「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(391ページ目) - Weblio英語例文検索

The intermediate layer comprises a melt-processible thermoplastic solution which is solidified containing the first melt-processible thermoplastic resin and the second thermoplastic resin, wherein in this solution the first thermoplastic resin and the second thermoplastic resin exist as individually identifiable components dispersed relative to one another in an essentially non-homogenous manner.例文帳に追加

中間層は、第１の溶融加工可能な熱可塑性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂とを含み、固化される溶融加工可能な熱可塑性溶液でできており、この溶液中で、第１の熱可塑性樹脂と第２の熱可塑性樹脂とは、基本的に非均質な状態で互いに対して分散された個別的に識別できる形で存在している。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer, a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film, and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

A phosphor conversion light emitting device includes a light emitting layer disposed between n-type region and a p-type region, so as to emit light having a first peak wavelength; a first phosphor constituted so as to emit light having a second peak wavelength; a second phosphor constituted so as to emit light having a third peak wavelength.例文帳に追加

蛍光体変換発光デバイスが、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置され第１のピーク波長を有する光を発するように構成された発光層と、第２のピーク波長を有する光を発するように構成された第１の蛍光体と、第３のピーク波長を有する光を発するように構成された第２の蛍光体と、を具備する。 - 特許庁

An array base plate 100 includes an organic EL element 40 formed by a first electrode 60 formed like an independent island in each pixel arranged in a matrix, a second electrode 66 disposed opposite to the first electrode 60 and formed in common to all pixels, and a light emitting layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66.例文帳に追加

アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された発光層６４と、によって構成された有機ＥＬ素子４０を備えている。 - 特許庁

The piezoelectric element 1 includes a plurality of piezoelectric layers 11 laminated in a thickness direction, an element body 10 including a plurality of first and second counter electrodes 12a, 12b alternately disposed to face each other via the piezoelectric layer 11 in the thickness direction, and first and second external electrodes 13a, 13b.例文帳に追加

圧電素子１は、厚み方向に積層されている複数の圧電体層１１と、厚み方向において、圧電体層１１を介して互いに対向するように交互に配置されている複数の第１及び第２の対向電極１２ａ、１２ｂとを有する素子本体１０と、第１及び第２の外部電極１３ａ、１３ｂとを備える。 - 特許庁

The liquid crystal alignment processing method further includes a process of performing rubbing treatment on the alignment layer 7 by using the rubbing roller 5, wherein the rubbing cloth 3 is provided with first piles 2 formed on a region near the seam 4 and second piles 1 formed on a region except the first piles 2 and the first piles 2 have smaller alignment control power than the second piles 1.例文帳に追加

ラビングローラ５を用いて配向膜７にラビング処理を施す工程をさらに備えており、ラビング布３は、継ぎ目４に近い領域に形成された第１のパイル２と、第１のパイル２を除く領域に形成された第２のパイル１とを備え、第１のパイル２は第２のパイル１よりも小さい配向規制力を有する。 - 特許庁

In the solid-state image sensing element having the selective transistor 206 adjacent to an amplifying transistor 205, an interlayer insulating layer 7 is provided between a first well region 2a of the amplifying transistor 205 and a second well region 2b of the selective transistor 206, and an impurity concentration of the second well region 2b is higher than that of the first well region 2a.例文帳に追加

増幅トランジスタ２０５と隣接した選択トランジスタ２０６を有する固体撮像素子において、増幅トランジスタ２０５の第１ウェル領域２ａと選択トランジスタ２０６の第２ウェル領域２ｂとの間には層間絶縁層７が設けられ、第１ウェル領域２ａの不純物濃度よりも第２ウィル領域２ｂの不純物濃度が高い。 - 特許庁

In the separator for an electrochemical element made of a three-layered porous sheet, the content of a fibrillated thermal resistance fiber of a second layer is larger than that of each of first and third layers, cellulose is contained in any one of the first and second layers, and the content of cellulose is 5-65 mass% in the entire porous sheet.例文帳に追加

