「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(244ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of evaluating the characteristics which enables accurate calculation of a resistance value of an offset region of a semiconductor storage element which is so structured that the resistance value of the offset region located below a memory functional body may be changed depending on the amount of accumulated charges or polarized state of the memory functional body formed on one side or on both sides of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の片側または両側に形成されたメモリ機能体の蓄積電荷の多寡または分極状態により、その下方に位置するオフセット領域の抵抗値が変化するように構成されている半導体記憶素子のオフセット領域の抵抗値を精度良く求める特性評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a selection memory fixing method and a selection memory fixing system in starting up an apparatus capable of shortening a starting up time required at normal start-up of the apparatus and shortening a maintenance time in a package exchange.例文帳に追加

本発明は装置立ち上げ時の選択メモリ固定方法及び選択メモリ固定システムに関し、通常の装置起動時に要する起動時間の短縮が図れ、パッケージ交換における保守時間の短縮が図れる装置立ち上げ時の選択メモリ固定方法及び選択メモリ固定システムを提供することを目的としている。 - 特許庁

A method of fabricating a multi-level memory device comprises forming peripheral circuitry 120 on a substrate 105; covering the peripheral circuitry 120 and the substrate 105 with an interlayer dielectric layer 145; and forming a stack 110 of more than one level of memory array on the interlayer dielectric layer 145.例文帳に追加

マルチレベルメモリデバイスを製造する方法であって、基板１０５上に周辺回路１２０を形成することと、周辺回路１２０および基板１０５を層間誘電層１４５で覆うことと、層間誘電層１４５上に１レベル以上のメモリアレイのスタック１１０を形成することと、を含む製造方法。 - 特許庁

The recording method of the nonvolatile memory includes a recording circuit which electrically performs recording of information for the information memory element having a resistance change.例文帳に追加

抵抗変化を有する情報記憶素子に対して電気的に情報の記録を行う記録回路を含む不揮発性メモリの記録方法であって、上記記録回路は、情報記憶素子に対して当該記録回路の出力インピーダンスが情報記憶素子の低抵抗状態の抵抗値よりも大きい状態で低抵抗状態の情報を記録する。 - 特許庁

MEMORY DRIVE FOR OPERATION ON NETWORK, METHOD OF ACCESSING FILE DATA IN SEQUENTIAL ACCESS STORAGE MEDIUM FROM NETWORK, MEMORY LOGIC INCLUDING LOGIC FOR CONVERTING COMMAND BASED ON FILE AND LOGIC FOR STORING TOC, MAGNETIC TAPE, AND LOGIC FOR ACCESSING DATA OF TAPE AND TOC REGION例文帳に追加

ネットワーク上での動作のための記憶ドライブ、ネットワークからシーケンシャルアクセス記憶媒体におけるファイルデータにアクセスする方法、ファイルに基づくコマンドを変換するための論理およびＴＯＣを格納するための論理を含む記憶論理、磁気テープ、ならびにテープのデータおよびＴＯＣ領域にアクセスするための論理 - 特許庁

The disk reproducing method and device of this invention stores modulation data reproduced from a disk into a temporary storage memory so as to be able to read and demodulate the modulation data stored in the temporary storage memory, thereby minimizing the demodulation disabled area.例文帳に追加

本発明のディスク再生方法およびディスク再生装置は、ディスクから再生された変調データを一時記憶メモリに格納しておくことにより、正しい同期パターンを検出後に、一時記憶メモリに格納した変調データを読み出して復調することができるため復調不能領域を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

The method to to manufacture a nonvolatile memory 10, the nonvolatile memory 10 has lower electrodes 14, a metal oxide layer 15 having variable resistance property formed on the surface of the lower electrodes 14, and upper electrodes 16 formed on the surface of the metal oxide layer 15.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリの製造方法は、下部電極１４と、下部電極１４の表面に形成された可変抵抗特性を有する金属酸化物の層１５と、金属酸化物の層１５の表面に形成された上部電極１６と、を備えた不揮発性メモリ１０の製造方法である。 - 特許庁

To conduct a cache tag test by designating nodes without acquiring wasteful memory resources, regarding a cache tag test method using an operating system in a system having a plurality of nodes including CPUs with cache tags and memory and having crossbars for interconnecting the plurality of nodes.例文帳に追加

本発明はキャッシュタグを持つＣＰＵとメモリとを含むノードが複数個と，前記複数のノードを相互に接続するクロスバーを備えたシステムにおけるオペレーティングシステムによるキャッシュタグ試験方式に関し，無駄なメモリ資源の獲得をすることなく且つノードを指定してキャッシュタグ試験を実施することを目的とする。 - 特許庁

