「processing layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Second, when a rear end part 12B is formed, the part (covered part) covered by the buffer layer among the precursor main magnetic pole layers is doubly covered by a precursor nonmagnetic layer pattern (the prearrangement layer of the nonmagnetic layer 13) and the buffer layer 15, and accordingly the position of the flare point FP preliminarily fixed is prevented to deviate when the precursor main magnetic pole layer receives etching processing.例文帳に追加

第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。 - 特許庁

After an Al layer 3 and a metal seed layer 4 are formed, by a vapor deposition method, on a surface of an aluminum substrate 1 where an alumite coating 2 as an insulating film is formed using anodization, the Al layer 3 and alumite coating 2 are partially changed into a boehmite layer through hydration processing to form the boehmite layer 3a between the alumite coating 2 and metal seed layer 4.例文帳に追加

陽極酸化処理を用いて絶縁膜であるアルマイト皮膜２を形成したアルミニウム基板１の表面に、気相成長法によりＡｌ層３と金属シード層４を形成した後、水和処理によりＡｌ層３とアルマイト皮膜２の一部をベーマイト層に変化させ、アルマイト皮膜２と金属シード層４との間にベーマイト層３ａを形成する。 - 特許庁

Brazing joint processing is executed by setting the brazing joint processing temperature of a constituent member such as a hydrogen permeable metal layer having hydrogen permeability at a processing temperature Tk satisfying T1>Tk>T2 when it is assumed that the recrystallization temperature of the hydrogen permeable metal layer is T1 and the upper limit temperature of a use environment of the hydrogen permeable metal layer is T2 lower than the recrystallization temperature T1.例文帳に追加

水素透過性を有する水素透過性金属層などの構成部材のロウ付け接合処理温度を、水素透過性金属層の再結晶化温度をＴ１とし、電池やモジュールの使用環境の上限温度を再結晶化温度Ｔ１より低いＴ２としたとき、Ｔ１＞Ｔｋ＞Ｔ２を満たす処理温度Ｔｋで実行することとした。 - 特許庁

On the reception side, in a layer for processing the reception frame of lower node layer than the layer where the priority packets and the non-priority packets are processed, the priority packets and the non-priority packets are selected from among a communication protocol header of the reception packet stored in the reception frame, so that the processing of the priority packets is performed independently of the processing of the non-priority packets.例文帳に追加

受信側では、優先パケットおよび非優先パケットが処理されるレイヤよりも下位レイヤの受信フレームを処理するレイヤにおいて、当該受信フレームに格納されている受信パケットの通信プロトコルヘッダから優先パケットと非優先パケットを選別して、前記優先パケットの処理と前記非優先パケットの処理を独立とする。 - 特許庁

In this method for manufacturing a display device, a tube is disposed on a region of an insulating layer where an opening is to be formed, and a processing agent (etching gas or etching liquid) is discharged onto the insulating layer.例文帳に追加

チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。 - 特許庁

Preferably, a high-order layer 301 an a lower-order layer 302 of a software processing system of the apparatus respectively generate pseudo random numbers 31, 32 and the apparatus merges them to obtain the protection key 22.例文帳に追加

好ましくは、装置のソフトウェア処理系の上位層３０１と下位層３０２でそれぞれ擬似乱数３１，３２を生成し、これらを結合して保護鍵２２を得る。 - 特許庁

The natural oxide film removing step (P2), slicing damaged layer removing step (P4), texture forming step (P6), and damaged layer removing step (P8) are carried out in the same vacuum processing tank 2.例文帳に追加

自然酸化膜除去工程（Ｐ２）、スライスダメージ層除去工程（Ｐ４）、テクスチャー形成工程（Ｐ６）、ダメージ層除去工程（Ｐ８）を同一の真空処理槽２内で行う。 - 特許庁

To provide a method of processing an optical device wafer, which is capable of easily forming an altered layer in a range not reaching an optical device layer and capable of forming devices so that they have a predetermined thickness.例文帳に追加

変質層を光デバイス層に達しない範囲に容易に形成できるとともに、デバイスを所定の厚みに形成できる光デバイスウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

