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occupied levelの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 35件
To provide a level converting circuit which performs level conversion at high speed and saves the area to be occupied.例文帳に追加
高速でレベル変換を行う小占有面積のレベル変換回路を提供する。 - 特許庁
The electron implantation layer 15 selects the highest occupied molecular orbit level to function as a Hole block layer, and the Hole implantation layer 12 selects the lowest occupied molecular orbit level to function as an electron block layer.例文帳に追加
電子注入層15はホールブロック層として機能するように最高占有分子軌道レベルが選定され、ホール注入層12は電子ブロック層として機能するように最低非占有分子軌道レベルが選定される。 - 特許庁
To reduce an occupied area of a level conversion circuit capable of carrying out level conversion from an input signal with small magnitude to positive and negative voltages with large magnitude.例文帳に追加
小振幅の入力信号から振幅の大きな正電圧と負電圧の電圧にレベル変換可能なレベル変換回路を占有面積を小さく構成する。 - 特許庁
The operation-controllable range of each level is narrowed in an occupied state, and it is widened in an absent state.例文帳に追加
更に、各レベルの在室状態では運転制御可能範囲を狭め、不在状態では運転制御可能範囲を広げる。 - 特許庁
If Tr.10 newly starts pronunciation under conditions that six channels have been occupied, Ch.5, which is occupied by Tr.4 and in which, for example, a largest amount of time has passed after starting pronunciation and ADSR level is lowest, is released and occupied by Tr.10.例文帳に追加
すでに6つのチャンネルが占有されている状態で、新たにTr.10が発音開始となると、例えば、発音開始からの時間が最も長く、ADSRレベルが最低となっているTr.4が占有しているCh.5が解放され、Tr.10がこれを占有することとなる。 - 特許庁
A buffer monitor on the client device monitors a client buffer and generates buffer occupied amount reports that indicate the level of data in the client buffer.例文帳に追加
クライアントデバイス上のバッファモニタは、クライアントバッファを監視し、クライアントバッファ内のデータのレベルを示すバッファ占有量レポートを生成する。 - 特許庁
The optical disk inspection device is provided with a high level time measuring circuit 54 and a low level time measuring circuit 55 which calculate high level time length and low level time length occupied in a reproduction signal from the optical disk DK, respectively and a time ratio calculation circuit 56 which calculates time ratio RT between the calculated high level time length and the low level time length.例文帳に追加
光ディスク検査装置は、光ディスクDKからの再生信号中に占めるハイレベル時間長およびローレベル時間長をそれぞれ計算するハイレベル時間測定回路54およびローレベル時間測定回路55と、同計算されたハイレベル時間長とローレベル時間長との時間比RTを計算する時間比計算回路56とを備える。 - 特許庁
The holding time may be occupied by a relatively low acoustic output frame(LAO) formed by using a transmission level control (36).例文帳に追加
保留時間は、送信レベル制御(36)を用いて形成される相対的に低い音波出力のフレーム(LAO)によって占有されていてもよい。 - 特許庁
To provide a level shift circuit of a single end output type in which an increase in a delay time involved in a voltage level shift operation during a low voltage is suppressed and an increase in an occupied area of the circuit is also suppressed.例文帳に追加
低電圧時の電圧レベルシフト動作に伴う遅延時間の増大を改善し、かつ回路の占有面積の増大も抑制し得る、シングルエンド出力形式のレベルシフト回路を提供する。 - 特許庁
To provide a drainage pump for an air conditioner, achieving a smaller occupied space in the air conditioner by eliminating the need to externally mount a sensor, etc. for detecting a drainage water level.例文帳に追加
空気調和機用排水ポンプにおいてドレン水位を検知する場合に、センサ等を外付けしないで空気調和機内での占有スペースの削減を図る。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor element wherein level of integration is increased by reducing the area occupied by an element isolation film, and to provide a semiconductor element.例文帳に追加
素子分離膜が占める面積を小さくすることにより、集積度の向上させた半導体素子の製造方法および半導体素子を提供すること。 - 特許庁
Kokushi (provincial governor) dispatched from the central government were given substantial authority, while Gunji (local magistrates) whose position was occupied by powerful local clans were also given a certain level of authority. 例文帳に追加
中央政府から派遣される国司には多大な権限を与える一方、地方豪族がその職を占めていた郡司にも一定の権限が認められていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The G signal correcting and processing circuit enlarges the level of the input G signal in a region where the proportion occupied by the G signal is large in an input video.例文帳に追加
G信号補正処理回路は、入力映像のうちG信号が占める割合が大きい領域において、入力G信号レベルを大きくさせるものである。 - 特許庁
The photoreceptor 1 comprises a semiconductor material for generating a surface level by adsorption of gas and a sensitizing pigment, and the sensitizing pigment is constituted so that the energy level of the lowest empty orbit is the conductive band of the semiconductor material or more, and the energy level of the highest occupied orbit is the surface level of the semiconductor material or more.例文帳に追加
