「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The error correction processing is executed in a high-speed access mode of a buffer memory 5 while using the entire width of a data bus of the buffer memory 5 by holding an error correction address and a corrected data value obtained by calculation in an error correction circuit 20 and continuously performing error corrections to contiguous addresses.例文帳に追加

計算により得られた誤り訂正アドレス及び訂正データ値をエラー訂正回路２０内に保持しておき、連続したアドレスに対するエラー訂正を連続して行うことにより、バッファメモリ５のデータバス幅を全て使用しながら、当該バッファメモリ５の高速アクセスモードで訂正処理を実行する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element and manufacturing method thereof which are capable of high-speed operation, and furthermore, have stable rewritability reversibly and the good retention property of resistance value, and to provide a nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性とを有する不揮発性記憶素子及びその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A distortion correction memory 117 stores image deterioration information for an optical system, such as distortion correction value, in response to distortion information, angular velocity sensors 108, 109 sense a camera-shake at photographing and store camera-shake sensing signals in time series to a locus memory circuit 113.例文帳に追加

光学系の画像劣化情報、たとえば、ディストーション情報に応じた歪み補正値を歪み補正値メモリー１７１に記憶するとともに、撮影時の手ぶれを角速度センサ１０８、１０９で検出し、時系列の手ぶれ検出信号を軌跡メモリー回路１１３に記憶する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device using a multi-value recording system and the nonvolatile memory system, a first verify voltage is used when data are written before a packaging process, and a second verify voltage lower than the first verify voltage is selected when the data are written after the packaging process.例文帳に追加

多値記憶方式の不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリシステムにおいて、パッケージング工程前にデータを書き込む場合には第一のベリファイ電圧を用い、パッケージ工程後にデータを書き込む場合には第一のベリファイ電圧よりも低い第二のベリファイ電圧に切り替える。 - 特許庁

Based upon an integrating period and working power rates read out of a nonvolatile memory 5a, working power rates are calculated with reference to a measured value of consumed power by a power measuring circuit 3 to store these at a predetermined area in the memory 5a, when a date and time is within the integrating period.例文帳に追加

不揮発性メモリ5aから読み出した積算期間及び使用電力料金に基づいて、日時が積算期間内であるとき、電力計測回路３による消費電力の計測値を参照して使用電力料金を算出し、これを不揮発性メモリ5aの所定の領域に格納する。 - 特許庁

A transformer 43 is controlled to ensure that a power voltage Vh from a power supply 42 is a value obtained by multiplying a power voltage Vh_0 at the time of shipment of a printer by the correction √K2, and correction data is read from the flash memory 46, the image data of a frame memory 34 is corrected and an image is printed.例文帳に追加

電源４２からの電源電圧Ｖｈが、プリンタ出荷時の電源電圧Ｖｈ_0 に補正量√Ｋ２を乗算した値となるように、変圧器４３が制御されるとともに、補正データがフラッシュメモリ４６から読み出されてフレームメモリ３４の画像データが補正され、画像がプリントされる。 - 特許庁

When it is decided, in the printer 1, that a free capacity of the spool memory is less than a prescribed value, the print file and the controlling data are transmitted to the host device 2 from the controlling data of the nonvolatile storage part by the password and the ID of the print file having old time data, and are deleted from the spool memory.例文帳に追加

プリンタ１においてスプールメモリの空き容量が所定値以上ではないと判断されると、不揮発記憶部の制御用データからタイムデータの古い印刷ファイルのＩＤとパスワードによりその印刷ファイル及び制御用データがホスト装置２に転送され、スプールメモリ内から消去される。 - 特許庁

When a pulse signal P is inputted, a power generation part 14 generates power based on this input pulse signal P to supply it to each part such as a control part 11, and the control part 11 which is started by this power supply increments the counted value in a memory 13 by one to store it in the memory 13.例文帳に追加

パルス信号Ｐを入力すると電源生成部１４はこの入力パルス信号Ｐに基づき電源を生成して制御部１１等の各部に供給するとともに、その電源供給により起動された制御部１１は、メモリ１３のカウント値を１つカウントしメモリ１３に記憶する。 - 特許庁

