「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(241ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a driving circuit capable of achieving the acceleration of image signals by using a single memory, a method for driving the driving circuit, an electro-optical display device, and an image display device.例文帳に追加

単一のメモリを用いて映像信号の高速化を実現することができる駆動回路及びその駆動方法、並びに電気光学表示装置及び映像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a control device and a data writing method capable of writing an operation program of a control circuit in a memory while suppressing increase of a circuit area and increase of manufacturing cost.例文帳に追加

回路面積の増大及び製造コストの増大を抑制しつつメモリに制御回路の動作プログラムの書き込みを行うことができる制御装置及びデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a quantum device on a plastic substrate by a low-temperature process by which the quantum device can be produced as a single electron transistor or a single electron memory that acts stably at ordinary temperature.例文帳に追加

常温で安定に作動する単電子トランジスタや単電子メモリーとして生産可能な量子素子を低温プロセスでプラスチック基板上に作成する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a non-volatile memory device, capable of improving the embedding characteristics so as not to allow voids exist inside, by simplifying the processes.例文帳に追加

工程を単純化させ、内部に空隙（ｖｏｉｄ）が存在しないように、埋め込み特性を改善することができる不揮発性メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

A conversion method database DB1, in which a type of an attached image given to an image file attached to the e-mail is registered according to a transmitter address, is stored in a memory 26 of a cellular phone 2.例文帳に追加

電子メールに添付された画像ファイルに付与する付与画像の種類を、送信者アドレスに応じて登録した変換方法データベースＤＢ１を携帯電話２のメモリ２６に保管する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a method of manufacturing the same which are capable of narrowing a word-line width for increasing the integration degree or the like while securing a withstand voltage between bit lines.例文帳に追加

高集積化等のために、ビット線間の耐圧を確保しながら、ワード線の幅を狭めることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FIXING MEMORY BY WORK OF REPEATING STICKING AND PEELING SEGMENT DESIRED TO BE MEMORIZED UNDER INFORMATION INPUT ENVIRONMENT TO BRAIN FROM VISUAL SENSATION BY DISPLAY OF CHARACTER, WORD AND PICTURE AND AUDITORY SENSATION BY SONG例文帳に追加

文字、単語、絵の表示による視覚や、歌による聴覚から脳への情報インプット環境のもとで、記憶したい部分を貼る剥がす繰り返し作業によって記憶を定着する方法。 - 特許庁

To provide a high-speed data processor and a control method therefor in which a latency from a low-speed external memory can be reduced in simple configuration and high-speed data processing becomes possible.例文帳に追加

簡単な構成で低速な外部メモリからのレイテンシを低減することができ、高速なデータ処理が可能となる高速データ処理装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a converged light beam position fine adjustment device which can be made thin and adapted to various recording formats, and a reader and a reading method for a laminated waveguide hologram memory.例文帳に追加

薄型化が可能であり、また様々な記録フォーマットに対応可能な集光線位置微調整装置、積層導波路ホログラムメモリの読取装置および読取方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus capable of increasing the current density of a variable resistance element and reducing power consumption of an entire memory cell, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor apparatus.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流密度を増加させると共に、メモリセル全体での消費電力を低減することができる不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for control of power supply, capable of controlling a power circuit sufficiently, even if applying a control IC having a low processing speed and a small memory capacity.例文帳に追加

処理速度が遅くてメモリ容量の少ない制御ＩＣを適用しても十分に電源回路を制御可能な電源制御装置および電源制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that prevents a silicide short circuit without increasing the difference in a height between a word gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ワードゲートとコントロールゲートの間の高低差を大きくすることなく、シリサイドショートを防止することが可能な不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To avoid the deterioration of performance of a storage device even in an access with uneven writing or reading of data in a buffer memory adapting a dual ring buffer method as data structure.例文帳に追加

データ構造としてデュアル・リングバッファ方式を採るバッファメモリにおいて、データの書き込みまたは読み出しに偏ったアクセスが行われる場合にも、記憶装置におけるパフォーマンスの悪化を回避する。 - 特許庁

To provide a device and a method for processing images, with which the resources of a memory or buffer can be utilized effectively, when storing image data or processing images.例文帳に追加

画像データを格納、画像処理する際、メモリやバッファ等の資源を有効に利用できるようにした画像処理装置および画像処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain an electronic disk drive and its vertical parity storing method which improve the efficiency of a DRAM by storing vertical parity added to data in a different memory from the data.例文帳に追加

データに付加される垂直パリティをデータと別のメモリに格納することでＤＲＡＭの使用効率を向上する電子ディスク装置およびその垂直パリティ格納方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data storing method in which restoration can be performed by simple procedure, in a shorter time, and surely, even if write operation of data for a data region of a flash memory is interrupted.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ領域に対するデータの書き込み動作が中断されても、簡素な手順で、より短時間で確実に、復旧させることができるデータ記憶方法を提供する - 特許庁

