「micro etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a touch panel manufacturing method for reliably preventing wiring located outside a sealed part from being cut even in removing micro-crack or flaw generated at the end of a cut glass substrate by etching, and to provide a touch panel.例文帳に追加

切断したガラス基板の端部に発生するマイクロクラックや傷をエッチングにより除去する場合でも、シール部分の外側に位置する配線が断線することを確実に防止することのできるタッチパネルの製造方法およびタッチパネルを提供すること。 - 特許庁

The invention relates to the method for manufacturing of the mechanical part including a step providing a substrate 53 made of micro-machinable material, and a step etching, with help of photo-lithography, a pattern that includes the mechanical part over the entire substrate 53.例文帳に追加

マイクロ機械加工可能材料から構成される基板５３を用意するステップと、フォトリソグラフィを用いて、前記基板５３の全体にわたって機械パーツを含むパターンをエッチングするステップとを含む、機械パーツを製造する方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oscillating body apparatus by which micro oscillating bodies having different resonance frequencies are manufactured with the same etching mask, and reduction in an effective reflection area and variation in the resonance frequency in manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

異なる共振周波数のマイクロ揺動体を同じエッチングマスクで製造することができ、有効反射面積の低下及び共振周波数の製造ばらつきを抑制することが可能となる揺動体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing various forms of replica molds for nano imprint using nano imprint and a dry etching process; and a method of forming a multi-step pattern or a micro pattern using a nano imprint process with the manufactured replica molds for nano imprint.例文帳に追加

ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, capable of always maintaining a process at a fixed etching rate and accurately processing with low micro loading effects, high selectivity, high reproducibility and a method for treating the surface of a substrate to be treated, by using the apparatus for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

The dry etching of a conductive film is performed by plasma generated through the ECR resonance of an electromagnetic wave and a magnetic field which are generated by supplying UHF power to a micro strip line 4 installed on the face on the atmospheric side of a dielectric 2 to separate the inside and outside of a vacuum.例文帳に追加

真空の内外を分離する誘電体２の大気側の面に設置されたマイクロストリップライン４にUHF電力を供給することによって発生した電磁波と磁場のECR共鳴によってプラズマを生成し、このプラズマにより導電膜のドライエッチングを行う。 - 特許庁

In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation.例文帳に追加

ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

After an oxide film is removed from the surface of a silicon, the surface thereof is exposed at a temperature and partial pressure of oxygen such that etching reaction and oxidizing reaction are progressed at the same time, thereby form micro projections and recessed parts on the surface thereof.例文帳に追加

本発明は、シリコン表面より酸化膜を除去した後、該シリコン表面でエッチング反応及び酸化反応が同時に進行する温度及び酸素分圧の条件下に該シリコン表面を暴露し、該シリコン表面に微細な凹凸を形成するシリコンの表面処理方法を提案する。 - 特許庁

The surfaces of super-abrasive grains 1 are covered with metal covering layers 11 consisting of copper, and a chemical agent such as Mech-Etch Bond (trade mark) is applied to the surface of each covering layer 11 followed by a chemical etching process so that a surface is formed where a number of micro-projections 11a remain.例文帳に追加

超砥粒１の表面を銅からなる金属被覆層１１で被覆し、金属被覆層１１の表面にメックエッチボンド（商標）等の薬剤を塗布して化学的にエッチング処理し、多数の微細な突起１１ａ…の残存した表面を形成して金属被覆砥粒１０を構成する。 - 特許庁

To provide a method of producing a micro structure of nitride semiconductor, which forms a microstructure containing a hole inside of a semiconductor without fluctuating the size of the hole formed under precision control in the etching step of the semiconductor even after applying a heat treating step.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mother plate together with its manufacturing method in which such conventional problems related to a multi-pattern method for a circuit board are settled, as a brazing material used for jointing a ceramics substrate to a metal plate remains even after etching, and as micro cracks occur around a split groove when the circuit board is divided.例文帳に追加

従来の回路基板の多数個取り法の問題、すなわちセラミックス基板と金属板を接合するのに用いたろう材がエッチング後にも残留してしまうこと、回路基板分割時の分割溝周辺の微細な割れを解消した母版とその製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micro dimensions and capable of avoiding partial insolubilization in over-exposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In a step for forming the recessed parts on the surface of the glass substrate in a production process of the micro-lens array, a process for forming the recessed parts is performed by etching the glass substrate after forming indentations or parts where residual stress remains by pressing the surface of the glass substrate with a pointed article.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造工程中、ガラス基板表面に凹部を形成する工程において、当該凹部を形成する工程を、ガラス基板表面に尖状物で加圧して圧痕又は応力残留部を形成した後、当該ガラス基板のエッチングを行う工程とする。 - 特許庁

If the etching solution is formed in a micro granular state, for instance, magnetic adhesive strength to an external magnetic pole is increased to prevent a fall caused by the mutual collision of magnetic polishing material grain when the magnetic polishing material swings as the external magnetic pole flucuates, and this permits effective polishing and decontamination of radioactive contaminant.例文帳に追加

また、それを例えば微小な米粒状にすれば、外部磁極への磁気接着力が増大し、外部磁極の変動に伴う磁性研磨材の揺動の際にその磁性研磨材粒子相互のぶつかりあいによる脱落が防止でき、効果的な研磨や放射性汚染物の除染が可能となる。 - 特許庁

When the surface 12 of the single crystal semiconductor substrate 10 to which the organic molecules 16 are attached erodes by anisotropic etching liquid, the multiple micro protrusions 14 in square cone shapes, in which parts where the organic molecules 16 are attached, are set to be apexes and which have the heights of about 1 μm, for example, are uniformly formed.例文帳に追加

