「s Potential」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By adjusting a channel width ratio of each transistor, a potential of a signal line S is controlled to the potential causing no visible display unevenness.例文帳に追加

また、各トランジスタのチャネル幅比を調節することにより信号線Ｓの電位を表示ムラが視認されない電位に調節する。 - 特許庁

When applying a plasma treatment to the substrate S, the potential of the lower electrode 10 is set negative with respect to the potential of an upper electrode 20, and the potential of the auxiliary electrode 30 is set negative with respect to the potential of the upper electrode 20.例文帳に追加

基板Ｓに対してプラズマ処理を施す場合、下部電極１０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とし、補助電極３０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とする。 - 特許庁

...'s eCRM solution enables you to assess the value and the potential value of your customer relationships, and ... 例文帳に追加

...社のeCRMソリューションは、御社の顧客関係の価値および潜在価値を評価することを可能にし、... - コンピューター用語辞典

To improve the S/N ratio by reducing nose components relative to eye potential original signals by a simpler method in measuring the eye potential.例文帳に追加

眼電位の計測において、より簡便な方法で、眼電位原信号に対するノイズ成分の低減することにより、Ｓ／Ｎ比を向上させる。 - 特許庁

A crystal structure by X-ray diffraction is ZrO_1/2N, and a potential at a time when oxygen reduction current starts flowing is 0.75 V or more in reversible hydrogen electrode potential reference if potential scanning is performed at a scanning rate of 5 mV/s in 0.1 mol/L sulfuric acid aqueous solution at 30°C.例文帳に追加

Ｘ線回折による結晶構造がＺｒＯ_1/2Ｎであり、30℃の0.1mol/L硫酸水溶液中で、走査速度5mV/sで電位走査したとき、酸素還元電流が流れ始める時の電位が可逆水素電極電位基準で0.75V以上となる。 - 特許庁

A bit line potential control circuit 12 is provided with transistors 121 and 122 and controls to charge a potential of a bit line disconnected from the sense amplifier circuit S/Ai by the decoupling circuit 11 to a predetermined potential.例文帳に追加

ビット線電位制御回路１２は、トランジスタ１２１、１２２を備え、デカップリング回路１１によりセンスアンプ回路Ｓ／Ａｉから遮断されたビット線の電位を所定電位に充電する制御を行う。 - 特許庁

Therefore, when the counter electrode potential is made to vary, the potential of the data signal lines S is not varied up to an undesired high potential due to the capacitance coupling between the data signal lines S and the counter electrodes when the counter electrode potential is varied, but the pixel capacitance can be charged with electricity corresponding to the gradations to be displayed at relatively low potentials of the data signal lines S.例文帳に追加

したがって、対向電極の電位を変化させる際に、データ信号線Ｓと対向電極との容量結合によって該データ信号線Ｓの電位が不所望に大きな電位に変化してしまうようなことはなく、該データ信号線Ｓの電位が比較的低い電位で表示すべき階調に対応した電荷を画素容量に注入することができる。 - 特許庁

The power source electric potential (VDD) and an intermediate electric potential (Va) which is output from a voltage dividing circuit (S) are supplied to the operational amplifiers (OP1, OP2), and the intermediate electric potential (Va) and the power source electric potential (VEE) are supplied to the operational amplifiers (OP3, OP4).例文帳に追加

演算増幅器（ＯＰ１，ＯＰ２）には、電源電位（ＶＤＤ）と分圧回路（Ｓ）から出刀される中間電位（Ｖａ）とが供給され、演算増幅器（ＯＰ３，ＯＰ４）には、中間電位（Ｖａ）と電源電位（ＶＥＥ）とが供給される。 - 特許庁

For each stage of the shift register, the shift register S/R generates input signals that performs transition between a high potential Vcc and a low potential Vss in synchronization with line sequential scanning.例文帳に追加

シフトレジスタＳ／Ｒは、線順次走査に同期してシフトレジスタの各段毎に高電位Ｖｃｃと低電位Ｖｓｓの間で遷移する入力信号を順次生成する。 - 特許庁

As a result, trimming can be performed on the magnetic sensor S while the potential difference output voltage is measured in the magnetic sensor S to which the rotary magnetic field or the static magnetic field is imparted.例文帳に追加