Original image data to be input are stored in an image memory, and it is determined whether a focus pixel is a background color region candidate pixel or not based on whether the focus pixel and its adjacent pixel are within a background pixel value range or not for the pixel data sequentially read from the image memory.例文帳に追加

入力してくる元画像データを画像メモリに記憶し、画像メモリから順次に読み出される画素データについて、注目画素とその隣接画素が背景画素値範囲にあるか否かにより当該注目画素が背景色領域候補の画素であるかを判定する。 - 特許庁

The device comprises a history memory means retaining past waveform data for specified number of trigger times in an acquisition memory, an extraction means extracting waveform data at the same time as the retained data, and a waveform indication means selecting an arbitrary value of the extracted waveform data and indicating it.例文帳に追加

指定されたトリガ回数分の過去の波形データをアクイジションメモリに保持するヒストリメモリ手段と、前記保持データの同一時間の波形データを取り出す抽出手段と、抽出された波形データの任意値を選出して表示する波形表示手段と、を具備するもの。 - 特許庁

The pattern generator for a semiconductor tester is equipped with a data conversion memory which stores state allotment information for converting a data signal into a multi-threshold value by an address signal, and a data selector circuit which selects an output of the data conversion memory by a data signal and outputs a data pattern.例文帳に追加

半導体試験装置のパターン発生器において、アドレス信号によりデータ信号を多しきい値に変換する状態割り当て情報を格納するデータ変換メモリと、データ信号により前記データ変換メモリの出力を選択してデータパターンを出力するデータ選択回路とを具備する。 - 特許庁

In driving the memory device 1, the memory device 1 can detect a level of a resistance value of a TMR element (the functional film 22, an interlayer insulating film 23 and a magnetic substance film 26) by using the upper electrode 24 and the lower barrier electrode 19, and can read data depending on this detection result.例文帳に追加

そして、メモリ装置１では、その駆動において、上部電極２４と下部バリア電極１９とを用いてＴＭＲ素子部（機能膜２２と層間絶縁膜２３と磁性体膜２６）の抵抗値の高低を検出し、この検出結果を以ってデータを読み出すことができる。 - 特許庁

The microcomputer 41 is incorporated with a memory for storing data of a sine wave, and detects a rotating speed of the motor 7 from the position signals Hu, Hv and Hw, and sets a value of a data pointer becoming an address to the memory in response to the rotating speed in the timing provided from the position signals Hu, Hv and Hw.例文帳に追加

マイコン４１は正弦波のデータを記憶しているメモリを内蔵し、位置信号Ｈｕ、Ｈｖ、Ｈｗからモータ７の回転数を検出して、位置信号Ｈｕ、Ｈｖ、Ｈｗから得られるタイミングでメモリへのアドレスとなるデータポインタの値を回転数に応じて設定する。 - 特許庁

The device is provided with a focusing range setting means for setting the focusing range of the focus lens in an automatic focus mode and a memory means for storing the set result, and acts by setting a value stored in the memory means as an actual focusing range when and after the setting of the focusing range setting means is finished.例文帳に追加

オートフォーカスモードでのフォーカスレンズの合焦範囲を設定する合焦範囲設定手段と、その設定結果を記憶するメモリ手段とを有し、合焦範囲設定手段の設定終了以降、メモリ手段に記憶された値を実際の合焦範囲として動作するようにした。 - 特許庁

An input signal and an output signal of a controller are stored in a memory of the controller when failure occurs to read data of this memory from the outside by connecting with a computer, compare with a value processed by an external computer and indicating a normal condition, determine it, and display it on a screen.例文帳に追加

故障が起こったときのコントローラの入力信号と出力信号とをコントローラのメモリに記憶させ、このメモリのデータを外部からコンピュータと繋いで読み出せるようにしておき、外部コンピュータで処理して正常な状態を示す値と比較して判断させるとともに画面上に示す。 - 特許庁

At the time of writing data for a memory transistor 5 in a semiconductor device 1, a writing voltage Vpp having a value (Vb+Vc1+Vc2) obtained by adding a first capacitor voltage Vc1 and a second capacitor voltage Vc2 to a fixed reference voltage Vb is applied to the control gate 13 of the memory transistor 5.例文帳に追加

