「projection pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The pattern projection device includes a spatial light modulator (1) arranged at a position optically conjugate with a sample, and a controller for controlling the spatial light modulator (1).例文帳に追加

パターン投影装置は、標本と光学的に共役な位置に配置された空間光変調器（１）と、空間光変調器（１）を制御する制御装置を含んでいる。 - 特許庁

To provide an exposure method that transfers a pattern with high accuracy even in immersion exposure on a substrate through liquid between a projection optical system and the substrate.例文帳に追加

投影光学系と基板との間の液体を介して基板を液浸露光処理する場合においても、精度良くパターン転写できる露光方法を提供する。 - 特許庁

To prolong the service life of a pellicle film, and in addition, to more accurately and surely realize a fine resist pattern, without lowering treatment efficiency at the time of performing scanning projection alignment.例文帳に追加

走査型の投影露光おいて、ペリクル膜の長命化を実現し、かつ処理効率を下げることなく、微細なレジストパターンをより正確かつ確実に実現する。 - 特許庁

While a reticle R and a wafer W are moved synchronously, the image of a pattern formed on the reticle R is scanned and exposed on the wafer W via a projection optical system 24.例文帳に追加

レチクルＲとウエハＷとを同期して移動させながら、レチクルＲに形成されたパターンの像を投影光学系２４を介してウエハＷ上に走査露光する。 - 特許庁

According to the present invention, in order to maintain the temperature of array, a control signal is inputted in an array when the array is not used for pattern-forming a projection beam.例文帳に追加

本発明によれば、アレイの温度を維持するために、アレイが投影ビームをパターン形成するために使用されていないときに制御信号がアレイに入力される。 - 特許庁

Am illumination optical system (ILS) for illuminating a reticle (R) with illumination light (IL) and a projection optical system for projecting a pattern image of the reticle (R) onto a wafer (W) are provided.例文帳に追加

レチクル（Ｒ）を照明光（ＩＬ）で照明する照明光学系（ＩＬＳ）と、レチクル（Ｒ）のパターンの像をウエハ（Ｗ）上に投影する投影光学系とを有する。 - 特許庁

Thus, positioning is performed accurately at the time of superimposing adjacent projection areas with each other, so that the pattern is formed accurately for a large-sized substrate.例文帳に追加

したがって、隣接する投影領域どうしを重ね合わせる際、精度良く位置決めすることができるので、大型の基板に対して、精度良くパターンを形成することができる。 - 特許庁

To realize correction with high accuracy in a shirt correction time in a mask pattern correction method used for forming desired patterns on a wafer by a projection optical system.例文帳に追加

投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、短い補正時間で高精度な補正を実現する。 - 特許庁

To provide a reflective photomask excellent in the contrast of a transfer pattern by suppressing a projection effect due to the incidence of exposure light with an angle.例文帳に追加

露光光が角度を持って入射することに起因する射影効果を抑制し、転写パターンのコントラストに優れた反射型フォトマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

To form a pattern by projecting a projection beam of radiation from a radiation beam system only on a function area of an array of independently controllable elements in lithography apparatus.例文帳に追加

リソグラフィ装置において、放射線システムからの放射線の投影ビームを、個別制御可能な要素のアレイの作用領域のみに投影してパターンを形成すること。 - 特許庁

A visual inspection device 10 projects a first stripe pattern whose brightness periodically changes onto an inspection object in multiple different phases and images multiple first projection images.例文帳に追加

外観検査装置１０は、周期的に明るさが変化する第１縞パターンを異なる複数の位相で被検査体に投射して複数の第１投影画像を撮像する。 - 特許庁

The exposure equipment EX projects a pattern of an original plate onto a substrate held by a substrate stage having a top plate 21 through the intermediary of a projection optical system, thus exposing the substrate.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、天板２１を有する基板ステージによって保持された基板に投影光学系を介して原版のパターンを投影して該基板を露光する。 - 特許庁

A message to urge to exchange the light source and an address or the like to contact with the installation trader of the projection device can be set as a pattern set on the mask 135.例文帳に追加

情報マスク１３５に設定されるパターンとしては、光源の交換を促すメッセージや、プロジェクション装置の設置業者の連絡先等などが可能である。 - 特許庁

To provide a method for compensating for the effect of flare due to stray radiation in use of a projection system of lithographic apparatus to produce a pattern image on an image plane with a patterned radiation beam.例文帳に追加

