「secondary electrons」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A beam forming slit is placed at a former stage of a charging control slit for the charging control slit to be irradiated with an electron beam for precharging, and to prevent the secondary electrons from disturbing the charging control.例文帳に追加

また、帯電制御スリットの前段にビーム成形スリットを配し、予備帯電のための電子ビームが帯電制御スリットに照射され帯電制御を擾乱する2次電子の発生を抑制した。 - 特許庁

The wafer is charged by setting the voltage of an energy filter 206, so as to return secondary electrons to the wafer while directing electronic flood from a flood gun 208 toward the surface of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの帯電は、フラッドガン２０８からの電子フラッドをウェーハの表面に向けながら二次電子をウェーハに戻すようにエネルギーフィルタ２０６の電圧設定を行ったりすることにより行う。 - 特許庁

This LSI is irradiated with electronic beams, and the quantity of secondary electrons radiated from the LSI is detected in a period T1 just after the rising of the power line voltage, and in a period T2 just after the falling of the power line voltage.例文帳に追加

このＬＳＩに電子ビームを照射し、電源線電圧の立ち上がり直後の期間Ｔ１と、立ち下がり直後の期間Ｔ２でそれぞれＬＳＩから放出される二次電子の量を検出する。 - 特許庁

The detected secondary electrons 9 are subjected to AD conversion 16 in an image processing part, rearranged in an image data rearrangement part 17, and subjected to image calculation 18 to be displayed.例文帳に追加

検出された２次電子９は画像処理部において、ＡＤ変換１６され、画像データ並べ替部１７において並べかえられ、画像演算１８されて表示される。 - 特許庁

In the observation of a contact hole 102, positive electrostatic charge 106 is formed on the surface of an insulating material 101, and the secondary electrons 104 are sucked from the hole by this electric field.例文帳に追加

コンタクトホール１０２の観察では、絶縁物１０１の表面に正の帯電１０６を作り、この電界で二次電子１０４をホール内から吸引する。 - 特許庁

To avoid a metal thin film from being in an electostatically charged state by preventing secondary electrons or the like from reaching to a surface to be film-deposited and preventing cations from reaching to the surface to be film-deposited in the deposition of the metal thin film by means of an electronic beam vapor deposition.例文帳に追加

電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、２次電子等の被成膜面への到達を防止すると共に、陽イオンの被成膜面への到達を防止して、金属薄膜が帯電状態になることを回避する。 - 特許庁

A certain region of the surface of the wafer is repeatedly scanned with primary electron beam so that secondary electrons generated according to the reaction of the primary electron beam with the surface of the wafer, and discharged to the outside part of the surface of the wafer can be collected.例文帳に追加

ウェーハの表面の一定領域に１次電子のビームを繰り返してスキャンし、１次電子ビームと前記ウェーハの表面との反応で発生するウェーハの表面外部に放出される２次電子を収集する。 - 特許庁

Then, the level of charge electrification induced to the surface of the wafer by the plasma used in the plasma process can be discriminated from the change of the quantity of the collected secondary electrons.例文帳に追加

収集される２次電子の量の変化からプラズマ工程で使われたプラズマによってウェーハの表面に誘起される電荷帯電の程度を判別する。 - 特許庁

The recording medium 5 is rotated by a spindle motor 6 irradiating a recording medium 5 plane with electron rays 2, secondary electrons generated from the recording medium 5 are detected by a detector 8, and ruggedness information of the recording medium plane is obtained.例文帳に追加

電子線２を記録媒体５面に照射しながら、スピンドルモータ６により記録媒体５を回転させ、記録媒体５から発生する２次電子を検出器８により検出して、記録媒体面の凹凸情報を取得する。 - 特許庁

With this set-up, secondary electrons are emitted from the sample, received by micro channel plate (MCP) 16 and are changed into an electrical signal within a TDI-CCD 19 via a scintillator 17 and a relay optical system 18.例文帳に追加

これにより、試料から二次電子１２が放出され、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）１６に受け取られ、シンチレータ１７、リレー光学系１８を介し、ＴＤＩ−ＣＣＤ１９において電気信号に変換される。 - 特許庁

To provide an x-ray exposure method which is capable of carrying out an exposure process using x-rays having a shorter wavelength than x-rays used in a conventional x-ray exposure process and restraining fuzziness caused by secondary electrons.例文帳に追加

