「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A gold plating layer 5 is provided on the surface of the electrode region 4c of the wiring pattern 2.例文帳に追加

配線パターン２の電極領域４ｃにはその表面に金めっき層５が設けられる。 - 特許庁

A touch panel driving circuit 70 inputs a sensing signal SS to the second electrode pattern 60.例文帳に追加

タッチパネル駆動回路７０は、第２電極パターン６０にセンシング信号ＳＳを入力する。 - 特許庁

The electrode pattern and an external-circuit-connection electrode connected with an external electrode to introduce a power sterically formed on a part of the electrode pattern are provided on an Si base material obtained with the Si wafer processed, and the semiconductor light emitting element eutectic bonded on the electrode pattern and an overhead-wired bonding wire are plastic molded by the sealing resin.例文帳に追加

Ｓｉウエハを加工して得られたＳｉ基材に、電極パターンと該電極パターンの一部の上に外部電極と接続して電力を導入するための立体的に形成された外部回路接続電極とを設け、電極パターン上に共晶結合された半導体発光素子と架空配線されたボンディングワイヤとを封止樹脂によって樹脂封止した構造とした。 - 特許庁

When the conductive pattern 4 is arranged at the place of a distance L1 toward the electrode 1 from one end of the electrode 2, the resistance value (r) between the electrode 1 and the electrode 2 is one (r) of the resistance electrode 3 corresponding to the distance L3 obtained by subtracting the distance L1 from the distance L2 between the electrode 1 and the electrode 2.例文帳に追加

導電性パターン４が電極２の一端から電極１に向かって距離Ｌ１の位置に配設された場合の、電極１と電極２との間の抵抗値ｒは、電極１と電極２との距離Ｌ２から距離Ｌ１を差し引いた距離Ｌ３に対応する抵抗電極３の抵抗値ｒとなる。 - 特許庁

A ring-shaped electrode group is arranged in a prescribed pattern on the ring-shaped electrode group support block, and the rod-shaped electrode group support block and the ring-shaped electrode group support block are superposed together, and the discharge gas is filled in a space between the end of each rod-shaped electrode and each pairing ring-shaped electrode.例文帳に追加

リング状電極群支持ブロックには、前記所定のパターンでリング状電極群が配置され、ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックが重ねあわされ、対をなす個々のロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間に放電ガスが充填されている。 - 特許庁

A scanning electrode 21 and a sustaining electrode 22 are constructed of electrode lines 23 that are split into plural lines in the arranging direction of the electrode, and the space between the electrode lines 23 are made an electrode pattern joined electrically by the short bars, and above short bars 24 are arranged at random.例文帳に追加

走査電極２１および維持電極２２をこの電極の配列方向に複数本に分割された電極ライン２３で構成するとともにその電極ライン２３間をショートバー２４で電気的に結合した電極パターンとし、かつ前記ショートバー２４をランダムに配置した。 - 特許庁

At least one of the partial electrodes 32A and 36A is formed with a pattern, and pattern density of the electrode formed with a pattern among the electrodes is set to be different depending on a distance from a light source 20.例文帳に追加

部分電極３２Ａ，３６Ａの少なくとも一方がパターニングされており、これらのうちパターニングされた電極のパターン密度が光源２０からの距離に応じて異なっている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an actual pattern 431 having a gate electrode section and a protruding section and a plurality of line patterns including a dummy pattern 433 which is disposed in parallel with the actual pattern 431.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート電極部及び突き出し部を有する実パターン４３１と、実パターン４３１に並んで配置されるダミーパターン４３３とを含む複数のラインパターンを備える。 - 特許庁

To form a pattern of a high aspect ratio in a short time in a pattern forming apparatus for forming the pattern of an electrode or the like by curing a coating liquid applied on a substrate using light.例文帳に追加

基板上に塗布した塗布液を光により硬化させて電極などのパターンを形成するパターン形成装置において、アスペクト比の高いパターンを短時間で形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which, when a metal laminated film is selectively separated to form an electrode pattern, the pattern can more stably and efficiently be formed.例文帳に追加

金属積層膜を選択的に剥離してその電極パターンを形成するに際し、同パターンの形成をより安定して且つ効率よく行うことのできるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Then an electrode film 10 is plated on the surface of the dielectric block in an electrode film formation process, and in a facing process, a projected part other than the electrode pattern formation programming area is removed by removing the prescribed thickness from the surface of the dielectric block to pattern the electrode film 10.例文帳に追加

その後、電極膜形成工程で誘電体ブロック表面に電極膜１０をメッキし、面出し工程で誘電体ブロック表面の所定厚み分の除去によって電極パターン形成予定領域以外の突出部を除去して電極膜１０をパターンニングする。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting chip 1 is die-bonded to the surface of a substrate 17, an N side electrode 6 on the chip 1 is wire-bonded to a first electrode pattern 11 through a metal wire 12a and a P side electrode 7 on the chip 1 is wire-bonded to a second electrode pattern 13 through a metal wire 15.例文帳に追加

