「selective element」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polarization selective hologram element and an optical pickup device which provides a large diffraction angle even for short wavelength light such as blue color, has high diffraction efficiency and excellent polarization selectivity, has small incident angle dependency, and has high efficiency even for divergent light.例文帳に追加

青色等の短波長光においても大きな回折角度が得られ、大きな回折効率と優れた偏光選択性を有し、入射角度依存性が小さく発散光に対しても高効率の偏光選択性ホログラム素子を実現する。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a circularly polarized light control element provided with cholesteric layers different in selective reflection wavelength band without modifying or deactivating liquid crystal molecules or optically active groups.例文帳に追加

液晶分子または光学活性基を変性または失活させることなく、選択反射波長帯域の異なるコレステリック層を備えた円偏光制御素子を容易に製造することができる、円偏光制御素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The impedance change type detection element 70 responds to the ammonia gas component contained in an exhaust gas on the downstream side of a selective reducing catalyst 14 and utilizes the hopping conduction of a proton to detect the ammonia gas component to generate output voltage.例文帳に追加

インピーダンス変化式検出素子７０は、選択還元触媒１４の下流側にて排気ガスに含まれるアンモニアガス成分に感応しプロトンのホッピング伝導を利用して、上記アンモニアガス成分を検出し出力電圧として発生する。 - 特許庁

The phase difference optical element 10 is configured to have a liquid crystal molecular structure of the planar aligned cholesteric regularity and to have a phase difference layer 12 regulated in the selective reflection wavelength based on the liquid crystal molecular structure of the cholesteric regularity to ≤360 nm.例文帳に追加

位相差光学素子１０は、プレーナー配向されたコレステリック規則性の液晶分子構造を有し、該コレステリック規則性の液晶分子構造に基づく選択反射波長が３６０ｎｍ以下とされた位相差層１２を有する構成とした。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a selective mask 12, having an opening 13 opening into a stripe-like state at a base 11, a semiconductor layer formed to have a ridge 17 parallel to the long side of the opening 13 according to selective growth from the opening 13, a first conductivity-type clad layer formed on the semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光素子を、基体１１にストライプ状に開口した開口部１３を有する選択マスク１２を設け、その開口部１３からの選択成長により開口部１３の長辺に平行な稜線１７を有するように形成された半導体層と該半導体層上に形成される第１導電型クラッド層、活性層、及び第２導電型クラッド層とを有する構成とする。 - 特許庁

The projection display device includes a light source, an illumination means, a single-plate type liquid crystal panel 44, and a projection lens 48, and includes first and second wavelength selective optical axis shift elements 46 and 47 including a wavelength selective polarized light rotating element that shifts optical axes of color light beams of red and blue and a double refraction plate between the liquid crystal panel 44 and the projection lens 48.例文帳に追加

光源と、照明手段と、単板方式の液晶パネル４４と、投写レンズ４８とを備えた投写型表示装置であって、液晶パネル４４と投写レンズ４８との間に、赤、青の色光の光軸をシフトさせる波長選択性偏光回転素子と複屈折板とで構成した第１および第２の波長選択性光軸シフト素子４６、４７を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The organic light-emitting display device comprises a substrate member, an organic light-emitting element on the substrate member, a phase delaying plate formed on the organic light-emitting element, and a selective reflection film which is formed on the phase retardation plate and passes selectively a part of light and reflects the other part.例文帳に追加

本発明は有機発光表示装置に関し、本発明の実施形態による有機発光表示装置は基板部材と、前記基板部材上の有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成された位相遅延板と、前記位相遅延板上に形成され、選択的に光の一部は通過させ、他の一部は反射させる選択的反射膜と、を含む。 - 特許庁

The optical observation device has an optical element 56 reflecting first wavelength region light 51 from an object and guiding it to an eyepiece part 57, and a light source 59-1 emitting second wavelength region light 70, and is provided with a wavelength selective optical film 56h which transmits the first wavelength region light and reflects the second wavelength region light in the optical element.例文帳に追加

光学観察装置は、物体からの第１の波長領域光５１を反射して接眼部５７に導く光学素子５６と、第２の波長領域光７０を発する光源５９−１とを有し、光学素子内に、第１の波長領域光を透過して第２の波長領域光を反射する波長選択性光学膜５６ｈが設けられている。 - 特許庁

