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projection patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1256件
Edges 8, 81, 82, 83 of a shade 5 forming cut-off lines CL1, CL2, CL3 of a light distribution pattern for low-beam passing light are located closer to the projection lens 7 side than to the second focus F2 of a reflecting surface 4.例文帳に追加
すれ違い用の配光パターンPのカットオフラインCL1、CL2、CL3を形成するシェード5のエッジ8、81、82、83が反射面4の第2焦点F2よりも投影レンズ7側に位置する。 - 特許庁
The exposure apparatus for exposing a substrate includes a lighting optical system 30 to light an original plate 15 by lighting light, and a projection optical system 16 to project the pattern of the original plate 15 to a substrate 17.例文帳に追加
基板を露光する露光装置は、照明光で原版15を照明する照明光学系30と、原版15のパターンを基板17に投影する投影光学系16とを備える。 - 特許庁
When the switch operating part 2a is operated in the operating direction, the switch moving part 2b rocks on the projection 2f, and the conducting part 2c comes in contact with the witch pattern installed in the operated direction for switching.例文帳に追加
スイッチ操作部2aを操作方向に操作すると、スイッチ可動部2bは凸部2fを支点として揺動し、導電部2cが操作された方向に設けられたスイッチパターンと接触してスイッチングする。 - 特許庁
A mask alignment mark of a reflector mask is formed on the opposite side from a circuit pattern-formed side of the mask, and an alignment detection system is installed on the opposite side of the illumination optical system and the projection optical system with respect to the mask.例文帳に追加
反射型マスクのマスクアライメントマークを回路パターン面の反対面側に形成し、アライメント検出系をマスクに対して照明光学系、投影光学系の反対側に設置する。 - 特許庁
The radiation that is emitted from two added poles 221 and 222 to pass through a mask pattern MP is blocked from reaching a wafer W by a radiation blocking opening part PD arranged in a projection optical system.例文帳に追加
2つの追加された極221,222から発せられ、マスクパターンMPを通過する放射は、投影光学系に配置された放射ブロック開口部PDにより、ウェーハWに到達することを阻止される。 - 特許庁
The second wiring pattern 22 is formed so that orthographic projection 122 to the first face 11 can be overlapped with the alignment mark 14 interposed between a pair of parts 13 and 15 of the alignment mark 14.例文帳に追加
第2の配線パターン22は、第1の面11への正射影122が、アライメントマーク14の一対の部分13,15に挟まれる状態でアライメントマーク14とオーバーラップするように形成されている。 - 特許庁
To improve the resolution of a maskless exposure method of digitally generating a projection pattern without using a mask to perform exposure, without having to uses a complex processes or mechanism element.例文帳に追加
本発明は、マスクを用いることなく投影パターンをデジタル的に生成して露光するマスクレス露光方法に関し、複雑なプロセスや機構要素を付加することなく、分解能を向上することを目的とする。 - 特許庁
A three dimensional position calculation unit 3-6 calculates a three dimensional coordinate position from a central coordinate of the word in the photographed image and a central coordinate of the projection pattern by using a principle of triangulation.例文帳に追加
3次元位置算出部3−6は、3角測量の原理を用いて、撮影画像中のワードの中心座標と投影パターンの中心座標とから3次元座標位置を算出する。 - 特許庁
A screen frame detection unit 40 detects a screen frame from an image imaged by the imaging unit 30 when the projection unit 10 projects a predetermined pattern for detecting screen frames.例文帳に追加
スクリーン枠検出部40は、投写部10によりスクリーン枠を検出するための所定のパターンが投写されているとき、撮像部30により撮像された画像からスクリーン枠を検出する。 - 特許庁
To provide an imaging system capable of performing excellent photography even when arrangement of a stroboscope changes and pattern light projection can not be performed to a subject in photography using auxiliary light.例文帳に追加
補助光を使用した撮影に際して、ストロボの配置が変化して被写体にパターン投光をすることができなくなった場合でも、良好な撮影を行うことができる撮像システムを提供する。 - 特許庁
To provide a high-precision pattern duplication method that is not subject to mask flexure in spite of a small clearance between the mask and projection optical system and eliminates exposure errors for defocusing.例文帳に追加
マスクと投影光学系との間の空間が少ない場合であっても、マスクの撓みなどの影響を受けることなく、デフォーカスによる露光不良のない高精度なパターンの転写を実現する。 - 特許庁
A stepper 1 is formed so that an integrated circuit pattern formed on a reticule is reduced with a projection lens 22 by the use of ArF excimer laser light from a light source 11 and then exposed on a wafer 30.例文帳に追加