このため、回転磁場や静磁場を与えた状態の磁気センサＳにおける電位差出力電圧を測定しつつ、磁気センサＳに対してトリミングを行うことができる。 - 特許庁

The laser trimming device is equipped with a laser irradiation device that emits a laser beam L3 to a magnetic sensor S so as to perform trimming on the magnetic sensor S and a measuring device that measures the potential difference output voltage (electric resistance) of the magnetic sensor S.例文帳に追加

レーザトリミング装置は、磁気センサＳにレーザビームＬ３を照射してその磁気センサＳのトリミングを行うレーザ照射装置と、磁気センサＳの電位差出力電圧（電気抵抗）を測定する測定装置を備える。 - 特許庁

A potential is applied to the back of a photosensor sample S, and an electron beam is scanned in a charged particle optical system 10.例文帳に追加

感光体試料Ｓに対して裏面に電位を加えて、荷電粒子光学系１０で電子ビームを走査する。 - 特許庁

In the scribe region S or the semiconductor chip 10, a switch control pad 2 is provided to which a signal having a potential different from the substrate potential of the semiconductor wafer 20 is applied in order to turn on the switch circuits 3A-3D which are pulled-up or pulled down to the same potential as the substrate potential off.例文帳に追加

また、スクライブ領域Ｓもしくは半導体チップ１０内に、半導体ウェハ２０の基板電位と同電位にプルアップもしくはプルダウンされた、スイッチ回路３Ａ〜３Ｄをオンとするための上記基板電位と異なる電位の信号が与えられるスイッチ制御用パッド２を備えている。 - 特許庁

There is a great difference between potential VA=VA(0) which a combined node shows when x=1 is imparted to the ferroelectric capacitor Cs at s=0 and potential VA=VA(1) which the combined node shows when x=1 is imparted to the ferroelectric capacitor Cs at s=1.例文帳に追加

また、ｓ＝０の強誘電体コンデンサＣｓにｘ＝１を付与したとき結合ノードが示す電位ＶＡ＝ＶＡ（０）と、ｓ＝１の強誘電体コンデンサＣｓにｘ＝１を付与したとき結合ノードが示す電位ＶＡ＝ＶＡ（１）との差が大きい。 - 特許庁

However, since difference (=Vs-Vp) between the substrate potential Vs and the reference potential Vp is set being almost equal to open voltage Voc of the molecule battery 11 and a potential of the node S is converged surely to the open voltage Voc seeing from plate wiring PL, the S/N ratio during read-out of data can be improved.例文帳に追加

しかし、基板電位Ｖｓと基準電位Ｖｐとの差（＝Ｖｓ−Ｖｐ）が分子電池１１の開放電圧Ｖｏｃとほぼ等しく設定されており、ノードＳの電位は、プレート配線ＰＬから見て必ず開放電圧Ｖｏｃに収束することから、データの読み出し時におけるＳ／Ｎ比を高めることが可能となる。 - 特許庁

One comparison potential generation circuit 6 is shared by the two S/H+ comparison circuits 2, 3, thus reducing the layout area.例文帳に追加

２つのＳ／Ｈ＋比較回路２，３で１つの比較電位発生回路６を共用するので、レイアウト面積が小さくて済む。 - 特許庁

Thereby, electric charges accumulated in the parasitic capacitance 26 are discharged gradually by junction leak of the selection transistor 12, a final potential of a node S is reduced toward a substrate potential Vs of the transistor.例文帳に追加

そのため、寄生容量２６に蓄積された電荷は選択トランジスタ１２の接合リークによって徐々に放電され、ノードＳの最終的な電位はトランジスタの基板電位Ｖｓに向かって低下する。 - 特許庁

The surface potential Vs of the photoreceptor sample S is measured by discriminating a boundary (|Vacc|=|Vs|) between a secondary electron image and an inverted electron image.例文帳に追加

２次電子像と反転電子像の境界（｜Ｖａｃｃ｜＝｜Ｖｓ｜）を識別することにより感光体試料Ｓの表面電位Ｖｓを計測する。 - 特許庁

A switch circuit section SW and the electrostatic surge removal circuit S are formed on the multilayer interconnection board 51, and especially, the electrostatic surge removal circuit S is allowed to approach a terminal electrode 56 at ground potential.例文帳に追加