Disclosed is the control method for the ARP cache memory, and a router has the ARP cache memory in which storage areas for ARP data of respective terminals belonging to virtual LANs are set by virtual LANs, an area information storage section stored with property information on the storage areas of the virtual LANs, and a processing section.例文帳に追加

ＡＲＰキャッシュメモリの制御方法であって、ルータは、前記仮想ＬＡＮ毎に当該仮想ＬＡＮに属する各端末のＡＲＰデータの記憶領域が設定された前記ＡＲＰキャッシュメモリと、前記仮想ＬＡＮ各々の前記記憶領域の属性情報が記憶された領域情報記憶部と、処理部と、を有する。 - 特許庁

This control device comprises a print image compression part 326 for compressing a print image, a print image extension part 328 for performing a corresponding extension processing, and a memory image storage control part 300 for analyzing whether the storage content stored in a main memory 130 is processable by the print image compression part 326 or not to form a compression method table.例文帳に追加

印刷イメージを圧縮する印刷イメージ圧縮部３２６ と対応した伸張処理をする印刷イメージ伸張部３２８ と、メインメモリ１３０ に記憶されている記憶内容が印刷イメージ圧縮部３２６ にて処理できるか否かを解析して圧縮方法テーブルを作成するメモリイメージ保存制御部３００ を設ける。 - 特許庁

In the band memory control method, when a band area for storing compressed data cannot be acquired in acquiring the compression data storage band area at expansion of data to a band memory, band data compressed and stored in a compression data storage band area having already been acquired are once decompressed and restored to raw data.例文帳に追加

本発明に係るバンドメモリ制御方法は、バンドメモリ上への展開時に圧縮データ格納用バンドエリアを取得しようとして圧縮データ格納用バンドエリアが取得できない場合には、既に取得済みの圧縮データ格納用バンドエリア内に圧縮格納したバンドデータを一旦伸長して生データに戻す。 - 特許庁

To provide a shape memory alloy material having such a high shape recovery property and such a high transformation temperature that it may have shape memory effect or superelasticity of 2% or greater requiring for exhibiting a perfect shape recovery elongation and being on an industrially utilizable level and an Af temperature of 100°C or higher, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

工業上の利用レベルにある２％以上の完全に回復する形状回復伸び量を示す形状記憶効果または超弾性を有し、且つ１００℃以上のＡｆ温度を示す高形状回復性および高変態温度を有する形状記憶合金材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the look-ahead control method for memory data for one selected bus master in a system 10 where a plurality of bus masters (12, 13 and 14) are connected to a memory 17, whether to perform look-ahead control is judged based on a signal for discriminating the selected bus master and a signal for discriminating a transfer type.例文帳に追加

複数のバスマスタ（１２，１３，１４）とメモリ１７が接続されたシステム１０に於ける選択された一つのバスマスタに対するメモリデータの先読み制御方法であって、当該選択されたバスマスタを判別する信号と、転送タイプを判別する信号とに基づいて先読み制御を行うか否かを判定するようにしている。 - 特許庁

A CPU data reading controller 104 for reading out data from a memory 103 in accordance with a block access request from a CPU 101 converts the block access data on the basis of a specific method when a specific pattern '1111' is included in the data read out from the accessed memory and supplies the converted data to the CPU 101.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１からのブロック・アクセス要求に応じてメモリ１０３からデ−タを読出すＣＰＵ用デ−タ読出し制御装置１０４において、アクセスしたメモリからのリード・データに特殊パタ−ン１１１１があるときは、そのブロック・アクセス・データを特定の方式に従って変換しＣＰＵ１０１に供給する。 - 特許庁

This method is provided with a first step for instructing access to a memory and setting the predictive time of access completion to the memory on the basis of the output result of a timer means to be independently controlled and a second step for successively judging possibility of access to respective memories on the basis of the predictive time of access completion.例文帳に追加

メモリに対しアクセス指示を行うとともに、独立して制御されるタイマー手段の出力結果に基づき、該メモリのアクセス完了予測タイムを設定する第１工程と、前記アクセス完了予測タイムに基づき、各メモリに対しアクセス可否の判断を順次行う第２工程とを備える。 - 特許庁

To provide a highly reliable nonvolatile memory device exactly detecting abnormal conditions such as power shutdown during writing by determining a writing state by a control circuit based on output of an all-clear detection circuit and presence of a written mark, and to provide a method for determining writing of the nonvolatile memory device.例文帳に追加

全消去検出回路の出力と書き込みマークの有無に基づいて書き込み状態を制御回路によって判定することによって、正確に書き込み途中の電源遮断等の異常を検出することのできる信頼性の高い不揮発性記憶装置及びその書き込み判定方法を提供する。 - 特許庁