光源11からのArFエキシマレーザ光により、レチクル21に形成された集積回路パターンが投影レンズ22により縮小されてウエハ30上に露光されるようにステッパー1を構成する。 - 特許庁
The molding die for emboss is duplicated from an original on which the core pattern comprising the projection is formed by allowing a surface (110) of a silicon substrate to be subjected to anisotropic wet etching.例文帳に追加
当該エンボス用成形型は、シリコン基板の(110)面を異方性ウェットエッチングすることにより、その表面に微細な凸部よりなるコアパターンが形成された原板から複製されたものである。 - 特許庁
As a basic form, a projection and recess pattern having a parabolic cross section is adopted, and projections and recesses having various sizes and similar shapes compared with the basic form are provided so that they are randomly distributed.例文帳に追加
凹凸の断面形状を放物線形状に形成したものを基本形状とし、基本形状からみて大小各種大きさの相似形の凹凸が混在するようにばらつかせる。 - 特許庁
While, in projection stations 105, 108, 111, the pattern of a mask 129 is projected on the field of a first substrate 120, the height of the field of a second substrate 121 is measured in a measuring station 133.例文帳に追加
投影ステーション105、108、111内でマスク129のパターンを第1基板120の領域に投影する間、第2基板121の領域の高さを測定ステーション133で測定する。 - 特許庁
Because projection pattern can be obtained by magnifying the light source image of the oblong profile, the light distribution design of a lighting fixture becomes easier to be carried out compared with a case in which the light distribution of the light emitting element has rotational symmetry.例文帳に追加
横長形状の光源像を拡大して投影パターンを得ることができるので、発光素子の光度分布が回転対称性を有する場合に比べて灯具の配光設計がし易くなる。 - 特許庁
As a result, when the projection lens 2 of this kind is applied, a light distribution pattern P is made possible in which an outer circumferential red color group can be made closer to white and a more uniform light can be produced.例文帳に追加
従って、このような構成の投影レンズ2を採用することで、配光パターンPに関して、外周の赤色系を緩和して白色に近づけ、より均一な光を作り出すことができる。 - 特許庁
The lower end portion of the second reflector 12 is positioned near the focus Fo of the projection lens 8 and has a light and darkness boundary forming portion 12b for forming a cut line of a low-beam light distribution pattern.例文帳に追加
第2リフレクタ12の下端部は、投影レンズ8の焦点Fo近傍に位置するとともに、すれ違い配光パターンのカットラインを形成する明暗境界形成部12bを備えている。 - 特許庁
When the substrate P is exposed by projecting an image of a pattern onto the substrate P through a projection optical system PL and the liquid 1, a side face PB and a rear face PC of the substrate P are subjected to the repellent treatment.例文帳に追加
投影光学系PLと液体1とを介してパターンの像を基板P上に投影することによって基板Pを露光する際、基板Pの側面PB、裏面PCを撥液処理する。 - 特許庁
The exposure method is provided for scanning a stage mounted with a first substrate in a predetermined direction and transferring the pattern of the first substrate by exposure onto a second substrate through first and second projection optical units disposed along the predetermined direction.例文帳に追加
第1基板が載置されたステージを所定方向に走査し、該所定方向に沿って設けられた第1及び第2投影光学ユニットを介して第1基板のパターンを第2基板に露光する。 - 特許庁
To provide a scanning exposure method which permits the refining of a pattern using an easy constitution without providing complicated functions, in the scanning type exposure method which employs a plurality of projection optical systems.例文帳に追加
複数の投影光学系を用いた走査型露光方法において、複雑な機能を備えることなく、容易な構成によりパターンの高精細化を可能とする、走査型露光方法を提供する。 - 特許庁
The aligner comprises an optical system for projecting a pattern onto a substrate P, and detectors 11, 12 for detecting the positional information of the substrate P with respect to the focus position of the projection optical system from detection light.例文帳に追加
パターンを基板Pに投影する投影光学系と、投影光学系の結像位置に対する基板Pの位置情報を検出光により検出する位置検出装置11、12とを備える。 - 特許庁
The calculation includes adjusting the pattern so that focal plane can be shifted in response to a separation distance to be measured between the target and the focal plane of the projection optical system PS.例文帳に追加
この計算には、基板の目標部分と投影光学系PSの焦平面との間で測定される離隔距離に応じて焦平面がシフトするようにパターンを調節することが含まれる。 - 特許庁
