「secondary electrons」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The number of secondary electrons is increased up to the electric charge which is fully read out from the whole surface of MCP by the second step and the third step of MCP.例文帳に追加

２段目及び３段目のＭＣＰにより、ＭＣＰ全面で十分に読み出し可能な電荷量まで二次電子数を増倍させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a device, which reduces adverse effects to resolution due to secondary electrons generated in a resist layer in radiation exposure.例文帳に追加

放射線露光において、レジスト層に生成した２次電子による解像度への悪影響を緩和するデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

The voltage contrast due to secondary electrons can be detected as a bright of dark image at the time of judgment of the electrical flaw.例文帳に追加

前記電気的欠陥判断時２次電子による電圧コントラストを明イメージ又は暗イメージとして遂行できる。 - 特許庁

This reduces generation of secondary electrons greatly, and thus, the gain of parasitic PNP bipolar device is reduced.例文帳に追加

これは２次電子の発生を著しく減らし、こうして寄生ＰＮＰバイポーラ・デバイスの利得を小さくする。 - 特許庁

Through this two-dimensional scanning, secondary electrons (se) generated from the surface of the sample 5 are detected by a detector 18.例文帳に追加

この２次元走査に基づいて試料５の表面から発生した２次電子ｓｅは、検出器１８によって検出される。 - 特許庁

Secondary electrons from a sample 25 is given a rotational movement by magnetic field M of a semi-in-lens type objective lens 23, and gathered on an optical axis line.例文帳に追加

試料２５からの２次電子は、セミインレンズタイプの対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられ、光軸上に集められる。 - 特許庁

The charged voltage of a wafer surface is controlled at a desired value by irradiating the electron ray quickly moving the wafer before obtaining the image of secondary electrons.例文帳に追加

二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。 - 特許庁

The secondary electrons 15 generated from the reflecting cylinders 12, 13 are directed toward the detector 10 by the electric field and detected.例文帳に追加

この電界により第１と第２の反射筒１２，１３から発生した２次電子１５は、検出器１０方向に向かい検出される。 - 特許庁

To provide a reantireflection plate which does not cause an aberration even in the case where the reantireflection plate is used jointly with a secondary electron detector and can lessen the amount of reflected electrons.例文帳に追加

２次電子検出器と併用した場合にも収差の原因とならず、反射電子量を少なくできる再反射防止板を提供する。 - 特許庁

A kind of the defects is judged by the obtained image of the secondary electrons, and a distribution of defects on the wafer surface is displayed.例文帳に追加

取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 - 特許庁

Openings are provided in the barrier rib members via which the luminescent members are separated from each other, at their portions located between the luminescent members, for trapping the secondary reflected electrons.例文帳に追加

発光部材を分離する隔壁部材の、該発光部材間に位置する部分に、２次反射電子を捕獲する開口部を設ける。 - 特許庁

To measure a correct secondary electron current by cleaning the surface of a sample in advance when the secondary electron current generated by secondary electrons emitted from a sample is measured.例文帳に追加

試料から放出された二次電子による二次電子電流を測定する際に、前もって試料表面をクリーニングして正確な二次電子電流を測定できる技術を提供する。 - 特許庁

The secondary electrons inside the objective lens is drawn toward a secondary electron detector 35 by an electric field E3 formed by its corona ring 36, and accelerated, to collide with a scintillator 37 of the secondary electron detector 35.例文帳に追加

対物レンズ２３内の２次電子は、２次電子検出器のコロナリング３６によって形成される電界Ｅ_3によって２次電子検出器３５方向に引き寄せられ、加速されて２次電子検出器３５のシンチレータ３７に衝突する。 - 特許庁

Secondary electrons discharged from the sample are separated from the primary optical system with an E×B separator and put into a secondary optical system to be detected by a secondary electron detector.例文帳に追加

試料から放出された二次電子をＥ×Ｂ分離器で一次光学系から分離して二次光学系へ投入し二次電子検出器で検出する。 - 特許庁

A permanent magnet 26 which generates a magnetic field in such a way that secondary electrons emitted from the secondary-electron emission body are oriented toward the substrate is provided on the peripheral surface of the secondary-electron emission body.例文帳に追加

２次電子放出体から放出された２次電子を基板方向に指向させるように磁界を発生させる永久磁石２６が、２次電子放出体の外周面に設けられている。 - 特許庁

The secondary electrons 15, emitted from the small area 6a of the surface of the sample 6, are detected by a secondary electron emitting detector for a left eye 13 and a secondary electron emitting detector for a right eye 14, with a fixed parallax between left and right.例文帳に追加