High voltage is applied to a selective electrode 2 by high voltage generated by a high voltage photoelectric conversion element (e.g. PLZT element 3) or high voltage developed by ferroelectricity and pyroelectricity of a thin film of a ferroelectric 11, and an ink drop is caused to fly by a high electric field generated in a space up to an opposite electrode 6, thereby performing printing.例文帳に追加

高電圧光電変換素子（例えばＰＬＺＴ素子３）が発生する高電圧、または強誘電体１１の薄膜の強誘電性と焦電性により発現させた高電圧により、選択電極２に高電圧を印加し、対抗電極６との間に発生する高電界によりインク滴を飛翔させ印字を行う。 - 特許庁

A selective etching treatment step is provided after a plasma nitriding treatment step, and while a silicon nitride film 109 formed on an electrode layer 107 is left, a silicon nitrided oxide film 11 formed on surfaces of an element isolation film 103 and an insulating film 105 is removed.例文帳に追加

プラズマ窒化処理工程の後に、選択エッチング処理工程を設け、電極層１０７に形成された窒化珪素膜１０９を残しつつ、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１を除去する。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A distance by which crystal dislocation of an outer edge portion of the active layer 105 generated in selective oxidation processing for forming the oxide-confinement layer 107 is propagated to a center part of the active layer is made long to improve the long-period reliability of the surface emitting laser element.例文帳に追加

酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層１０５の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する - 特許庁

Each pixel (pixel sizes: a 2.2 μm square) in the solid-state imaging element 100 has a light-transmitting film 1 having a first refractive-index distribution, the light-transmitting film 2 having a second refractive-index distribution, a photo-detector 3, wiring 4, a wavelength selective filter 5, and an Si board 6.例文帳に追加

固体撮像素子１００における各画素（画素サイズ□２．２μｍ）は、第１の屈折率分布を有する光透過膜１、第２の屈折率分布を有する光透過膜２、受光素子３、配線４、波長選択フィルタ５およびＳi基板６を備える。 - 特許庁

The image display device is equipped with a light source, a polarized-light selective reflecting means having a function of separating the light from the light source according to a vibration direction, and a reflection type image display element which modulates the vibration direction of incident light according to an image to be displayed.例文帳に追加

画像表示装置が、光源と、光源からの光を振動方向に応じて分離する機能を有する偏光選択反射手段と、表示すべき画像に応じて入射光の振動方向を変調する反射型の画像表示素子と、を備えている。 - 特許庁

As a result, a difference between the refrigerant gas pressure on the suction side of the compressor 2 and the refrigerant gas pressure on the discharge side of the compressor is quickly increased and quick change-over of a valve element of the four-way selective valve is performed by force due to the increased pressure difference.例文帳に追加

その結果、圧縮機２の吸入側の冷媒ガス圧力と、圧縮機の吐出側の冷媒ガス圧力との間の差が迅速に増大されて、この増大された圧力差による力によって、四路切換弁の弁体が迅速に切り換わる。 - 特許庁

An adder 20 is used to subtract the signals IR of IR pixels having selective sensitivity to infrared light from signals R, G, B of the RGB pixels of a solid image pickup element to separate and extract signals R_0, G_0, B_0 that correspond to the R, G and B components of incident light among the R, G and B.例文帳に追加

加算器２０により、固体撮像素子のＲＧＢ画素の信号〈Ｒ〉，〈Ｇ〉，〈Ｂ〉から、赤外光に選択的に感度を有するＩＲ画素の信号〈IR〉を減算して、〈Ｒ〉，〈Ｇ〉，〈Ｂ〉のうち入射光のＲ，Ｇ，Ｂ成分に応じた信号Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０を分離・抽出する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a liquid crystal display element having a liquid crystal exhibiting the cholesteric phase held between substrates 11, 21 and performing display by using selective reflection of the liquid crystal, and drivers 41, 42 to apply an electric field to the liquid crystal with the aid of electrodes 12a, 12b, 22a, 22b disposed on the respective substrates 11, 21.例文帳に追加

基板１１，２１間にコレステリック相を示す液晶を挟持し、該液晶の選択反射を利用して表示を行う液晶表示素子と、各基板１１，２１に設けた電極１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂから液晶に電界を印加するドライバ４１，４２を備えた液晶表示装置。 - 特許庁