３層である多孔質シートからなる電気化学素子用セパレータであって、第２層のフィブリル化耐熱性繊維の含有量が、第１層と第３層よりも多く、且つ、少なくとも第１層と第２層の何れか一方の層にセルロースを含有し、セルロースの含有率が多孔質シート全体に対して５〜６５質量％である電気化学素子用セパレータ。 - 特許庁

This semiconductor device includes a semiconductor layer having the superlattice structure in which a different kind of a first and a second material layers are alternately laminated for multiple layers, in which many holes are formed in each of first and second material layers which form the superlattice structure and is filled up with a material of other material layers adjacent to respective holes in the material layers.例文帳に追加

異種の第１及び第２物質層が交互的に多重積層されている超格子構造の半導体層を含み、超格子構造を形成する前記第１物質層と第２物質層それぞれに多数のホールが形成され、当該物質層の各ホールに隣接した他の物質層の物質が充填されている半導体素子である。 - 特許庁

The delivery slip 10 comprises a first sheet 11 in which printings P1 are applied on the both sides of a first sheet substrate 11A, and a second sheet 12 provided as a sheet different from the first sheet 11, in which an adhesive layer 12B is provided on one side of a second sheet substrate 12A, and a printing P2 is applied on the other side of that.例文帳に追加

第１のシート基材１１Ａの両面に印字Ｐ１が施される第１のシート１１と、当該第１のシート１１とは別体に設けられるとともに、第２のシート基材１２Ａの一方の面に接着剤層１２Ｂが設けられ他方の面に印字Ｐ２が施される第２のシート１２とにより配送伝票１０が構成されている。 - 特許庁

A partition layer 15, positioned adjacent to the first guide element 13, that allows displacement of the magnetic coil 3 relative to the base member 2 before the second guide element 14 engage the first guide element 13, and fixes the second guide element 14 to the first guide element 13 when the base member 2 and the magnetic coil 3 are pushed toward each other.例文帳に追加

第１の案内要素１３に隣接して配置された区画層１５は、第２の案内要素１４が第１の案内要素１３と係合する前に、基部材２に対して磁気コイル３が移動できるようにし、基部材２と磁気コイル３とが互いに向って押されたとき、第２の案内要素１４を第１の案内要素１３に固定する。 - 特許庁

A first and a second protection layers 2, 3, consisting of a fiber reinforced plastic having a matrix obtained by solidifying a liquid resin material at room temperature by a curing agent, and a shield layer 4 obtained by impregnating the matrix of the fiber reinforced plastic into a net constituted of a conductive material and formed between the first and the second protection layers 2, 3, are provided.例文帳に追加

常温で液体の樹脂材料を硬化剤で固化した母材を有する繊維強化プラスチックからなる第１及び第２の保護層２，３と、前記第１及び第２の保護層２，３の間に形成された、導電性材料で構成されるネットに前記繊維強化プラスチックの母材を含浸させたシールド層４とを有するものとする。 - 特許庁

Impurity concentration in an n-type region 121 located just under a separation region IMS1 held between a first end E1 of the first base region 112 and a second end E2 of the second base region 113 is made higher than that in an n-type layer 111 located just under the same region 121, in a first principal surface MS1 of one chip.例文帳に追加

１チップの第１主表面ＭＳ１の内で、第１ベース領域１１２の第１端部Ｅ１と第２ベース領域１１３の第２端部Ｅ２とで挟まれた分離領域ＩＭＳ１直下に位置するＮ型領域１２１の不純物濃度は、同領域１２１直下のＮ型層１１１のそれよりも高く設定されている。 - 特許庁

The relay connecting member 6 has a first connecting member 8, provided with adjacent first wiring structures 11, 12 which are electrically connected to the probe 3 and are formed on different layers and a second connecting member 9 provided with second wiring structures 16, which are electrically connected to a wiring structure 7 provided in the inspection circuit 5 and are formed on the same layer.例文帳に追加