スイッチ回路部ＳＷと静電サージ除去回路部Ｓを、多層配線基板５１に形成するとともに、特に静電サージ除去回路部Ｓをグランド電位の端子電極５６に近接させた。 - 特許庁

A bias scanner 8 switches the potential of a bias line BS before the correcting operation to apply a coupling voltage to the source S of the drive transistor Trd via the auxiliary capacitor Csub, and then performs initialization so that the potential difference between the gate G and source S of the drive transistor Trd becomes larger than the threshold voltage Vth.例文帳に追加

バイアススキャナ８は、補正動作の前にバイアス線ＢＳの電位を切り換えて補助容量Ｃｓｕｂを介してカップリング電圧をドライブトランジスタＴｒｄのソースＳに加え、以ってドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧとソースＳの電位差を閾電圧Ｖｔｈよリ大きくなる様に初期化する。 - 特許庁

Thus, an extremely large dispersion is not caused in a potential of each pixel capacitance with respect to the potential of the data signal lines S, so that the dispersion of a leak current flowing via an active element of each pixel can be suppressed.例文帳に追加

したがって、データ信号線Ｓの電位に対する各画素容量の電位に極端に大きなばらつきを生じることはなく、各画素のアクティブ素子を介するリーク電流のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

A main scanner 104 brings the sampling transistor 3A into conduction in second timing to apply a reference potential from the signal line DTL101 to a gate (g) of the drive transistor 3B, and sets a source (s) at the second potential.例文帳に追加

主スキャナ１０４は、第２タイミングでサンプリング用トランジスタ３Ａを導通させて、信号線ＤＴＬ１０１から基準電位を駆動用トランジスタ３Ｂのゲートｇに印加するとともに、ソースｓを第２電位にセットする。 - 特許庁

During a non-selection period of scanning signal lines G, a potential holding circuit 10 holds and fixes the potential of data signal lines S, which have been in the floating state due to a high impedance output from the data signal line driving circuit SD, before varying a counter electrode potential.例文帳に追加

走査信号線Ｇの非選択期間には、データ信号線駆動回路ＳＤからの出力がハイインピーダンスとなってフローティング状態となっていたデータ信号線Ｓの電位を、対向電極の電位を変化させる前に、電位保持回路１０によって保持固定する。 - 特許庁

In the case that the potential difference is <Vd, a differential amplifier circuit 1 outputs a signal amplifying an AC signal S and an amplifier circuit 100 performs amplifying operation.例文帳に追加

電位差がＶｄ未満の場合には、差動増幅回路１が交流信号Ｓを増幅した信号を出力し、増幅回路１００が増幅動作を行う。 - 特許庁

Accordingly, a surge detection signal S of the low-level potential is input into a microcomputer 400, and thereby the microcomputer 400 performs alarm control.例文帳に追加

従って、マイクロコンピュータ４００にはロウレベル電位のサージ検出信号Ｓが入力され、これによって、マイクロコンピュータ４００は警報制御を行う。 - 特許庁

A gate potential VG of each unit circuit U is set according to a data signal S[j] supplied when the selection circuit 32 selects the unit circuit U.例文帳に追加

各単位回路Ｕのゲート電位ＶGは、選択回路３２による当該単位回路Ｕの選択時に供給されるデータ信号Ｓ[j]に応じて設定される。 - 特許庁

Copper is electro-refined by controlling the cathode potential at ≥330 A/m2 current density, and the high-quality electrolytic copper containing ≤10 ppm S is obtained.例文帳に追加

電流密度330 A/m^2以上でカソード電位を制御して電解する銅の電解精製方法であり、これによりＳ：10ppm 以下の高品質の電気銅が得られる。 - 特許庁

To provide an electric potential sensor having a simple formation and a stabilized output signal by stabilizing the amplitude of a piezoelectric tuning fork and not decreasing the S/N ratio.例文帳に追加

構成が単純で、圧電音叉の振幅が安定することにより出力信号が安定し、Ｓ／Ｎ比も低下することのない電位センサを提供する - 特許庁

This invention is characterized in that silverware is baked with a metallic material(s) such as ionized titanium having a potential lower than that of silver or titanium and vanadium at 200 to 300°C.例文帳に追加