半導体装置１では、メモリトランジスタ５に対するデータの書き込み時に、メモリトランジスタ５のコントロールゲート１３に、書き込み電圧Ｖppとして、一定の基準電圧Ｖbに第１キャパシタ電圧Ｖc１および第２キャパシタ電圧Ｖc２を加えた値（Ｖb＋Ｖc１＋Ｖc２）が印加される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing the deterioration of holding characteristics of memory cell storage charges caused by transitional voltage value unbalance between a power supply voltage VDD and a substrate voltage VBB during a change to a data retention mode or return from this mode.例文帳に追加

データリテンションモードへの移行、同モードからの復帰の際に、電源電圧ＶＤＤと基板電圧ＶＢＢの過渡的な電圧値のアンバランスにより、メモリセルの蓄積電荷の保持特性が悪化することを防止可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The microcomputer 41 has a built-in memory stored with sine wave data, detects the rotating speed of the motor 7 from the position signals Hu, Hv, Hw and sets the value of a data pointer which is to be an address to the memory, according to the rotating speed at timing obtained from the position signals Hu, Hv, Hw.例文帳に追加

マイコン４１は正弦波のデータを記憶しているメモリを内蔵し、位置信号Ｈｕ、Ｈｖ、Ｈｗからモータ７の回転数を検出して、位置信号Ｈｕ、Ｈｖ、Ｈｗから得られるタイミングでメモリへのアドレスとなるデータポインタの値を回転数に応じて設定する。 - 特許庁

Each of block processing sections 8-1 to 8-4 correspond to each block when the fail memory 4 is divided into plural blocks in according with blocks of the semiconductor memory, the number of defective addresses in a block corresponding to self-processing section are counted, when the number exceeds a threshold value, a test stop signal is outputted.例文帳に追加

各ブロック処理部８−１〜８−４は、フェイルメモリ４を半導体メモリのブロックに応じて複数のブロックに分割した際の各ブロックに対応しており、自処理部と対応するブロック中の、不良アドレスの個数を計数し、その個数が閾値を超える場合には、試験停止信号を出力する。 - 特許庁

In that case, a memory clear part sequentially counts the amount of cleared data; each time a counted value exceeds a band unit, an image transfer part 30 is notified of the completion of clear (S214); a CPU issues a writing request to image memory (S215); and data can be written in the free space whenever necessary.例文帳に追加

その際、メモリクリア部はクリアしたデータ量を逐次カウントし、カウントした値がバンド単位を超えるごとに画像転送部３０にクリアの完了を通知し（Ｓ２１４）、ＣＰＵは画像メモリへの書き込み要求を発行し（Ｓ２１５）、随時空き領域にデータを書き込むことが可能になる。 - 特許庁

The policing section receives the count value of the cell memory use capacity monitor section, monitors a state when the cell memory use capacity reaches zero, discriminates whether the cell is adapted to the policing condition designated from the cell, and outputs a band violation alarm when the cell is not adapted to the condition.例文帳に追加

ポリシング部は，セルメモリ使用容量監視部のカウント値を入力し，セルメモリ使用容量が０になる状態を監視して当該セルに対して指定されたポリシング条件に適合するか判別して，適合しないと帯域違反のアラームを出力するよう構成する。 - 特許庁

The reduced area memory cell circuit includes: word lines relating to each bit line of a set of bit lines, a first word line for selecting a subset of the set of bit lines, a second word line for selecting a bit line of the subset of bit lines, and a memory cell for storing a bit value on the selected bit line.例文帳に追加

減少された面積のメモリセル回路は、ビット線の組みの各ビット線に関連するワード線と、ビット線の組みのサブセットを選択する第１のワード線と、ビット線のサブセットの１つのビット線を選択する第２のワード線と、選択されたビット線上のビット値を格納するメモリセルを有する。 - 特許庁

Specifically, in a step S103, when a person is selected as a photographic scene or a subject, and a photographing condition of a photographing condition setting data memory corresponding thereto is set, and also a user A is set, user A's shake amount evaluated value is read out from a user's camera shake result data memory.例文帳に追加