This assembly method of the optical device includes selective switching of an optical coupling between parts by using at least one controllable multi-state optical element 22, the optical fibers are optically connected to plural pieces of I/O ports corresponding to a stack of optical elements 10.例文帳に追加

少なくとも1つの制御可能な多状態光学要素(22/138,140)を使用して前記ポート間の光学的結合を選択的に切換えることを含む、光ファイバを光学要素(10/142)のスタックの対応する個数の入出力ポートに光学的に結合させる光学装置の組立方法。 - 特許庁

An objective lens 6, a collimator lens 5, a beam splitter 4, a wavelength selective diffraction element 20 and a semiconductor laser 30 for two wavelength are linearly arranged mutually facing an optical disk 7 at a prescribed interval and an optical detector 8 for condensing the light reflected from the beam splitter 4 is provided.例文帳に追加

光ディスク７に対向して、対物レンズ６、コリメートレンズ５、ビームスプリッタ４、波長選択性回折素子２０および２波長用半導体レーザ３０を互いに所定間隔隔てて直線状に配設し、ビームスプリッタ４からの反射光を集光する光検出器８を設ける。 - 特許庁

To provide a wavelength selective diffraction element which secures suitable diffraction efficiency for a plurality of different wavelengths, and prevents or suppresses generation of unwanted diffracted light; an optical pickup equipped with the same; and an optical information processing apparatus and an optical information processing method using the same.例文帳に追加

異なる複数の波長に対して適切な回折効率を確保するとともに、不要な回折光の発生を防止ないし抑制する波長選択性回折素子及びこれを備えた光ピックアップ、これを用いた光情報処理装置及び光情報処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which emits low-coherence light having a center wavelength band of 0.90 to 1.15 μm, formation of a wide-band quantum well layer and formation of an upper clad layer of high crystal quality being compatibly achieved without removing a mask for selective growth.例文帳に追加

０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。 - 特許庁

To provide a color separation and composite optical system which is capable of obtaining a display picture having a high contrast ratio and an excellent chromaticity without being influenced by the variation of wavelength-selective characteristic of a laminated phase difference filter and can be used for a picture display device and the like having a reflection type spatial optical modulation element.例文帳に追加

反射型空間光変調素子を有する画像表示装置などに使用される色分解合成光学系において、積層位相差フィルタの波長選択特性のばらつきに影響されることなく、高いコントラスト比と良好な色度を有する表示画像を得ることを可能とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the SOI substrate includes a step of forming the high-concentration layer 3 in the selective region of the semiconductor substrate for forming element carrying the insulating film for embedding, prior to a step of sticking the semiconductor substrate for forming element and the semiconductor substrate 5 for base to each other.例文帳に追加

また、本発明のＳＯＩ基板の製造方法は、埋め込み用絶縁膜が形成されている素子形成用半導体基板と、ベース用半導体基板５とを接着して貼り合わせる工程の前に、素子形成用半導体基板の選択的な領域に素子形成用半導体基板よりも高不純物濃度の高濃度層３を形成する工程を有するものである。 - 特許庁

To present a method for growing a light emitting element structure in a selective region on a substrate, and variously changing the shape of a nitride semiconductor layer selectively grown in this manner, and to provide a vertical type light emitting device which realizes an optical high extraction efficiency by using such a structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上の選択的な領域で発光素子構造を成長させ、このように選択的に成長された窒化物半導体層の形状を多様に変化させる方法を提示し、かかるな構造を用いて高い光抽出効率を実現できる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a nitride semiconductor element, wherein an alumina film having proper dielectric characteristics, similar to that of conventional silicon oxide films or silicon nitride films, and a characteristic that a lateral selective growth rate of a nitride semiconductor layer grown on the alumina film is high is used; the production process of the device is easy; and the performance of the device is high.例文帳に追加

従来の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜と同等の優れた絶縁性を持ち、その上に成長される窒化物半導体層の横方向の選択成長速度が速いという特性を持つアルミナ膜を用い、素子の作製工程が容易で、かつ高性能の窒化物半導体素子を実現する。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

