「s Potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On each switching period, the rectifier stage 1 and the inverter stage 2 are controlled in a synchronized manner so that a variation of potential applied to an input phase R, S, T always corresponds to a variation of potential of the same sign applied to an output phase U, V, W.例文帳に追加

各切替え期間に、整流器段１およびインバータ段２は、入力相Ｒ、Ｓ、Ｔに印加された電位の変化が、出力相Ｕ、Ｖ、Ｗに印加された同符号の電位の変化に常に対応するように、同期された方法で制御される。 - 特許庁

When the 1T1C system is implemented, for example, the transistors 111 and 114 are turned ON, and, while data is read from a bit line BL01, a reference potential from a reference potential generation circuit in the sense amplifier circuit S/Ai is provided to a bit line BL04.例文帳に追加

１ＴＩＣ方式が実行される場合は、例えばトランジスタ１１１と１１４がＯＮとされ、ビット線ＢＬ０１からデータが読み出される一方、ビット線ＢＬ０４にはセンスアンプ回路Ｓ／Ａｉ中の参照電位発生回路から参照電位が与えられる。 - 特許庁

A Pch transistor TP101 inserted between the set input terminal S and a high potential side power source and an Nch transistor TN101 inserted between a reset input terminal R and a low potential side power source are controlled by a set signal input terminal SETN.例文帳に追加

セット入力端子Ｓと高電位側電源との間に挿入したＰｃｈトランジスタＴＰ１０１とリセット入力端子Ｒと低電位側電源との間に挿入したＮｃｈトランジスタＴＮ１０１をセット信号入力端子ＳＥＴＮによって制御する。 - 特許庁

This device for measuring substrate potential which measures the potential of a treatment object substrate S held to a stage 3 in a treatment chamber in a state insulated from the earth includes: a conductive contact means 6 capable of contacting the treatment object substrate; and a measurement means 11 to measure potential between both ends of a resistor by grounding the contact means to the earth through the resistor 10.例文帳に追加

処理室内のステージ３に、アースに対して絶縁状態で保持された被処理基板Ｓの電位を測定する基板電位測定装置は、被処理基板に接触可能な導電性の接触手段６と、抵抗１０を介して接触手段をアース接地して抵抗間に発生する電位を測定する測定手段１１とを備える。 - 特許庁

A drive transistor Tr2 receives at the gate a forward bias having the positive polarity based upon the source S with the signal potential held by the hold capacitor C1 and is energized to a load element EL with a current Ids flowing between the source S and drain D according to the forward bias.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソースＳ／ドレインＤ間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁

When the lightning surge S intrudes from a power supply line Vccl, a phototransistor PT1 mounted to a positive surge detection circuit 510 is turned on, and potential at a common connecting point is brought into a low level.例文帳に追加

雷サージＳが電源ラインＶｃｃ１から侵入したときには、正サージ検出回路５１０に備えられたフォトトランジスタＰＴ１がオンして、共通接続点の電位がロウレベルとなる。 - 特許庁

- Positive result(s) from in vivo somatic cell mutagenicity tests in mammals in combination with some evidence that the substance has potential to induce mutations in germ cells.例文帳に追加

- 哺乳類におけるin vivo 体細胞変異原性試験による陽性結果に加えて、当該物質が生殖細胞に突然変異を誘発する可能性についての何らかの証拠。 - 経済産業省

In the diode operation, by impressing a voltage equal to or lower than a threshold voltage of a gate electrode G to the gate electrode G with the potential of a first ohmic electrode S as a reference, a current is applied from the first ohmic electrode S to a second ohmic electrode D, and the current from the second ohmic electrode D to the first ohmic electrode S is shut off.例文帳に追加

ダイオード動作は、ゲート電極Ｇの閾値電圧以下の電圧を第１のオーミック電極Ｓの電位を基準としてゲート電極Ｇに印加することにより第１のオーミック電極Ｓから第２のオーミック電極Ｄへの電流を通電し、第２のオーミック電極Ｄから第１のオーミック電極Ｓへの電流を遮断する動作である。 - 特許庁

To prevent a switching element S*p on a high potential side from being brought into an inappropriate driven state due to a drop in voltage of a capacitor C*(*=u,v,w) which is a power source of a drive unit DU on the high potential side when a prediction model control is employed in a system using a bootstrap circuit.例文帳に追加

