「n band」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In formula (1), m_1, m_2, m_3: a positive integer of 1 or more (a decimal fraction of m_1, m_2, m_3 is 0.2 or less or 0.8 or more), n: the index of refraction, L: the optical film thickness range, λ: a maximum wavelength band.例文帳に追加

ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３：１以上の正の整数（ただし、ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３の小数部分は０．２以下または０．８以上）、ｎ：屈折率、Ｌ：光学膜厚範囲、λ：極大波長帯域 - 特許庁

A scale factor introducing means a02 detects a maximum level of the band split signals s01 by each of n-sets of split bands and outputs scale factor information s02 which is a normalized magnification factor.例文帳に追加

スケールファクタ導出手段ａ02において、ｎ個の分割帯域ごとに帯域分割信号ｓ01の最大振幅レベルを検出したのち、正規化の倍率係数であるスケールファクタ情報ｓ02を出力する。 - 特許庁

A searcher part 11 calculates a path delay amount by performing correlation calculation from a reception base band signal, and notifies finger parts 14-1 to 14-n of the path delay amount under the consideration of the influence of the adjacent path.例文帳に追加

サーチャ部１１は受信ベースバンド信号から相関計算を行ってパス遅延量を計算し、隣接パスの影響を考慮してフィンガ部１４−１〜１４−ｎに対してパス遅延量を通知する。 - 特許庁

To provide a composite magnetic head by which the S/N ratio of a reading signal of a servo signal is improved, and quality deterioration of a data signal to be recorded on a data band is avoided.例文帳に追加

サーボ信号の読み取り信号のＳＮ比を向上させることができ、しかも、データバンドに記録されるデータ信号の品質の劣化を回避することができる複合型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The n-type second clad layer 12B has a higher conduction band sub-level lower end than an active layer 14 to thereby secure a sufficient electron barrier for carrier confinement and also suppress type II light emission.例文帳に追加

ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 - 特許庁

On the other hand, an amplifier circuit consisting of cascode-connected n-channel transistors (M12, M16), (M13, M17) functions as a feedforward path having characteristics of a wide dynamic range of low gain and a wide band, using the p-channel transistor M24, M23 as a load.例文帳に追加

一方、カスコード接続されたＮｃｈトランジスタ(M12,M16),(M13,M17)からなる増幅回路は、ＰｃｈトランジスタM24,M23を負荷とし、低利得で広帯域、広ダイナミックレンジの特性を有するフィードフォワード・パスとして機能する。 - 特許庁

A novel inclined band gap interface layer of p-i and i-n is formed by continuous growth method, and electrical contact resistance is decreased by improving the characteristics of a composition surface.例文帳に追加

本発明では連続成長の方法で新規の傾斜バンドギャップのｐ−ｉとｉ−ｎ界面層を製造しており、接合面の特性を改善することで接触電気抵抗を減少させる。 - 特許庁

A bitstream analyzer 1 divides a screen, for moving image data supplied thereto, into longitudinal band-like portions with a macro block as a minimum unit in accordance with the number of decoding processors 2(0) to 2(N-1).例文帳に追加

ビットストリーム解析部１により、これに供給された動画像データを、復号処理プロセッサ２（０）〜２（Ｎ−１）の数に応じて、マクロブロックを最小単位として画面を縦の帯状部分に分割する。 - 特許庁

An existence rate calculation unit 125 calculates an existence rate of a frequency band to which a maximum value among m relative maximum amplitude ratios corresponding to n pieces of diagnosis divided frequency data respectively belongs to.例文帳に追加

存在率演算部１２５は、ｎ個の診断用分割波形データのそれぞれに対応するｍ個の相対最大振幅比の中の最大値が属する周波数帯域の存在率を演算する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus wherein a filter having a narrower band can be used when a signal whose frequency is shifted by receiving a nonlinear optical effect is detected and, as a result, a satisfactory S/N ratio can be realized.例文帳に追加

非線形光学効果を受けて周波数シフトした信号を検出する際に、より狭い帯域を有するフィルタを使用可能であり、その結果として、良好なＳ／Ｎ比を実現すること。 - 特許庁