銀器類に、銀よりも低電位でかつイオン化したチタン又はチタンおよびバナジウムなどの金属元素を２００℃〜３００℃で焼き付けることを特徴とする。 - 特許庁

Subsequently, inert gas is introduced into the working chamber 11 to obtain a non-reactive atmosphere, and synchrotron light is irradiated from a synchrotron light device 15 against the compound semiconductor S to etch a predetermined place on the compound semiconductor S under a condition that a negative potential is preferably biased on the compound semiconductor S.例文帳に追加

次いで、加工室１１内に不活性ガスを導入して非反応性雰囲気にし、好ましくは化合物半導体Ｓに負電位をバイアスした状態で、シンクロトロン光装置１５よりシンクロトロン光を照射し、化合物半導体Ｓの所定の箇所をエッチングする。 - 特許庁

When sputtering a target 17 whose main component is composite oxide dielectrics, a substrate S is arranged with its surface facing the target 17, and an electrode face 15a of an opposing electrode 15 connected to a ground potential and located around the surface S is made to go up and down along a normal direction of the substrate S.例文帳に追加

複合酸化物誘電体を主成分とするターゲット１７をスパッタするとき、基板Ｓの表面をターゲット１７に向けて配置し、接地電位に接続されて基板Ｓの周囲に位置する対向電極１５の電極面１５ａを基板Ｓの法線方向に沿って昇降させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an NMOS transistor 1 having a gate (G) connected with a high potential side terminal VDD, and a PMOS transistor 2 having a gate (G) connected with a low potential side terminal GND wherein the source or drain (S/D) of the NMOS transistor 1 is connected electrically with the source or drain (S/D) of the PMOS transistor 2.例文帳に追加

高電位側の端子ＶＤＤにゲート（Ｇ）を接続したＮＭＯＳトランジスタ１と、低電位側の端子ＧＮＤにゲート（Ｇ）を接続したＰＭＯＳトランジスタ２とを有し、ＮＭＯＳトランジスタ１のソースまたはドレイン（Ｓ／Ｄ）と、ＰＭＯＳトランジスタ２のソースまたはドレイン（Ｓ／Ｄ）とを電気的に接続する。 - 特許庁

Then, for the wall charge forming period 24, a common electrode C and a data electrode D are kept at the ground potential, and a wall charge forming pulse Vwm of the same potential as the scanning pulse Vw is applied to all the scanning electrodes S.例文帳に追加

そして、壁電荷形成期間２４において、共通電極Ｃ及びデータ電極Ｄの電位を接地電位とし、全ての走査電極Ｓに走査パルスＶｗと同電位の壁電荷形成パルスＶｗｍを印加する。 - 特許庁

The electrode material is obtained by conducting electrodeposition on an electrode surface with the use of an aqueous solution of a compound containing the metal as an electrolytic solution by a potential scanning electrodeposition technique with the potential scanning rate of 70 mV/s or higher.例文帳に追加

該電極材料は、上記金属を含有する化合物の水溶液を電解液とし、電位走査速度が７０ｍＶ／ｓ以上における電位走査電析法により電極表面に電析させることにより得られる。 - 特許庁

The holding capacitor Cs performs bootstrap operation so that the potential at the gate G follows up the potential of the source S to vary when the sampling transistor Tr1 turns off to disconnect the gate G of the driving transistor Trd from a signal line SL.例文帳に追加

保持容量Ｃｓは、サンプリングトランジスタＴｒ１がオフしてドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧが信号線ＳＬから切り離された時、ソースＳの電位に追従してゲートＧの電位が変動するようにブードストラップ動作を行う。 - 特許庁

In a priming elimination period 4, voltage Vpe1 is applied to a common electrode C, and the potential of a scanning electrode S is discontinuously reduced to a positive potential lower than the voltage Vpe1, and thereafter the voltage Vpe1 is continuously reduced down to a voltage Vpe2.例文帳に追加

プライミング消去期間４において、共通電極Ｃに電圧Ｖｐｅ１を印加し、走査電極Ｓの電位を不連続的に電圧Ｖｐｅ１よりも低い正電位に下げた後、電圧Ｖｐｅ２まで連続的に下げる。 - 特許庁