To provide a method or the like capable of shortening the execution time and starting time of a test more when a multi-processor system performs a test of a main memory more than when one processor performs the test.例文帳に追加

マルチ・プロセッサ・システムでメイン・メモリのテストを行う場合に、１つのプロセッサが行う場合に比べてテストの実行時間や起動時間を短縮可能な方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method of rewriting a boot program capable of reducing the memory capacity consumed exclusively for rewriting, while guaranteeing operation in case of power interruption during the rewriting of the boot program.例文帳に追加

ブートプログラムの書き換え中の電源断に対して動作保証しつつ、書き換え専用に消費されるメモリ容量を削減できるブートプログラムの書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of measuring a leakage current for efficiently obtaining the maximum value of a leak current varied depending on data stored in a plurality of memory cells included in an SRAM.例文帳に追加

ＳＲＡＭに含まれている複数のメモリセルに格納されるデータによって変化するリーク電流の最大値を効率的に求めることができるリーク電流測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a network system and an information processing method capable of sharing a program targeted to be executed in a same network without independently disposing an external memory device.例文帳に追加

外部記憶装置を別個に設けることなく実行対象となるプログラムを同一ネットワーク内で共有することが可能なネットワークシステム及び情報処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a SONOS (silicon oxynitride oxide semiconductor) memory device which solves the problem of bringing about a damage on a substrate surface in a peripheral circuit region when etching a polysilicon and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ポリシリコンのエッチング中に、周辺回路領域内に基板面の損傷が生じる問題を解決するような、ＳＯＮＯＳメモリーデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for memory hard disk polishing having a high polishing speed and giving an excellent surface with small roughness and no defect and a polishing method using the same.例文帳に追加

大きい研磨速度を有し、表面粗さが小さく、表面欠陥のない優れた表面をもたらす、メモリハードディスク研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of allowing an operating system(OS) to be driven between plural processors to execute inter-processor communication by using interruption and inter-processor memory access and control a task of the other processor.例文帳に追加

複数のプロセッサ間で動作するオペレーティングシステム（ＯＳ）が割り込みとプロセッサ間メモリアクセスを用いてプロセッサ間通信を行い、他のプロセッサにあるタスクを制御する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently and stably manufacturing a grooved grinding foam excellent ingrinding capacity, in a grinding pad mainly adapted to a semiconductor, a substrate for a memory hard disk of every kind and the like.例文帳に追加

主に半導体、各種メモリーハードディスク用基板等の研磨パッドにおいて、研磨性能に優れ、溝の付いた研磨用発泡体を効率良く安定に製造する方法を提供する。 - 特許庁

Then, the CPU 9 reads the data written in the memory 10, and obtains a sine curve whose sum of squares of errors from the read data is minimum by the calculation of a least-square method.例文帳に追加

次に、ＣＰＵ９は、メモリ１０に書き込まれたデータを読み出し、最小自乗法による演算によって各データとの誤差の自乗和が最小となるサイン曲線を求める。 - 特許庁

To provide a method for changing threshold voltage of a non-volatile memory cells at high speed and the circuit configuration that optimizes the uses of a charge pump and the device reliability.例文帳に追加

不揮発性メモリのセルのしきい値電圧を、チャージポンプの使用の最適化と装置の最大の信頼性を維持しながら高速変更する方法及び回路構造を提案することにある - 特許庁

To provide a device for improving a cell distribution characteristic by correcting a cell voltage when a cell voltage sifting phenomenon of a flash memory element is generated, and to provide a method of improving the characteristic of the cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のセル電圧シフト現象が発生したとき、セル電圧を補正することでセル分布特性を向上させる装置とそのセル特性改善方法を提供する。 - 特許庁

To provide a retrieval information generation device, a retrieval information generation method, and a program, which are capable of suppressing increase of a memory capacity for storing character string information constituting retrieval objects.例文帳に追加

検索対象となる文字列情報を記憶するメモリ容量の増大を抑止することができる検索情報作成装置、検索情報作成方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a HSG(hemispherical grain) capacitor that can prevent HSGs from falling off and the area between electrodes from short-circuiting, and for improving the reliability of a memory and a yield.例文帳に追加

ＨＳＧの脱落を防止し、電極間のショートを防止することができ、メモリの信頼性を高め、歩留を向上することができるＨＳＧ容量素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a driving method and a drive unit for a TDC panel driver for reducing flickers by improving read/write timing of a memory.例文帳に追加

メモリの読出し／書込みタイミングを改善することにより、フリッカ現象の発生を防止することができるようにしたＴＤＣパネルの駆動方法及び駆動装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a read-out method of a memory element by which cell information can be read out accurately even when cell voltage is varied due to a cell keeping property in, especially, a multilevel cell (MLC).例文帳に追加

