「n band」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。 - 特許庁

A boron phosphide(BP) based semiconductor, containing boron(B) as a group III element and phosphorus(P) as a group V element, and having a forbidden band width of 2.8 eV-3.4 eV under room temperature is further added with a group V element, especially nitrogen(N), having electrical negativity which is different from that of phosphorus(P).例文帳に追加

第ＩＩＩ族元素として硼素（Ｂ）を含みかつ第Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む、室温での禁止帯幅を２．８エレクトロンボルト（ｅＶ）以上３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）系半導体に、さらにリン（Ｐ）と電気陰性度を異にする第Ｖ族元素、特に窒素（Ｎ）を添加する。 - 特許庁

A noise suppression amount upper limit calculating section 32 calculates an upper limit of the noise suppression amount as G_MAX(k)=log10[pow{10,-(SNR_all×A-(B-k/N×C))/20}/D], where A, B, C and D are constants, by using a signal to noise ratio SNR_all of a whole band.例文帳に追加

雑音抑圧量上限計算部３２は、帯域全体の信号対雑音比ＳＮＲ_ａｌｌを用いて、雑音抑圧量の上限Ｇ_ＭＡＸ（ｋ）＝ｌｏｇ１０[ｐｏｗ｛１０、−（ＳＮＲ_ａｌｌ・Ａ−（Ｂ−ｋ／Ｎ・Ｃ））／２０｝／Ｄ]として計算する（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは定数）。 - 特許庁

To provide a modulation circuit whose noise characteristics (C/N ratio) satisfy the requirement even when each band shares an orthogonal modulation circuit corresponding to a plurality of bands so as to suppress increase in a chip area in a transmission system circuit adopting the direct up-conversion system.例文帳に追加

ダイレクトアップコンバージョン方式の送信系回路において、複数のバンドに対応するため直交変調回路を各バンドで共用させてチップ面積の増大を抑えるようにした場合においても、雑音特性（Ｃ／Ｎ比）が要求を満足することができる変調回路を提供する。 - 特許庁

In a wireless communication system 100, pass bandwidths of band pass filters 310, 350 of a wireless transmitting apparatus and a wireless receiving apparatus are switched while maintaining transmission power in accordance with communication quality of a transmission signal from the wireless transmitting apparatus, and an S/N is adjusted.例文帳に追加

本発明の無線通信システム１００は、無線送信装置からの送信信号の通信品質に応じて、送信電力を維持しつつ無線送信装置および無線受信装置の帯域通過フィルタ３１０、３５０の通過帯域幅を切り換え、信号対雑音比を調整する。 - 特許庁

By forming an In_1-xGa_xAs polycrystalline thin film whose Ga composition x satisfies 0<x<0.5 on a glass substrate or a plastic substrate by a molecular beam deposition method, an n type III-V compound semiconductor polycrystalline thin film having the band gap larger than InAs and the sufficient electric conductivity is obtained.例文帳に追加

Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。 - 特許庁

The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O.例文帳に追加

電流注入により発光する活性層５が、その活性層５よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるｎ形クラッド層４およびｐ形クラッド層６により挟持される構造で、前記活性層５がＺｎと、Ｏと、Ｏ以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。 - 特許庁

Multipliers 131-13n, 231-23n multiply complex base band signals 11, 21 by a spread code, m-sets adders 141-14m, 241-24m sum k-sets of products before integrating n-sets of products respectively to obtain a complex symbol to generate m-sets of complex intermediate signals.例文帳に追加

乗算器１３_1〜１３_n、２３_1〜２３_nにより複素ベースバンド信号１１、２１と拡散符号との間で乗算を行ない、そのｎ個の乗算値をそれぞれ積算して複素シンボルを得る前に、ｍ個の加算器１４_1〜１４_m、２４_1〜２４_mによりｋ個の乗算値毎に積算を行ってｍ個の複素中間信号を生成する。 - 特許庁