The image input/output device and image input/output method attain the connection check of the DRAM-I/F without omission in the internal diagnosis (self-diagnosis) of the controller prior to the start of the OS upon power-on by assigning memory spaces of all CS regions into a functionally limited memory map region.例文帳に追加

機能限定されたメモリマップ領域内に、すべてのCS領域のメモリ空間をアサインすることにより、電源投入時でＯＳが起動する前のコントローラ内部診断（自己診断）時に、もれなくＤＲＡＭ−Ｉ／Ｆの結線チェックが出来る画像入出力装置及び画像入出力方法の提供を実現することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory which can enhance a chip working speed by reducing bitline capacitance, and to provide a method for driving the nonvolatile ferroelectric memory by which pre-charge time can be reduced, by performing a write operation even in an active area through composing a chip which can work under low voltage by a self boost operation.例文帳に追加

ビットラインキャパシタンスを減少させて、チップ動作速度を改善できる強誘電体メモリを提供し、また、セルフブースト動作によって低電圧でも動作することができるチップを構成し、アクティブ領域でも書込み動作を行うことにより、プリチャージタイムを減らすことができる強誘電体メモリの駆動方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide an associative memory device and associative memory searching method which can optimize the searching range of the next search based on the preceding search result on the occasion of outputting existence or non-existence of the same or similar data by searching many search object data based on the input search data.例文帳に追加

本発明は、入力された検索データに基づいて多数の検索対象データを検索して同一または類似のデータの有無を出力する際に、前検索の結果に基づいて次検索の検索範囲を最適化することができる連想記憶装置及び連想メモリ検索方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This method enables decoding by the terminal after performing (a) encryption of content of the operation memory of the electrical communication terminal from a key K which is needed for the decoding and is previously decided, and (b) activation of the terminal by an activation program recorded within the memory 21 added with security, and calculation by the terminal of the key to be used for the decoding.例文帳に追加

方法は、ａ）解読に必要なあらかじめ決められた鍵Ｋから電気通信端末の作動メモリの内容を暗号化すること、ｂ）セキュリティを付与されたメモリ２１内に記録された起動プログラムによる端末の起動および、解読に使用される鍵の端末による計算の後に、端末による解読を可能にする。 - 特許庁

To provide an image forming device and an exposure potential control method for avoiding an aging exposure causing the increase of start-up time, for example, after resetting when the device is started up and further having a restraining effect not only to the lowering phenomenon of VL by exposure memory but also to density fluctuation caused by the increase of the VL by the exposure memory.例文帳に追加

装置立ち上げ時のリセット後のような立ち上げ時間の増加につながるエージング露光を廃止し、さらに、露光メモリによるＶＬの低下現象だけでなく、露光メモリによるＶＬの増加による濃度変動にも抑制効果を有する画像形成装置及び露光電位制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing flash memory element by which the reliability of a flash memory element can be improved by securing the stability of a process by improving the EFH differences induced among a cell region, a high-voltage transistor region, and a low-voltage transistor region by the projecting sections of the field oxide films of the regions.例文帳に追加

セル領域、高電圧トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域それぞれのフィールド酸化膜の突出部によってこれらの領域間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which appropriately forms an image through the use of a multibeam system only with a memory storing an expanded image equivalent to a processing unit making the image formed by a printer engine, without the need for a high-capacity memory for storing the expanded image, and also to provide an image forming method, and a program.例文帳に追加

展開画像を格納するための容量の大きいメモリを必要とせず、プリンタエンジンによって画像形成される処理単位分の展開画像が格納可能なメモリを備えるだけで好適にマルチビーム方式による画像形成を行うことができる画像形成装置及び画像形成方法並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the asymmetrical area memory cell includes a step of forming a lower electrode 102 having a certain area, a step of forming a CMR memory film 106 having an asymmetrical area on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode 110 having an area narrower than the lower electrode area.例文帳に追加

本発明の方法は、ある面積を有する下部電極１０２を形成する工程と、下部電極の上に、非対称面積を有するＣＭＲメモリ膜１０６を形成する工程と、ＣＭＲ膜の上に、下部電極面積よりも狭い面積を有する上部電極１１０を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

This method of discharging the erase voltage in a semiconductor memory device includes a step of performing a first discharge on an CSL voltage in a semiconductor memory device, a step of comparing the CSL voltage with the reference voltage, and a step of performing a second discharge on the CSL voltage when the CSL voltage is lower than the reference voltage.例文帳に追加

