「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

While carrying out plasma processing before coating of an organic layer, heat treatment of about 200°C order or less is performed to this substrate 18 with electrodes by a heater 24.例文帳に追加

この電極付き基板１８には、有機層を成膜する前にプラズマ処理と共に、ヒータ２４により２００℃程度以下の加熱処理が施される。 - 特許庁

Thus, the dicing mask can be formed without performing a complicated processing step with high process cost, and the plasma dicing can be realized with the low cost.例文帳に追加

これにより、工程コストの高い複雑な処理工程を行うことなくダイシングマスクを形成することができ、低コストでプラズマダイシングを実現することができる。 - 特許庁

Because the shields are between adjacent targets, the grounded shields may contribute to the formation of a uniform plasma within the processing space by acting as anodes.例文帳に追加

シールドは近接するターゲット間にあるため、接地されたシールドは、アノードとして作用することにより処理空間内で均一なプラズマの形成に寄与する。 - 特許庁

An inductive coupling plasma etching device includes a body container 1 that is partitioned into an antenna chamber 4 and the processing chamber 5 by a partitioning structure 2 including the dielectric wall 3.例文帳に追加

誘導結合プラズマエッチング装置は、誘電体壁３を含む仕切り構造２により、アンテナ室４と処理室５とに区画された本体容器１を含む。 - 特許庁

The activated carbon can be obtained by conducting a low-temperature fluorine compound plasma processing to an activated carbon obtained by carbonizing and activating a carbonaceous material.例文帳に追加

かかる活性炭は、炭素質材料を炭化し賦活して得た活性炭を低温フッ素化合物プラズマ処理することによって得ることができる。 - 特許庁

A standby power circuit is provided in either a plasma display section or a signal processing section, and standby power is supplied to the other section through a connection cable.例文帳に追加

待機電源回路をプラズマディスプレイ部または信号処理部の何れか一方に設け、接続ケーブルにより他方に待機電力を供給する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of effectively purifying a toxic substance discharged from an internal combustion engine, especially hydrocarbon, even in starting the engine.例文帳に追加

内燃機関から放出される有害物質、特に炭化水素を、始動時においても効果的に浄化することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with electrodes 1a, 1b for discharging, and a coolant circulating means for supplying a coolant 45 to the periphery of the electrodes 1a, 1b.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、放電を行なうための電極１ａ，１ｂと、電極１ａ，１ｂの周りに冷媒４５を流すための冷媒流通手段とを備える。 - 特許庁

A nozzle part 20 is constituted by electrically-grounded metal square members 21 and 22, and it is arranged on a side facing a processing position P of the plasma generation part 10.例文帳に追加

ノズル部２０を電気的に接地された金属製の角材２１，２２にて構成し、これをプラズマ生成部１０の処理位置Ｐを向く面に配置する。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal oxide thin film capable of forming a thin film being reduced in the variation of surface resistance or the like, by using a plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を用いることにより、表面抵抗等のばらつきが少ない薄膜形成が可能な金属酸化物薄膜の製膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which can process a large number of workpieces in parallel and can make the number of a required operation cycle to be minimum.例文帳に追加

多数の工作物を並行して加工することができ、かつ必要な操作サイクルの数を最小にすることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system where sticking of deposits to the inner wall of a chamber or a in-chamber member, such as an insulator, can be prevented.例文帳に追加

チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The resist film removal method attached on a processing surface of a workpiece includes: dry processing the resist film attached on the processing surface of the workpiece by supplying active hydrogen atom generated by an inductively coupled plasma method between atmospheric pressure and 100 Pa; and dry processing by supplying active oxygen atom generated by the inductively coupled plasma method between atmospheric pressure and 100 Pa and/or wet processing by medical liquid.例文帳に追加

被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 - 特許庁

A substrate processing apparatus is provided with a reaction tube 30 to form a substrate processing region to process a wafer W, a furnace flange 4 to support the reaction tube 30, a gas supply pipe 7 provided to the furnace flange 4 to supply the gas to the reaction tube 30, and a plasma generating means 32 to generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管４内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成するプラズマ生成手段３２とを備える。 - 特許庁

A plasma processing method of a sapphire substrate comprises executing plasma processing on a sapphire substrate, on which a mask pattern is formed by a resist film arranged on a surface, by using a mixed gas obtained by mixing a CH_2F_2 gas with a BCl_3-based gas to form, on the surface of the sapphire substrate, an uneven structure corresponding to the mask pattern.例文帳に追加

サファイア基板のプラズマ処理方法において、表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスにＣＨ_２Ｆ_２ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する。 - 特許庁