基板１７の表面に半導体発光チップ１をダイボンデングし、そのｎ側電極６は第１の電極パタ−ン１１と金属線１２ａでワイヤボンデングされ、また、ｐ側電極７は第２の電極パタ−ン１３と金属線１５でワイヤボンデングされる。 - 特許庁

After a gate electrode pattern is formed of a catalyst 2 using a print method at a part on a substrate 1 for forming a gate electrode 3A, the gate electrode 3A is formed by touching a plating agent causing electroless plating to the gate electrode pattern on the substrate 1 through action of the catalyst 2.例文帳に追加

まず、基板１上のゲート電極３Ａを形成する部分に、印刷法を用いて触媒２でゲート電極パターンを形成した後、この触媒２の作用により無電解メッキが生じるメッキ剤を基板１上のゲート電極パターンに接触させてゲート電極３Ａを形成する。 - 特許庁

When each character or image is constituted of a plurality of independent portions, respective electrodes formed correspondingly to these portions are electrically connected to form one electrode pattern and a first electrode 21 and an auxiliary electrode 22 are formed on the basis of the electrode pattern.例文帳に追加

文字や画像が各々独立する複数の部位から構成される場合には、それらの部位に対応して設けられるそれぞれの電極が電気的に一つに接続される電極パターンが生成され、その電極パターンに基づいて第一電極２１および補助電極２２が形成される。 - 特許庁

The second gate electrode 39 is formed by accumulating an electrode material on the first gate electrode 38 and polishing the electrode material with the cover pattern 47 as a stopper film, and patterned in highly accurate alignment with reference to the alignment mark 45 kept in an easy-to-observe condition by the cover pattern 47.例文帳に追加

第２ゲート電極３９は、第１ゲート電極３８等の上に電極材料を堆積し、カバーパターン４７等をストッパ膜として電極材料を研磨し、カバーパターン４７によって観察し易い状態に保たれたアライメントマーク４５を参照して高精度に位置合わせされてパターニングされる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first semiconductor pattern limiting active regions, a second semiconductor pattern isolated and disposed on the first semiconductor pattern, a gate electrode which is separated from the second semiconductor pattern and is disposed on the first semiconductor pattern therebetween and then insulated, and a stress generating pattern, filling the clearance between the insulated gate electrode and second semiconductor pattern.例文帳に追加

ここに開示される半導体素子は活性領域を限定する第１半導体パターンと、前記第１半導体パターン上に離隔されて配置された第２半導体パターンと、前記第２半導体パターンと離されて、これらの間の第１半導体パターン上に配置され絶縁されたゲート電極と、前記絶縁されたゲート電極及び前記第２半導体パターンの間の隙間を満たす応力発生パターンとを含む。 - 特許庁

The pattern P2 is formed on the same layer as a gate electrode G and the pattern P3 is formed on the same layer as an element separation area ST1.例文帳に追加

さらに、パターンＰ２は、ゲート電極Ｇと同層で形成されており、パターンＰ３は素子分離領域ＳＴＩと同層で形成される。 - 特許庁

To prevent adherence of dust after pattern printing on an object to which a pattern is transferred thereby to keep electroconductivity of the electrode good after baking of a coating film.例文帳に追加

被転写体へのパターン印刷後にゴミが付着するのを阻止し、これにより塗膜の焼成後の電極の導電性を良好に保つ。 - 特許庁

Further, a negative electrode part 3 integrated with the positive electrode part 2 through an insulating part 5 is located on a bottom face of the cell frame 4 to realize conduction between the negative electrode of the cell B and a negative electrode power source pattern 7 on the rear face.例文帳に追加

また、電池枠４の底面には、正極部２と絶縁部５を介して一体化した負極部３が位置しており、ボタン電池Ｂの負極と裏面の負極電源パターン７との導通を図る。 - 特許庁

Transparent electrode 9 having a prescribed pattern shape is formed on a front-face substrate 2, and a base electroconductive layer 20 having a width narrower than the transparent electrode 9 and resistivity lower than the transparent electrode 9 is formed on the transparent electrode 9.例文帳に追加

前面基板２上に所定のパターン形状の透明電極９を形成し、その透明電極９上に透明電極９よりも幅が狭くかつ比抵抗が低い下地導電層２０を形成する。 - 特許庁

The 1st dielectric layer 21 is held between the detection electrode 31 and the pattern electrode 22, and the 1st dielectric layer 21 and a 2nd dielectric layer 23 are held between the return electrode 32 and the full face electrode 24.例文帳に追加