パターン化放射線ビームで像面にパターン像を生成するために、リソグラフィ装置の投影システムの迷光放射線によるフレアの効果を補償する方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process of forming a recess-projection pattern by cutting a front face of a stile raw material 1 made of the medium quality fiber board and a process of cutting a rear face of the stile raw material 1.例文帳に追加

中質繊維板製の框素材１の前面を切削して凹凸模様を形成する工程と、框素材１の後面を切削する工程とを有する。 - 特許庁

The three-dimensional shape measuring device comprises: a projection part emitting a pattern light to the measuring object; an imaging part; a luminance condition adjustment part; a control part; and an arithmetic part.例文帳に追加

三次元形状計測装置は、測定対象物に対してパターン光を照射する投光部と、撮像部と、輝度条件調整部と、制御部と、演算部を備える。 - 特許庁

To improve the picture quality of a liquid crystal display device by optimizing the arrangement interval of a domain regulating means such as an aperture pattern and a projection in the liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置において、開口パターンまたは突起などのドメイン規制手段の配置間隔を最適化して液晶表示装置の画質を向上させることである。 - 特許庁

To provide a projector for correcting an input image about a color or a pattern on a projection surface without sharply reducing visibility of the projected image.例文帳に追加

投影された画像の視認性を著しく低下させることなく、投影面の色や模様に対する入力画像の補正を行うことができる投影装置を提供する。 - 特許庁

The vertical fringe interference pattern projection lens 1 includes a first surface 2 having two projecting parts 3 and 4 which have the same shape and are extended in parallel with each other in a certain direction, and a second surface 5.例文帳に追加

縦縞干渉模様投影レンズ１は、ある方向に並列して伸びる同形状の二つの凸部３，４を有するレンズ第１面２と、レンズ第２面５とを備える。 - 特許庁

In the mask that is complementarily divided in the electron beam projection exposure, a pattern requiring high dimensional accuracy and the other patterns are arranged at one mask and the other masks, respectively.例文帳に追加

電子線投影露光における相補分割されたマスクにおいて、一つのマスクに高い寸法精度が要求されるパターンを、他方のマスクにそれ以外のパターンを配置する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device which is enhanced in projection light, utilization factor being kept high in certainty and reliability, when a light emitting diode and an electrode pattern is connected together.例文帳に追加

発光ダイオードと電極パターンとを接続する際の確実性及び信頼性を高めつつ、出射光利用効率の高い発光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a projection aligner for suppressing the risk of defocusing a pattern image by trimming while excluding the influence of the surface state of a substrate.例文帳に追加

基板の表面状態の影響を排除しつつ合わせ込み動作を行うことができ、パターンの像のデフォーカスのおそれを抑制可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern inspection technology enabling inspecting the surface shape by the inspection device of mirror electron projection type even though the resist material is formed on the sample.例文帳に追加

試料上にレジスト材料が形成されていても、その表面形状を、ミラー電子プロジェクション式検査装置によって検出可能にするパターン検査技術を提供する。 - 特許庁

The method of adjusting the aligner has a projection optical system (PL) for forming the pattern image of a reticle (R) illuminated by pulse emission laser beams on a photosensitive substrate (W).例文帳に追加

パルス発光のレーザー光により照明されたレチクル（Ｒ）のパターン像を感光性基板（Ｗ）に形成する投影光学系（ＰＬ）を備えた露光装置の調整方法。 - 特許庁

Accordingly, as projection of the electron beam onto the cell can be turned on and off without blanking the electron beam, a pattern can be drawn on the substrate at a high speed.例文帳に追加

これにより、電子線をブランキングすることなく、セルに対する電子線のオン及びオフが可能となるため、基板に対して高速にパターンを描画することが可能となる。 - 特許庁

The distribution pattern is of a honeycomb shape of a hexagonal mesh shape, the linear part of the outer shell of the hexagon is a projection, and the inner hexagonal part is a recessed part.例文帳に追加

分散パターンは、六角形の網目状のハニカム状の形状であり、六角形の外殻の線状の部分が凸部であり、その内部の六角形の部分が凹部である。 - 特許庁

To obtain a projection aligner in which focusing is performed more easily in a short time when a spatially modulated two-dimensional pattern is projected onto a photosensitive material.例文帳に追加

