「projection pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laser exposure device that makes it possible to arbitrarily select repetition intervals of a laser spot on the focus surface of a projection optical system, enables extremely accurate irradiation on the laser spot, and can obtain extremely accurate printed matter and a circuit pattern.例文帳に追加

投影光学系のフォーカス面でのレーザスポットの繰返し間隔を任意に選択できてレーザスポットを極めて正確に照射させることができ、極めて正確な印刷物や回路パターンが得られるレーザ露光装置。 - 特許庁

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method.例文帳に追加

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。 - 特許庁

When projecting an image having a predetermined pattern for measurement via a projection optical system PL, diffracted lights other than zeroth light L (0) and primary diffracted lights L (+1) and L (-1) are cut off using a variable aperture diaphragm AS.例文帳に追加

所定の計測用パターンの像を投影光学系ＰＬを介して投影する際に、可変開口絞りＡＳを用いて０次光Ｌ（０）、１次回折光Ｌ（＋１），Ｌ（−１）以外の回折光を遮光する。 - 特許庁

The image of the pattern of a reticle is projected on a wafer W via a projection optical system, composed of a first image-forming optical system K1 and a second image-forming optical system K2, consisting of a catadioptric system.例文帳に追加

レチクルＲのパターンの像を、屈折系よりなる第１結像光学系Ｋ１と、反射屈折系よりなる第２結像光学系Ｋ２とから構成される投影光学系を介してウエハＷ上に投影する。 - 特許庁

This building board 1 comprises a lower paint layer 3 and an upper paint layer 4 in this order on a design surface 201 of a board 2 with the uneven grain pattern 203 formed with a plurality of grain forming projection parts 21.例文帳に追加

建築板１は，複数の木目形成凸部２１を形成してなる木目凹凸模様２０３を有する原板２の意匠表面２０１に，下側塗料層３及び上側塗料層４を順次設けてなる。 - 特許庁

The optical element group is constituted to project the projection pattern on the substrate, and comprises a plurality of optical elements having liquid immersion elements at least temporarily arranged adjacent to the liquid immersion zone 110 during an operation.例文帳に追加

光学素子群が、基板に投影パターンを投影するように構成されており、作動中に少なくとも一時的に液浸ゾーン１１０に隣接して配置される液浸素子を有する複数の光学素子を備える。 - 特許庁

The exposure equipment illuminates a negative plate by the light supplied from the light source using a lighting optical system, and exposes a substrate by projecting a pattern of the original plate onto the substrate via a projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、光源から提供される光を利用して照明光学系によって原版を照明し、該原版のパターンを投影光学系を通して基板に投影することによって該基板を露光する。 - 特許庁

In the crystallization equipment 1, a distance between a light modulation element and an image forming optical system is corrected so as to make the projection magnification of a light modulation element pattern, which is projected onto a substrate, constant at any time.例文帳に追加

結晶化装置において、光変調素子と結像光学系との間の距離を補正することによって、基板上に投影される光変調素子パターンの投影倍率を常に一定にするものである。 - 特許庁

To extract the scattering characteristic of a measuring object in addition, when the shape of its surface is measured in a measurement system for measuring a surface shape of a measuring object by the pattern projection method.例文帳に追加

パターン投影法により測定対象物の表面形状を測定する測定システムにおいて、表面形状の測定時に、あわせて測定対象物の散乱特性を抽出することを目的とする。 - 特許庁

To provide a conductive sheet for reducing the resistance of a conductive pattern formed on a substrate, improving visibility and properly used for a projection type capacitive touch panel, for instance.例文帳に追加

基体上に形成される導電パターンの低抵抗化を図ることができると共に、視認性も向上させることができ、例えば投影型静電容量方式のタッチパネルに用いて好適な導電シートを提供する。 - 特許庁

A wiring pattern on the wiring board 7 is formed in smaller resistance than the ITO which forms the board side terminal 21, thereby suppressing the resistance to a low level on the board projection part 2c.例文帳に追加

配線基板７上の配線パターンは基板側端子２１を形成するＩＴＯよりも電気抵抗値が低い材料によって形成され、これにより、基板張出し部２ｃ上の配線抵抗を低く抑える。 - 特許庁

A mask R wherein a prescribed pattern is formed is illuminated under cross pole illumination conditions, a wafer W is exposed via a projection optical system PL by light IL projected from the mask, and a hole array is formed on the wafer.例文帳に追加

クロスポール照明条件下で所定のパターンが形成されたマスクＲを照明し、該マスクから射出される光ＩＬで投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光し、そのウエハ上にホールアレイを形成する。 - 特許庁