検出電極３１とパターン電極２２との間に第１誘電体層２１が挟持され、帰路電極３２と全面電極２４との間に第１誘電体層２１及び第２誘電体層２３が挟持される。 - 特許庁

The manufacturing method for a laminated electronic component has a step of laminating an internal electrode pattern layer 12a, which makes an internal electrode layer 12 after calcination, and a margin pattern layer 24, adjusted to a complementary type pattern where the internal electrode pattern layer 12a is not formed, onto a green sheet 10a, which will make a dielectric layer 10 after calcination.例文帳に追加

焼成後に内部電極層１２となる内部電極パターン層１２ａと、その内部電極パターン層１２ａが形成されていない相補型パターンに合わせた余白パターン層２４とを、焼成後に誘電体層１０となるグリーンシート１０ａに対して積層させる工程を有する積層型電子部品の製造方法である。 - 特許庁

To provide a tape carrier for a COF semiconductor device which prevents a failure where a protrusive electrode adjacent to the protrusive electrode to be originally connected to a wiring pattern contacts the pattern, when a gap occurs on a connection between the wiring pattern and the protrusive electrode, and also can prevent an incident of a disconnection and breakaway of the wiring pattern.例文帳に追加

配線パタ−ンと突起電極との接続にずれが生じた場合に、配線パターンに、本来接続されるべき突起電極に隣接する突起電極が接触する不具合を防止することができるとともに、配線パターンの断線や剥離の発生を防止することができるＣＯＦ型の半導体装置用のテープキャリアを提供する。 - 特許庁

The upper electrode metallic film pattern 5B of the dummy MIM element is arranged to keep a prescribed distance from the end of the upper electrode metallic pattern 5A of the main MIM capacitive element, and the upper electrode metallic pattern 5B of the dummy MIM element is configured to be electrically connected to the lower electrode metallic film 3 of the main MIM capacitive element.例文帳に追加

ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂを主ＭＩＭ容量素子部の上部電極用金属膜パターン５Ａの端部から一定の距離を保つように配置し、ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂは、主ＭＩＭ容量素子部の下部電極用金属膜３と電気的に接続されるように構成する。 - 特許庁

Generation and propagation of the DMA phenomenon is prevented by providing a wall layer W having the same shape as the peripheral shape of a display pattern in a liquid crystal between glass substrates to a display pattern P constituted by a superposed pattern of a segment electrode and a common electrode.例文帳に追加

セグメント電極及びコモン電極の重複パターンにより構成される表示パターンPに対してガラス基板間の液晶中に表示パターンの周囲形状と同一形状の壁層Wを設け、DMA現象の発生及び伝播を阻止する。 - 特許庁

A transparent electrode layer 2 formed on a transparent substrate 1 is divided into display pattern parts 2Aa-2Ae for a luminescence display and reserve pattern parts 2Ba-2Bc corresponding to virtual division lines 7a-7c of a metal electrode layer 6, and pattern formation is carried out.例文帳に追加

透明基板１上に形成された透明電極層２を、発光表示用の表示パターン部２Ａａ〜２Ａｅと、金属電極層６の仮想分割ライン７ａ〜７ｃに対応する予備パターン部２Ｂａ〜２Ｂｃとに分けて、パターン形成する。 - 特許庁

A wiring pattern serving as a connecting electrode is formed on a tabulate double-sided wiring board (PCB) 11 formed of glass-reinforced epoxy resin or ceramic material, and the wiring pattern is connected to another wiring pattern, serving as a lower terminal electrode through the intermediary of a through-hole etc.例文帳に追加

ガラエポ樹脂又はセラミックス材料から成る平板状の両面配線基板（ＰＣＢ）１１上には接続電極となる配線パターンが形成されており、下面の端子電極となる配線パターンにスルーホール等を介して接続されている。 - 特許庁

The gate pattern includes a first oxide film and an electrode on the active region and a gate electrode extends onto the element isolation insulating film.例文帳に追加

ゲートパターンは、活性領域上においては、第１の酸化膜と電極とを含み、ゲート電極が素子分離絶縁膜の上まで延在する。 - 特許庁

On the device substrate to which the transfer layer is thermally transferred, the lower electrode is formed, and on this lower electrode, the transfer layer is pattern-transferred.例文帳に追加

転写層が熱転写される装置基板上には、下部電極が形成されており、この下部電極上に転写層をパターン転写する。 - 特許庁

To prevent the reduction of an exposure margin or falling down of a resist pattern during lithography for the formation of a gate electrode, and to form the gate electrode appropriately.例文帳に追加

ゲート電極を形成するためのリソグラフィにおいて、露光マージンの減少やレジストパターンの倒れを防ぎ、ゲート電極を良好に形成する。 - 特許庁

Then the heater electrode film (30 ) is coated with resist (40) and a resist pattern (45) is formed through photolithography processing wherein the heater electrode is patterned.例文帳に追加