投影露光装置において、空間変調された２次元パターンを感光材料上に投影する際のピント合わせをより容易に、かつより短時間で行なう。 - 特許庁

To shorten the measurement time in three-dimensional shape measurement using a grid pattern projection method and to simplify the computing processing for improving measurement precision.例文帳に追加

格子パタン投影法を用いた３次元形状測定において、測定時間を短縮すると共に、演算処理を簡略化して測定精度を向上させること。 - 特許庁

To additionally load an existing paper sheets processing device with a function for reading transparency peculiar to a paper sheet or random change pattern of recess and projection in a surface of the paper sheet at low costs.例文帳に追加

用紙固有の透明度又は表面の凹凸のランダムな変化パターンを読み取る機能を既存の用紙処理装置に追加搭載することを低コストに実現する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for projection capable of improving resolution by shifting the phase of modulated light when drawing is carried out according to pattern data.例文帳に追加

パターンデータに応じて描画を行う際に変調光の位相をシフトすることにより、解像度を高めることができる投影装置および投影方法を提供する。 - 特許庁

In an aligner 100, light from a light source 1 lights an original 2, and a projection optical system 6 projects the pattern of the original 2 on a substrate 3 for exposing the substrate 3.例文帳に追加

露光装置１００は、光源１からの光で原版２を照明し該原版２のパターンを投影光学系６よって基板３に投影して該基板３を露光する。 - 特許庁

To provide an exposure method and a system in which a desired pattern can be formed with an excellent resolution by suppressing deterioration of image quality due to residual aberration of a projection optical system.例文帳に追加

投影光学系の残存収差による像質劣化を抑え、所望のパターンを形成することができる解像度に優れた露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A message to indicate that a light source needs to be replaced or contact information of an installer that has set up a projection device can be provided as a pattern set in the information mask 135.例文帳に追加

情報マスク１３５に設定されるパターンとしては、光源の交換を促すメッセージや、プロジェクション装置の設置業者の連絡先等などが可能である。 - 特許庁

The slight light 3a is composed in time series and a projection pattern light 8 composed of striped lights having the intensity modulated to more than ternary values is projected on the body 4.例文帳に追加

スリット光３ａが時系列的に合成され、３値以上に強度変調された複数のストライプ光からなる投影パターン光８が物体４に投影される。 - 特許庁

When a mode for a projection device 100 is set to a pattern image change mode, a control circuit 105 detects the movement of the projection device 100, based on an output from an angular velocity sensor 103a in X direction and an output from an angular velocity sensor 103b in Y direction, and based on these detection results, changes the pattern image to be projected.例文帳に追加

制御回路１０５は、投射装置１００のモードがパターン画像変更モードに設定されている場合には、Ｘ方向の角速度センサ１０３ａおよびＹ方向の角速度センサ１０３ｂからの出力に基づいて、投射装置１００の動きを検出し、その検出結果に基づいて投射するパターン画像を変更する。 - 特許庁

The method of generating a design layout pattern of a semiconductor aims to generate by a projection optical system a layout pattern in which wiring lines are designed in the same pitch on a wafer, and the method includes a process of making uniform wiring line end parts 101 of the layout pattern 100 and the opposition space 101a between patterns formed in this wiring line direction.例文帳に追加

ウェハ上に配線ラインが等ピッチで設計されているレイアウトパタンを投影光学系により形成するための半導体設計レイアウトパタン生成方法であって、レイアウトパタン１００の配線ライン端部１０１とこの配線ライン方向に配置されたパタン間の対向スペース１０１ａを均一化する工程を含む。 - 特許庁

In a mask layout having aperture patterns continuously and discretely disposed, a device pattern having a chevron pattern selectively having a large aperture part can be formed with high controlling property by specifying the pattern pitch P to satisfy 0.69λ/NA≤P≤0.85λ/NA, wherein λ is the exposure light wavelength and NA is the numerical aperture of a projection lens.例文帳に追加

開口パターンを連続的に離散配置したマスクレイアウトにおいて、パターンピッチＰを０．６９λ／ＮＡ≦Ｐ≦０．８５λ／ＮＡ（ここで、λは露光光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）とすることで、選択的に大開口部を有するシェブロンパターンを有するデバイスパターンを制御性よく形成することができる。 - 特許庁