A master mask having a pattern size larger than an objective mask is first produced, and a plurality of identical masks are produced from the master mask by reduced projection and subjected to a die-to-die comparison with one another.例文帳に追加

対象となるマスクよりも大きいパターンサイズを有するマスターマスクを先に製作し、マスターマスクから、縮小投影によって、複数の同じマスクを製作し、これらの間で、Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ比較法を行う。 - 特許庁

The manufacture is carried out by using pattern rollers for the respective surfaces and hardening postpatterned layers nearby the contact between both the rollers and thus the precision of the formation positions of the lenticular lens and projection streak parts is secured.例文帳に追加

製造は、各々の面について、型ローラを用いて逐次行ない、両型ローラの接点近傍で、後に付型された層を硬化させることにより、レンチキュラーレンズと凸条部との形成位置の精度を確保した。 - 特許庁

This exposure system is equipped with an illuminating optical system which has a mask 27 irradiated with illuminating light and a projection optical system which projects an illuminating light onto a substrate 30, and a mask pattern is transferred onto a substrate through irradiation with illumination light.例文帳に追加

マスク２７に照明光を照射する照明光学系と、照明光を基板３０上に投射する投影光学系２９とを備え、照明光の照射によってマスクのパターンを基板上に転写する。 - 特許庁

A mirror device projection area 2, i.e. the outline of spots 3 arranged vertically and horizontally, is arranged obiliquely to the moving direction 4 of a substrate 1 and the substrate 1 is moved along the moving direction 4 at the time of pattern exposure.例文帳に追加

縦横に並んだスポット３の輪郭であるミラーデバイス投影領域２を基板１の移動方向４に対して斜めに配置しておき、パターン露光する際、基板１を移動方向４に沿って移動させる。 - 特許庁

With the fine projection and recess pattern 8 for mechanical check, the eccentricity (mechanical precision) of the optical disc 2 for the DVD can be measured by using a mechanical precision measuring instrument for a conventional CD family without modifying.例文帳に追加

この機械検査用の微小凹凸パターン８を利用することにより、当該ＤＶＲ用光ディスク２の偏心（機械的精度）を、従来のＣＤファミリー用の機械精度測定器を用いてそのまま測定する。 - 特許庁

The back frame body 12b is directly fixed to the back surface of the game board through a screw insertion hole 64a and a fixing screw in the form of having a fixing projection 67 to mount the pattern display device on the back surface.例文帳に追加

後枠体１２ｂは、その背面に図柄表示装置を装着すべき固定用突起６７を有する形でネジ挿入孔６４ａ及び固定ネジを介して遊技盤の背面に直接に固定される。 - 特許庁

An angular distribution of exposure light exposing a substrate is measured using an exposure apparatus having an illumination optical system that illuminates a mask using light from a light source and a projection optical system that projects a mask pattern on the substrate.例文帳に追加

光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを有する露光装置を用いて、基板を露光する露光光の角度分布を計測する。 - 特許庁

The endoscope 10 includes a light guide 22b for transmitting infrared light from a light source 40b, a light guide 22c for transmitting measuring light from a light source 40c, and a CCD 24a for imaging the projection pattern of the measuring light.例文帳に追加

内視鏡１０は、光源４０ｂからの赤外光を伝搬するライトガイド２２ｂ、光源４０ｃからの測定光を伝搬するライトガイド２２ｃ、および測定光の投影パターンを撮像するＣＣＤ２４ａを有する。 - 特許庁

To measure three-dimensional information by pattern light projection even if an object to be measured is strong in surface reflection due to the application or the like of a glossiness coating such as metal and ceramics, and an automobile and its part.例文帳に追加

金属や陶磁器などの他、自動車やその部品などの光沢塗装が施されるなどして表面反射の強い計測対象物であっても、パターン光投影による三次元情報の計測を可能にする。 - 特許庁

To provide a method of controllably reflecting electrons from an array of electron reflectors to make electron beam projection lithography possible at low cost because of maskless processing, and a device of a dynamic pattern generation machine for reflective electron beam lithography.例文帳に追加

マスクレスのため低コストで電子ビーム投影リソグラフィを可能にする、電子反射板のアレイから制御可能に電子を反射する方法と、反射電子ビームリソグラフィのためのダイナミックパターン生成機の装置を提供する。 - 特許庁

Further, the light which transmits the reticle 30 is transmitted through a projection optical system 40 and illuminated to a semiconductor wafer W mounted on a stage 50, and exposed in response to the exposure pattern formed on the reticle 30.例文帳に追加

