelectric film from being deteriorated when hydrogen enters the ferroelectric film through an interface between a hydrogen barrier film and an upper electrode, e.g., upon filling of a plug conductor into a contact hole, and also a method of manufacturing the ferroelectric memory device.例文帳に追加

コンタクトホールへのプラグ導電部の埋設時などに、水素バリア膜と上部電極との界面を通って水素が侵入し、強誘電体膜が特性劣化してしまうのを防止した、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The main control board 30 comprises a memory 30M for storing/holding data on the number of winning balls indicating the number of winning balls in each winning hole, and a winning ball number data transmitting means S521 for transmitting the data on the number of winning balls stored in the memory 30M to a winning ball control board 31.例文帳に追加

主制御基板３０には、各々の賞球個数を示す賞球個数データを記憶保持するメモリ３０Ｍと、メモリ３０Ｍに記憶された賞球個数データを賞球制御基板３１に送信する賞球個数データ送信手段Ｓ５２１とを備える。 - 特許庁

On the undersurface of the lower rail, a memory plate 12 is installed which has an engaging hole 10 and an engaging piece 11 and stores the seat position, and a number of locking holes 13 are bored in which the locking teeth 8 of the locking member 9 are engaged through the engaging holes in the memory plate.例文帳に追加

ロアレールの下面には係合孔１０と係合片１１とを有するシート位置を記憶するメモリプレート１２を配設させかつロック部材９のロック歯８がメモリプレートの係合孔を介して係合する多数のロック孔１３を穿設してある。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which can reduce a memory cell area effectively while ensuring a margin for mask misregistration or the like in the formation of a gate wiring and a contact hole or the like.例文帳に追加

ゲート配線やコンタクトホール等の形成の際のマスクずれ等に対するマージンを確保しながら、メモリセル面積を効率的に縮小することが可能なＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を提供する。 - 特許庁

A connector 14 to be connected with a connector of the standard size memory card and an ejection pawl 15a to be inserted into the groove for ejection formed on the standard size memory card are provided in a card insertion hole 43 of the electronic equipment 42.例文帳に追加

電子機器４２のカード挿入穴４３には、標準サイズのメモリカードのコネクターに接続されるコネクター１４と、標準サイズのメモリカードに形成されたイジェクト用溝に挿入されるイジェクト爪１５ａとが設けられる。 - 特許庁

You pass it a bus/devfn pair and get a physical address for either the memory offset (for things like prep, this is 0xc0000000), the IO base for PIO cycles, or the ISA holes if any. 例文帳に追加

bus/devfn ペアをこの関数に渡し、メモリオフセット (prep のようなものでは、この値は 0xc0000000 である) とPIO サイクルの IO ベースの物理アドレスを取得する。 また、もしあるならば ISA hole の物理アドレスを取得する。 - JM

Generally, an inflow of electrons to an organic polymer layer happens at the time later than the time when a hole current occurs within the organic polymer layer after applying potential to a memory device.例文帳に追加

概して、有機高分子層への電子の流入は、メモリ素子に電位を適用してから有機高分子層内で正孔電流が発生する時点よりも遅い時点で起こる。 - 特許庁

The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection.例文帳に追加

チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。 - 特許庁

A penetration hole 20 is formed by laminating alternately a plurality of insulation film 12 and an electrode membrane WL on a silicon substrate to form a memory laminate.例文帳に追加

シリコン基板上にそれぞれ複数の絶縁膜１２及び電極膜ＷＬを交互に積層させてメモリ積層体を形成し、貫通ホール２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for erasing information stored in a flash memory element by which erasing operations can be performed in a byte unit by performing erasure by using a hot hole injecting method.例文帳に追加

ホットホール注入方法を用いて消去を行なうことにより、バイト単位で消去動作を行なうことができるフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法を提供すること。 - 特許庁

A memory for identifying a 128 bit identification number which uses a transistor comprises a contact hole selectively formed by an electron beam drawing method.例文帳に追加

トランジスタを用いた１２８ビットの認識番号を識別するためのメモリを、電子線描画法を用いて選択的に形成したコンタクトホールによって構成する。 - 特許庁

The phase change memory is provided with a side wall insulation film in a contact hole which is opened in an interlayer insulation film on a lower electrode and a heater electrode.例文帳に追加

本発明の相変化メモリは、下部電極上の層間絶縁膜に開口されたコンタクトホール内にサイドウォール絶縁膜と、ヒータ電極を備えている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing degradation of reliability and performance of the device caused by an electronic trap or an electron hole trap in a tunnel insulation film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜への電子トラップ又は正孔トラップによる装置の信頼性及びパフォーマンスの劣化を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To establish an optimum method by solving the problem that a layer configuration, a bank configuration, and a refresh control system are not established in a three-dimensional laminated memory having a through-hole electrode.例文帳に追加

貫通電極を備えた３次元の積層メモリにおいては、層構成、バンク構成、リフレッシュ制御方式が確立されていないという問題があり、最適な方法の確立が望まれている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, having a multistack structure and having a structure, for the top face of which a connection hole is hardly damaged.例文帳に追加