左目用２次電子検出器１３及び右目用２次電子検出器１４で、試料６の表面のある小領域６ａから放出された２次電子１５を左右に一定の視差をもって検出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for generating secondary electrons, which can increase the efficiency of secondary electron generation and reduce the aged deterioration of the efficiency of secondary electron generation in comparison to a conventional method.例文帳に追加

従来に比して、二次電子発生効率を向上することができ、且つ、二次電子発生効率の経時劣化を低減することができる二次電子発生電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

In order that the electrons generated by the secondary layer may be injected to the tertiary layer when applying a voltage so that the potential of the secondary electrode may be higher than that of the primary electrode, the secondary layer and the tertiary layer are connected.例文帳に追加

そして、第１の電極の電位よりも第２の電極の電位が高くなるように電圧を印加したときに、第２の層で発生した電子が第３の層へ注入されるように、第２の層と第３の層とは接合されている。 - 特許庁

Secondary electrons are more generated at the edge 15 than at the other region, so that the secondary electron image of the edge 15 becomes brighter on a CRT, and the electron-beam exposure system is focused on the pattern of the reticle 10 at a position where the secondary electron image of the edge 15 becomes brightest.例文帳に追加

エッジ１５での二次電子の発生効率が高いため、エッジの部分の二次電子像がＣＲＴ上で明るく見え、エッジ１５の二次電子像が最も鮮明に見える位置でパターンのフォーカスも合うことになる。 - 特許庁

This substrate inspection method uses a first acceleration voltage in which the yield of secondary electrons emitted from the specified material inside an inspection object region S by irradiating electron beams is larger than 1, and a second acceleration voltage in which the yield of the secondary electrons is smaller than 1.例文帳に追加

本発明に係る基板検査方法では、電子ビームを照射することにより検査対象領域Ｓ内の所定材料から出射される二次電子の収率が１より大きくなる第１の加速電圧と、二次電子の収率が１より小さくなる第２の加速電圧とを用いる。 - 特許庁

This prevents overlay of the DC component of visible lights on the image signal of secondary electrons, because the visible light from the lighting system stops during the scanning of electron beam on the sample and the writing of images of secondary electrons in a image memory 14.例文帳に追加

このように、電子ビームを試料上で走査して走査２次電子画像を画像メモリー１４に書き込んでいる期間は、可視光照明機構からの可視光の照明を停止するので、２次電子画像信号に可視光に基づく直流成分が重畳されることは防止される。 - 特許庁

When the SEM observation is carried out under such a condition, secondary electrons emitted from the lower face of the sample support part 11 are pulled by the potential control part 14 in the optical axis direction of the electron beam, thus random emission of the secondary electrons is suppressed, and the high resolution of an obtained ISEC image can be achieved.例文帳に追加

このような条件でＳＥＭ観察を行なうと、電位制御部１４により、試料支持部１１の下面から出射された２次電子が電子線の光軸方向に引き寄せられるために２次電子のランダム放出が抑制され、得られるＩＳＥＣ画像の高分解能化を図ることができる。 - 特許庁

A voltage to be applied to a collecting electrode is changed instead of a prescribed fixed voltage according to the scanning position of an electron beam to heighten collection efficiency at a position at which the collection efficiency of secondary electrons is lowered and make uniform the collection efficiency of secondary electrons within the scanning region.例文帳に追加

収集電極に印加する電圧を、一定の固定電圧に代えて、電子線の走査位置に応じて変化させることによって、二次電子の収集効率が低下する位置での収集効率を高め、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。 - 特許庁

The secondary electrons 14 which have ascended linearly move from a position, where the magnetic field of an object lens 1 becomes weak, collide with a first reflecting cylinder 12 or a second reflecting cylinder 13 and generates a large quantity of secondary electrons 15 from the reflecting cylinders 12, 13.例文帳に追加

上昇した２次電子１４は、対物レンズ１の磁場が小さくなったところから直線運動し、第１の反射筒１２あるいは第２の反射筒１３に衝突し、反射筒１２，１３から多量の２次電子１５を発生させる。 - 特許庁

The secondary electron detector 20 is equipped with a scintillator 22 for absorbing the secondary electrons discharged from a sample surface, onto which primary charged particles are irradiated and to convert it into light, and a photoelectric conversion device 26 for converting and amplifying the light, guided through a light guide 24 into electrons.例文帳に追加