The rubbing processing device 1 includes: a stage 10 on which a substrate 30 having an alignment layer formed thereon is placed; and a rubbing roll 20 disposed so that it can come into contact with the alignment layer.例文帳に追加

ラビング処理装置１は、表面に配向膜が形成された基板３０が載置されたステージ１０と、配向膜に接触可能に配置されたラビングロール２０とを備える。 - 特許庁

The optical sheet with an adhesive layer is produced by arranging an adhesive layer 20 on the recessed and projected surface of an optical film 10 which has been subjected to processing for forming recesses and projections.例文帳に追加

凹凸の加工処理を施してなる光学フィルム１０に、該凹凸面に粘接着剤層２０が積層された粘接着剤層付光学シートを作成する。 - 特許庁

A rust prevention layer is disposed on the surface of metal foil and has a coupling agent processing layer on the surface.例文帳に追加

また、本発明は、表面に防錆層を有することを特徴とする金属箔であり、さらに、表面にカップリング剤処理層を有することを特徴とする金属箔である。 - 特許庁

Second group-III and nitrogen precursors are flowed into the second processing chamber to deposit a second layer over the first layer with a thermal chemical-vapor-deposition process.例文帳に追加

II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。 - 特許庁

Holes 5 are bored in the insulating base material 2 by the use of the conductor layer 1 with the holes 4 as a mask layer through a laser processing method, a plasma etching method, or a wet etching method.例文帳に追加

この孔４を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に孔５を形成する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus that allows easily understanding the layer information on a plurality of layers by displaying a plurality of layer thicknesses in association with each other for the same eye.例文帳に追加

同一眼において、複数の層の厚みを関連関連付けて表示することで、複数層の層情報を把握し易い画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To allow an RLC sub-layer to appropriately detect an occurrence of a packet loss in a case where a MAC sub-layer does not perform order correction processing for received RLC-PDUs.例文帳に追加

ＭＡＣサブレイヤが、受信したＲＬＣ-ＰＤＵに対する順序補正処理を行わない場合において、ＲＬＣサブレイヤが、適切に、パケットロスの発生を検出する。 - 特許庁

In a drilling step, a plurality of openings 35 and 36 are formed in the resin insulating layer 24 as the outermost layer through laser hole processing to expose respective connection terminals 41 and 42.例文帳に追加

穴あけ工程にて、最外層の樹脂絶縁層２４に対してレーザー穴加工を施して複数の開口部３５，３６を形成し、各接続端子４１，４２を露出させる。 - 特許庁

The test device 1 is a device to evaluate input/output processing of the data exchanged between the test object application 4 and a hardware layer 7 via the driver layer 3.例文帳に追加

試験装置１は、試験対象アプリケーション４とハードウェア層７との間でドライバ層３を介して授受されるデータの入出力処理を評価する装置である。 - 特許庁

To provide a substrate processing method with good controllability that can form an opening of size, satisfying a demand to make a semiconductor device compact, in a mask layer or in an intermediate layer.例文帳に追加

半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をマスク層又は中間層に形成することができる制御性に優れた基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The conductor layer of the upper half of the side surface of each partition wall 4 is removed by laser processing (laser beams R1, R2) and the conductor layer of the lower half thereof is formed as an electrode 5.例文帳に追加

前記隔壁４の側面の上半分の導電体層をレーザ加工（レーザビームＲ1，Ｒ2）により除去し、下半分の導電層を電極５をとして形成する。 - 特許庁

To provide a method for easily transmitting a variable size packet from an upper layer of a stack of communication protocol layers to a lower layer that processing of a fixed size packet is intended.例文帳に追加

通信プロトコル層のスタックの上層から、固定サイズパケットを処理することを意図した下層へ、可変サイズパケットを容易に送信することができる方法を得る。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin molded article improved in weatherability and coloration properties by high temp. processing or the like and molded by the coextrusion of a core layer and a cover layer.例文帳に追加

耐候性及び高温加工等による着色性が改善された、コア層及びカバー層が共押出しにより成形されたポリカーボネート樹脂成形物を提供する。 - 特許庁

A solvent-based OP varnish layer 3 is formed on a paper substrate 1, to which pattern print 2 is applied, and an aqueous emulsion-based OP varnish layer 4 is formed after emboss processing.例文帳に追加