半導体メモリ装置のＣＳＬを１次ディスチャージする段階と、ＣＳＬ電圧を所定基準電圧と比較する段階と、ＣＳＬ電圧が基準電圧より低い場合、ＣＳＬを２次ディスチャージする段階と、を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の消去電圧のディスチャージ方法。 - 特許庁

This method further comprises a process 140 for judging whether other skip is detected or not during a skip time out period, a process 150 for storing data from a compact disk in a buffer memory with a prescribed compression rate when another skip is detected, and process reproducing data from the buffer memory with reproducing speed.例文帳に追加

この方法はまた、スキップ・タイムアウト期間中に別のスキップが検出されているかを判断する工程140、別のスキップが検出されている場合に、所定の圧縮率でコンパクト・ディスクからのデータをバッファー・メモリーへ記憶する工程150及び、バッファー・メモリーから再生速度でデータを再生する工程、を含む。 - 特許庁

The method and device are especially suitable to be used in the computer graphic system (400) including one or more areas of a memory such as a frame buffer, and the memory areas are organized in a rectangular form as storage areas which are continuous but are not sequential address designable in the 1st storage area (450) of the system (400).例文帳に追加

方法及び装置は、フレームバッファのようなメモリの1つ以上の領域を含むコンピュータグラフィックシステム(400)における使用に特に適合し、そのメモリの領域は、グラフィックシステム(400)の第一の記憶領域(450)内で連続しているが順次アドレス指定可能でない記憶場所として矩形状の態様で編成されている。 - 特許庁

The data storage method includes a step of generating and storing a log including a value of data to be stored and an address of the nonvolatile memory in response to a data write request, and a step of mutually comparing addresses designated by the log and storing data corresponding to the same page in a relevant region of the nonvolatile memory for the unit of a page.例文帳に追加

データの書込み要請に対し、貯蔵すべきデータの値及び不揮発性メモリのアドレスを含むログを生成して貯蔵する段階、及びログが指定するアドレスを互いに比較して同じページに該当するデータを前記不揮発性メモリの該当領域にページ単位に貯蔵する段階を含むデータ貯蔵方法。 - 特許庁

To provide a registration/display method of secret information in a memory dial for making the name of a communication opposite party to be secret for a third person, eliminating need of secret unlocking by an identification number, and protecting privacy in use of an electronic telephone book (memory dial) in a communication terminal such as a portable telephone set.例文帳に追加

携帯電話などの通信端末における電子電話帳（メモリダイヤル）の利用において、第三者に対して通信相手先の名前を秘密にすると同時に、一々暗証番号で秘密ロックをとく必要がない、プライバシー保護を実現した、メモリダイヤルにおけるシークレット情報の登録・表示方法を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory element capable of preventing a delete disturbance by separating the well of a region on which a NAND flash memory cell is to be formed and distributingly forming the well on its upper part by each block so as to reduce a stress time m applied to each cell block, and to provide a well forming method thereof.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリセルが形成されるべき領域のウェルを分離してその上部にブロック別に分散して形成させることにより、セルブロックに対するストレスタイムｍを減少させて消去デスターバンスを防止することが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのウェル形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display control system, a display controlling method, and a memory medium, enabling display data to be one-sidedly outputted to a display device in the same way as display control for a CRT or other liquid crystal displays, and not needing a memory means for holding display data for the portion of one line.例文帳に追加

ＣＲＴや他の液晶表示器のための表示制御と同様に一方的に表示データを表示装置に対して出力できるようにすると共に、１ライン分の表示データを保持しておくための記憶手段を不要とした表示制御システム、表示制御方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in a ferroelectric memory element that, although many nondestructive readout methods have been studied, each has a problem that the difference between "1" and "0" is small, a problem in the process reliability, and so forth, and they have not been solved, and to provide a nondestructive readout method suitable for a simple matrix structure memory element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子において、幾つもの非破壊読み出し方法が検討されてきているが、“１”、“０”の差が小さいことやプロセス的な信頼性の問題等、それぞれ課題を抱えており、未だ実現していないが、本発明は、単純マトリクス構造メモリ素子に好適な非破壊読み出し方法を提供する。 - 特許庁

A method and system for authenticating print media (12) includes providing a digital memory (14) physically associated with a holder (10) of print media, and storing data in the digital memory, which data is adapted to be authenticated to allow use of the print media.例文帳に追加

印刷媒体（１２）のための認証システムおよび方法であって、印刷媒体のホルダ（１０）に物理的に関連するように適合されているデジタルメモリ（１４）を提供する工程、およびデジタルメモリにおけるデータを保存する工程であって、データは印刷媒体の使用を許可するために認証されるように適合される、工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern that can solve problems of short-circuit or breaking of word lines and data line ends caused by interference of diffracted light produced at a pattern end on a boundary part between a memory array and a sub-word driver or sense amplifier when fine word lines and data lines having linewidth smaller than a wavelength are patterned on a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決するパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