In the respective optical transmitters 10-1 to n, the monitor signals are taken out as frequency component monitor signals with frequencies to be outputted by each of them by a BPF (band path filter) and when ratio of monitor levels of the reflected lights is larger than a prescribed value, a degree of modulation of signals to be outputted is controlled so as to broaden line width.例文帳に追加

各光送信器１０−１〜ｎでは、これらモニタ信号はＢＰＦによりそれぞれが出力する周波数の周波数成分モニタ信号として取出され、線幅制御回路で比較され、反射光のモニタレベルの比が所定値より大きい場合、線幅を広げるよう出力する信号の変調度が制御される。 - 特許庁

To provide a sum frequency generating spectroscopic device allowing the improvement of measurement sensitivity and measurement accuracy and more significant extension of fields of measurement by improving the S/N ratio by improving a generation method of narrow-band visible light while solving the problem that signal intensity in single channel SFG spectroscopic method is faint.例文帳に追加

シングルチャンネルＳＦＧ分光法における信号強度が微弱であるという問題を解消しつつ、狭帯域可視光の発生方法を改良することによりＳ／Ｎ比を向上し、それによって測定感度、測定精度を向上、測定分野の一層大幅な拡大を可能にする、和周波発生分光装置を提供する。 - 特許庁

The band cord 10 includes a steel cord 11 in which the N number of secondary strands 13 are twisted by upward twisting, and the secondary strands 13 is formed by further twisting the M number of primary strands 12 in which the L number of steel strands f having a wire diameter d of 0.08-0.20 mm are twisted by downward twisting by middle twisting.例文帳に追加

バンドコード１０は、Ｎ本の二次ストランド１３を上撚りにて撚り合わせたスチールコード１１からなり、かつ前記二次ストランド１３は、線径ｄが０．０８〜０．２０mmのＬ本のスチール素線ｆを下撚りにて撚り合わせた一次ストランド１２のＭ本を、さらに中間撚りにて撚り合わせることにより形成される。 - 特許庁

Assuming the superposed high frequency of a light source is fh, the oscillation frequency of a semiconductor laser or a drive circuit other than the superposed frequency fh is fr, the upper limit of a signal band is bwh, and n is a positive integer, the superposed high frequency is determined to satisfy a relation &verbar;n.fh-fr&verbar;>bwh.例文帳に追加

光源の高周波重畳周波数をｆｈ、前記重畳周波数ｆｈ以外の半導体レーザあるいは駆動回路の振動周波数をｆｒ、信号帯域の上限をｂｗｈ、ｎを正の整数とするとき、｜ｎ・ｆｈ−ｆｒ｜＞ｂｗｈとなるよう高周波重畳周波数を定める。 - 特許庁

A communication device 1 includes: a detection means 11 for detecting an increase/decrease in the communication band of the transmission line 100; and blocking means 12-1 to 12-m, 13-1 to 13-n for blocking or releasing a line belonging to each of the plurality of multiplexing groups according to a result detected by the detection means.例文帳に追加

通信装置（１）は、伝送路（１００）の通信帯域の増減を検出する検出手段（１１）と、検出手段の検出結果に応じて複数の多重化グループ各々に属する回線の閉塞または解放を行う閉塞手段（１２−１〜１２−ｍ，１３−１〜１３−ｎ）とを有する。 - 特許庁

Since the content of N in the epitaxial growth layer is different between an epitaxial growth layer on the slope and that on the (001) plane, the band gap wavelength and refractive index of the epitaxial growth layer are different between the epitaxial growth layer on the slope and that on the (001) plane.例文帳に追加

エピタキシャル成長層中のＮの含有量が、傾斜面上のエピタキシャル成長層と、（００１）面上のエピタキシャル成長層との間で異なっていることにより、エピタキシャル成長層のバンドギャップ波長及び屈折率が、傾斜面上のエピタキシャル成長層と、（００１）面上のエピタキシャル成長層との間で異なっている。 - 特許庁