ブートストラップ回路を用いたシステムにおいて、モデル予測制御を適用する場合、高電位側のドライブユニットＤＵの電源となるコンデンサＣ＊（＊＝ｕ，ｖ，ｗ）の電圧が低下することで、高電位側のスイッチング素子Ｓ＊ｐを適切に駆動することができなくなるおそれがあること。 - 特許庁

The control circuit 2 controls a bus S driving transistor M1s on the basis of bus potential detection and driving current detection of the bus interface 1 and controls a bus M driving transistor M1m on the basis of the result of bus potential detection and driving current detection of the bus interface 3.例文帳に追加

制御回路２は、バスインターフェース１のバス電位検出と駆動電流検出の結果に基づいてバスＳ駆動トランジスタＭ１ｓを制御し、バスインターフェース３のバス電位検出と駆動電流検出の結果に基づいてバスＭ駆動トランジスタＭ１ｍを制御する。 - 特許庁

The surface potential sensor S comprises: a sensor part for outputting the detection signal corresponding to electric field intensity between a detection electrode and a measurement object; and a CPU 110 for detecting the surface potential of the measurement object based on the level of the detection signal.例文帳に追加

表面電位センサＳは、検知電極と測定対象物との間に生じる電界の強度に応じた検出信号を出力するセンサ部と、センサ部から出力される検出信号のレベルに基づいて測定対象物の表面電位を検出するＣＰＵ１１０とを備えている。 - 特許庁

In an SRAM module S of two-bank structure, a power supply voltage switch control circuit 14_1, a reference potential switch control circuit 15_1 perform operation control of power supply voltage switch parts 14_2,14_3 and reference potential switch parts 15_2, 15_3, respectively.例文帳に追加

２バンク構成のＳＲＡＭモジュール８において、アドレスデコーダ／ラッチ回路１０から出力されたデコード信号に基づいて、電源電圧スイッチ制御回路１４_1 、基準電位スイッチ制御回路１５_1 が、電源電圧スイッチ部１４_2 ，１４_3 と基準電位スイッチ部１５_2 ，１５_3 とをそれぞれ動作制御する。 - 特許庁

A switching transistor Tr3 turns on according to a control signal AZ1 supplied from a scan line AZ1 prior to a sampling period to charge the source S of a drive transistor Trd to a potential Vini.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴｒ３は、サンプリング期間に先立ち走査線ＡＺ１から供給される制御信号ＡＺ１に応じオンして駆動トランジスタＴｒｄのソースＳを電位Ｖｉｎｉに充電する。 - 特許庁

Also, when the lightning surge S intrudes from a primary-side ground line GND1, a phototransistor PT2 mounted to a negative surge detection circuit 520 is turned on, and the potential at the common connecting point is brought into the low level.例文帳に追加

一方、雷サージＳが１次側グランドラインＧＮＤ１から侵入したときには、負サージ検出回路５２０に備えられたフォトトランジスタＰＴ２がオンして、共通接続点の電位がロウレベルとなる。 - 特許庁

When the collector C and emitter E have substantially the same potential, a continuity is made between the base B and sub- emitter S to develop a voltage drop across the resistor R, but no continuity is made between the collector C and the emitter E.例文帳に追加

コレクタＣとエミッタＥが実質的に同電位となったとき、ベースＢ−サブエミッタＳ間が導通して抵抗器Ｒに電圧降下が生じるが、コレクタＣ−エミッタＥ間は導通しない。 - 特許庁

In the detection period, the correcting means blocks the energization for sensing a potential difference between a source S and a gate G of the drive transistor Tr2 while a transient current Iref flows in the drive transistor Tr2.例文帳に追加

検出期間で、補正手段は該通電を遮断しドライブトランジスタＴｒ２に過渡電流Ｉｒｅｆが流れている間に、ドライブトランジスタＴｒ２のソースＳとゲートＧ間に現れる電位差を検出する。 - 特許庁

In the detection period, the correction means cuts off the electricity conduction and detects a potential difference across a source S and a gate G of the drive transistor Tr2 while a transient current Iref flows therethrough.例文帳に追加

検出期間で、補正手段は該通電を遮断しドライブトランジスタＴｒ２に過渡電流Ｉｒｅｆが流れている間に、ドライブトランジスタＴｒ２のソースＳとゲートＧ間に現れる電位差を検出する。 - 特許庁

Therefore, a surface potential of a charged object W can be measured even under such a use condition that the sensor body S can not approach the charged object W due to an interfering matter surrounding it.例文帳に追加