When the wafer is separated, ammeters 32a, 32b detect currents flowing through wiring paths 24a, 24b of the electrodes 21a, 21b, and based upon detection results thereof, a control unit 34 determines plasma conditions of demagnetizing plasma processing, and a polarity, a voltage value, and an application time of a demagnetizing voltage for processing on a next wafer.例文帳に追加

ウエハを脱離する際に電極２１ａ，２１ｂの配線経路２４ａ，２４ｂに流れる電流を電流計３２ａ，３２ｂにより検出し、その検出結果に基づき、制御部３４は、次のウエハを処理する際の除電プラズマ処理時のプラズマ条件、並びに除電電圧の極性、電圧値及び印加時間を決定する。 - 特許庁

When a substrate W to be processed which has the amorphous carbon film is mounted in a processing container 10 and the amorphous carbon film is plasma-etched using an inorganic film as a mask, an O_2 gas is used as an etching gas, and supplied at a residence time of ≤0.37 msec in the processing container, thereby plasma-etching the amorphous carbon film.例文帳に追加

アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁

The plasma processing system also includes an induction coil configured to form an electromagnetic field for creating a plasma for processing the substrate, and the optimized top piece coupled to the bottom piece which has a hollow cylindrical portion for accommodating a heating and cooling plate at a terminal end.例文帳に追加

また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for manufacturing the semiconductor device from an object to be molded includes a molding die 142 which clamps the object to be molded for injection of molten resin, for molding, and an atmospheric pressure plasma processing apparatus 160 which reforms a parting surface of the molding die 142 to have hydrophobic property by atmospheric pressure plasma processing.例文帳に追加

被成形品から半導体装置を製造する製造装置は、前記被成形品を型締めして溶融樹脂を注入して成形する成形金型１４２と、大気圧プラズマ処理によって成形金型１４２のパーティング面を疎水性に改質する大気圧プラズマ処理装置１６０と、を有する。 - 特許庁

Thereby, a gas flow of the activated plasma-forming gas G is blasted out from the plurality of through-holes 2 and supplies it to the processing object 5, to have high-efficiency and uniform plasma generated over a large area, whereby surface treatment for the processing object 5 can be executed uniformly over a large area with a small gas flow.例文帳に追加

これにより、活性化されたプラズマ生成用ガスＧのガス流を複数の貫通孔２から吹き出して被処理物５に供給し、大面積に亘って高効率で均一なプラズマを発生させるて、少ないガス流量で大面積に亘る被処理物５の表面処理を均一に行うことができる。 - 特許庁

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.例文帳に追加

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁

To provide mainly plasma display technique, a video image processing method that enhances luminance and (or) picture quality of an image displayed on a matrix display such as a plasma display panel etc., based upon duty cycle modulation (pulse-width modulation) of light emission, and a video image processing device which actualizes the method.例文帳に追加

本発明は主としてプラズマ表示技術に関するものであり、発光のデューティサイクル変調（パルス幅変調）に基づき、プラズマ表示パネルなどのマトリックスディスプレイに表示される画像の輝度ならびに（または）画質を高めるビデオ画像処理方法及び当該方法を実現するビデオ画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, a plasma processing method and an apparatus, which can reduce peeling of substances formed at plasma generation adhered on a member and a processing chamber for suppressing generation of particles, thus improving product yield or productivity.例文帳に追加

プラズマ処理において、プラズマが発生している際に生成され、処理室内部の部材上に付着する堆積物質の剥離を低減してパーティクルの発生を抑制し、製品の歩留まりや生産性を向上できるようにした半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

This plasma processing device is equipped with an electrode 5 and an electrode 31 disposed almost face to face with each other with a plasma processing space 15 held between them, an electrode 6 disposed face to face with the electrode 5 with a gas passage 26 held between them, and an electrode 31 disposed face to face with the electrode 31 with the gas passage 28 held between them.例文帳に追加

プラズマ処理空間１５を挟んで略対向対置されている電極５および電極３１と、電極５に対してガス流路２６を挟んで対向配置されている電極６と、電極３１に対してガス流路２８を挟んで対向配置されている電極３２とを備える。 - 特許庁

This ion beam processing apparatus comprises an ion source 1 having a pulling-out electrode 20 for generating a plasma 50 and pulling out an ion beam from the plasma 50, and a processing room 7 for applying an ion beam process to the substrate 40 by irradiating the ion beam pulled out by the pulling-out electrode 20 to the substrate 40 sustaining the substrate 40.例文帳に追加