さらに、レチクル３０を透過した光は、投影光学系４０を通過してステージ５０上に載置された半導体ウェハＷに照射されて、レチクル３０に形成された露光パターンに応じた露光が行われる。 - 特許庁

To conquer the difficulty of mask production while enhancing resolution in the exposure of a gate line, or the like, of a severe dimensional rule when a desired pattern is obtained by projection mapping using a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めることを可能にしつつ、そのマスク製造の困難さを克服する。 - 特許庁

The pattern transfer via the projection optical system with its imaging properties adjusted in consideration of the optimum environmental correction coefficients can correct the transfer errors, caused by an environmental variation with a high degree of accuracy.例文帳に追加

ここでは、最適な環境補正係数を考慮して結像特性が調整された投影光学系を介してパターンの転写が行なわれるために、環境変化に起因する転写誤差を精度良く補正することができる。 - 特許庁

To provide a projection aligner and a method, where satisfactory resolution characteristics and a depth of focus can be obtained, even when a fine pattern equal in size to or smaller than the wavelength of exposure light is transferred.例文帳に追加

露光波長と同程度ないし露光波長以下の微細なレジストパターンを転写する場合においても、良好な解像特性と焦点深度を得ることができる投影露光装置及び投影露光方法を提供する。 - 特許庁

The operation system 4 positions the substrate 1 relatively to the projection system 3, projects the patterning radiation beam on a target portion of the substrate 1, and adjusts pattern data based upon the detection result to perform temperature compensation.例文帳に追加

作動システム４により基板１を投影システム３に対して位置決めし、パターン化放射線ビームを基板１の目標部分上に投影し、検出結果に基づいてパターンデータを調整して温度補償する。 - 特許庁

The EUV light scattered/reflected by the mask 8 passes through a projection optical system and is perpendicularly inputted onto a wafer loaded on a wafer stage 12 to shrink/transfer the device pattern 21 to a resist on the wafer.例文帳に追加

マスク８によって、散乱・反射されたＥＵＶ光は、投影光学系を通過して、ウェハステージ１１上に載置されているウェハに垂直に入射し、デバイスパターン２１がウェハ上のレジストに縮小・転写される。 - 特許庁

The selective reflection member 26 is arranged so as to be slidingly displaced to a plurality of positions, and reflects the light so as to selectively change the light distribution pattern projected by the projection lens 28 according to the arranged position.例文帳に追加

そして、選択反射部材２６は、複数の位置にスライド変位可能に配置されており、配置された位置に応じて投影レンズ２８が投影する配光のパターンを選択的に変化させるように光を反射する。 - 特許庁

With the use of a projection device 13 having specified exposure vision, the pattern images of a plurality of masks 12 are exposed in sequence on a plurality of unit exposure area, some of which are mutually overlapped on a light-sensitive substrate 14.例文帳に追加

感光性基板（１４）上にて互いに一部重複した複数の単位露光領域のそれぞれに複数のマスク（１２）のパターン像を所定の露光視野を有する投影系（１３）を用いて順次露光する。 - 特許庁

This aligner is provided with an illuminating optical system which illuminates a mask 51 having a pattern to be transferred on a wafer 91, and a projection optical system which projects a charged particle beam which has passed the mask 51 on the wafer 91.例文帳に追加

本露光装置は、ウエハ９１上に転写すべきパターンを有するマスク５１を照明する照明光学系と、マスク５１を通過した荷電粒子線をウエハ９１上に投影する投影光学系を備える。 - 特許庁

In the method for forming a contamination prevention layer, coating is applied onto the surface of the plate material 1 having the projection/recessed part pattern 2 to form a coating film 5 and the coating film is coated with a contamination prevention agent containing a silica fine particle, alcohol, water and a surfactant.例文帳に追加

凹凸模様２を有する板材１の表面に塗装を施し塗膜５を形成し、その上にシリカ微粒子と、アルコールと、水と、界面活性剤とを含有する防汚処理剤を塗布する。 - 特許庁

The exposure apparatus includes: the projection optical system for projecting the pattern image on the substrate; and a cleaning device for cleaning the exposed substrate before the substrate is conveyed to a treatment device for treating the exposed substrate.例文帳に追加

露光装置は、パターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置とを備えている。 - 特許庁

In this constitution, since a process constant in a contraction projection optical system can be reduced to 0.3-0.4, resolution performance can be raised as compared with the prior art, and the fine pattern with a line width of 150 nm or less can be drawn.例文帳に追加

この構成では、縮小投影光学系におけるプロセス定数を０．３〜０．４と小さくできるため、解像性能を従来よりも高めることができ、線幅１５０ｎｍ以下の微細なパターンを描画できる。 - 特許庁