一次荷電粒子が照射された試料表面から放出される二次電子を吸収して光に変換するシンチレータ２２と、ライトガイド２４を通して導かれた光を電子に変換して増幅する光電変換装置２６を備える二次電子検出器２０である。 - 特許庁

The plurality of secondary electrons, after passing through an objective lens 17 and an ExB separator 16, are widened in the interval between the secondary electrons by the multiple opening plate 23 having a plurality of openings, and then enter respectively into each detector 31 of the detection system 30, and are converted into optical signals.例文帳に追加

複数の二次電子は、対物レンズ１７及びＥ×Ｂ分離器１６を通過した後、複数の開口を有するマルチ開口板２３で二次電子間の間隔が拡げられて、検出系３０の各検出器３１にそれぞれ入射し光信号に変換される。 - 特許庁

When retarding potential is applied to a wafer W, secondary electrons are detected with a secondary electron detector 31 installed between a reducing glass 63 and a main deflection device 95', and when the retarding potential is not applied to the wafer W, secondary electrons are detected with a secondary electron detector 33 installed between an objective lens 65 and the wafer W.例文帳に追加

リターディング電位をウェーハＷに印加するときは、縮小レンズ６３とプリ主偏向器９５’との間に配設された二次電子検出器３１で二次電子を検出し、リターディング電位をウェーハＷに印加しないときは、対物レンズ６５とウェーハＷとの間に配設された二次電子検出器３３で二次電子を検出する。 - 特許庁

When a retarding potential is applied on a wafer W, secondary electrons are detected by a secondary electron detector 31 arranged between a reducing glass 63 and a pre main deflector 95', and when the retarding potential is not applied on the wafer W, the secondary electrons are detected by a secondary electron detector 33 arranged between an objective lens 65 and the wafer W.例文帳に追加

リターディング電位をウェーハＷに印加するときは、縮小レンズ６３とプリ主偏向器９５’との間に配設された二次電子検出器３１で二次電子を検出し、リターディング電位をウェーハＷに印加しないときは、対物レンズ６５とウェーハＷとの間に配設された二次電子検出器３３で二次電子を検出する。 - 特許庁

The secondary insulating layer 48f prevents the secondary crystal layer 48e from contacting the secondary memory node layer 48d and the primary gate electrode 48g, and furthermore prevents electrons trapped in the secondary crystal layer 48e from moving to the primary gate electrode 48g.例文帳に追加

第二絶縁層４８ｆは、第二結晶層４８ｅが第二メモリノード層４８ｄおよび第一ゲート電極４８ｇに接触することを防ぎ、かつ、第二結晶層４８ｅにトラップされた電子が第一ゲート電極４８ｇへ移動することを防いでいる。 - 特許庁

A noncontact temperature measuring device 1 measures the temperature distribution of a sample stand and comprises: a sample base 10 placed on the sample stand 20, an electron beam source 2 for applying electron beams; a secondary electron detector 3 detecting secondary electrons induced by the irradiation of electron beams; and a temperature measurement section (signal processing section 7) for measuring temperature distribution, based on the induced secondary electrons.例文帳に追加

非接触温度測定装置１は、試料台の温度分布を測定する装置であり、試料台上２０に載置される試料ベース１０と、電子線を照射する電子線源２と、電子線照射によって誘起される二次電子を検出する二次電子検出器３と、検出した二次電子に基づいて温度分布を測定する温度測定部（信号処理部７）とを備える。 - 特許庁

A defect inspection device is provided with a first irradiating means S for irradiating a sample 9 by emitting primary electron beams, mapping optical mechanisms 11 to 13 or imaging secondary electrons emitted from the surface of the sample 9 irradiated with the secondary electron beams, a detector D for detecting the secondary electrons, and an image treatment mechanism 18 for treating signals from the detector D.例文帳に追加

欠陥検査装置は、一次電子線を放出して試料９を照射するための第１の照射手段Ｓと、一次電子線で照射された試料９の表面から放出された二次電子を結像させるための写像光学機構１１〜１３と、二次電子を検出するための検出器Ｄと、検出器Ｄからの信号を処理する画像処理機構１８とを具備する。 - 特許庁

Information about a sample is determined by detecting Auger electrons, secondary ions, secondary neutral particles, primary neutral particles, scattered ions, and additional particles such as photons from the sample.例文帳に追加

試料からオージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子等の追加の粒子を検出することにより試料についての情報を決定するように構成する。 - 特許庁

Since the secondary electron outgoing opening 63 is apart from an electric field between the ion transport part 5 and the scintillator 71, the secondary electrons reach the scintillator 71 without being dceflected.例文帳に追加