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support.例文帳に追加

結晶性ｎ型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するｎ型半導体より高い伝導帯準位を有するｎ型半導体のいずれかからなる厚さ１ｎｍ未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。 - 特許庁

The ratio (N/n) of the number of windings (N) in the coil to the number of layers (n) in the magnetic thin band is ≥20 and ≤500, and an angle formed by the insulation tape in the lengthwise direction and the magnetic thin band in the lengthwise direction is 60 to 120 degrees.例文帳に追加

長さ１０ｍｍあたりの巻数（Ｎ）が２０以上５００以下の巻線が両端部に鍔を有する絶縁体ボビンに形成されたコイル部と、厚さ４μｍ以上５０μｍ以下かつ幅１ｍｍ以上４０ｍｍ以下の単層または複数層の磁性薄帯からなり、少なくとも一部が前記絶縁体ボビンの内部に配置された閉磁路構造のコア部と、前記磁性薄帯を固定する絶縁テープとを具備するインダクタンス素子において、前記コイルの巻数（Ｎ）と前記磁性薄帯の層数（ｎ）との比（Ｎ／ｎ）を２０以上５００以下とし、かつ前記絶縁テープの長手方向と前記磁性薄帯の長手方向とのなす角度を６０度〜１２０度とする。 - 特許庁

When nuts N are screwed onto bolts B inserted into the bolt insertion holes 32a of the support pieces 32 which face the upper and lower fastening bands 3 to fasten the regenerative member through the upper and lower band bodies 31, the guide members 4 are pressed so that the guide members 4 are fitted more closely to the regenerative member through the upper and lower band bodies 31.例文帳に追加

そして、上下の締結バンド３の対向する支持片３２のボルト挿通穴３２ａに挿通されたボルトＢにナットＮをねじ込んで上下のバンド本体３１を介して更生材料を締め付ける際、上下のバンド本体３１を介してガイド部材４が更生材料により密着するように押圧する。 - 特許庁

A CPU 20 obtains information expressing a resolution of an image, and information expressing a direction (whether lateral or longitudinal) to a transporting direction transporting a recording medium by analyzing PDL data received from a host 400, and determines a band size by which band numbers are N based on the obtained information.例文帳に追加

ＣＰＵ２０は、ホスト４００から受信したＰＤＬデータを解析して、画像の解像度を示す情報と、記録用紙を搬送する搬送方向に対する記録用紙の向き（縦向き又は横向き）を示す情報とを取得し、取得した情報に基づいて、バンド数がＮ個となるバンドサイズを決定する。 - 特許庁

When the QoS management server 50 permits the request by the HGW, the server 50 selects the sum of bands assigned to the other HGW than the HGW making the request to be a band resulting from subtracting the band requested by the HGW from the bands to be assigned to all the HGW 7-1 to 7-N or below.例文帳に追加

ＱｏＳ管理サーバ５０は、ＨＧＷの要求を許可する場合は、要求を行ったＨＧＷ以外のＨＧＷに対して割り当てる帯域の合計が、ＨＧＷ７−１〜７−Ｎの全体に割り当てられる帯域から、ＨＧＷが要求した帯域を差し引いた帯域以下となるようにする。 - 特許庁

An n-channel or p-channel field effect transistor is characterized in that it has a barrier between a source electrode and a conduction band or a valence band of a semiconductor on which the source electrode abuts, and has such a configuration that electrons or holes which flow through the barrier from the source electrode can be adjusted by a gate voltage.例文帳に追加

ソース電極とソース電極が接する半導体の伝導帯又は価電子帯との間に障壁を有しており、ソース電極から障壁を通して流れ込む電子又はホールをゲート電圧により調整できる構成を有することを特徴とするｎチャンネル又はｐチャンネルの電界効果トランジスタ。 - 特許庁

Then, the S/N is considered important in the narrow band reception in the case of the weak field input, and low distortion characteristics are considered significant in the case of the strong field input, and the switching of the operation mode is made smooth, by gradually changing the frequency band according, to the fluctuation of the field intensity so that generation of noise can be reduced.例文帳に追加