つまり、前記ステップＳ１０３で撮影シーン又は被写体として「人物」が選択されて、これに対応する撮影条件設定データメモリの撮影条件が設定され、かつ、ユーザＡが設定されたとすると、ユーザの手ブレ実績データメモリからユーザＡのブレ量評価値を読み出す。 - 特許庁

An image forming device is provided with a storage medium remaining capacity control means 14 for controlling the usable remaining capacity of the storage medium for storing image data and the memory shape setting means 16 for comparing usable remaining capacity with a given reference value and setting the memory shape of the image data in compliance with the comparison result.例文帳に追加

画像データを記憶する記憶媒体の使用可能な残容量を管理する記憶媒体残容量管理手段（１４）と、使用可能な残容量と所定の基準値を比較して比較結果に応じて画像データの記憶形態を設定する記憶形態設定手段（１６）とを有する。 - 特許庁

When it is detected that the data of a magnetic disk device 11 of a system 10 to be backed-up are changed, the data are read by a memory (buffer) 112, and when the activity ratio of an LAN 101 is a previously decided value or less, the data are transmitted from the memory through the LAN 101 to a backup system 20.例文帳に追加

バックアップ対象システム１０の磁気ディスク装置１１のデータに変更があったことを検知すると、当該データをメモリ（バッファ）１１２に読み込み、ＬＡＮ１０１の使用率が既定値以下の場合にメモリ内からＬＡＮ１０１経由でバックアップシステム２０に送出する。 - 特許庁

Data stored in the ferroelectric capacitors C0, C1 is read out by applying read-out voltage between both electrodes of the ferroelectric capacitors C0, C1 constituting the memory cell reading out data out of the plurality of memory cells and detecting a polarization value of the ferroelectric capacitors Co, C1.例文帳に追加

複数のメモリセルのうちデータを読み出すメモリセルを構成する強誘電体キャパシタＣ０、Ｃ１の両電極間に読み出し電圧を印加して強誘電体キャパシタＣ０、Ｃ１の分極値を検出することにより、強誘電体キャパシタＣ０、Ｃ１に記憶されているデータを読み出す。 - 特許庁

After that, the prescribed data are written in a memory cell selected by the activated word line, after data before a value of the prescribed data is decided are read out to each sense amplifier SA00-SA33 from a selected memory cell through a bit line BL(m), the sense amplifiers SA00-SA33 are activated.例文帳に追加

その後、活性化したワード線により選択されたメモリセルに所定データを書き込み、所定データの値が確定する前の確定前データを、選択されたメモリセルからビット線ＢＬ（ｍ）を通して各センスアンプＳＡ００〜ＳＡ３３に読み出した後、該センスアンプＳＡ００〜ＳＡ３３を活性化する。 - 特許庁

At least one or more memory cells provided with n voltage levels, where n is also not a value of 2^2, and capable of expressing storing bits by the numerical expression 1 are supplied and the storage medium is formed by combining k memory cells (k is an integer ≥1) to store data in the storage medium.例文帳に追加

ｎ段階の電圧レベルを具え、且つ該ｎが２の２乗値でなく、保存ビットを、数式１で表すことのできる少なくとも一以上のメモリセルを提供し、１よりも大きいｋ個のメモリセルを組み合わせて記憶媒体を形成し、データを該記憶媒体に保存する。 - 特許庁

Whether or not a count value and identification data are recorded on the medium is detected, and when they are not recorded or when the recorded data do not match the data held in an internal memory, media_generation_count is updated, and the identification data are generated and written to the internal memory and a recording medium.例文帳に追加

メディア上にカウント値と識別データが記録されているかを検出し、記録されていない場合または記録されているデータが内部メモリに保持しているデータと一致しなかった場合、ｍｅｄｉａ＿ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ＿ｃｏｕｎｔを更新して識別データを生成し、内部メモリ及び記録メディアに書き込む。 - 特許庁

A memory cell array is configured three-dimensionally by arranging a plurality of memory cells comprising a transistor formed on a semiconductor substrate and a variable resistor element connected between the source and drain terminals of the transistor and the resistance value of which varies at voltage application in the longitudinal direction and in an array.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトランジスタと前記トランジスタのソース・ドレイン端子間に接続された電圧印加によって抵抗値が変化する可変抵抗素子とを備えてなるメモリセルを縦方向、さらにアレイ状に複数個配置して３次元的にメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