つぎに、ヒータ電極膜（３０）上にレジスト（４０）を塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターン（４５）を形成する。 - 特許庁

An etching or plating pattern which is defined by the conductive electrode and a master electrode 8 is replicated on an electrically conductive material and a substrate 9.例文帳に追加

伝導電極、マスター電極（８）により画定されるエッチング又はめっきパターンは、電気伝導性の材料、基材（９）上に複製される。 - 特許庁

The electrode 44 has a facing portion 44a facing the trimmed pattern 43a and the facing portion 44a does not face the electrode 43.例文帳に追加

電極４４は、抜きパターン４３ａと対向する対向部４４ａを有しており、対向部４４ａは電極４３とは対向していない。 - 特許庁

A metal bump connection part 5 is formed by a flip chip method utilizing an ultrasonic wave for the connection of the electrode pad 2 and the electrode pattern part 6.例文帳に追加

電極パッド２と電極パターン部６との接続に、超音波を利用したフリップチップ工法により金属バンプ接続部５を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 105a having the predetermined gate stroke width CD is formed by thinning the gate electrode pattern 105 from both sides of the stroke widthwise direction of the same.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５を線幅方向の両側から細線化して所定のゲート線幅ＣＤのゲート電極１０５ａを形成する。 - 特許庁

A terminal electrode 36 capable of piling on a terminal electrode 38 is installed on the other end side of the wiring pattern and the common wiring layer.例文帳に追加

そしてこの配線パターンの他端側および共通配線層に端子電極３８に重ね合わせ可能な端子電極３６を設ける。 - 特許庁

Then, after the gate electrode is exposed by removing the silicidation prevention film pattern, a second silicide film is formed on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

次に、シリサイド化防止膜パターンを除去してゲート電極を露出させた後、ゲート電極表面に第２金属シリサイド膜を形成する。 - 特許庁

In the piezoelectric vibration chip 2 of the piezoelectric vibrator 1, an electrode pattern 40 of the stimulation electrode 45 is configured with a base metallic layer 41.例文帳に追加

圧電振動子１の圧電振動片２において、励振電極４５では電極パターン４０が下地金属層４１により構成されている。 - 特許庁

Anisotropic etching is performed on the first gate conductive film to form a selection gate electrode 125 and an auxiliary floating gate electrode on the side wall of the support pattern.例文帳に追加

第１ゲート導電膜を異方性エッチングしてサポートパターンの側壁に選択ゲート電極125及び予備フローティングゲート電極を形成する。 - 特許庁

A recess 7 is made from the circuit pattern plane 2 of an IC chip 1 to the side face 6 thereof and an electrode 9 for connection with an electrode 3 on the circuit pattern plane 2 is formed on the bottom face 8 of the recess by plating.例文帳に追加

ＩＣチップ１の回路パターン面２から側面６にかけて凹部７を形成し、凹部底面８に回路パターン面２上の電極３と接続する電極９をメッキ処理により形成する。 - 特許庁

To provide a connection structure of a conductor pattern and an external electrode of a laminate in a laminate electronic component capable of establishing sufficient connection between an internal conductor (conductor pattern) and an external electrode.例文帳に追加

積層型電子部品において、内部導体（導体パターン）と外部電極との十分な接続を確保することができる積層体の導体パターンと外部電極との接続構造を提供すること。 - 特許庁

The feeding radiation electrode 3 is formed as the capacitance feeding type radiation electrode which is fed from the feeding pattern 5 via a capacitance provided between the feeding pattern 5 and open end α.例文帳に追加

給電放射電極３は、給電用パターン５から、当該給電用パターン５と開放端部α間の容量を介して給電される容量給電タイプの放射電極と成している。 - 特許庁

At an engagement part with at least an opposite-side connector 31, a signal electrode pattern 13 and a ground electrode pattern 14 are formed at positions where they are located back to back through an insulating layer 12.例文帳に追加

少なくとも相手側コネクタ３１との嵌合部において、信号用電極パターン１３と接地用電極パターン１４とが絶縁層１２を介して背中合わせの位置に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a roller-like developer carrier having an electrode pattern on a surface, which can inexpensively form the electrode pattern which is fine, has uniform line width, hardly causes disconnection, and has high quality.例文帳に追加

微細かつ線幅が均一で断線が生じ難い高品質な電極パターンを安価で形成できる、表面に電極パターンを有するローラ状の現像剤担持体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a display pattern is formed in an area where a first electrode 12 and a second electrode 16 overlap each other, and the display pattern has at least one acute-angle corner 30.例文帳に追加

この液晶表示装置は、第１電極１２と第２電極１６が重なる領域において表示パターンが形成され、当該表示パターンには少なくとも１つの鋭角な隅部３０がある。 - 特許庁