従来のＸ線露光に用いていたＸ線より、短波長の波長領域で二次電子によるボケを抑制しながらＸ線露光を行うことができるＸ線露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma surface treatment method and a plasma surface treatment apparatus with improved power efficiency that have the equivalent surface treatment effect as a conventional method and reduce the generation of strong X rays due to secondary electrons that are discharged from an object to be treated.例文帳に追加

従来法と同等の表面処理効果を有し、被処理物から放出される２次電子による強いＸ線の発生の軽減と電力効率の良いプラズマ表面処理法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an x-ray exposure method which is capable of carrying out an x-ray exposure process using x-rays having a shorter wavelength than x-rays used in a conventional x-ray exposure process and restraining fuzziness caused by secondary electrons.例文帳に追加

従来のＸ線露光に用いていたＸ線より、短波長の波長領域で二次電子によるボケを抑制しながらＸ線露光を行うことができるＸ線露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope by which lowering in the sensitivity and the reduction of the scanning range caused, when a detector leaves a specimen is eliminated, and an impact on secondary electrons that are detected by a magnetic field generated by scanning coils is eliminated.例文帳に追加

検出器が試料から遠ざかることによる感度低下、走査範囲の減少を解消し、走査コイルが発生する磁場により検出される２次電子に対する影響を除くこと。 - 特許庁

Defect inspection at high speed is carried out by checking an image of secondary electrons which are generated by the scanning/irradiating.例文帳に追加

半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する２次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

The electron beam apparatus includes a primary electron optic system irradiating primary electron beams to a sample 11, a secondary electron detection system forming an electronic image by detecting secondary electrons generated from the sample, and an evaluation means evaluating the sample according to data of the electronic image.例文帳に追加

電子線装置は、一次電子線を試料１１に照射する一次電子光学系、試料から生じる二次電子を検出し電子画像を形成する二次電子検出系、及び電子画像のデータに基き試料の評価を行う評価手段を含む。 - 特許庁

To provide a complex type charged particle beam device capable of obtaining necessary detection signals in both detection units, by balancing the influence that retracting electric fields for detecting secondary ions and secondary electrons with different charges have upon each other.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題点は、互いに異なる電荷を有する二次イオンと二次電子を検出するための引き込み電界が相手に及ぼす影響をバランスさせ、両方の検出器において必要な検出信号が得られる複合型荷電粒子ビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

In an image processing part 124, secondary electronic signal or other signals are alternately provided in one frame image and the image with more than one information is formed by fetching the signal by changing over from the detected signal by the detecting system to the secondary electrons or other signals for every scanning by the charged particle deflecting system.例文帳に追加

画像処理部１２４は、検出系により検出した信号から、上記荷電粒子偏向系の走査毎に、二次電子やその他の信号を切り替えて信号を取り込むことにより、１フレーム画像内に二次電子信号やその他の信号が交互に備えられ、複数の情報を備えた画像を作成する。 - 特許庁

A first auxiliary electrode 13 on which a negative potential of several V (volt) to several dozens V is impressed is installed at the portion near the irradiation port of an objective lens 1, and a second auxiliary electrode 14 for impressing a positive voltage is installed on a secondary electron detector 5 side of the first auxiliary electrode, thereby corrects and controls the orbit of secondary electrons.例文帳に追加

対物レンズ１の下部の１次電子線３の照射口に近い部位に数Ｖ〜数十Ｖの負電位が印加される第１補助電極１３を設置し、第１補助電極の２次電子検出器５側に正電圧を印加する第２補助電極１４を設置して２次電子軌道を修正制御する。 - 特許庁

A prescribed voltage is applied to each combination of resistors, a partial voltage according to the temperature of each resistor is generated, secondary electrons induced by the irradiation of electron beams are detected, and the temperature distribution of the sample stand is measured, based on the detected secondary electron beams.例文帳に追加

抵抗体の各組みに所定電圧を印加して、各抵抗体の温度に応じた分圧電圧を発生させ、電子線照射によって誘起される二次電子を検出し、検出した二次電子線に基づいて、試料台の温度分布を測定する。 - 特許庁

The metal layer 18 is biased to electric potential of the emitter 16 or below to efficiently absorb secondary electrons generated in a vacuum vessel, and absorbs ion particles or impurities beaten away by collision of electrons to protect the emitter portion and to keep the inside of the tip-less vacuum vessel highly vacuum.例文帳に追加

上記金属層１８はエミッタ１６の電位、またはその電位以下となるようにバイアスされることによって、真空容器内で発生する２次電子を効率的に吸収し、また、電子の衝突によって叩き出される不純物やイオン粒子を金属層１８によって吸着することにより、エミッタ部分を保護すると共に、チップレスの真空容器内を高い真空度に保つ。 - 特許庁