By providing the above described control method, contact failure of a terminal caused by vibrations of the tablet cassettes caused by motor drive and recognition failure and errors made by the memory caused by the contact failure can be prevented from occurring, and loss of information stored in the memory caused by the contact failure is prevented appropriately.例文帳に追加

前記のような制御方法を提供することにより、モータ駆動による錠剤カセットの振動により発生する端子の接触不良と、これによるメモリーの認識不良およびエラーの発生を未然に防止し、端子の接触不良によりメモリーに記録された情報が損失されるのを適切に防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming a nonvolatile memory transistor and a MOS field-effect transistor on an identical semiconductor substrate capable of decreasing a fluctuation in film thickness of a top film of the nonvolatile memory with the reduced number of processes and an improved yield.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタとＭＯＳ電界効果トランジスタとを同一の半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、工程数を削減し、歩留まりを向上させ、不揮発性メモリトランジスタのトップ膜の膜厚ばらつきを低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of data communication between a printer driver means and an application program means 201 operating on an operation system, the application program 201 creates a named shared memory, and calls the ExtEscape function 301, so that a user interface module 411 of the XPS printer driver stores the return data in the named shared memory.例文帳に追加

オペレーティングシステム上で動作するアプリケーションプログラム手段２０１とプリンタドライバ手段との間のデータ通信方法であって、アプリケーションプログラム２０１が名前付き共有メモリを作成しＥｘｔＥｓｃａｐｅ関数３０１を呼び出すことで、ＸＰＳプリンタドライバのユーザインタフェースモジュール４１１が名前付き共有メモリに返却データを格納する。 - 特許庁

To provide an image processing circuit in which the generation of a pseudo contour is prevented only with an in-field processing without using a movement detection processing using a field memory, an image display using the image processing circuit, a method of processing image and a method of display image using the method of processing image.例文帳に追加

フィールドメモリを用いた動き検出処理を用いずとも、擬似輪郭の発生をフィールド内処理だけで未然に防ぐ事ができる映像処理回路及び該映像処理回路を用いた映像表示装置、映像処理方法及び該映像処理方法を用いた映像表示方法を提供する。 - 特許庁

And a method of manufacturing the magnetic random access memory is characterized that the tunnel oxide film is formed by atomic layer laminating method, and the other material films, especially the anti-oxidation film, are formed by a non-atomic layer laminating method.例文帳に追加

磁気トンネル接合層が下部磁性膜、酸化防止膜、トンネル酸化膜および上部磁性膜で構成されたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ、ならびに前記トンネル酸化膜は原子層積層法で形成し、他の物質膜、特に前記酸化防止膜は非原子層積層法で形成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

To provide an inter-message communication method using a distributed common memory which performs transfer without impairing real-time property even in the case where a large-scale message and a small-scale message are mixed and transferred.例文帳に追加

大規模メッセージと小規模メッセージとが混在して転送される場合でも、実時間性を損なうことなく転送できる分散共有メモリを用いたメッセージ間通信方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a copy time of data of twin cells in shifting to a partial mode is shortened and increment of an access time caused by refresh operation is suppressed and to provide its control method.例文帳に追加

パーシャルモード移行時におけるツインセルのデータのコピー時間の短縮化を図り、リフレッシュ動作によるアクセスタイムの増大を抑止する半導体記憶装置及びその制御方法の提供。 - 特許庁

To provide a drawing device and a drawing method for saving the capacity of a memory means storing drawing data so as to reduce a cost and for generating desired frame data to carry out drawing processing.例文帳に追加

描画データを格納する記憶手段の容量を節約してコストダウンを図るとともに、所望のフレームデータを生成して描画処理を行うことのできる描画装置及び描画方法を提供する。 - 特許庁

To provide a failure recorder and a failure recording method, capable of sufficiently recording information useful for failure analysis without causing lack of capacity of memory, reduction in efficiency and increase in a processing load.例文帳に追加

メモリの容量不足や効率低下及び処理負荷の増加を招くことなく故障解析に有用な情報を十分に記録することができる故障記録装置、故障記録方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the thickness of a floating gate of a memory cell transistor can be freely set regardless of the thickness of a resistance part of a resistive element in a peripheral circuit, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

周辺回路の抵抗素子の抵抗部の厚さに依らずにメモリセルトランジスタの浮遊ゲートの厚さを自由に設定することのできる半導体装置、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