To provide a lamp unit of a projector type in which first and second light source units are arranged at the rear part of a projection lens, and in which a high beam light distribution pattern formed by this is superior in long-distance visibility.例文帳に追加

投影レンズの後方に第１および第２光源ユニットが配置されてなるプロジェクタ型の灯具ユニットにおいて、これにより形成されるハイビーム用配光パターンを遠方視認性に優れたものとする。 - 特許庁

An illuminating optical system which projects lighting light upon a mask 27 and a projection optical system 29 which projects lighting light upon a substrate 30 are provided, and the pattern of the mask 27 is transferred to the substrate 30 by projecting the illuminating light rays.例文帳に追加

マスク２７に照明光を照射する照明光学系と、照明光を基板３０上に投射する投影光学系２９とを備え、照明光の照射によってマスクのパターンを基板上に転写する。 - 特許庁

The distortion induced by the reflective mask (MA), on the absorbing layer of which a mask pattern has been embodied, and the inclined lighting is calculated and aberration in a projection system (PL) is introduced and/or controlled in order to correct the distortion.例文帳に追加

厚い吸収層にマスクパターンを具現した反射性マスク（ＭＡ）と傾斜照明が誘起する歪みを計算し、それを補正するために投影システム（ＰＬ）に収差を導入および／または制御する。 - 特許庁

When a parallax amount cumulative value exceeds an upper limit, a mode is made a projection display limit mode, and a display control pattern table B is selected and the stereoscopic display is performed on the basis of the display control command selected from the table.例文帳に追加

視差量累積値が上限を超すと突出表示制限モードとなり、表示制御パターンテーブルＢが選択され、そのテーブル中から選択される表示制御コマンドに基づいて立体表示が行われる。 - 特許庁

Fine exposure by small σ oblique illumination and rough exposure by large σ vertical illumination are conducted on a wafer, without developing the wafer in the middle with the gate pattern of a mask set at a projection aligner, so that double exposure is attached.例文帳に追加

投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。 - 特許庁

The maximum value of the absolute value of a magnetic field applied to the bottom surface of a recessed part of an uneven pattern formed on the PERM disk is denoted as Hd and the maximum value of the absolute value of a magnetic field applied to the top surface of a projection part is denoted as Hu.例文帳に追加

ＰＥＲＭディスクに形成された凹凸パターンの凹部底面に対して印加する磁界の絶対値の最大値をＨｄ、凸部上面に対して印加する磁界の絶対値の最大値をＨｕとする。 - 特許庁

To provide a gray mask by which positioning to a surface to be exposed is easy and even when reducing projection is performed, a concentration pattern of a light shielding agent dispersed layer can be surely image-formed on the surface to be exposed.例文帳に追加

露光対象面に対する位置合わせが容易で、縮小投影を行うときでも遮光剤分散層の濃度パターンを露光対象面に確実に結像させることが可能なグレイマスクを提供する。 - 特許庁

To provide polarization illumination of an exposure apparatus with which resolution property can be enhanced, in exposure of gate lines, or the like, having strict dimensional rules, when a desired pattern is obtained by projection mapping that uses a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めること露光装置の偏光照明を提供する。 - 特許庁

These projection portions 13 are formed on the surface of the white key cover 11 so that their density becomes smaller, as it is closer to an outer edge side from the center line of each wood grain line 14a of the ivory wood grain pattern 14.例文帳に追加

なお、これら凸部１３は、象牙の板目模様１４の各板目１４ａの中心線から外縁側へ近づくに従ってその密度が小さくなるように白鍵カバー１１の表面に形成されている。 - 特許庁

The extraction part 15 transfers the read imaging picture, as an extracted pattern picture, via a plane area extraction part 16 and a correspondence coordinate calculation part 17 to a plane projection matrix calculation part 18.例文帳に追加

パターン抽出部１５では、読み出したパターン撮像画像を抽出パターン画像として平面領域抽出部１６、対応座標算出部１７を経て平面射影行列算出部１８に転送する。 - 特許庁

With a state in which all of projection of the light-shielding plates 51-54 are superimposed on a non-exposure region 62, the light-shielding plates 51-54 are moved at the same speed as the substrate 6 in a Y-axis positive direction above an opening pattern forming region 30.例文帳に追加

遮光板５１〜５４の射影全体が非露光領域６２に重なった状態で、遮光板５１〜５４が、開口パターン形成領域３０の上方をＹ軸正方向に基板６と等速で移動する。 - 特許庁