また、この有機分子１６が付着させられた単結晶半導体基板１０の表面１２は、異方性エッチング液により浸食されると、有機分子１６が付着した部分を頂点とする多数の四角錐状のたとえば１μｍ程度の高さの微小突起１４が均一に形成される。 - 特許庁

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

The substrate with the recessing parts for the micro lenses is manufactured through a step to form a mask 6 consisting of a control film 61 and a mask film 62 on a surface of a glass substrate 5, a step to form openings 64 on the mask 6, a step to form the recessing parts on the glass substrate 5 with wet etching and a step to remove the mask 6.例文帳に追加

マイクロレンズ用凹部付き基板は、ガラス基板５の表面にコントロール膜６１およびマスク膜６２で構成されるマスク６を形成する工程と、マスク６に開口６４を形成する工程と、ウエットエッチングによりガラス基板５上に凹部を形成する工程と、マスク６を除去する工程とを経ることにより製造される。 - 特許庁

More concretely, the manufacturing method of the micro electromachinery type device to simultaneously carry out the removal of the mask and the sacrifice layer by selectively forming the sacrifice layer 10 on the insulating substrate, forming a semiconductor layer 104 by covering the sacrifice layer, forming the mask 105 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer by using the mask is provided.例文帳に追加

具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

The hybrid element film is manufactured by emitting an ion beam to a heat-resistant resin film, chemically etching the resin film, and filling micro holes of an ion perforated film having several nanometers to several micrometers in diameter with metal, semiconductor or electroluminescent substance.例文帳に追加

ハイブリッド素子膜の製造方法であって、耐熱性樹脂膜に、イオンビームを照射し、その後化学エッチング処理し、得られた孔径数ナノメートル〜数マイクロメートルの微細孔をもつイオン穿孔膜の微細孔に、金属、半導体または電界発光体を充填することから構成される方法、及びそれらの方法により製造されたハイブリッド素子膜。 - 特許庁

That is, a micro crystal defect existing in the surface layer part of the silicon wafer is actualized to be counted, by etching the silicon wafer surface selectively after forming the nitride film on the silicon wafer surface, in this method of inspecting the crystal defect in the surface layer part of the silicon wafer of the present invention.例文帳に追加

すなわち、本発明は、検査対象シリコンウェハ表面に窒化膜を形成した後、該シリコンウェハ表面を選択エッチングすることによりシリコンウェハ表層部に存在する微小な結晶欠陥を顕在化させて計数することを特徴とするシリコンウェハ表層部結晶欠陥検査方法である。 - 特許庁

After the semiconductor wafers are cut or sliced from ingots, cutting fluid as well as metal and metal oxides from the saws used in the cutting process are cleaned with aqueous alkaline solutions containing one or more kinds of quaternary ammonium hydrooxide, one or more kinds of alkali hydroxide, and one or more kinds of mid-range alkoxylate simultaneously with micro-etching.例文帳に追加

半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 - 特許庁

The micro-etching agent for copper and the copper alloy contains the following component (A) to (D): a compound (A) selected from the group consisting of sulfuric acid, alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and derivatives thereof, a peroxide (B), a compound (C) selected from the group consisting of tetrazoles and derivatives thereof, and ions (D) of metal with nobler potential than copper.例文帳に追加

次の成分（Ａ）〜（Ｄ）；（Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｂ）過酸化物（Ｃ）テトラゾールおよびそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｄ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有することを特徴とする銅および銅合金用のマイクロエッチング剤である。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique efficiently producing micro-character-containing thread excellent in metal gloss without requiring complicate steps such as metal deposition and etching (paster processing), a technique enabling efficient production even in small lot, an anti-falsification paper in which the thread is inserted into paper and an anti-falsification printed matter in which prescribed printing is applied to the anti-falsification paper.例文帳に追加

金属蒸着とエッチング（パスター加工）のような複雑な工程を必要とせず、金属光沢に優れたマイクロ文字入りのスレッドを効率的に製造する技術、小ロットでも効率的な生産が可能となる技術、そのスレッドを紙に抄き込んだ偽造防止用紙、及びこの偽造防止用紙に所定の印刷を施した偽造防止印刷物を得ることを課題とする。 - 特許庁

When a metal black film 11 is formed in a finely-worked semiconductor substrate 10 and lifted off by wet-etching using the sacrifice layer to form an infrared-ray absorbing layer in a desired area, the metal black film 11 is formed by injecting ultra micro-fine particulates at a high speed with a gas flow, from a nozzle 6 to the fine-worked semiconductor substrate 10, to be sprayed partially.例文帳に追加

微細加工された半導体基板１０に金黒膜１１を成膜し、犠牲層を用いたウェットエッチングによってリフトオフさせて、所望の領域に赤外線吸収層を形成するに際して、微細加工された半導体基板１０に対して超微粒子をノズル６からガス流に乗せて高速噴射して部分的に吹き付けることにより、金黒膜１１を成膜する。 - 特許庁

The manufacturing method of the micro mirror actuator is characterized by including a step for etching a trench corresponding area on a substrate, a step for laminating the film shaped organic film on the substrate so as to maintain a hollow state of the trench corresponding area, and a step for eliminating the film shaped organic film after depositing and patterning a metal film on the film shaped organic film.例文帳に追加

マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This infrared light source device having a filament formed in a micro-bridge shape on a substrate, for emitting an infrared ray by energizing the filament and generating heat therefrom is characterized by being equipped with the etching-formed filament comprising deposited polysilicon to which an impurity is added simultaneously so that the impurity concentration becomes equal in the thickness direction.例文帳に追加

基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源装置において、 厚さ方向に不純物濃度が均等になるように不純物が添加されつつ堆積されたポリシリコンからなりエッチング形成されたされてエッチング形成されフィラメントを具備したことを特徴とする赤外線光源装置である。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.例文帳に追加

一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