Since the selector raising cams 2A and 2B are not projected or retracted according to a fixed projection/retraction pattern, a variety of requirements in knitting can be met by change of the combination of cam systems used or the like.例文帳に追加
セレクタレイジングカム2A,2Bを固定される出没パターンに従って出没させないので、使用するカムシステムの組合せを変えることなどで、多様な編成の要求に対応させることができる。 - 特許庁
To provide a photomask capable of improving a shift in transfer position due to an abbreviation of a projection lens, an alignment error due to a measurement error resulting from pattern asymmetry, and a decrease in superposition inspection precision.例文帳に追加
投影レンズの収差に起因した転写位置のずれや、パターン非対称による計測誤差に起因したアライメント誤差、及び重ね合わせ検査精度の低下を改善できるフォトマスクを提供すること。 - 特許庁
The projection type video display device 100 is configured to display a test pattern image constituting at least part of each of three or more line segments constituting three or more intersections.例文帳に追加
投写型映像表示装置100は、3つ以上の交点を構成する3つ以上の線分のそれぞれの少なくとも一部分を構成するテストパターン画像を表示するように構成される。 - 特許庁
The semiconductor device 1 is mounted on the wiring substrate 40 so that a portion overlapped on the resin projection 20 in the wiring 30 may contact an electric connection portion 45 of the wiring pattern 44.例文帳に追加
半導体装置1は、配線基板40に、配線30における樹脂突起20とオーバーラップする部分が配線パターン44の電気的接続部45と接触するように搭載されてなる。 - 特許庁
To provide a device and a method for projecting an image rectifying it to crrect hues and being not influenced by a pattern even when a projection plane is colored and patterned.例文帳に追加
投射面が有彩色であったり模様が付いているような場合においても、正しい色相に補正すると共に模様の影響を受けない画像投射装置及び画像投射方法を提供する。 - 特許庁
Since this allows refractive index of the liquid 203 to be increased and resolution to be enhanced without imposing any burden on the projection lens 205, a resist pattern having a good profile can be attained.例文帳に追加
これにより、液体203の屈折率の値が大きくなって、投影レンズ205に負担を掛けることなく解像度が向上するので、良好な形状を有するレジストパターンを得ることができる。 - 特許庁
A large number of linear projecting parts 3b are mutually arranged in parallel (in a striped pattern shape) in the lengthwise direction of the horizontal beams 3 over the whole surface of an upper surface 3a of these horizontal beams 3 to form a recess-projection part 4.例文帳に追加
そして、この横梁3の上面3aの全面に、多数の線状の凸部3bを横梁3の長手方向に沿って相互に平行に(縞模様状に)設けて凹凸部4とした。 - 特許庁
To settle problems that, in defect correction of a colored pattern of a color filter and the like, the corrected defect parts become uneven to cause unmodified parts, and projection height of the corrected parts becomes higher.例文帳に追加
カラーフィルター等における着色パターンの欠陥修正時に、修正された欠陥部分が不均一となり未修正部分が出来たり、修正部分の突起高さが高くなったりする問題を解決する - 特許庁
In step S1, an area of an input image having a high degree of similarity to a template is detected by matching using a projection pattern so as to extract a center of the detected area as a candidate point.例文帳に追加
ステップS1において、投影パターンを用いたマッチングにより、テンプレートと類似度の高い入力画像の領域を検出し、検出した領域の中心を候補点として抽出する。 - 特許庁
In a TFT array substrate 10 of the reflection type electro-optical device 100, on the lower layer side of the light reflection film 8a, a recess and projection forming layer 13a forming the recessed and projected pattern 8g is formed.例文帳に追加
反射型電気光学装置100のTFTアレイ基板10において、光反射膜8aの下層側には、凹凸パターン8gを形成する凹凸形成層13aが形成されている。 - 特許庁
To provide a method and a device for detecting defects of a transfer mask capable of detecting defects such as foreign matters and a projection on a pattern opening of the transfer mask.例文帳に追加
転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の欠陥を精度良く、再現性良く検査するための転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
A game machine is structured such that a target pressing auxiliary member 311 provided with a projection part 303 is locked at a position corresponding to a specified pattern among holes 302 provided at appropriate intervals on the side face of a reel 311a.例文帳に追加
リール311a側面に適当な間隔をおいて設けられた穴302のうち、特定図柄の対応する位置に、突起部303を有する目押し補助部材311を係止させる構造とする。 - 特許庁