The ion detection unit 101 includes: an aperture 113a as an opening for allowing an ion flux 107 to enter the ion detection unit 101 therethrough; a conversion electrode 103 for converting the ion flux entering through the aperture 113a into electrons; and a secondary electron multiplier 102 for amplifying the converted electrons 109.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るイオン検出ユニット１０１は、該イオン検出ユニット１０１内にイオン束１０７を入射させるための開口としてのアパーチャ１１３ａと、該アパーチャ１１３ａから入射されたイオン束を電子に変換するコンバージョン電極１０３と、該変換された電子１０９を増幅する２次電子増倍管１０２とを備えている。 - 特許庁

This collector is provided with a collector stage 106 constituted to collect a first portion 116 of electrons from an electron beam 52, and a self-biased element 102 having a secondary electron emissivity 1 or smaller and comprising an electron cumulative element 104 positioned with respect to the collector step 106, so as to receive a second portion 114 of the electrons of the electron beam.例文帳に追加

電子ビーム52の電子の第１の部分116 を収集するように構成されたコレクタ段106 と、１より小さい２次電子放射係数を有し、電子ビームの電子の第２の部分114 を受けるようにコレクタ段106 に関して位置されている電子累積素子104 を有する自己バイアス素子102 とを具備していることを特徴とする。 - 特許庁

An electron microscope can display the observed image on a display unit 28 by applying an acceleration voltage to an electron gun to irradiate a sample with an electron beam based on predetermined image observation conditions, scanning the desired area of the surface of the sample while secondary electrons or reflected electrons emitted from the sample are detected by one or more detectors, thereby focusing the image.例文帳に追加

電子顕微鏡は、所定の像観察条件に基づいて、電子銃に加速電圧を印加して電子線を試料に照射し、試料から放出される二次電子または反射電子を１以上の検出器で検出しながら試料表面の所望の領域を走査することで、観察像を結像し表示部２８にて表示可能である。 - 特許庁

Thereby the Xe discharge gas ratio is relatively increased, while the Ne discharge gas ratio is relatively decreased, in order to increase secondary electrons having been decreased by defects on the conventional protective membrane and to increase the discharge efficiency, a generated sustain voltage increase compensated by enough electrons generated in the alkali metal.例文帳に追加

これによって、従来の保護膜上の欠陷によって減少された２次電子および放電效率を高めるためにＸｅの放電ガスの割合を相対的に上げ、Ｎｅの放電ガスの割合を相対的に下げることによって発生するサステイン電圧の上昇が、アルカリ金属において発生する十分な電子によって補償される。 - 特許庁

The SEM-type inspection apparatus for repeatedly scanning a sample with electron beams, generating inspection images and reference images based on secondary electrons or reflection electrons generated from the sample, and obtaining a defective section from the differential image has a function for varying the number of pixels in the repeated scanning direction of the electron beams in the images generated.例文帳に追加

試料に電子線ビームを繰り返し走査させ、試料から発生する２次電子または反射電子に基づき検査画像および参照画像を生成し、それらの差分画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式検査装置において、生成画像における電子線ビームの繰り返し走査方向の画素数を可変にする機能を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a vapor-deposited thin film by which the arrival of secondary electrons or reflection electrons occurring in the heating of a vapor depositing raw material in a crucible by an electron beam at a plastic film base material can be suppressed as possible, so that an adverse effect caused by the electrification of the film can be prevented beforehand.例文帳に追加

ルツボ内の蒸着原材料を電子ビームにより加熱するときに発生する二次電子もしくは反射電子が、プラスチックフィルム基材に到達するのを極力抑えることで、フィルム帯電による悪影響を未然に防ぐことができる蒸着薄膜の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This has a substrate 1 to contain aluminum having the first principal face and the second principal face opposing to the first principal face, multiple micropores 6 arranged so as to penetrate the substrate 1, an electronic multiplying face 3 to emit secondary electrons by collision of electrons, and electrodes 4, 5 installed at the first principal face and the second principal face, respectively.例文帳に追加

第１の主面と、該第１の主面に対向する第２の主面とを有するアルミニウムを含む基体１と、該基体１を貫通するように配置された複数の細孔６と、該細孔の内壁面に配置され、電子の衝突により二次電子を放出する電子増倍面３と、前記第１の主面および第２の主面にそれぞれ設けられる電極４，５とを有するマルチチャネルプレート。 - 特許庁