そして、弱電界入力時には狭帯域の受信でＳＮ比を重視し、かつ強電界入力時には低歪特性を重視し、その動作の切り替わりを電界強度の変動に応じて周波数帯域を徐々に変化させることにより、動作モードの切り替わりを滑らかにしてノイズの発生を低減する。 - 特許庁

Thus, a position of a zero point of a noise transmission function can be adjusted to adjust an S/N in the useful band, and a value of one or multiple frequency bands positioned outside the useful band of which the quantization noise is desired to be minimized, is made adjustable.例文帳に追加

こうして、使用帯域におけるＳＮ比を調整するように、雑音伝達関数の零点の位置を調整することができるようにすると共に、使用帯域の外側に位置する、量子化雑音を最小にすることが望まれる１つまたは複数の周波数帯域の値を調整することができるようにする。 - 特許庁

To provide a magnetic tape having high output, a satisfactory reproduction output noise ratio (C/N) and satisfactory reliability, especially a magnetic tape showing a satisfactory reproduction output noise ratio (C/N) and satisfactory tracking characteristics in a short wavelength band adaptive to high capacity of 1 TB or more and having high recording density characteristics and excellent reliability.例文帳に追加

高出力でかつ良好な再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、良好な信頼性を示す磁気テープ、特に１ＴＢ以上の高容量に対応しうる短波長域における良好な再生出力ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、および良好なトラッキング特性を示す、高記録密度特性・信頼性に優れた磁気テープを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a silicon carbide semiconductor substrate 100 as a first semiconductor material, and an n-type multi-crystal silicon layer 3A constituted of n-type multi-crystal silicon as second semiconductor materials whose band gap is different from that of silicon carbide on the first main face side of the silicon carbide semiconductor substrate 100.例文帳に追加

第一の半導体材料としての炭化珪素半導体基体１００と、この炭化珪素半導体基体１００上の第一主面側に、炭化珪素とはバンドギャップの異なる第二の半導体材料として、Ｎ−型の多結晶シリコンからなるＮ−型多結晶シリコン層３Ａが形成される。 - 特許庁

A PIN photocell is equipped with a transparent board, a front conductive layer formed on the board, a P-type layer formed on the front conductive layer, an amorphous silicon I layer, an N-type structure layer formed on the I layer and possessed of a wide band gap, and a rear contact layer formed on the N-type structure layer.例文帳に追加

ｐｉｎ光電池が、透明な基板、基板上に形成された前面導電層、前面導電層の上に形成されたｐ型層、ｐ型層の上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層、ｉ層の上に形成された広い帯域ギャップを有するｎ型構造層、ｎ型構造層の上に形成された後面接点層を有する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light-emitting device in which an n-type layer made of a nitride semiconductor, an active layer, and a p-type layer are laminated on a substrate 1, carrier generation layers 6, 8 doped with n-type dopants and p-type dopants are formed among a plurality of active layers 5, 7, and 9 having mutually different band gap energy.例文帳に追加

基板１上に、窒化物半導体からなるｎ型層、活性層、及びｐ型層が積層されてなる窒化物半導体発光素子において、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層５、７、９の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層６、８を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor distributed Bragg reflector in which two kinds of semiconductor layer having a different refractive index are stuck and doped in an n-type, is provided with an intermediate layer (semiconductor layer) having a refractive index between the two kinds of semiconductor layers, between the two semiconductor layers having different refractive indexes (inhibited band width).例文帳に追加

屈折率が異なる２種の半導体層が積層されているｎ型にドープされたｎ型半導体分布ブラッグ反射器において、屈折率（禁則帯幅）が異なる２種の半導体層の間に、前記２種の半導体層の間の屈折率を有する中間層（半導体層）が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁

An n-type and a p-type inorganic semiconductor layer having a band structure are used as transportation layers 12 and 14 for transporting the carriers introduced from an n-electrode 11 and a p-electrode 15 into an active layer 13 consisting of quantum dots, and so sufficient carriers can be introduced and consumption power can be reduced.例文帳に追加

ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

P+ or N+ material at P-N junction of a photodiode is a distributed one, and two parts in the region are separated from each other by a distance in the range of Xd-2Xd, with the Xd being a single-sided joint void width, which shortens the distance that a carrier advances for raising electric field and band width.例文帳に追加

フォトダイオードのＰＮ接合でのＰ＋またはＮ＋材料は分散形のデザインであり、この領域の２つの部分はＸｄから２Ｘｄの範囲の距離離れており、ここでＸｄは片側接合空乏幅であり、電界を高め帯域幅を高めるためのキャリアが進む距離を短くする。 - 特許庁

A p-carrier block layer 10 with a large band gap that is made of BAlGAN or AlGaN is provided between the n-MQW active layer 9 and a p-light guide layer 11 that is made of BGaN or GaN.例文帳に追加

ｎ−ＭＱＷ活性層９とＢＧａＮまたはＧａＮからなるｐ−光ガイド層１１との間にＢＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる大きなバンドギャップを有するｐ−キャリアブロック層１０を設ける。 - 特許庁

The transparent layer 20 is formed by depositing AlGaN and GaN periodically and the effective gap thereof is set wider than the band gap of an emission layer comprising the N type layer 14 and the P type layer 16.例文帳に追加

透明層２０は、ＡｌＧａＮとＧａＮとを周期的に積層したものであり、その実効バンドギャップがＮ型層１４とＰ型層１６とで構成される発光層のバンドギャップよりも広く設定されている。 - 特許庁

When the sound pressure f3 is 1/n time as high as the sound pressure d1 at the peak frequency f1, the mask level in a band including the peak frequency f3 is corrected from the mask level MLa to 0.例文帳に追加

ピーク周波数ｆ１のｎ倍の周波数ｆ３の音圧が、ピーク周波数ｆ１の音圧ｄ１の１／ｎの場合には、ピーク周波数ｆ３を含む帯域でのマスクレベルを、マスクレベルＭＬａから０に補正する。 - 特許庁

This pulser ring is provided with a circular support member 7, and a magnetized body 8 comprising N-poles and S-poles arranged alternately and at constant pitch in the form of a band, that are fixed to an inner circumferential surface of a large diameter cylinder 7c of the support member 7.例文帳に追加

環状の支持部材7と、Ｎ極とＳ極とが交互にかつ等ピッチとなるように帯状に形成されて支持部材7の大径円筒7c内周面に固着されている着磁体8とを備えている。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor laser element 11, since a laser waveguide is extended in a direction of a cross line of the m-n surface and a semi-polar surface 17a, light emission of band transition, which enables a low threshold current, can be utilized.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁

Channel estimation to be executed at the time of decoding received base band signals in finger parts 1-1 to 1-n is operated several times in each slot so that channel estimates can be calculated at a plurality of parts in one slot.例文帳に追加

フィンガー部１−１〜１−ｎにおける受信ベースバンド信号の復調の際に行われるチャネル推定を１スロットにつき複数回行い、１スロット内にて複数の箇所にてチャネル推定値を算出する。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor laser element 11, it is possible to use light emission of a band transition which makes a low threshold current possible, because a laser waveguide is extended in a direction of the crossing line of the m-n surface and a semipolar surface 17a.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁

To transmit signals in a mm-wave band via a mm-wave signal transmission medium by 1:1 transmission channels, 1:n transmission channels, or n:n transmission channels between semiconductor chips of the same casing.例文帳に追加

同一の筺体の半導体チップ間で、１対１の伝送チャンネル、１対多の伝送チャンネル又は多対多の伝送チャネルによりミリ波の信号伝送媒体を介したミリ波帯域の信号を伝送できるようにようにする。 - 特許庁

To secure high C/N and stability in frequency, to suppress a leakage of an unnecessary signal outside a band even when a frequency variable width gets wider and to achieve impedance matching at the same time.例文帳に追加

高いＣ／Ｎ及び周波数安定度を確保できると共に、周波数可変幅を広くしても帯域外の不要信号の漏れ出しを抑制でき、かつ同時にインピーダンスマッチングもとることができるようにすること。 - 特許庁