To perform high-stability automatic direction control by providing the signal of high S/N by amplifying and sampling a signal, which is generated only during a specified period, after limiting the band or sampling an envelope for stably controlling direction, even with a low field strength in the digital transmission of OFDM signal or the like.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号等のディジタル伝送において、低電界強度でも安定した方向調整を行うため、特定期間にのみ生じる信号を帯域制限した上で増幅かつサンプル、もしくはエンベロープをサンプルし、高ＳＮな信号を得て安定性の高い自動方向調整を行うこと。 - 特許庁

The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen.例文帳に追加

活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。 - 特許庁

With this configuration, since voltage between a drain electrode 46 and a source electrode 44 is applied between the n-type drift layer 30b and the p-type protective layer 40 made of SiC which- ever is larger than Si in band gap, it can withstand voltage which is higher than the voltage applied to a region made of Si.例文帳に追加

こうすれば、ドレイン電極４６とソース電極４４との間の電圧は、主に、Ｓｉよりバンドギャップが大きいＳｉＣで形成したｐ型保護層４０とｎ型ドリフト層３０ｂとの間に印加されるので、Ｓｉから形成した領域に電圧が印加されるものより高い電圧に耐えることができる。 - 特許庁

To obtain a composite optical amplification device, an n-wavelength band WDM system optical signal transmission device, and an optical transmission system and an optical amplifying method which make SNR between wavelength bands uniform by eliminating the gain deviation between the wavelength bands which is generated when an optical of multiple wavelength bands is transmitted.例文帳に追加

本発明は、複数の波長帯域に亘る光信号を伝送する際に生じる波長帯域間の利得偏差をなくして波長帯域間のＳＮＲを均一にする複合光増幅装置、ｎ波長帯域ＷＤＭ方式光信号送信装置、光伝送システムおよび光増幅方法を提供することを目的にする。 - 特許庁

In this case, since there is used a frequency band which includes a resonant frequency of a reciprocating component system combining a piston 1, piston pin 2, connecting rod 3, connecting rod metal and crank as the detection frequency of engine block vibration, a vibration level by combustion is made high to enable a high S/N ratio detection and thus, a pilot injection amount can be controlled accurately.例文帳に追加

この場合、エンジンブロック振動の検出周波数として、ピストン１、ピストンピン２、コンロッド３、コンロッドメタル、クランクを組み合わせた往復運動部品系の共振周波数を含んだ周波数帯を利用しているので、燃焼による振動レベルが大きくとれるので、Ｓ／Ｎ比の高い検出が可能となり、パイロット噴射量を精度よく制御できるようになる。 - 特許庁

To provide a wireless communication system that can solve the conventional problem of a synergistically summed noise resulting in causing deterioration in S/N and in amplifying an in-band unnecessary wave, extend a speech area of a base station while keeping communication quality, prevent occurrence of an interruption time of communication in the area and realize a 1 to 1 sure speech.例文帳に追加

従来の雑音が相乗加算され信号対雑音比の劣化を招き、帯域内不要波を増幅してしまうという問題点を解決し、通信品質を保持しながら基地局の通話エリアを拡大し、且つエリア内での通信の断時間の発生を防ぎ、更に１対１の確実な通話を実現できる無線通信システムを提供する。 - 特許庁

One cycle of a frequency component of a torque compensation signal to be canceled is divided into areas for constant n, a torque compensation signal corresponding to each of the areas is used as an output of a band pass filter, and the torque compensation signal corresponding to each area is updated as needed while a motor is being operated, thus the need for a previous test for preparing a correction signal generation table is eliminated.例文帳に追加

トルク補償信号を打ち消したい周波数成分の１周期を定数ｎ個分のエリアに分けて各エリアに応じたトルク補償信号をバンドパスフィルタの出力とし、各エリアに応じたトルク補償信号を電動機を運転しながら随時更新させることで補正信号発生テーブルを作成するための事前の試験が必要なくなる。 - 特許庁

Accordingly, even when high n-ratio is accomplished by selecting the first to the fourth high refractive index films 3, 5, 7 and 9, and the materials of the second low refractive index layers 4 and 8, the second and the fourth high refractive index films 5 and 9 do not warp, thus the Fabry-Perot interferometer equipped with an optical multilayer mirror having a broad high reflection band is provided.例文帳に追加