イオンビーム処理装置は、プラズマ５０を生成して、プラズマ５０からイオンビームを引出す引出し電極２０を有するイオン源１と、基板４０を保持し、引出し電極２０によって引出されたイオンビームを基板４０に照射して、基板４０に対してイオンビーム処理を行う処理室７とを備えている。 - 特許庁

To perform the processing with high accuracy at a low cost even if the temperature profile of a workpiece changes to cause a change of the unit processing shape in a local processing, e.g. a reactive plasma etching, during which a large amount of heat is generated.例文帳に追加

反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which allows easy correction of the unevenness of processing which depends on the condition of a ground member for DC voltage making the ground for a DC voltage applied to an upper electrode, and which enables even processing to be conducted efficiently.例文帳に追加

上部電極に印加される直流電圧に対するグランドとなる直流電圧用グランド部材の設置状態による処理の偏りを容易に修正することができ、均一な処理を効率良く実施することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 20, gas of at least one of particular processing gas for chemical reaction with the organic film or particular inert gas for sputtering the organic film is introduced into a processing container from a gas supply source 365 as a mask for the metal electrode.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０は、メタル電極をマスクとして、有機膜と化学反応させるための特定の処理ガス又は有機膜をスパッタするための特定の不活性ガスの少なくともいずれかのガスをガス供給源３６５から処理容器内に導入する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus having a plurality of gas blowoff ports 18 with respect to the side opposite to the processed material 8 for processing it, a uniform plasma processing can be performed onto the processed material, by exhausting a mixture gas comprising more than two kinds of gases with mutually different flow ratio from the mutually different exhaustion ports.例文帳に追加

被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which can get stable processing speed being is easily applicable to processing of a highly micronized semiconductor device, too, by attenuating microwaves or charged particles, and avoiding electric damage to, especially, the semiconductor device, without providing it with a meshy metallic plate for screening microwaves between a microwave transmitting window and a work.例文帳に追加

マイクロ波透過窓と被加工物の間にマイクロ波を遮蔽するメッシュ状の金属板を設けることなく、マイクロ波及びまたは荷電粒子を減衰させ、被加工物、特に半導体デバイスに対する電気的ダメージを回避し、安定した処理速度を得ることができ、微細化の進んだ半導体デバイスの処理にも適応容易なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing system comprising a vacuum processing chamber 101, a means for supplying gas into the vacuum processing chamber 101, a plasma generating means 107, and an electrode 103 for mounting a wafer 104 is further provided with a supporting shaft 121 having a structure for making the electrode 103 movable, a structure for supplying a bias power to the electrode, and a structure for transporting a temperature conditioning medium of the electrode.例文帳に追加

真空処理室１０１と、真空処理室１０１内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段１０７と、ウエハ１０４を載置する電極１０３とを備えるプラズマ処理装置において、電極１０３の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸１２１を備える。 - 特許庁

The method for forming the organic film includes a pre-processing step which includes a plasma treatment step for carrying out plasma treatment to a surface of the base material 100, and an exposure processing step for exposing the surface of the base material 100 passed through the plasma treatment in an atmosphere which includes at least the water; and an organic film formation step for forming the organic film 110 by a silane coupling agent on the surface of the base material 100.例文帳に追加

基材１００の表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、プラズマ処理した基材１００の表面を、少なくとも水を含む雰囲気下に暴露する暴露処理工程と、を含む前処理工程と、基材１００の表面上にシランカップリング剤により有機膜１１０を形成する有機膜形成工程と、を有することを特徴とする有機膜の形成方法である。 - 特許庁

The plasma processing device which has a chamber and generates plasma of gas introduced in the chamber to perform plasma processing on a semiconductor wafer (an object to be processed) installed in the chamber is characterized in that a connection portion between an upper member 2 and a side wall member 3 provided above and peripherally outside the chamber is formed in a curved shape having its center of curvature set inside the chamber.例文帳に追加

チャンバーを有し、チャンバーの内部に導入したガスのプラズマを発生させて、チャンバーの内部に設置された半導体ウェハ（被処理物）に対して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、チャンバーの上方及び外周外方にそれぞれ設けられた上部部材２及び側壁部材３の接合部の形状を、曲率中心がチャンバーの内部に設定された湾曲状に形成した。 - 特許庁

The plasma discharge space and the substrate processing space are communicated only through the plurality of the partition wall plate through holes , and introduction of a material gas into the substrate processing space is implemented only through the internal space of the partition wall plate.例文帳に追加

プラズマ放電空間と基板処理空間とは前記複数個の隔壁板貫通孔によってのみ連通され、基板処理空間への材料ガスの導入は隔壁板の内部空間を介してのみ行われる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching.例文帳に追加

サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rib formation method for PDP(a plasma display panel) which can easily recover a rib base material constructed of low melting point glass e.g. that is shaved off by means of a blast processing, and moreover can stably and easily obtain a good processing condition.例文帳に追加

ブラスト加工により削りとられた低融点ガラス等からなるリブ基材の回収が容易であり、しかも良好な加工状態が安定的かつ容易に得られるＰＤＰのリブ形成方法を提供する。 - 特許庁

A processing gas including C4F8, CO, and Ar is introduced into the processing chamber 102 of an etching device 300 and then plasma is produced to etch a SiO2 film layer formed on a wafer W on a bottom electrode 106.例文帳に追加

エッチング装置３００の処理室１０２内にＣ_4Ｆ_8とＣＯとＡｒから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し，下部電極１０６上のウェハＷに形成されたＳｉＯ_2膜層２０２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a pattern processing method capable of improving pattern precision of a dry film by being applied to pattern processing in manufacture of a display panel and a printed board of, for example, a plasma display panel etc., using the dry film.例文帳に追加

ドライフィルムを用いた例えばプラズマディスプレイパネル等の表示パネル、プリント基板の製造におけるパターン加工に適用して、ドライフィルムのパターン精度を向上させることができるパターン加工方法を提案する。 - 特許庁

To easily know the contents of a recipe as processing conditions of a substrate by a substrate processing system for a glass substrate, a semiconductor wafer, etc., used for a liquid crystal display panel, a plasma display panel, etc.例文帳に追加

液晶表示パネルやプラズマ表示パネル等に用いるガラス基板、半導体ウエハ等の基板処理システムにおいて、基板の処理条件であるレシピの内容を容易に知ることができるようにすることである。 - 特許庁

To perform a surface reforming and an etching processing simultaneously on both surfaces of many boards such as flexible circuit boards in a microwave-excited plasma processing device.例文帳に追加

マイクロウェ−ブ励起プラズマ処理装置に於いて、可撓性回路基板等の多数枚の被処理基板の表面改質及びエッチング処理等を両面同時に行うことができる回路基板のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A glass workpiece 32 processed in a vacuum plasma processing chamber 10 is dechucked by gradually reducing the chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece.例文帳に追加

真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２は、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによりデチャッキングされる。 - 特許庁

To provide a wafer processing device that can uniformly maintain the temperature distribution in a wafer and can suppress the temperature rise of the wafer by removing heat inputted to the wafer at the time of processing the wafer with plasma, and to provide a wafer stage.例文帳に追加

ウエハの温度分布を均一に保つことができ、プラズマで処理する際にはウエハへの入熱を取り除くことによりウエハの温度上昇を抑えることができるウエハ処理装置、およびウエハステージを提供する。 - 特許庁

To provide an exhaust hole processing device for a plasma display panel capable of improving processing efficiency of exhaust hole processing, and of improving a work environment by executing non-contact type processing using a laser, allowing efficient transfer design of a substrate and minimization of a friction coefficient thereof, and providing facilitation of substrate alignment.例文帳に追加

レーザーを利用する非接触式加工を行って、排気ホール加工の加工効率を向上させるとともに作業環境を改善させ、基板の効率的な移送設計及び摩擦係数最小化を可能にし、基板整列の容易化を提供するようにしたディスプレイパネル用排気ホール加工装置を提供する。 - 特許庁

The gas supply 5 is configured to supply plasma gas from a nozzle located at a position corresponding to the processing region among the nozzles 510 to 519, and to supply shield gas from a nozzle located at a position corresponding to a non-processing region side of a boundary part between the processing region and the non-processing region.例文帳に追加

そして、ガス供給部５は、これらの各ノズル５１０〜５１９のうち、処理領域に対応する位置にあるノズルからプラズマガスを供給するとともに、処理領域と非処理領域との境界部の非処理領域側に対応する位置にあるノズルからシールドガスを供給するよう構成されている。 - 特許庁

The activated carbon is obtained by processing the activated carbon material through carbon oxide gas containing low temperature plasma treatment or boric acid containing water vapor low temperature plasma treatment, and the obtained activated carbon is formed and employed as the polarizable electrode for the electric double layer capacitor.例文帳に追加

活性炭は活性炭材料を含炭酸ガス低温プラズマ処理または含ホウ酸水蒸気低温プラズマ処理することによって得られ、得られた活性炭を用いて成形され、電気二重層キャパシタ用分極性電極として用いられる。 - 特許庁