従って、周囲に干渉物があってセンサ本体Ｓを帯電物Ｗに近づけることが不可能な使用状況下であっても、帯電物Ｗの表面電位を計測することが可能となる。 - 特許庁

Disclosed is a corrosion resistant film Fe_3O_4 (magnetite) formed on the surface of steel, and having a structure where a metallic component(s) having a corrosion potential lower than that of iron is precipitated therein.例文帳に追加

鋼表面に形成された耐食性被膜Ｆｅ_3Ｏ_4（四三酸化鉄）を含む耐食性被膜であって、該耐食性皮膜中に鉄よりも腐食電位の低い金属成分を共析した構造とする。 - 特許庁

Likewise a second switching transistor Tr3 is conducted according to a control signal AZn-1 supplied from a scanner 7 and sets a source S of the drive transistor Trd at a second reference potential Vss2.例文帳に追加

同じく第２スイッチングトランジスタＴｒ３は、スキャナ７から供給される制御信号ＡＺｎ−１に応じ導通してドライブトランジスタＴｒｄのソースＳを第２基準電位Ｖｓｓ２に設定する。 - 特許庁

As a transistor Tr312 which is supplied at its gate with the output signal/02 having the Low-level flotation like this and also supplied at its drain with a potential raised almost to twice as high as a high-potential power source VDD through the bootstrap effect, a TFT having a body structure is employed and its body B is connected to the source S.例文帳に追加

このようなＬｏｗレベル浮きが生じている出力信号／０２がゲートに供給され、かつ、ブートストラップ効果によって高電位電源ＶＤＤの２倍程度にまで高められた電位がドレインに供給されるトランジスタＴｒ３１２を、ボディ構造を有するＴＦＴとし、そのボディＢをソースＳに接続する。 - 特許庁

A reverse bias applying means 9 is composed of a switching transistor Tr4 for writing a negative potential Vmb to the capacitance C1, applies the negative potential Vmb as the reverse bias, that is a negative polarity with reference to the source S, and performs downward adjustment of an upward change of the threshold voltage generated by applying the forward bias.例文帳に追加

逆バイアス印加手段９は、容量Ｃ１に負電位Ｖｍｂを書き込むスイッチングトランジスタＴｒ４からなり、ドライブトランジスタＴｒ２のゲートＧに、ソースＳ基準で負極性となる逆バイアスとして負電位Ｖｍｂを印加し、順バイアスの印加によって生じた閾電圧の上方変動を下方修正する。 - 特許庁

The pixel circuit 2 has a transistor Tr5 for compensation, operates in a compensation period set prior to a sampling period, energizes a capacity part Cs2, shields energization after resetting potential held by the capacity part Cs2 and detects potential difference which appears between a source S and a gate G of the drive transistor Tr2.例文帳に追加

画素回路２は補正用トランジスタＴｒ５を備えており、サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、容量部Ｃｓ２に通電して容量部Ｃｓ２が保持していた電位をリセットした後通電を遮断しドライブトランジスタＴｒ２のソースＳとゲートＧ間に現れる電位差を検出する。 - 特許庁

The pixel circuit 2 has a transistor Tr5 for compensation, operates in a compensation period set prior to a sampling period, energizes capacity parts Cs1, Cs2, shields energization after resetting potential held by the capacity parts and detects potential difference which appears between a source S and a gate G of the drive transistor Tr2.例文帳に追加

画素回路２は補正用トランジスタＴｒ５を備えており、サンプリング期間に先行して設定された補正期間に動作し、容量部Ｃｓ１，Ｃｓ２に通電して容量部が保持していた電位をリセットした後通電を遮断しドライブトランジスタＴｒ２のソースＳとゲートＧ間に現れる電位差を検出する。 - 特許庁

A potential P/S between a pipe and the earth is measured by connecting a wire W3 of which the top end is connected to a connecting section 1B, via a DC voltmeter 4A to a reference electrode (a saturated copper sulfate electrode) 6.例文帳に追加

管対地電位Ｐ／Ｓは接続部１Ｂに先端が接続された電線Ｗ3を照合電極（飽和硫酸銅電極）６に直流電圧計４Ａを介して接続することによって計測される。 - 特許庁

This electronic circuit module is designed for the generation of an essentially constant potential (U_bias, U_bias-U_BE) at the control input (S), which preferably is designed as a current-controlled, low resistance control input.例文帳に追加

この電子回路モジュールは、好ましくは電流制御型の低抵抗制御入力として設計される制御入力（Ｓ）にてほぼ一定の電位（Ｕ_ｂｉａｓ，Ｕ_ｂｉａｓ−Ｕ_ＢＥ）を発生させるように設計される。 - 特許庁