マルチスタック構造を有し、接続孔の頂面に損傷が生じ難い構造を有する強誘電体型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

Data of the nonvolatile memory can be erased by opening a hole in a punch part 5 with the card existing within an electromagnetic field in discarding the card.例文帳に追加

カード廃棄時には、上記電磁界内にカードがある状態でパンチ部５に孔をあけることにより、上記不揮発性メモリのデータを消去できる。 - 特許庁

When the ambient atmosphere temperature in the housing rises and the temperature of the opening and closing member becomes higher than the transformation starting temperature of the shape memory alloy, the opening hole is released with the deformation.例文帳に追加

ハウジング内雰囲気温度が上昇し、開閉部材の温度が形状記憶合金の変態開始温度より高くなると、その変形により開口穴を開放する。 - 特許庁

When a second pressing plate 60 similarly made of a shape-memory alloy is heated, the tip of the arm 44 is pressed by a shape restoration operation of the pressing plate 60 and the lock claw is projected from the through-hole 56.例文帳に追加

また、同じく形状記憶合金製の第２押圧板６０を加熱すると、その第２押圧板６０の形状復帰動作でアーム４４の先端部が押され、貫通穴５６から突出する。 - 特許庁

Consequently, electron injection into the gap regions is suppressed, the fluctuation of a threshold value at information holding is restrained because an electron distribution closes to a hole distribution and the information holding characteristics of the memory cell are improved.例文帳に追加

その結果、電子のギャップ領域への注入が抑制され、電子分布が正孔分布に近づくため、情報保持時のしきい値変動が抑制され、メモリセルの情報保持特性が向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To form the variable resistance semiconductor memory, a through-hole part is formed in the insulating layer 11, and the exposed surface of the conductive layer 12 is provided with an electrode 13 made of metal nano particles using ferritin containing a metal compound.例文帳に追加

抵抗変化型の半導体メモリを形成するには、絶縁層１１に貫通ホール部を形成して露出した導電層１２表面に、金属化合物を内包するフェリチンを用いて、金属ナノ粒子からなる電極１３を設ける。 - 特許庁

To improve the efficiency of hole injection without lowering a charge retention characteristic in a non-volatile memory for injecting holes to a charge accumulation layer from a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極から電荷蓄積層に正孔を注入する不揮発性メモリにおいて、電荷保持特性を低下させることなく、正孔注入の高効率化を実現する。 - 特許庁

When a first pressing plate 58 made of a shape-memory alloy, a base end part of an arm 44 is pressed by a shape restoration operation of the pressing plate 58 and the lock claw 54 is evacuated from the through-hole 56.例文帳に追加

ロック爪５４は、形状記憶合金製の第１押圧板５８を加熱すると、その第１押圧板５８の形状復帰動作でアーム４４の基端部が押され、貫通穴５６から退避する。 - 特許庁

The stress generated by the bent end of the string 1 of the shape memory alloy presses the end towards the inner face of the through hole 4, thus immobilizing the end therein.例文帳に追加

その形状記憶合金線材の曲げにより発生する応力は、線材端部を通し穴の内面に押しつけ、それによって線材端部が通し穴の内部で固定される。 - 特許庁

A first insulating layer is formed on the surface of a semiconductor substrate on which a semiconductor memory element provided with a connection terminal and a peripheral circuit element are formed, and a hole reaching the connection terminal is formed from the surface.例文帳に追加

接続端子を有する半導体メモリ素子と周辺回路素子とを形成した半導体基板表面上に第１の絶縁層を形成し、表面から接続端子に達する孔を形成する。 - 特許庁

A conductor is formed in the hole, and a second insulating layer is formed on the first insulating layer while covering the conductor, and a mask layer that has an opening in a region containing the semiconductor memory element and covers the peripheral circuit element is formed thereon.例文帳に追加

孔内に導電体を形成し、導電体を覆い、第１の絶縁層上に第２の絶縁層、その上に半導体メモリ素子を含む領域に開口を有し、周辺回路素子上を覆うマスク層を形成する。 - 特許庁

This configuration enables a pixel-value correction process such as hole-filling interpolation or a blurring process to be executed through simple processing on hardware by outputting data in the order of raster scans without performing complex memory control.例文帳に追加

本構成により、ラスタスキャン順にデータを順次、出力することで、複雑なメモリ制御を行うことなく、シンプルなハードウェア上の処理によって、穴埋め補間処理や、ぼかし処理などの画素値補正処理が実行可能となる。 - 特許庁

When the kind of a memory card 13 is inputted by pressing the selection buttons 17a to e, the frame 35 rotates and desired card slots 36a to e get exposed from an exposure hole 15a.例文帳に追加

選択ボタン１７ａ〜ｅの押圧によってメモリカード１３の種類が入力されると、フレーム３５が回転して露呈穴１５ａから所望のカードスロット３６ａ〜ｅが露呈する。 - 特許庁