The exposing device comprises a projection optical system 3 projecting the pattern of a mask 2 to a substrate 5, and a liquid feeder 6 feeding liquid to between the projection optical system 3 and the substrate 5, and the liquid feeder 6 has an injector 19 for injecting a carbon dioxide to the liquid.例文帳に追加
マスク2のパターンを基板5に投影する投影光学系3と前記投影光学系3と前記基板5との間に液体を供給する液体供給装置6とを備え、前記液体供給装置6は前記液体に二酸化炭素を注入する注入装置19を有することを特徴とする構成とした。 - 特許庁
When successively transferring the pattern of a mask R on those partition regions on the substrate via a projection optical system PL, by making accurate alignment of the partition regions on the substrate with the image surface of the projection optical system, based on the measurement results, defective exposures caused by defocusing can be prevented.例文帳に追加
従って、基板上の複数の区画領域に投影光学系PLを介してマスクRのパターンを順次転写する際に、前記計測結果に基づいて、基板上の区画領域を投影光学系の像面に精度良く位置合わせすることにより、デフォーカスに起因する露光不良の発生を防止することができる。 - 特許庁
The lithograph projector comprises a mechanism for supplying a projection radiation beam, a structure supporting a member for patterning the projection beam according to a desired pattern, and a mechanism for projecting a patterned beam to a target part of a substrate.例文帳に追加
投影放射線ビームを供給するための放射線機構;前記投影ビームを希望のパターンに従いパターン化する働きをするパターン化部材を支持するための支持構造体;基体を支持するための基体テーブル;及び基体の目標部分にパターン化されたビームを投影するための投影機構;を具えたリトグラフ投影装置。 - 特許庁
To provide an image data creation method capable of solving a problem in association with projection transformation and creating an artificial image model to be used for pattern matching, especially, solving a problem in an image processing system which uses a stereo optical system for performing three-dimensional measurement and creating an image model with influences by projection distortion.例文帳に追加
投影変換に伴う問題点を解決して、パターンマッチングに使用する人工画像モデルを作成すること、特に、3次元測定をするためのステレオ光学系を用いた画像処理システムにおいて問題点が解消され、投影歪みの影響を取り入れた画像モデルを作成できる画像データ作成方法を提供する。 - 特許庁
The visual inspection device 10 calculates a phase of brightness variation corresponding to the second stripe pattern at a measurement point in the inspection object based on brightness at the measurement point in the first projection images and the second projection images, and known relation between the brightness variations corresponding to the respective first and second stripe patterns.例文帳に追加
外観検査装置10は、第2縞パターンに対応する被検査体の計測点の明るさ変動の位相を、第1投影画像及び第2投影画像における当該計測点の明るさと、第1縞パターン及び第2縞パターンのそれぞれに対応する明るさ変動の既知の関係とに基づいて求める。 - 特許庁
The base member 1 is provided with a heat-transfer base part 6 having separating projection parts 6a contacting the opposite mounting surface of the electronic board 4, and a heat-conducting adhesive material 8 is filled in a space 7 formed between the heat-transfer base part 6 and the second heat transfer pattern 14 by the separating projection parts 6a.例文帳に追加
ベース部材1には、電子基板4の反搭載面と接触する離隔用突起部6aを有する伝熱台座部6を備え、離隔用突起部6aによって伝熱台座部6と第2の伝熱パターン14との間に形成された間隙7に熱伝導性接着材8が充填されている。 - 特許庁
The mold structure comprises a disk substrate and a rugged pattern formed on one surface of the substrate by arranging a plurality of projections, wherein a ratio [(Rz/H)×100] of a ten-point average roughness at the top of the projection to the height H of the projection ranges from 10% to 50%.例文帳に追加
円板状の基板と、該基板の一方の表面に複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有するモールド構造体であって、前記凸部における頂部の10点平均粗さRzと、凸部の高さHとの比率〔(Rz/H)×100〕が10%〜50%であるモールド構造体である。 - 特許庁
The aligner irradiates a substrate to be exposed by using light from a light source via a projection optics having a uniform proximity gap to transfer a mask pattern, wherein a composite mirror composed of a plurality of mirror groups making one reflection plane is used in the projection optics.例文帳に追加
光源からの光を利用して、マスクのパターンをマスクのパターンを均一なプロキシミティギャップを有する投影光学系を介して被露光基板に照射する露光装置において、複数のミラー群で一つの反射面を構成する集成ミラーを前記投影光学系に用いたことを特徴とする露光装置。 - 特許庁