This electron multiplier tube is constituted of a plate-like insulating substrate 1, channels 2 formed with electron multiplier faces 3 emitting secondary electrons via the collision of electrons with the inner wall faces of through holes provided on the insulating substrate 1, a cathode electrode 4 and an anode electrode 5 provided on both faces of the insulating substrate 1 to apply a voltage to the electron multiplier faces 3.例文帳に追加

板状の絶縁性基体１と、その絶縁性基体１に貫通孔が設けられその貫通孔の内壁面に電子の衝突により二次電子を放出する電子増倍面３が形成されるチャンネル２と、その電子増倍面３に電圧を印加するため、絶縁性基体１の両面にそれぞれ設けられるカソード電極４およびアノード電極５とからなっている。 - 特許庁

This electron beam device is equipped with a reflected electron detecting means 50 of an integrated double detection type where a reflected electron detecting element 31, which uses a scintillator element or a semiconductor element that has a high detection sensitivity of high energy reflected electrons and a long life, and a secondary electron generating electrode 33, which is advantageous in detect reflected electrons of low energy at high efficiency, are arranged adjacently.例文帳に追加

高エネルギーの反射電子の検出感度が高く、長寿命なシンチレータ素子、あるいは半導体素子を用いた反射電子検出素子３１と低エネルギーの反射電子の高効率検出に有利な二次電子発生電極３３とを隣接して配置した、２検出方式一体型の反射電子検出手段５０を設ける。 - 特許庁

The mask dimension measuring instrument is equipped with a movable stage 3 for placing the mask 6 to be measured, measuring means 4, 7 for measuring the moving distance of the stage, an irradiation means for irradiating the mask to be measured with an electron beam and a measuring means for measuring the intensity of the secondary electrons or reflected electrons discharged from the mask to be measured.例文帳に追加

被測定マスク６を載置するための移動可能なステージ３と、ステージの移動距離を測定する測定手段４、７と、被測定マスクに電子線を照射する照射手段と、被測定マスクから放出される２次電子または反射電子の強度を測定する測定手段とを備えるマスク寸法測定装置。 - 特許庁

The hydrogen negative ions and hydrogen radicals are guide to a wafer 12 arranged on a stage 11 inside a vacuum vessel 10, for cleaning at a speed higher than that of the hydrogen radicals with no plasma damage to elements with the assist of the hydrogen negative ions with few secondary electrons generated.例文帳に追加

この水素負イオンと水素ラジカルを真空容器１０内のステージ１１上に配置されたウエーハ１２上に導くことにより、二次電子発生の少ない水素負イオンのアシストによって、水素ラジカルよりも高速で、かつ、素子にプラズマダメージを与えずにクリーニングできる。 - 特許庁

To provide a vacuum display device for an electron microscope sample cell capable of more accurately displaying the degree of vacuum in the sample cell than before without giving poor effect on the control of a primary electron beam or a signal for secondary electrons during examination via an electron microscope.例文帳に追加

電子顕微鏡の検鏡時に、一次電子線の制御や二次電子の信号に悪影響を与えることなく、試料室内の真空度を従来よりも正確に表示することのできる電子顕微鏡試料室の真空度表示装置を提供する。 - 特許庁

The collecting electrode power supply 8 changes the collecting electrode voltage to be applied to the collecting electrode 10 according to the scanning position of the electron beam within an electron beam scanning region 22 and thereby makes uniform the collection efficiency of secondary electrons within the scanning region.例文帳に追加

収集電極電源８は、電子線走査領域２２内において電子線の走査位置に応じて収集電極１０に印加する収集電極電圧を変化させ、これによって、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。 - 特許庁

The multi-emitter having a plurality of electron emission sites is kept at a negative potential; and secondary electrons obtained by entering a primary ray into the multi-emitter are expanded and focused to obtain a surface image of the electron emission sites of the multi-emitter.例文帳に追加

複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタを負電位に保持し、前記マルチエミッタに対して一次線を入射させて得た２次的な電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像を得る。 - 特許庁

The surface element analysis is carried out by irradiating a film surface of the photoresist film with X-rays using a photoelectron spectrometer, measuring the amount of generated secondary electrons at an angle of 90° with respect to the film surface, and measuring the respective distribution amounts of fluorine atoms and carbon atoms of the photoresist film.例文帳に追加

（表面元素分析）：フォトレジスト膜の膜面に光電子分光装置を使用してＸ線を照射し、発生する二次電子の量を、前記膜面に対して９０°の角度で測定し、前記フォトレジスト膜のフッ素原子と炭素原子のそれぞれの分布量を測定する。 - 特許庁