中継接続部材６は、プローブ３と電気的に接続し、隣接するもの同士が異なる層上に形成された第１配線構造１１、１２を備えた第１接続部材８と、検査回路５に備わる配線構造７と電気的に接続され、同一層上に形成された第２配線構造１６を備えた第２接続部材９とを有する。 - 特許庁

On the prism 5, a second condenser 7 for condensing the light (he) with which the side of the surface of the substrate 1 is irradiated is provided and between the condenser 7 and the prism 5, an intra-layer lens 6 for making light he condensed by the second condenser 7 into a parallel light (hb) to enter the prism 5 is provided.例文帳に追加

分光プリズム５上には、基板１の表面側に照射された受光光ｈｅを集光するための第２集光レンズ７を設け、第２集光レンズ７と分光プリズム５との間に第２集光レンズ７で集光させた光ｈｃを平行光ｈｂにして分光プリズム５に入射させるための層内レンズ６を設けた。 - 特許庁

The member for removing foreign matters adhering to the probe tip is constituted of a base plate 3, a first elastic member 4a formed on the base plate 3, a second elastic member 4b formed on the first elastic member 4a, and an abrasive layer 5 formed on the second elastic member 4b and is constituted of hard particles 5a and a binding material 5b.例文帳に追加

プローブ先端付着異物の除去部材を、ベース板３と、ベース板３上に形成された第１の弾性部材４ａと、第１の弾性部材４ａ上に形成された第２の弾性部材４ｂと、第２の弾性部材４ｂ上に形成され硬質粒子５ａとバインダ材料５ｂで構成された研磨層５と、で構成する。 - 特許庁

A thickened layer 40 is provided on a first electrode 24 as well as a second electrode 26 which decreases static capacity on both the first and the second electrodes 24, 26, so that a ratio of a potential difference V_1 on the first electrode 24b gets larger, and that V_3 on a common electrode 28c gets smaller in a light-on emission zone 20a.例文帳に追加

第１電極２４，第２電極２６の上に増厚層４０が設けられていることから、それら第１電極２４，第２電極２６上の静電容量が減少させられているので、点灯発光区画２０ａにおいては、第１電極２４ｂ上の電位差Ｖ_1の割合が大きくなり、共通電極２６ｃ上の電位差Ｖ_3の割合が小さくなる。 - 特許庁

First electrode plate of a memory cell is disposed on the circumferential edge at the lower surface part of an insular semiconductor structure in a substrate, a second electrode plate is disposed in the surface at the lower surface part of the insular semiconductor structure and in the surface of the substrate on the outside of the insular semiconductor structure, and a capacitor dielectric layer 112 is interposed between the second electrode plate and the first electrode plate.例文帳に追加

メモリセルの第一電極板は基板の島状半導体構造下面部分の周縁に設置され、第二電極板は島状半導体構造下面部分の表面内と島状半導体構造外側の基板表面内とに設置され、キャパシタ誘電層１１２は第二電極板と第一電極板との間に設置されている。 - 特許庁

A first and a second polarizers 14a and 14b which construct a pair of polarizers whose axes of polarization are mutually rotated are provided respectively on upper and lower part of a device consisting of the second dielectric material multi-layered film 13b/the transparent non-magnetic single crystal substrate 11/the single crystal transparent magnetic material layer 12/the first dielectric material multi-layered film 13a.例文帳に追加

この第２の誘電体多層膜１３ｂ／透明非磁性単結晶基板１１／単結晶透明磁性体層１２／第１の誘電体多層膜１３ａからなるデバイスの上下には、偏光軸を相互に回転させた１対の偏光子をなす第１及び第２の偏光子１４ａ、１４ｂが対向して設けられている。 - 特許庁

The trench gate type semiconductor device is characterized in that adjacent first and second regions are formed between adjacent insulating gates and a third semiconductor layer in the second region is electrically connected to a first main electrode via an insulating body with a high electric capacity.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明のトレンチゲート型半導体装置は、隣り合う絶縁ゲートの間に形成された領域であって、互いに隣接する第１領域及び第２領域の前記第２領域における第３半導体層が、大きな電気的容量を持つ絶縁体を介して第１主電極に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁

In the multiple exposure method for at least one substrate covered with a photosensitive layer, first exposure is performed in a first projection system (17) according to an exposure parameter of a first group, and second exposure is performed in a second projection system (18) spatially separated from the first projection system (17).例文帳に追加

感光層により被覆される少なくとも１個の基板の多重露光方法において、第１の露光は、第１組の露光パラメータにしたがって第１の投影系（１７）において行なわれ、第２の露光は、第２組の露光パラメータを用いて、前記第１の投影系（１７）から空間的に分離される第２の投影系（１８）において行なわれる。 - 特許庁

The printed wiring board includes the first and second signal pads for differential signals, at least one ground pad arranged close to them, and the via arranged an approximately equal distance from each of the first and second signal pads for connecting a ground pattern portion on a layer adjacent thereto directly to the ground pad, or through a drawn wire.例文帳に追加

プリント配線基板は、差動信号用の第１、第２の信号用パッドと、その近傍に配置された少なくとも１個のグラウンド用パッドと、前記第１、第２の信号用パッド夫々から略等距離に配置されて隣接層のグラウンドパターン部を前記グラウンド用パッドに対して直接に或いは引き出し線を介して接続するビアとを備える。 - 特許庁

The first capacitor, comprising the first electrode part 103a and the third electrode part 106a and the second capacitor that comprises the second electrode part 103b and the fourth electrode part 106b are connected in series by electrical connections formed by including the third electrode part 106a and the fourth electrode part 106b in the conductive layer 106.例文帳に追加

第３の電極部１０６ａ及び第４の電極部１０６ｂが導電層１０６に含まれることによる電気的接続によって、第１の電極部１０３ａ及び第３の電極部１０６ａからなる第１のキャパシタと、第２の電極部１０３ｂ及び第４の電極部１０６ｂからなる第２のキャパシタとは直列に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

In the multi-layer release film arranged between a sheet and a circuit board when the board is heated/pressed, the first release film, the second release film, the third release film, and the fourth release film are laminated in this order, and the Rockwell's hardness of the second release film is 70-88.例文帳に追加

回路基板を加熱、加圧成形する際に、板状体と回路基板との間に配置される離型多層フィルムであって、第１の離型フィルムと、第２の離型フィルムと、第３の離型フィルムと、第４の離型フィルムとがこの順に積層されてなり、かつ前記第２の離型フィルムのロックウェル硬度が７０〜８８であることを特徴とする離型多層フィルムである。 - 特許庁

The liquid crystal lens includes a liquid crystal layer 3, that contains liquid crystal molecules having refractive index anisotropy, is disposed between the first and second electrodes 11Y and 21, and forms a phase difference distribution in a predetermined direction relative to incident rays of light, as a result of a changing the arrangement of the liquid crystal molecules, according to voltages applied by the first and second electrodes 11Y and 21.例文帳に追加

屈折率異方性のある液晶分子を含み、第１の電極１１Ｙと第２の電極２１との間に配置され、第１の電極１１Ｙと第２の電極２１とによって印加される電圧に応じて液晶分子の配列が変化することで入射光線に対して所定方向に位相差分布が形成される液晶層３を備える。 - 特許庁

A liquid crystal display element has a first liquid crystal layer formed in contact with the same electrode keeping a first liquid crystal for selecting and reflecting a first wavelength band, and a second liquid crystal for selecting and reflecting a second wavelength band different from the first wavelength band and allowing a threshold voltage required for drive to differ from the first liquid crystal arranged in a pixel unit.例文帳に追加