At least, tB [s] after the part of the image carrier whose surface potential is changed passes an electrifying part and passes the center of a developing part, voltage by which the particles are recovered to a developing unit is applied to the developing unit.例文帳に追加

少なくとも、像担持体の表面電位が変化した部位が、帯電部を通過し、現像部中央を通過してからｔ_B［ｓ］後に、粒子を現像器に回収する電圧が現像器に印加されていること。 - 特許庁

In the case of transferring the toner image from the latent image carrier 1 to the final transfer medium S, the toner image is transferred while eliminating the surface potential of the latent image carrier 1 at a transfer nip part NP by a destaticizing light source 8.例文帳に追加

また、潜像坦持体１から最終転写媒体Ｓにトナー画像を転写する際に、転写ニップ部ＮＰにおける潜像坦持体１の表面電位を除電光源８で除電しつつ転写することとした。 - 特許庁

To provide an electric potential measuring device that can reduce parasitic capacity without almost or so reducing generation amount of electric capacity between a detected object and a detection electrode and can relatively increase the S/N ratio.例文帳に追加

被検知物と検知電極間の電気容量の発生量を殆どないしあまり低下させることなく、寄生容量を低下させることが可能であり、Ｓ／Ｎ比を比較的高くできる電位測定装置を提供することである。 - 特許庁

A transfer pulse ϕTG is input to the gate of a transfer transistor 302 in order to capture the potential ϕVn 313 of the vertical signal line 312 by a poststage S/H-CDS circuit at t3 and to transfer photoelectrons of a photodiode to the FD 306.例文帳に追加

次に、ｔ３で垂直信号線３１２の電位φVn３１３を後段のＳ／Ｈ・ＣＤＳ回路で取り込み、フォトダイオードの光電子をＦＤ３０６に転送するために、転送パルスφTGを転送トランジスタ３０２のゲートに入力する。 - 特許庁

A voltage adding section 34 adds the voltage according to the capacitance of capacitors C21 and C22 to the gate threshold voltage Vth in response to an S(N+1) signal supplied to the (N+1) terminal, thus creating a gate potential for turning the transistor T14 on.例文帳に追加

電圧加算部３４は、（Ｎ＋１）端子に供給されたＳ(N+1)信号によってコンデンサＣ２１，Ｃ２２の容量に応じた電圧をゲート閾値電圧Ｖthに加算してトランジスタＴ１４がオンするためのゲート電位を生成する。 - 特許庁

Support will be provided for exploratory research and feasibility studies of SME technologies and technological “seeds,” and potential applications for them in technology development to meet needs of central government, etc. 例文帳に追加

中小企業者が、自社の有する技術及び技術シーズを用いて国等における技術開発課題が解決可能であるかやその事業性に関して探索研究・実証実験（F／S：フィージビリティ・スタディ）を行うことを支援する。 - 経済産業省

As a preparation to correct the influence of a threshold voltage Vth of a drive transistor Trd, a first switching transistor Tr2 is conducted according to a control signal supplied from the scanner section to set the gate G of a drive transistor Trd at a first reference potential Vss1 and a second switching transistor Tr3 likewise sets the source S at a second reference potential vss2.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧Ｖｔｈの影響を補正する準備として、第１スイッチングトランジスタＴｒ２は、スキャナ部から供給される制御信号に応じ導通してドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧを第１基準電位Ｖｓｓ１に設定し、第２スイッチングトランジスタＴｒ３は、同じくソースＳを第２基準電位ｖｓｓ２に設定する。 - 特許庁

In respective two connectors to which respective end parts of flexible flat cables 15 are connected, respective terminals corresponding to the ground lines G are grounded, to the terminals corresponding to signal lines S which are pinched between two ground lines, a high speed signal line is allocated, and to terminals corresponding to other signal lines S, a ground electronic potential VSS is allocated.例文帳に追加

フレキシブルフラットケーブル１５の端部がそれぞれ接続される２つのコネクタの各々においては、グランド線Ｇに対応する各端子は接地され、２つのグランド線Ｇ間に挟まれた信号線Ｓに対応する端子には高速信号が割り当てられ、他の信号線Ｓに対応する端子にはグランド電位ＶＳＳが割り当てられる。 - 特許庁

During an addressing period 2-f, the whole maintaining electrode C is held at the GND (ground) level and the auxiliary electrode A2n above of each scanning electrode S is held at an intermediate bias potential between the scanning voltage Vw and reference voltage GND.例文帳に追加