For the charged particle beam method and apparatus, a primary electron beam is used to irradiate a sample, thereby inducing emission of secondary and back scattered electrons respectively, having information as to the form structure and the material structure of the sample.例文帳に追加

荷電粒子ビーム法および装置は、一次電子ビームを使用して試料を照射し、試料が、試料の形状的構造および材料的構造それぞれに関する情報を有する二次および後方散乱電子の放出を誘起するようにする。 - 特許庁

The magnetic field formation means restrains collision between the electric field ionization electrode 10, and secondary electrons and negative ions by forming a magnetic field having field lines extending in a direction parallel to a radial direction of the minute opening 26 on an opposite surface 31 which is the surface of the counter electrode 30 and faces the container 20.例文帳に追加

磁場形成手段は、対向電極３０の面であって容器２０に対向する対向面３１の上に、微小開口２６の径方向と平行な方向に延びる磁力線を有するような磁場を形成して、電界電離電極１０と二次電子や負イオンとの衝突を抑止する。 - 特許庁

The detected objects 84 and 85 which collide with the channel of the first step of MCP 81 are transformed to secondary electrons by low multiplication and enter the second step of MCP 82, and the divergence angle is restricted and the detected object 86 which does not collide with the channel enters the second step of MCP 82.例文帳に追加

１段目のＭＣＰ８１のチャネルに衝突した検出体８４，８５は低い増倍率で二次電子に変換されて２段目のＭＣＰ８２に入射し、チャネルに衝突しない検出体８６は発散角が制限されて２段目のＭＣＰ８２に入射する。 - 特許庁

The external electrode foil 1 is provided on an outer side of the lattice-shaped electrode foil 3 through the insulation layers 2, 2', an external superposing electrostatic field E2 is superposed on a charging electric field E1 by applying direct-current static voltage which is branched from a charger, thereby enhancing mobility of positive and negative ions, holes, electrons or the like of the secondary storage battery.例文帳に追加

格子状電極箔３の外側に絶縁層２，２’を介して外部電極箔１を設け、そこに充電器から分岐した直流静電圧を課してそれらの充電電界Ｅ１に外部重畳静電界Ｅ２を重畳させ、二次蓄電池の正、負イオンや正孔と電子等の移動度を高める。 - 特許庁

In the metallic members 10 and 11, secondary electrons are generated based on an interaction (Compton effect, etc.) with the radiation while they are partly discharged out of the metallic members 10 and 11, and electromotive force is produced in the metallic members 10 and 11 due to electron deficiency.例文帳に追加

金属部材１０及び１１内では前記放射線との相互作用（コンプトン効果など）に基づく２次電子が発生するとともに、その一部が金属部材１０及び１１外へ放出し、金属部材１０及び１１内に電子欠損に起因した起電力が生じるようになる。 - 特許庁

A conductor member is provided on a position opposite to the substrate to be processed in order to reduce charge-up of the substrate to be processed due to emitted secondary electrons from the substrate to be processed in implanting the positive charge ions, and the conductor member is electrically grounded at high frequency.例文帳に追加

正電荷のイオン注入の際、被処理基板から２次電子が放出されて、チャージアップされるのを軽減するために、被処理基板と対向する位置に、導体部材を設け、当該導体部材を電気的に高周波的に接地する。 - 特許庁

To provide an X-ray exposure method, an X-ray exposure apparatus, a fine structure and a semiconductor device using the same capable of obtaining a shorter wavelength for exposing X-rays for forming fine patterns, by suppressing fog on a resist caused by secondary electrons from a substrate, which increases as the X-ray wavelength becomes further shorter.例文帳に追加

露光Ｘ線の短波長化に伴って増大する基板からレジストへのカブリを抑制することにより、微細パターン形成に有利な露光Ｘ線の短波長化を可能にするＸ線露光方法、Ｘ線露光装置、それを用いた微細構造および半導体装置を提供する。 - 特許庁

X-rays, secondary electrons or the like generated from the sample by electron beam irradiation are detected respectively by an X-ray detector 24 and an electron detector 23, and results are stored in a storage part 34 as time series data combined in time series together with elapsed time information and a coordinate position.例文帳に追加

電子線照射により試料から発生したＸ線、二次電子等をそれぞれＸ線検出器２４、電子検出器２３で検出し経過時間情報、座標位置とともに時系列的に組み合わせた時系列データとして記憶部３４に格納する。 - 特許庁