液晶表示素子は、第一波長帯域を選択反射する第一液晶と、第一波長帯域とは異なる第二波長帯域を選択反射し、駆動に要する閾値電圧が第一液晶とは異なる第二液晶とが、画素単位で配置される同一の電極に接して形成される第一液晶層を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display apparatus which has a display device including a first substrate having an electrode terminal at the outer edge and a second substrate placed opposite to the first substrate so that the electrode terminal is exposed, wherein a wiring connection part and also the end of the second substrate can be coated with a resin layer.例文帳に追加

外縁部に電極端子を有する第１の基板と、電極端子を露出させるように対向配置した第２の基板とからなる表示デバイスを有する表示装置の製造方法において、配線接続部および第２の基板の端部までを樹脂層で被覆することが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SOI 100 includes: a silicon substrate 101; a first insulating film 102 formed on the silicon substrate 101; a second insulating film 103 formed on the first insulating film 102; a third insulating film 104 formed on the second insulating film 103; and a silicon layer 106 formed on the third insulating film 104.例文帳に追加

シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２上に形成された第２絶縁膜１０３と、第２絶縁膜１０３上に形成された第３絶縁膜１０４と、第３絶縁膜１０４上に形成されたシリコン層１０６とからなるＳＯＩ基板１００の構成を有する。 - 特許庁

A side face electrode electrically connected to the second ohmic electrode is formed on an insulation film formed on an inner wall surface of the opening, and a first contact electrode electrically connected to the first ohmic electrode and a second contact electrode electrically connected to the side face electrode are formed on the insulation film formed on the contact layer.例文帳に追加

開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。 - 特許庁

The organic luminescent device includes: a first electrode, a light emitting member located on the first electrode and including at least two light emitting units displaying the same colors or colors different from each other, a second electrode located on the light emitting member, and a sealing filler layer located on the second electrode and including a light emitter displaying at least one color.例文帳に追加

有機発光装置は、第１電極と、前記第１電極上に位置し、同一または互いに異なる色を表示する少なくとも二つの発光ユニットを含む発光部材と、前記発光部材上に位置する第２電極と、前記第２電極上に位置し、少なくとも一つの色を表示する発光体を含む封止用充填層と、を含む。 - 特許庁

A first protrusion electrode 103 and a second protrusion electrode 104 at ends of the first spiral electrode 101 and the second spiral electrode 102 that are opposite to the connection electrode 105 have a shape extending in a direction perpendicular to the plane, have a length at which each of the protrusion electrodes protrudes from the first magnetic layer 11, and function as the end electrodes of the inductor 1.例文帳に追加

第１スパイラル電極１０１と第２スパイラル電極１０２の接続電極１０５側と反対の端部である第１突起電極１０３および第２突起電極１０４は、前記平面に垂直な方向へ延びる形状からなり、第１磁性体層１１からも突出する長さを有し、インダクタ１の両端電極として機能する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first semiconductor element and second semiconductor element whose back surfaces don't have each of the terminal surfaces and are bonded with an adhesive layer interposed between them; a terminal member provided on the same surface as the terminal surface of the second semiconductor element; and a conductive wire connecting the terminal member with the terminal surface of the first semiconductor element.例文帳に追加

半導体装置が、互いの端子面を有さない背面同士が接着剤層を介して接着された第1の半導体素子と第２の半導体素子と、第２の半導体素子の端子面と同一面に設けられた端子部材と、前記端子部材と前記第１の半導体素子の端子面とを接続する導電性ワイヤとを備える。 - 特許庁

A boundary 16 between a circuit protection region 14 of a second electronic component 12 and a terminal region 15 is located on a single layer region 23 of an anisotropic conductive film 20, and thermo-compression bonding is applied to the anisotropic conductive film 20 after temporarily installing the anisotropic conductive film 20 so as to make the terminal region 15 of the second electronic component 12 located on a two-layered region 24 of the anisotropic conductive film 20.例文帳に追加

異方性導電フィルム２０の単層領域２３上に第２の電子部品１２の回路保護領域１４と端子領域１５との境界１６が位置し、異方性導電フィルム２０の２層領域２４上に第２の電子部品１２の端子領域１５が位置するように異方性導電フィルム２０を仮設置して熱圧着する。 - 特許庁