アドレス期間２−ｆでは、維持電極Ｃ全体をＧＮＤレベルに保持し、各走査電極Ｓの上側に配置されている補助電極Ａ２ｎを走査電圧Ｖｗと基準電圧ＧＮＤとの中間であるバイアス電位に保持する。 - 特許庁

The semiconductor element is provided in which drain current indicates steep fluctuation (an S value is less than 60 mV/order) with respect to gate potential fluctuation though in low voltage by combining a MOSFET with a tunnel bipolar transistor having tunnel junctions.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、トンネル接合を有するトンネルバイポーラトランジスタを組み合わせることにより、低電圧であっても、ゲート電位変化に対してドレイン電流が急峻な変化（Ｓ値が６０ｍＶ／桁よりも小さい）を示す半導体素子を構成する。 - 特許庁

A potential difference is restrained from being produced between the well thermal B and the source terminal S, by which the switching characteristics of the transistors T1 and T2 are restrained from being affected adversely, and the switching characteristics of a differential amplifier are also restrained from being affected adversely.例文帳に追加

ウエル端子（Ｂ）とソース端子（Ｓ）との間に電位差が生じるのを阻止することによって、トランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）の切換特性が不利な影響を受けることがなく、それにより差動増幅器の切換状態も不利な影響を受けることがない。 - 特許庁

To provide an amplifying type solid-state image pick-up apparatus which can prevent the potential variation of a reset drain wiring from affecting as a noise the adjacent selection pixel portion connected to a different reset drain wiring therefrom, thereby improving its S/N ratio.例文帳に追加

リセットドレイン配線の電位変動が、異なるリセットドレイン配線につながる隣接する選択画素部へノイズとして影響するのを低減することができ、これによりＳ／Ｎ比の向上を図ることができる増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

When reference potential c is assumed to be zero during computing action, the ferroelectric capacitor Cs will not undergo polarization inversion even if second computed data x=1 are imparted to the ferroelectric capacitor Cs in the residual polarized state s (first computed data) =0.例文帳に追加

演算動作において基準電位ｃ＝０とした場合、残留分極状態ｓ（第１の被演算データ）＝０の強誘電体コンデンサＣｓに第２の被演算データｘ＝１を付与しても強誘電体コンデンサＣｓは分極反転を起こさない。 - 特許庁

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

An auxiliary transistor T4 turns off before the switching transistor T3 turns on, and cuts off the current terminal S of the drive transistor T2 from the switching transistor T3 to stop the through-current from the power supply Vcc to the fixed potential Vss.例文帳に追加

補助トランジスタＴ４は、スイッチングトランジスタＴ３がオンする前にオフし、駆動用トランジスタＴ２の電流端ＳをスイッチングトランジスタＴ３から切り離して、電源Ｖｃｃから固定電位Ｖｓｓに向かって貫通電流が流れないようにする。 - 特許庁

In addition, JICA will support SMEs’ development of projects contributing to the solution of problems facing the poor in developing regions by assisting with feasibility studies of inclusive business projects and examining the potential for development of such projects into ODA projects. 例文帳に追加

また、国際協力機構においては、BOP ビジネス事業可能性調査（F／S 調査）への支援を通じ、中小企業の開発途上地域の貧困層の問題解決に資する事業の計画立案を支援し、ODA 事業への展開を検討する。 - 経済産業省

This radiation detector is equipped with a conductor 5, that is interposed between the detection element 2 and the cooling device 4 and kept at a grounding potential, and the conductor 5 functions as a noise shield that absorbs noises, so that the detection element 2 is improved drastically in S/N ratio.例文帳に追加

この放射線検出器においては、検出素子２と冷却素子４との間に接地電位の導電体５が配置されているので、この導電体５がノイズを吸収するノイズシールドとして機能し、著しく信号雑音比が向上する。 - 特許庁

A first wiring BLCRL is extended along a direction which intersects the plurality of the first bit lines SABL to transmit a control potential applied to a second bit line(s) not selected among a plurality of the second bit lines BL connected to a plurality of memory cells formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１配線BLCRLは、複数の第１ビット線と交わる方向に沿って延び、半導体基板上に形成された複数のメモリセルと接続された複数の第２ビット線BLのうちの非選択の第２ビット線に印加される制御電位を伝送する。 - 特許庁

In a drive transistor Tr2, a gate G receives forward bias that is a positive polarity, with reference to the source S by a signal potential held in the holding capacitance C1, and current Ids, flowing between the source and the drain according to the forward bias, is caused to flow to a load device EL.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソース／ドレイン間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