絵柄印刷２を施した紙基材１上に溶剤系ＯＰニス層３を設け、エンボス加工を行った後、水性エマルジョン系ＯＰニス層４を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic EL display device, which can maintain a processing uniformity when an electrode layer and an organic compound layer are removed partially.例文帳に追加

電極層や有機化合物層を部分的に除去加工するときに加工均一性を保つことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming a gate electrode layer and a pixel electrode layer of the TFT by using the same process and material, simplified processing and reduction in material loss are achieved.例文帳に追加

また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 - 特許庁

The reversible thermal recording medium have both the information processing member and the shock-absorbing layer laminated to the opposite side of the reversible thermal recording layer attached on the supporting material.例文帳に追加

可逆性感熱記録媒体については、情報処理部材及び緩衝層は、支持体に設けられた可逆性感熱記録層と反対側に積層されている。 - 特許庁

To provide a method capable of locally adjusting the thickness of a layer in semiconductor processing, which can improve evenness, reproducibility of the layer, and cost performance.例文帳に追加

本発明の目的は、均一性および再現性を改善し、費用効果のある方法で、半導体処理に用いられる層の膜厚を局所的に調整することである。 - 特許庁

Subsequently, the magnetic layer is subjected to cutting processing with the nanoparticle film as a mask (c), and the nanoparticle film is removed to form a fine pattern 2 with a recessed and protruding shape on the magnetic layer (d).例文帳に追加

その後、ナノ粒子膜をマスクにして磁性層を切削加工し（ｃ）、ナノ粒子膜を除去して磁性層に凹凸形状を持った微細パターン２を形成する（ｄ）。 - 特許庁

Additionally, even if a processing in an atmosphere including oxygen is performed under the condition that the formed wiring layer 33 is exposed, the wiring layer 33 is not easily corroded.例文帳に追加

また、配線層３３形成後に配線層３３が露出した状態で酸素を含む雰囲気中における処理を行なう場合でも、配線層３３が腐食されにくい。 - 特許庁

At least one front surface among the piezoelectric substrate 1, the ground electrode 2, the adhesion electrode layer 3, and the barrier metal electrode layer 4, performs a bombardment processing and makes a surface roughening.例文帳に追加

圧電基板１、下地電極２、密着電極層３、バリアメタル電極層４、のうちの少なくとも１つの表面は、ボンバード処理を施して粗面化している。 - 特許庁

A patterning processing using plasma etching is performed on the conduction layer, and the conduction path is formed in a state where the conductive layer is electrically connected to the semiconductor substrate via the through part.例文帳に追加

導電層が貫通部を経て半導体基板に電気的に接続された状態で、導電層にプラズマエッチングを用いたパターニング処理を施して導電路を形成する。 - 特許庁

A trench is formed in the insulation layer 18 with pattern processing, and a via opening part is formed in the trench to reach one of the inner semiconductor device structure through the insulation layer.例文帳に追加

トレンチを絶縁層内にパターン加工で形成し、バイア開口部をトレンチ内に絶縁層を通して下側の半導体装置構造のうちの一つまで形成する。 - 特許庁

Thereafter, the piezoelectric layer 32, the oscillating board 31, and the plates 41 and 42 are heated at a specified annealing temperature or higher to apply heat treatment to the piezoelectric layer 32 (an annealing processing process).例文帳に追加

その後、圧電層３２、振動板３１、及び、プレート４１，４２を所定のアニール温度以上に加熱して、圧電層３２に対して熱処理を施す（アニール処理工程）。 - 特許庁

To select a proper layer for each user, and to provide information corresponding to the selected layer in the processing technology of an electronic equipment configured of a plurality of layers.例文帳に追加

複数のレイヤから構成される電子文書の処理技術において、ユーザごとに適切なレイヤを選択し、選択されたレイヤに対応する情報を提供する。 - 特許庁

The layered substrate compensates for the thermal mismatch between the epitaxial layer 214 and the top layer 210 of the substrate, resulting in a flat wafer suitable for subsequent processing at a high yield.例文帳に追加