感光体1は、気体の吸着により表面準位を生成する半導体材料と増感色素とを含み、増感色素の最低空軌道のエネルギー準位が、前記半導体材料の伝導帯以上で、かつ前記増感色素の最高被占軌道のエネルギー準位が、前記半導体材料の表面準位以下に構成される。 - 特許庁
To provide electronic equipment that can be miniaturized by integrating a cooling fan, a heating element and the like to reduce an occupied space while securing a high level of a cooling property.例文帳に追加
冷却ファンと発熱体等を一体化することで占有空間を低減させ、小型化を可能とするとともに高い冷却性能を確保することができる電子機器を提供する。 - 特許庁
To provide a method and device of controlling traffic by which precious wireless resources are not occupied uselessly by a session in which a throughput is suppressed to a low level by a token bucket algorithm.例文帳に追加
トークンバケットアルゴリズムによりスループットを低く抑えられたセッションにより貴重な無線リソースが無駄に占有されることのないトラヒック制御方法および装置を提供する。 - 特許庁
To allow both a disabled person and an able-bodied person to use a lavatory of a rolling stock without an overburden while suppressing an occupied space of the lavatory to a level similar to a space non-responding to the disabled person.例文帳に追加
車両用便所の占有スペースを移動制約者非対応のものと同程度に抑えながら、移動制約者と健常者の双方に無理なく使用できるようにする。 - 特許庁
Thus, it held 2,520 thousand yen of deposit and 2,780 thousand yen of loan in 1896 which was the same level of Sumitomo Bank with 2,480 thousand yen of deposit and 3,110 thousand yen of loan, and these two banks occupied the top positions in Osaka-based banks. 例文帳に追加
こうして1896年には、預金額は252万円、貸出額は278万円に達し、預金額248万円、貸出額311万円の住友銀行と肩をならべ、在阪銀行のトップの座を占めた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The low-resistance organic film has a thickness of 200 nm or thicker, a resistance of 300 Ω/cm or less at the thickness of 200 nm, and an ionization potential at the highest occupied molecular orbital level of 4.9 eV to 5.4 eV.例文帳に追加
低抵抗有機膜は、厚さが200nm以上、厚さ200nmにおける抵抗値が300Ω/cm以下、最高占有軌道レベルのイオン化ポテンシャルが4.9〜5.4eVである。 - 特許庁
For the material different from the hole-blocking material, a material having a value of an energy gap between the highest occupied molecular orbit level and the lowest unoccupied molecular orbit level larger than that of the luminescent layer is used.例文帳に追加
ホールブロック材料とは異なる材料として、最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値が、発光層の最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値よりも大きい材料を用いる。 - 特許庁
There is provided a quinoxaline compound satisfying requirements that (a) it contains a quinoxaline skeleton and an oligothiophene skeleton, (b) it has a band gap (Eg) of ≤1.8 eV and (c) the level of highest occupied molecular orbital (HOMO) is ≤-4.8 eV.例文帳に追加
(a)キノキサリン骨格とオリゴチオフェン骨格とを含み、(b)バンドギャップ(Eg)が1.8eV以下であり、(c)最高被占分子軌道(HOMO)準位が−4.8eV以下であるキノキサリン化合物。 - 特許庁
To provide a room dust collector for effectively collecting dust by rapidly generating a dust collecting air flow having an air flow rate required to collect dust, when a room is not occupied to eliminate the need for consideration of a noise level.例文帳に追加
騒音レベルを考慮する必要のない、人が在室していないときに、集塵に必要な風量の集塵気流を素早く生成し、効果的に集塵できる室内用集塵装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a fine crystal grain structure steel with which at least at near the surface layer, the crystal grain is fully fined and the steel occupied with few μm level fine crystal grain structure can be produced.例文帳に追加
少なくとも表層付近では結晶粒が完全に微細化され,数μmオーダーの微細結晶粒組織で占められた鋼を製造できる微細結晶粒組織鋼の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a transmission device for transmitting an RF transmission pulse signal having a desired occupied band width regardless of the level change of an input signal, the change of frequency characteristics and the influence of the change of ambient temperature.例文帳に追加
入力信号のレベル変化や周波数特性の変化、周囲環境温度の変化の影響にかかわらず、所望の占有帯域幅をもつRF送信パルス信号を送出する送信装置を得る。 - 特許庁
When a voltage is impressed between the lower electrode 11 and the upper electrode 23, as shown in (b), an energy level occupied by electron is generated at the upper electrode 23, and the electron tunnels into the silicon-made upper electrode 23.例文帳に追加
下部電極11と上部電極23の間に電圧を印加したときには、(b)に示したように、上部電極23に電子で占有されるエネルギー準位が生成し、電子はシリコンの上部電極23にトンネルする。 - 特許庁
To provide an area calculator for a photomask data display device for calculating the area and an area rate occupied by a displayed graphic on a practical level by graphically displaying photomask data or LSI layout data for a plotter.例文帳に追加