Two projection lenses are provided on the same surface plate to independently perform two exposures, that is, a cyclic pattern exposure referring to dual-beam flux interference exposure and an ordinary pattern exposure, excluding the cyclic pattern exposure, a mask for each of exposures is provided respectively, and then the respective exposures are performed by a unit of wafer and the wafer is exchanged within a short time.例文帳に追加

同一定盤上に、二光束干渉露光に代表される周期パターン露光と周期パターン露光を含まない通常パターン露光の２つの露光を独立可能とする投影レンズを２本設け、さらに、各露光用のマスクを各々設けて、各露光をウエハ単位で露光処理し、短時間にウエハ交換する。 - 特許庁

Next, the drawing pattern multiplexing apparatus 1 projects the three-dimensional shape relating to the drawing pattern onto a projection plane by a normal information recording means 25, and records the elevation and azimuthal angle relating to the normal direction of each projected pixel as normal information.例文帳に追加

次に、図柄多重化装置１は、法線情報記録手段２５によって、図柄に係る三次元形状を投影面に投影し、投影された各画素の法線方向に係る仰角および方位角を法線情報として記録する。 - 特許庁

The light emitted from the light source 32 and reflected by the sub-reflector 42 forms a second light distribution pattern P2 diffused right and left to supplement the first light distribution pattern P1 by being diffused and reflected right and left in the front by the diffusing projection lens 46.例文帳に追加

光源３２から出射してサブリフレクター４２で反射された光は、拡散投射レンズ４６によって前方左右に拡散配光されて、第１の配光パターンＰ１を補う左右に拡散された第２の配光パターンＰ２を形成する。 - 特許庁

To provide a formation method of a silicon oxide film in which, upon forming a round shape at a corner of silicon at an upper end of a projection of a pattern, the silicon oxide film can be formed at a uniform film thickness without causing a film thickness difference by a nondense and dense state of the pattern.例文帳に追加

パターンの凸部上端のシリコンのコーナーに丸み形状を形成した上で、パターンの疎密による膜厚差を生じさせずに均一な膜厚でシリコン酸化膜を形成することが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The light supply optical system makes a projection magnification of the intermediate image of the first pattern along an incident face of the first measuring beam to the tested face different from that of the intermediate image of the second pattern along an incidence face of the second measuring beam to the tested face.例文帳に追加

送光光学系は、第１測定光の被検面への入射面に沿った第１パターンの中間像の投射倍率と、第２測定光の被検面への入射面に沿った第２パターンの中間像の投射倍率とを異ならせる。 - 特許庁

Furthermore, a controller 16 shifts a phase of the image plane pattern relatively to a phase of the projection pattern, brings the CCD sensor 31 to photograph images at each operation of shifting the phase, and computes a shape of the object 13, based on brightness information of those images.例文帳に追加

また、コントローラ１６は、像面パタンの位相を、投影パタンの位相に対して相対的にシフトさせ、位相がシフトされるごとにCCDセンサ３１により画像を撮像させ、それらの画像の輝度情報に基づいて被検物１３の形状を算出する。 - 特許庁

The power supply pattern of a power supply plane layer 10 and the ground pattern of a ground plane layer are shifted on the same projection surface, thus avoiding the concentration of thermal stress at a boundary 11 of the power supply plane layer 10 and a boundary 21 of the ground plane layer.例文帳に追加

電源プレーン層１０の電源パターンとグランドプレーン層のグランドパターンとを同一投影面上でずらし、電源プレーン層１０の境界部１１とグランドプレーン層の境界部２１とに熱応力が集中するのを抑制した。 - 特許庁

Under a plurality of different synchronous moving speed conditions, a pattern (an inside mark and an outside mark constituting a focus test mark) in a pattern region formed in a measuring reticle on a reticle stage is transferred onto different wafers, respectively, through a projection optical system.例文帳に追加

複数の異なる同期移動速度条件の下で、レチクルステージ上の計測用レチクルに形成されたパターン領域内のパターン（フォーカステストマークを構成する内側マーク，外側マーク）を投影光学系を介して、異なるウエハ上にそれぞれ転写する。 - 特許庁