層状基板は、エピタキシャル層２１４と基板の上層２１０の温度の不一致を補償し、次の処理に適する平坦なウェハを高い歩留まりで実現することができる。 - 特許庁

The nitrogen introduction layer 7 functions as a barrier layer for preventing the oxidation agent under vapor phase during a thermally processing process from diffusing within the silicon oxide film 6.例文帳に追加

この窒素導入層７は、熱処理工程で気相中の酸化剤（酸素、水など）が酸化シリコン膜６の内部に拡散するのを防ぐバリア層として機能する。 - 特許庁

The upsampling module 314 for acquiring the synchronization signal performs upsampling processing on the foreground layer 72 stored in the line buffer and transmits the upsampled background layer 72 to a synthesis circuit 310.例文帳に追加

同期信号を取得したアップサンプリングモジュール３１４は、ラインバッファに格納した背景レイヤー７２にアップサンプリング処理を行なって合成回路３１０へ送出する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can suppress introduction of nitrogen atom to an interface layer and a high-permittivity insulating film lower layer portion, and a substrate processing apparatus.例文帳に追加

界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。 - 特許庁

The bulk deposit layer can be deposited in such a way that it covers the above nucleation layer by allowing a second process gas containing tungsten hexafluoride and reductant to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

バルク堆積層はその後、六フッ化タングステンおよび還元剤を含む第２の処理ガスを基板処理チャンバ内へ流すことによって、核生成層を覆って堆積される。 - 特許庁

The nanocrystalline silicon memory film 110 is formed by depositing an amorphous silicon layer by use of the CVD method and performing thermal oxidation processing on part of the amorphous silicon layer.例文帳に追加

ナノ結晶シリコンメモリ膜１１０はＣＶＤ法を用いて非晶質シリコン層を堆積し、非晶質シリコン層の一部を熱酸化処理することによって形成される。 - 特許庁

To provide an electro-optical device in which an upper layer side and lower layer side of planarized interlayer insulating films can be exactly connected without undergoing intricate processing.例文帳に追加

煩雑な処理を経ることなく平坦化された層間絶縁膜の上層側と下層側とを的確に電気的に接続することができる電気光学装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the optical characteristics of a Y-branch optical waveguide from deteriorating by deterring an air bubble produced at a core layer branch part from sticking at upper clad layer high-temperature baking processing of a Y-branch optical waveguide.例文帳に追加

Ｙ分岐光導波路の上部クラッド層高温ベーク処理時にコア層分岐部に発生する気泡の付着を抑制して光学的特性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape that makes it easy to peel between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer without thrusting a pin up in a step of picking up a semiconductor element with an adhesive layer in the form of an individual piece.例文帳に追加

個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、ピンの突き上げによることなく、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をし易くしたウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To manufacture a matching layer having at least one prescribed size without after-processing of a matching member, and to prevent an adhesive from adhering to the matching layer wall surface at the matching layer adhering fixing time.例文帳に追加

整合部材の後加工なしに少なくとも１つの所定寸法を有するような整合層を製造することと、整合層接着固定時に接着剤が整合層壁面に付着することを防止する。 - 特許庁

In a transmission system consisting of the image sensor 1 and the image processing LSI2, a circuit for performing an ECC process is provided to a link layer of the interface part, and the transmission error that occurs at a physical layer is corrected at the link layer.例文帳に追加

イメージセンサ１と画像処理LSI２からなる伝送システムにおいては、インタフェース部のリンク層にECC処理を行う回路が設けられ、物理層で生じた伝送誤りをリンク層において訂正するようになされている。 - 特許庁

A middle paper 20 is so constructed by forming a weak adhesive agent layer 12 through a permeation preventing agent layer 11 on the under surface 4 of one end part 2 of the sheet material 1 and by forming a release processing layer 15 on the upper surface 3 of one end part 2.例文帳に追加

シート材１の一端部２の下面４に、浸透防止剤層１１を介して弱接着剤層１２を形成し、一端部２の上面３に、剥離加工層１５を形成して、中用紙２０を構成する。 - 特許庁