二次電子出射口６３はイオン輸送部５とシンチレータ７１の間の電界から離れているので、二次電子が偏向されることなくシンチレータ７１まで到達する。 - 特許庁

Thus, secondary electrons emitted from the mask 18 due to collision of the ion beam 10 are almost easily adsorbed by the secondary electron adsorbing electrode 22.例文帳に追加

このため、イオンビーム１０の衝突によってマスク１８から放出される２次電子の多くは容易に２次電子吸着用電極２２に吸着されてしまう。 - 特許庁

The processing progress is monitored by running the electron beam, and detecting secondary electrons generated from the object by a secondary electron detector to acquire an electron microscope image.例文帳に追加

また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 - 特許庁

Exposing a secondary electron emission material on the upper side in the region from the electron emission part to the high voltage side electrode 3, secondary electrons efficiently are emitted to the anode electrode side for improving electron emission efficiency.例文帳に追加

電子放出部から高電位側電極３にかけての領域の上面に２次電子放出材料を露出させるため、２次電子を効率よくアノード電極側に放出させることができ、電子放出効率を向上することができる。 - 特許庁

To effectively observe irregularity of the surface of a sample, by detecting secondary electrons from the sample mounted in a lens magnetic field with a plurality of secondary electron detectors.例文帳に追加

レンズ磁界内に設置された試料からの二次電子を複数の二次電子検出器により検出して試料表面の凹凸を効果的に観察すること。 - 特許庁

The secondary electrons having just passed the object lens 11 are deflected from an optical path of the primary electron beam by E×B separators 9 and 10 and directed to a secondary electron detector 8.例文帳に追加

次いで、対物レンズ１１を通過した直後の二次電子を、Ｅ×Ｂ分離器９，１０により一次電子線の光路からそらし、二次電子検出器８へと向かわせる。 - 特許庁

Since the high-frequency plasma 13 is used instead of an ion beam used conventionally, the amount of secondary electron emission is increased, thereby measuring the secondary electrons with high sensitivity.例文帳に追加

従来用いられていたイオンビームに代えて高周波プラズマ１３を使用するので、２次電子の放出量が多くなり、２次電子を高感度に測定できる。 - 特許庁

The secondary electron generating layer is arranged on the cathode structure, and furthermore secondary electrons are generated and made to collide with the fluorescent layer to improve light emitting efficiency.例文帳に追加

二次電子生成層はカソード構造上に配設され、さらなる二次電子を生成して蛍光層に衝突させて発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

Then, based on the detected quantity of the secondary electrons detected by the secondary-electron detecting sensor, irradiation control of the ion beam is carried out, and at the same time, ion injection into the semiconductor board by ion beam is carried out.例文帳に追加

また、２次電子検出センサで検出した２次電子の検出量に基づいてイオンビームの照射制御を行ないながら半導体基板へのイオンビームによるイオン注入を行なう。 - 特許庁

The secondary electrons are detected by respective detectors of a secondary-electron detector array 2, and they are guided to a photomultiplier 11 via the window 16 of a vacuum chamber 15.例文帳に追加

２次電子は、２次電子検出器アレイ１２の各検出器で検出され、ライトガイド１３により、真空チャンバー１５の窓１６を介して光電子増倍管１１に導かれる。 - 特許庁

(In the formula, Ai1 shows the minimum energy at which a secondary electron emission coefficient of the structure supporter becomes 1, and As shows an initial emission energy of secondary electrons emitted from the structure supporter.).例文帳に追加

θ＝０．３ｔａｎ^-1（１／ｋ）〜２．０ｔａｎ^-1（１／ｋ） ｋ＝（０．５×（Ａ_i1／Ａ_s −１））^0.5 、Ａ_i1は前記構造支持体の二次電子放出係数が１となる最小エネルギー、Ａ_s は前記構造支持体から放出される二次電子の初期放出エネルギー - 特許庁

The secondary electron generation layer is arranged on the cathode structure, and generates more secondary electrons to collide with the fluorescent layer, thereby improving the luminous efficiency.例文帳に追加

二次電子生成層はカソード構造上に配設され、さらなる二次電子を生成して蛍光層に衝突させて発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

All the secondary electrons having an initial speed of 2 eV or less emitted from the test piece surface in the direction of an angle 90°C or less against normal of the test piece surface are made to pass the secondary optical system.例文帳に追加

試料面から試料面の法線に対して９０°以下の角度の方向へ放出される２ｅＶ以下の初速度を持つ二次電子がすべて二次光学系を通される。 - 特許庁