The method for manufacturing the guide wire includes processes for preparing a first linear wire 2 made of a Ni-Ti alloy and a second linear wire 3 made of stainless steel, welding the first wire 2 and the second wire 3 to obtain a wire body 10 with a weld part 14, and forming a coating layer 5 for covering the weld part 14.例文帳に追加

ガイドワイヤの製造方法は、Ｎｉ−Ｔｉ系合金で構成された線状の第１ワイヤ２と、ステンレス鋼で構成された線状の第２のワイヤ３とを用意する工程と、第１ワイヤ２と第２ワイヤ３とを溶接し、溶接部１４を有するワイヤ本体１０を得る工程と、溶接部１４を覆う被覆層５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

There are provided a touch screen which includes: a first transparent electrode formed in a transparent substrate; a second transparent electrode formed in a transparent film; and a transparent adhesive layer positioned between the first transparent electrode and the second transparent electrode, and formed of a transparent adhesive containing conductive balls, and a method for continuously manufacturing the touch screen.例文帳に追加

透明基板に形成された第１透明電極、透明フィルムに形成された第２透明電極、および前記第１透明電極と第２透明電極との間に位置する、導電性ボールの含まれる透明接着剤で形成された透明接着層を含んでなるタッチスクリーン、およびその連続式製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on a insulating film on a semiconductor layer and a gate electrode; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

In the front type projector having a thin film transistor including a semiconductor layer having a channel forming region, a source region and a drain region and an island-shaped gate electrode, first wiring to which the gate electrode is connected and second wiring to which the source region or the drain region is connected are orthogonal to each other and the second wiring is disposed so as to be parallel to and superposed on the capacity wiring.例文帳に追加

チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。 - 特許庁

In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring.例文帳に追加

制御部は、抵抗変化層を、第１抵抗値を有する第１状態から、第１抵抗値よりも低い第２抵抗値を有する第２状態に変化させるセット動作において、第１配線にセット動作電圧を印加する際に、第１配線の電位の変化に基づいて第１配線に供給される電流の上限値を増やす。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

The sum of retardations of the first 1/4 wavelength plate, the second 1/4 wavelength plate, and the retardation layer disposed between the first and second 1/4 wavelength plates, in a thickness direction at a wavelength of 550 nm, is preferably between -140 nm and +140 nm or between 410 nm and 690 nm.例文帳に追加

前記第１の１／４波長板、前記第２の１／４波長板、および前記第１の１／４波長板と前記第２の１／４波長板との間に配置された前記位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションの合計は、−１４０ｎｍ〜＋１４０ｎｍ、または４１０ｎｍ〜６９０ｎｍの範囲内であることが好ましい。 - 特許庁

A first NSG film (first insulating film) 31 by a high density plasma CVD method and a second NSG film (second insulating film) 32 by a plasma CVD method are laminated on an uppermost wiring layer 20 functioning as a fuse to form a first protective film 30, and then the surface of the protective film 30 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズとして機能する最上層配線層２０上に、高密度プラズマＣＶＤ法による第一のＮＳＧ膜（第一の絶縁膜）３１と、プラズマＣＶＤ法による第二のＮＳＧ膜（第二の絶縁膜）３２を積層して第一の保護膜３０を形成した後、この第一の保護膜３０の表面をＣＭＰ法によって平坦にする。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 - 特許庁

The light-emitting device includes a first electrode injecting an electron hole, a second electrode for injecting an electron, facing against the first electrode and a semiconductor nanocrystal layer, located between the first electrode and the second electrode, that includes a semiconductor nanocrystal particles and a filling material for filling the void between the semiconductor nanocrystal particles.例文帳に追加

正孔を注入する第１電極と、前記第１電極に対向する、電子を注入する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、半導体ナノ結晶の粒子と、前記半導体ナノ結晶の粒子間の間隙を満たす充填物質とを含む半導体ナノ結晶層と、を含む発光素子である。 - 特許庁