When the DAM transfer of data from a sender's address pointer sp on a global memory 205 to a destination address pointer dp on a local memory 203, the address offset value of the destination address pointer dp with respect to the alignment boundary is adjusted to meet the constraint condition.例文帳に追加

グローバルメモリ２０５上の転送元アドレスポインタｓｐからローカルメモリ２０３上の転送先アドレスポインタｄｐにデータをＤＡＭ転送する場合、アラインメント境界に対する転送先アドレスポインタｄｐのアドレスオフセット値を調整することで、上記制約条件を満たす。 - 特許庁

The data recording apparatus starts the recording of data (a) on a memory A from a first time point when the start of data recording is commanded, and progresses data recording on two memories A, B in parallel from a second time point when the remaining capacity of the memory A becomes less than or equal with a fixed capacity value (x).例文帳に追加

本発明に係るデータ記録装置は、データ記録の開始が指令された第１時点からメモリＡに対してデータａの記録を開始し、メモリＡの残り容量が一定の容量値ｘ以下となった第２時点からは、２つのメモリＡ、Ｂに対するデータ記録を並行して進める。 - 特許庁

The apparatus is provided with a saliva sugar sensor 1, a CPU device 5 by which a measured current by the saliva sugar sensor 1 is converted into a saliva sugar value, a read-only memory device 2 which outputs converted data to the CPU device 5, a memory device 3, and a display device 4 which displays a judged result.例文帳に追加

唾液糖センサ１と、この唾液糖センサ１での測定電流を唾液糖値に換算するＣＰＵ装置５と、ＣＰＵ装置５へ換算データを出力する読み出し専用メモリ装置２と、メモリ装置３と、判定結果を表示するディスプレイ装置４とを備える。 - 特許庁

When a memory 10b stores the receiving direction, a control part 10 causes a receiving direction changeover part 24 to instruct to successively change-over the receiving direction with the stored receiving direction as an initial stage value to thereby update the receiving direction in the memory 10b with the use of the determined receiving direction.例文帳に追加

制御部１０は、メモリ１０ｂに受信方向が記憶されている場合に、受信方向切換部２４に対して、記憶されている受信方向を初期値として受信方向の順次切換えの指示を行なわせ、決定された受信方向でメモリ１０ｂ内の受信方向を更新する。 - 特許庁

To provide a data backup system which is used for an electronic device providing a low power consumption state, capable of more accurately grasping a remaining value of a secondary battery that backs up a memory when a power supply from a power source is suspended, for more sure backing up of a memory.例文帳に追加

低消費電力状態を取り得る電子機器に用いられるデータバックアップシステムであって、電源からの電力供給が停止されたときにメモリをバックアップする二次電池の残容量をより正確に把握でき、メモリのバックアップをより確実に行うことが可能なデータバックアップシステムを提供する。 - 特許庁

After that, an image processing part 19 rejects the noise estimated to be included in image data by subtracting a value by multiplying the acquired dark noise image by a prescribed coefficient from the RAW data and a memory card control part 15 records an image after the noise rejection in a memory card 21.例文帳に追加

その後、画像処理部１９が、ＲＡＷデータから、取得した暗黒ノイズ画像に所定係数を乗算したものを減算することにより、画像データに含まれると推定されるノイズを除去し、メモリカード制御部１５がノイズ除去後の画像をメモリカード２１に記録する。 - 特許庁

An overdrive computing part 223 generates overdrive display data in response to a present time frame and the previous time frame, compresses the image display data of the first and second areas 105, 106 at first and second data compressibility ratios R_A, R_B of a small value and a large value, and stores the same in the memory 224.例文帳に追加

オーバードライブ演算部２２３は現時間フレームと前時間フレームとに応答してオーバードライブ表示データを生成して、第１と第２の領域１０５、１０６の画像表示データを小さな値と大きな値の第１と第２のデータ圧縮率Ｒ_A、Ｒ_Bで圧縮してメモリ２２４に格納する。 - 特許庁

The electric shift position signal value and the electric select position signal value of a Hall element 3 which are output corresponding to the magnetism of a magnet 2 in three ranges in the shift direction of the change lever and three ranges in the select direction of the change lever are recorded in a memory of the Hall element as the sensor characteristic values.例文帳に追加