特にマルチレベルセル（ＭＬＣ）におけるセル維持特性のためにセル電圧が変化する場合でも、正確にセル情報を読み出すことを可能にするメモリ素子の読み出し方法を提供する。 - 特許庁

The circuit and method for the integrated circuit memory, at least one cycle before actual internal refresh operation is performed, a look-ahead function that provides a refresh command to a device is incorporated.例文帳に追加

集積回路メモリのための回路および方法は、実際の内部リフレッシュ動作が起こる少なくとも１サイクル前に、デバイスにリフレッシュコマンドを与えるルックアヘッド機能を組入れる。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film between gates of a flash memory element capable of preventing a change in thickness of the dielectric film by suppressing a reaction between a floating gate and an oxide film.例文帳に追加

フローティングゲートと酸化膜との反応を抑えて誘電膜の厚さの変化を防止することが可能な、フラッシュメモリ素子のゲート間の誘電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an address decoder check circuit and its check method capable of making a detailed check with less check steps without preparing expected values for the test memory data.例文帳に追加

検査ステップがより少なく、テスト用のメモリデータの期待値を設ける必要がなく、且つ検査を詳細に行うことができるアドレスデコーダの検査回路及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image converting apparatus and its method that can reduce the capacity of a memory storing a wavelet coefficient and conduct the conversion processing with a small scale of the hardware at a high-speed.例文帳に追加

ウェーブレット係数を格納するメモリの容量を低減させると共に変換処理を少ないハードウェア規模で高速に行える画像変換装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide the HIT/MISS-by-WAY counter which measures the use and operation efficiency of a cache memory composed of more than one WAY and its counting method.例文帳に追加

複数のＷＡＹから構成されるキャッシュメモリにおいて、その使用および動作効率を測定するＷＡＹ別ＨＩＴ/ＭＩＳＳカウンタおよびそのカウント方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abnormal link estimation device, an abnormal link estimation method and program, and an abnormal link estimation system designed to restrict the memory amount and arithmetic operation load needed for estimating an abnormal place.例文帳に追加

異常箇所を推定するためのメモリ量や演算負荷を抑制するための異常リンク推定装置、異常リンク推定方法、プログラムおよび異常リンク推定システムを提供する。 - 特許庁

To provide a resistance change element with less amount of leak (and resultant short-circuit) even when a resistance changing layer is formed thin, and also to provide a method for manufacturing the same element and a resistance change memory using the same element.例文帳に追加

抵抗変化層を薄くしてもリーク（およびそれに伴うショート）が少ない抵抗変化素子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a parameter setter and a setting method in which parameters can be set more easily by storing the scanning conditions set on a reader, e.g. a scanner, as a job memory.例文帳に追加

スキャナ等の読取装置上で設定したスキャン条件をジョブメモリとして保存することで、パラメータの設定をより簡単に行うことのできるパラメータ設定装置および方法を提供する。 - 特許庁

The method optimally utilizes a work memory and enables calculation of the multiplication inverse u^-1(mod v) of an integer u modulo v required for carrying out an RSA algorithm.例文帳に追加

方法は、作業メモリを最適に利用すると共に、ＲＳＡアルゴリズムを実行するために必要な整数ｕモジュロｖの乗算逆値ｕ^−１（ｍｏｄ ｖ）の計算を可能とする。 - 特許庁

To provide a digital signal processor and a digital signal processing method that can reduce a signal processing time and reduce a memory capacity required for signal processing.例文帳に追加

信号処理時間を短縮することができ、しかも、信号処理に要するメモリ容量を小さく抑えることのできるデジタル信号処理装置及びデジタル信号処理方法を提供する。 - 特許庁

The circuit and the method selectively control the data width of a data input output buffer which is being operated to change the data input output width while a memory access operation is being progressed.例文帳に追加

メモリアクセス動作が進行する間に、データ入出力幅を変更させるために動作中のデータ入出力バッファのデータ幅を選択的に制御する回路及び方法である。 - 特許庁

To provide a test method for a nonvolatile semiconductor memory enabling to shorten a test time without increasing layout area and without requiring an expensive test device.例文帳に追加

レイアウト面積を大きくすることなく、また高価な検査装置を必要とすることなく、検査時間の短縮を図ることを可能とする、不揮発性半導体記憶装置の検査方法の提供。 - 特許庁

To provide a memory access arbitrating method capable of guaranteeing a data transfer rate to a specified client required to guarantee the data transfer rate.例文帳に追加

この発明は、データ転送レートを保証する必要がある特定のクライアントに対して、データ転送レートを保証することができるメモリアクセス調停方法を提供することを目的とする。 - 特許庁