したがって、第１〜第４高屈折率膜３、５、７、９や第１、第２低屈折率層４、８の材料の選択により、高ｎ比を達成した場合にも、第２、第４高屈折率膜５、９が反る等の問題が発生しないため、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーを備えたファブリペロー干渉計とすることが可能となる。 - 特許庁

The power line measurement apparatus 100 is provided with: the oscillation section 1 for generating the broadband OFDM signal as the reference signal and injecting the OFDM signal to the power line 9 to be measured; and the measurement section 10 for receiving the OFDM signal transmitted through the power line 9 to be measured and calculating an operating band of a MODEM depending on the S/N value of each subcarrier.例文帳に追加

この電力線測定器１００は、大きく分けて基準信号として広帯域ＯＦＤＭ信号を生成して被測定電力線９にＯＦＤＭ信号を注入する発振部１と、被測定電力線９を介して送信されたＯＦＤＭ信号を受信して各サブキャリアのＳ／Ｎ値に応じてモデムの使用帯域を演算する測定部１０と、を備えて構成される。 - 特許庁

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In a transversal filter 10 provided with a propagation layer 12 formed on a sapphire substrate 11 and interdigital electrodes 15, 16 formed on the propagation layer 12, the propagation layer 12 is formed of GaN with piezoelectricity and not positively including impurities, and the interdigital electrodes 15, 16 are formed of InGaN having a band gap narrower than that of the GaN and positively including n-type impurities.例文帳に追加

サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。 - 特許庁

A band analyzing device 10 performs vertical low-pass analysis filtering and high-pass analysis filtering to line data D12 of N lines at a vertical analysis filter 13, and performs horizontal low-pass analysis filtering and high-pass analysis filtering to low-pass and high-pass components D13 at a horizontal analysis filter 14, thus performing the wavelet transformation to each picture for composing a video signal D10.例文帳に追加

帯域分析装置１０は、垂直分析フィルタ部１３において、Ｎライン分のラインデータＤ１２に対して垂直方向の低域分析フィルタリングと高域分析フィルタリングとを行い、水平分析フィルタ部１４において、低域成分及び高域成分Ｄ１３に対して水平方向の低域分析フィルタリングと高域分析フィルタリングとを行うことにより、ビデオ信号Ｄ１０を構成する各ピクチャをウェーブレット変換する。 - 特許庁

A control line is extended between the transmitting side (Source) and the receiving side (Target), a simple control signal is transmitted synchronously to the transmitting side before and after data transmission, the control signal is compared with its specific conditions on the receiving side, data reception start timing and end timing are obtained, noise reception is rejected excepting that time band and S/N ratio is elevated during transmission.例文帳に追加

本発明は送信側（Ｓｏｕｒｃｅ）と受信側（Ｔａｒｇｅｔ）の間に制御ラインを追加増設し、データ伝送前後において送信側に簡単な制御信号を同期送信させ、制御信号がその特定条件に符合するか否かを受信側に比較対照させ、データ受信開始と終了のタイミングを把握させ、この時間帯以外のノイズ受信を拒否させて、伝送時のＳ／Ｎ比を上昇させるものである。 - 特許庁

Thus, the multi-band amplifier allows an impedance at the other (N-1) sets of amplifiers not amplifying signals to be a high impedance considered to be substantially infinite (considered to be open), and eliminates the necessity of a diplexer.例文帳に追加

制御手段が入力端から入力された信号から１つの周波数の信号を選択し、対応する増幅器が設けられた信号経路に送出する選択手段及びＮ個の対応する増幅器のバイアス手段を制御して、信号を増幅する増幅器のバイアス級をAB級またはA級に設定し、信号を増幅しないその他の（Ｎ−１）個の前記増幅器のバイアス級をC級または零バイアスに設定するので、前記信号を増幅しないその他の（Ｎ−１）個の増幅器側を見たインピーダンスをほぼ無限大と見なせるような（開放に見える）高インピーダンスにでき、ダイプレクサを不要としたものである。 - 特許庁