描画装置用のフォトマスクデータあるいはLSIレイアウトデータを図形表示し、表示された図形の占める面積や面積率を実用レベルで計算を行なえる、フォトマスクデータ表示装置用の面積計算装置を提供する。 - 特許庁
The electron capture region 107 has an action of confining electrons, that have been transported on the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer, and the hole capture region 107 has the action of confining holes that have been transported on the highest occupied molecular orbital(HOMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer.例文帳に追加
電子捕獲領域107は発光層103の最低非占有分子軌道(LUMO)準位を輸送されてきた電子を発光層内に閉じ込める作用を有し、正孔捕獲領域107は、発光層103の最高占有分子軌道(HOMO)準位を輸送されてきた正孔を発光層内に閉じ込める作用を有する。 - 特許庁
When the ratio of an area H occupied by a high current region H1 where the current level at each measuring point is 50 nA or higher to the area W of the whole measurement region is 40% or higher, the positive electrode plate P is determined acceptable.例文帳に追加
測定領域全体の面積Wに対して,各測定点における電流値が50nA以上である高電流領域H1の面積Hが占める割合が,40%以上である場合に,その正極板Pを良品であると判断する。 - 特許庁
The film is formed therein to bring an occupied level within a range of a binding energy lower by 1.8-3.6 eV than the lowest bond energy in the valence band thereof, in an electron state of tungsten oxide, to reduce a hole injection barrier in the buffer layer.例文帳に追加
このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも1.8〜3.6eV低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。 - 特許庁
The photosemiconductor electrode and the photoelectric transfer device is has a super-molecule produced by combining a color matter molecular and a molecular, having an energy level of not less than -7.5 eV on the highest occupied moving orbit on the surface of a metal oxide semiconductor.例文帳に追加
金属酸化物半導体表面に、色素分子とHOMO(最高被占軌道)のエネルギーレベルが−7.5eV以上である分子とが結合した超分子を担持してなることを特徴とする光半導体電極、および光電変換装置である。 - 特許庁
The coating film 20 and the hole injection layer 4 are tungsten oxide layers having a thickness of 2 nm or more deposited under certain deposition conditions, so as to have an electronic state where an occupied level exists in a range of bond energy which is 1.8-3.6 eV lower than the lowest bond energy in a valence band.例文帳に追加
被覆膜20及びホール注入層4は所定の成膜条件で成膜した膜厚2nm以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも1.8〜3.6eV低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。 - 特許庁
In the case of a mode of not supplying the ink, the relation of the opening area A (the remaining after subtracting the opening part area partly occupied by the roller from the area of the opening part of the container) and the ink surface area B (the area of the ink level other than an area immersed by the ink) is set to be A/B<1.例文帳に追加
インク非供給モード時、開口面積A(容器の開口部の面積から、ローラが開口部の一部を占める領域の面積を除いたもの)とインク表面積B(インクが浸かっているところ以外のインク液面の面積)の関係を(A/B)<1に設定する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element capable of enhancing a heat discharge characteristic without increasing an area occupied by a semiconductor element, further detecting the direction of the semiconductor element, and further supporting element-specific information, and to provide a wefer level chip size package (WLCSP) equipped with it.例文帳に追加
半導体素子の占有面積を増加させることなく放熱特性を向上させることができ、さらには、半導体素子の向きを判別することができ、さらに加えて素子固有の情報を持たせることができる半導体素子及びそれを備えたウエハレベル・チップサイズ・パッケージ(WLCSP)を提供する。 - 特許庁
The coating film 20 and the hole injection layer 4 are tungsten oxide layers having a thickness of 2 nm or more deposited under certain deposition conditions and, in the electron state thereof, an occupied level is made to exist in a range of bond energy which is 1.8-3.6 eV lower than the lowest bond energy in the valence band.例文帳に追加
被覆膜20及びホール注入層4は所定の成膜条件で成膜した膜厚2nm以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも1.8〜3.6eV低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。 - 特許庁
In the electrophotographic photoreceptor which has an intermediate layer and a photosensitive layer in this order on a support and in which the surface of the support has been anodically oxidized, the intermediate layer contains an organic electron transport material and the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the organic electron transport material is ≥6.00 eV.例文帳に追加
支持体上に、中間層、感光層をこの順に有し、該支持体の表面が陽極酸化処理されている電子写真感光体において、該中間層が有機電子輸送物質を含有し、該有機電子輸送物質の最高占有分子軌道のエネルギー準位(HOMO)の値が、6.00(eV)以上である。 - 特許庁
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