To integrate a voltage-controlled oscillator with a satisfactory C/N ratio and a wide output frequency band at low costs and to automatically adjust the center frequency of the voltage-controlled oscillator irrespective of its manufacturing dispersion.例文帳に追加

良好なＣ／Ｎ特性を持ち、出力周波数範囲の広い電圧制御発振器を低コストで集積化し、また、その製造ばらつきにかかわらず電圧制御発振器の中心周波数を自動的に調整する。 - 特許庁

The CPU 20 thereafter generates medium data which are approximately equally divided into N bands from the PDL data corresponding to the determined band size, and generates raster image data by rendering the generated image data.例文帳に追加

次いでＣＰＵ２０は、決定したバンドサイズに応じて、ＰＤＬデータからＮ個のバンドに略等分割された中間データを生成し、生成した中間データをレンダリングすることによってラスタ・イメージ・データを生成する。 - 特許庁

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

To provide a spin valve, where a high S/N ratio and a high-speed response in a giga-hertz (GHz) band are obtained, even if the element size of 0.1 or smaller and durability is high, and to provide a magnetic head using the same.例文帳に追加

０．１ミクロン以下の素子サイズにおいても高いＳ／Ｎ比とギガヘルツ（ＧＨｚ）帯の高速応答が得られ、且つ耐久性も高いスピンバルブ及びこれを用いた磁気ヘッドを提供することを目的とする。 - 特許庁

To reproduce a signal on electromagnetic conversion with different required band characteristics satisfactorily (by improving C/N) by using the same head and a rotary transformer, and to prevent costs from being increased and constitution from being made large-scaled.例文帳に追加

所要帯域特性の異なる電磁変換上の信号を、同一のヘッド及びロータリートランスを使用して良好（Ｃ／Ｎの改善）に再生可能にすると共に、コストアップと構成の大型化をも防止可能とする。 - 特許庁

To provide a magnetic head slider, wherein the narrowing of a use frequency band easily occurring during recording/reproducing is effectively suppressed, and the reliability of an entire device is enhanced by suppressing the reduction of an S/N.例文帳に追加

記録再生時に生じやすい使用周波数帯域の狭帯域化を有効に抑制すると共に、Ｓ／Ｎ比の低下を抑制して装置全体に信頼性向上を図った磁気ヘッドスライダを提供すること。 - 特許庁

In the measurement system of a left bearing, an acceleration sensor 1L measures the vibration of the left bearing for N times, and a filtering circuit 3L passes only the high-frequency band of a vibration frequency for transmitting to an effective value circuit 4L.例文帳に追加

左側軸受の測定系においては、加速度センサ１Ｌが左軸受振動をＮ回測定し、フィルタ回路３Ｌが振動周波数の高周波帯域のみを通過させて実効値回路４Ｌへ送信する。 - 特許庁

Four band-like plates P provided with scale marks N of respectively different measure S are arranged through a connection member A while forming a square section and making the connection member A foldable.例文帳に追加

それぞれ異なる尺度Ｓの目盛りＮを有する４枚の帯板状の目盛り板Ｐを連結部材Ａを介して、横断面ロの字状に配置させ、上記連結部材Ａを折り曲げ可能に連結させたものである。 - 特許庁

Also in the measurement system of a right bearing, an acceleration sensor 1R measures the vibration of the right bearing N times, and a filtering circuit 3R passes only the high-frequency band of the vibration frequency for transmitting to an effective value circuit 4R.例文帳に追加

右側軸受の測定系においても、加速度センサ１Ｒが右軸受振動をＮ回測定し、フィルタ回路３Ｒが振動周波数の高周波帯域のみを通過させて実効値回路４Ｒへ送信する。 - 特許庁

Each of the interference signal removal circuit sections 20-1 to 20-N comprises a mixer 21 which composes local oscillation signals from variable frequency oscillators 25 in order to remove an interference signal using a band removal filter 22.例文帳に追加

干渉信号除去回路部２０−１〜２０−Ｎは、バンド除去フィルタ２２によって干渉信号を除去するために、可変周波数発振器２５からの局部発振信号を合成するミキサ２１を備える。 - 特許庁