チェンジレバーのシフト方向の３つのレンジとチェンジレバーのセレクト方向の３つのレンジとにおけるマグネット２の磁気に対応して出力するホール素子３の電気的シフト位置信号値および電気的セレクト位置信号値をセンサ特性値としてホール素子のメモリに記録する。 - 特許庁

On the other hand, when an image signal corresponding to a prescribed image pattern is inputted from a pattern forming module 125 to the exposure unit 6 through the exposure power control part 123, an offset value corresponding to the image pattern is extracted from a memory 127, and then, the toner consumption is calculated based on the offset value.例文帳に追加

一方、パターン作成モジュール１２５から所定の画像パターンに対応する画像信号が露光パワー制御部１２３を介して露光ユニット６に入力されると、その画像パターンに対応するオフセット値がメモリ１２７から抽出され、このオフセット値に基づき消費トナー量が求められる。 - 特許庁

At the time of display of the incoming call history, the control circuit 8 omits the specified incoming call whose calling is stopped until the off-hooking operation is performed and whose counting value stored in the memory is not more than a setting value, and displays the incoming call history on the display 21.例文帳に追加

そして、着信履歴の表示に際し、制御回路８は、オフフック操作を行なうまでに呼び出しが中止された着信であって、且つメモリに格納されているカウント値が設定値以下の特定着信を省略して、ディスプレイ２１に着信履歴を表示する。 - 特許庁

To provide a broadcast receiving apparatus and its method by which a MPEG 2 encoding process is possible even in an analogue broadcast by means of measuring preliminarily a PWM correction value in a VCXO circuit and storing the correction value of each apparatus in a memory area.例文帳に追加

ＶＣＸＯ回路のＰＷＭ補正値を予め測定し、装置ごとに補正値をメモリエリアに格納させることによって、アナログ放送においてもＭＰＥＧ２にエンコード処理を行うことを可能とした放送受信装置及び放送受信方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the user views the image density of the printed first test pattern and inputs a correction value from an operation part 104, the CPU 1011 calculates and updates potential data in the photoreceptor potential characteristic uneven data memory 105, based on the information of the input correction value (S4).例文帳に追加

使用者が、印字された第１のテストパターンの画像濃度を見て、操作部１０４から補正値を入力すると、ＣＰＵ１０１１は、この入力された補正値の情報に基づき、感光体電位特性ムラデータメモリ１０５の電位データを計算して更新する（Ｓ４）。 - 特許庁

Addresses are outputted by reading addresses corresponding to two memories 205, 206 at timing that a subtraction result of the length becomes 1, adding the value of the register 202 preceding the read of the memory 205 by one timing or the read value of the address calculation hold register 206 and holding its addition result in the address register 202.例文帳に追加

レングスの減算結果が１になるタイミングで、２つメモリ205，206の該当する番地を読み出し、読み出されたメモリ205と１タイミング前のレジスタ202の値か、読み出されたアドレス計算保持レジスタ206の値を加算し、その加算結果をアドレスレジスタ202に保持することで、アドレスを出力していく。 - 特許庁

This electronic apparatus is equipped with an impact detection element, a controller 21 for comparing the level of an impact detected by the detection element with a reference value, and a memory 22 in which, when the level of a detected impact exceeds the reference value, the controller 21 stores the state of the excessive impact.例文帳に追加

衝撃検知素子と、この衝撃検知素子によって検出した衝撃レベルを基準値と比較する制御器２１と、この制御器２１によって前記検出衝撃レベルが基準値を超えた過大衝撃時にその状態を記憶するメモリ２２とを備えた電子機器。 - 特許庁

Similarly, the frequency reference value output from the frequency pattern memory 4 is corrected by a current deviation signal from the deflection electromagnet current generator 6 and output to a frequency generator 7, thereby, circuiting beams 11 are accelerated based on the corrected frequency reference value.例文帳に追加

同様に、周波数用パターンメモリ４から出力される周波数基準値が、偏向電磁石電流発生装置６からの電流偏差信号により補正され、高周波発生装置７に出力され、補正された周波数基準値を基に周回ビーム１１が加速される。 - 特許庁