The switching transistor T3 turns on before sampling the image signals Vsig and sets the control terminal G of the drive transistor to a fixed potential Vofs and its current terminal S to the ground potential Vss.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴ３は、映像信号Ｖｓｉｇのサンプリングに先立ってオンし駆動用トランジスタの制御端Ｇを固定電位Ｖｏｆｓにセットするとともに、駆動用トランジスタＴ２の電流端Ｓを接地電位Ｖｓｓにセットする。 - 特許庁

To obtain a scanning Kelvin probe microscope in which a frequency component not required to detect potential information on the surface of a sample to be measured is suppressed and in which the S/N ratio of the potential information on the surface of the sample is enhanced.例文帳に追加

走査型ケルビンプローブ顕微鏡において、試料表面の電位情報を検出する場合に不要となる周波数成分を抑圧し、測定される試料表面の電位情報のＳ／Ｎを向上させることを目的とする。 - 特許庁

In the transceiver 1, a reference electrode S- for reception is disposed separately from a transmission and reception common electrode S+, thus relatively increasing the potential difference between the electrodes, namely the level of the signal to be received (reception signal).例文帳に追加

トランシーバ１では、受信用基準電極Ｓ−は、送受信共通電極Ｓ＋に離間して配置されているので、当該電極間の電位差つまり受信される信号（受信信号）を比較的大きくすることができる。 - 特許庁

A layer 10 of conductive material is at least locally coated on a support surface S, where a substrate holder 2 supports a substrate W so that the substrate W is at the same electric potential as that of the support surface S, preventing the occurrence of coulomb attraction caused by frictional electrification.例文帳に追加

基板ホルダ２が基板Ｗを支持するための支持面Ｓに、少なくとも部分的に、導電性材料の層１０を被着して基板Ｗと支持面Ｓを同電位にし、摩擦帯電によるクーロン引力の発生を防ぐ。 - 特許庁

A scanner for control 104 makes a sampling transistor Trs conductive in a time band, when a signal line DTL1 is on a reference potential and applies the reference potential on a gate g of a driving transistor Trd, and sets low potential to a source s of the drive transistor Trd from a supply line DSL1.例文帳に追加

制御用スキャナ１０４は、信号線ＤＴＬ１が基準電位にある時間帯でサンプリング用トランジスタＴｒｓを導通させ、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートｇに基準電位を印加するとともに、給電線ＤＳＬ１から低電位を駆動用トランジスタＴｒｄのソースｓにセットする。 - 特許庁

Even when the evaluating period starts from a state where the set input terminal S is in a VDD-potential state and the reset input terminal R of the latch 2 is in a VSS-potential state, the charging is also started similarly not after the charging period starts, but in the evaluating period.例文帳に追加

セット入力端子ＳがＶＤＤ電位、リセット入力端子ＲがＶＳＳ電位の状態から充電期間に移行した場合も同様に充電期間に入ってからではなく評価期間内において充電を開始する。 - 特許庁

However, in a case of continuity of OFF-state of switching element S*n on the low potential side during a prescribed period, switching elements Sun, Svn and Swn are forcibly brought into an ON-state.例文帳に追加

ただし、低電位側のスイッチング素子Ｓ＊ｎのオフ状態が所定期間継続すると、強制的にスイッチング素子Ｓｕｎ、Ｓｖｎ，Ｓｗｎをオン状態とする。 - 特許庁

A switching transistor Tr3 is turned on in response to a control signal AZ1 supplied from a scanning line AZ1 and sets the source S of the driving transistor to a potential Vini.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴｒ３は、走査線ＡＺ１から供給される制御信号ＡＺ１に応じオンして駆動トランジスタのソースＳを電位Ｖｉｎｉに設定する。 - 特許庁

It is preferable that this surface potential attenuation time is longer than 0.08 seconds and the common logarithm log ρ s (Ω/sq.) of its surface resistivity is 7-15.例文帳に追加

好適には、表面電位の減衰時間が０．０８秒以上であり、ベルトの表面抵抗率の常用対数値ｌｏｇρｓ（Ω／□）が７〜１５である半導電性ポリイミドベルト。 - 特許庁