An exposure device (100) comprises: a projection optical system (30) for forming an image of a pattern formed on an object surface (11), on an image surface (21); and a position detection unit (50) which has a wavelength different from an exposure wavelength and detects a relative displacement amount between the object surface and the image surface through the projection optical system.例文帳に追加
露光装置(100)は、物体面(11)上に形成されたパターンを像(21)面上に結像させる投影光学系(30)と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置(50)を備えている。 - 特許庁
In the exposure equipment for projecting the pattern of a reticle 1 on the wafer 3 through the optical projection system 2, the projection system 2 separated from a wafer base 7 mounted a wafer stage 5 is supported by flexible three rods 19A to 19C extending from a structure supporting a reticle stage 4 and a reticle base 9.例文帳に追加
レチクル1のパターンを投影光学系2を介してウエハ3上に投影する露光装置において、ウエハステージ5が載置されるウエハベース7とは分離されるとともに、レチクルステージ4及びレチクルベース9を支持する構造体6から延びる3本の柔構造のロッド19A〜19Cにより投影光学系2を支持する。 - 特許庁
This method for performing the calibration of the camera for photographing an object from different directions has a 1st step to obtain the projection matrix of the camera and a 2nd step to a photograph a chart for calibration where a dot pattern is displayed from the different directions by the camera, so that the previous projection matrix is corrected by using the obtained image.例文帳に追加
対象物を異なる方向から撮影するためのカメラのキャリブレーションを行う方法であって、カメラの投影行列を求める第1のステップと、ドットパターンが表示された校正用チャートを異なる方向からカメラで撮影し、得られた画像を用いて先の投影行列を修正する第2のステップとを有してなる。 - 特許庁
The developing device is provided with an atmospheric pressure measuring part 101, and a control part 106 controls the projection pressure of a developing solution 105 projected from a nozzle 103 by a developing solution projection part 104 on the basis of correlation information between dimensional errors in the line width of a pattern which are generated under a plurality of atmospheric pressures and the measured atmospheric pressures.例文帳に追加
現像装置に気圧計測部101を設け、制御部106が複数の気圧下において生じるパターンの線幅の寸法との誤差を計測した気圧との相関関係情報を基に、現像液射出部104がノズル103から射出する現像液105の射出圧を気圧に応じて制御する。 - 特許庁
The apparatus comprises a sensor system for detecting the intensity distribution of the projection radiation pattern and an alignment system, capable of controlling such that the position and/or orientation of at least one of the array of plural elements, the components of the projection system, and the illumination system is adjusted on the basis of the detection result.例文帳に追加
装置は、投影放射パターンの強度分布を検出するセンサ・システム備え、その検出結果に基づいて複数のエレメントのアレイ、投影システムの構成要素及び照明システムのうちの少なくとも1つの位置及び/又は配向が調整されるように制御することができる位置決めシステムとを備える。 - 特許庁
When transferring a mask pattern to a wafer via a projection optical system, first, a prescribed imaging properties of the environmental conditions and the projection optical system with a prescribed timing are measured, and environmental correction coefficients for correcting the variation varied by the environmental conditions of the imaging property are calculated, based on the measured result (step 409).例文帳に追加
マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する際に、先ず、所定のタイミングで、環境条件と投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて結像特性の環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する(ステップ409)。 - 特許庁
By moving a flat-face reflector 12 by a driving means 19 in a predetermined direction by a predetermined distance, reflective optical paths L1, L2 reflected on the flat-face reflector 12 and headed toward a projection lens 14 are changed so that a light distribution direction of a light distribution pattern projected in front of the lamp from the projection lens 14 is changed.例文帳に追加
駆動手段19により平面リフレクタ12を所定方向に所定量移動することにより、平面リフレクタ12で反射されて投影レンズ14に向かう反射光路L1,L2が変化し、投影レンズ14から灯具前方に投射される配光パターンの配光方向が変化される。 - 特許庁
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