A memory cell 100 consists of MFSFET 21 whose gate insulating film is constituted of ferroelectric film 13 and selective switching elements 22, 23 consisting of an MISFET, whose gate insulating film is constituted of paraelectric film 16, while a load element 24 for read-out, is connected to the memory cell 100 in series.例文帳に追加

ゲート絶縁膜が強誘電体膜１３で構成されたＭＦＳＦＥＴ２１からなるメモリ素子と、ゲート絶縁膜が常誘電体膜１６で構成されたＭＩＳＦＥＴからなる選択スイッチング素子２２、２３とでメモリセル１００が構成され、メモリセル１００に直列に読み出し用の負荷素子２４が接続されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element which can obtain a flat film in an earlier stage of a growth process than before, in a method of manufacturing a semiconductor light-emitting apparatus including a process of forming a semiconductor layer using a lateral growth method after arranging a mask for selective growth on a substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A polarizing plate 26 is provided between the reverse surface 11 of a plate type light guide body 6 and a reflection type liquid crystal display element 2 and stuck on the plate type light guide body 6 across an adhesive layer 27 and a selective reflection film 28 is interposed between the plate type light guide body 6 and adhesive layer 27.例文帳に追加

板状導光体６の下面１１と反射型液晶表示素子２との間には偏光板２６が設けられ、偏光板２６は粘着層２７を介して板状導光体６に貼り付けられ、板状導光体６と粘着層２７との間には選択反射膜２８が介装されている。 - 特許庁

The surface state of the electron source substrate is controlled, and a coating material according to the controlled surface state is applied onto the electron source substrate, whereby a high resistance film 6 for selective antistatic is formed in the area other than the electron emitting elements (element film 4) on the electron source substrate.例文帳に追加

電子源基板の表面状態を制御し、その制御された表面状態に応じた塗料を電子源基板上に塗布することにより、電子源基板上の電子放出素子（素子膜４）以外の領域に選択的に帯電防止のための高抵抗膜６を成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a driving liquid crystal layer 9 modulating incident light corresponding to applied voltage, a selective reflection layer 4 provided opposite to the driving liquid crystal layer and selectively reflecting the incident light and two substrates 1 and 11 provided on the both sides of the driving liquid crystal layer and having electrodes for applying voltage to the driving liquid crystal layer.例文帳に追加

印加電圧に応じて入射光を変調する駆動液晶層９と、駆動液晶層に対向して設けられ、入射する光を選択的に反射する選択反射層４と、駆動液晶層の両側に設けられ、駆動液晶層に電圧を印加する電極を有した２枚の基板１、１１と、を備えている。 - 特許庁

To provide a novel cholesteric liquid crystal compound having a high glass transition temperature and a selective reflection band in the visible light region, and exhibiting electric conductivity as an organic semiconductor, and a thin film containing the same, further a fluorescent material and a light emitting element using the same.例文帳に追加

高いガラス転移温度を有し、室温付近で安定なコレステリック薄膜が形成可能であり、かつ、可視光波長域に選択反射バンドを有し、有機半導体としての電気伝導性を示す新規なコレステリック液晶化合物およびこのものを含有する薄膜更にはこの薄膜を利用した蛍光体や発光素子を提供する。 - 特許庁

The device is used for selective disruption of lipid-rich cell at a temperature sufficient to disrupt the lipid-rich cells and not adversely affect non lipid-rich cell, and includes a treatment unit 107 equipped with a cooling/heating element 110 in order to cool/heat a selected skin area, and a control unit 105 to control cooling.例文帳に追加

脂質過多細胞を破壊するのに十分な温度で、また、非脂質過多細胞に悪影響を生じない温度で、脂質過多細胞を選択的に破壊するのに使用される装置は、選択された皮膚領域を冷却加熱するために、冷却加熱要素１１０の付いた治療ユニット１０７と、制御ユニット１０５とを備え、冷却が制御される。 - 特許庁

An insulating film having stress, whose absolute value is at least 3×10^9 dynes/cm^2, is formed on an amorphous semiconductor film that is formed on an insulator, an opening is provided for forming a mask insulating film, a catalyst element is added to the selective region of the amorphous semiconductor film for carrying out heating treatment, and a crystalline semiconductor film is formed.例文帳に追加

絶縁体上に形成された非晶質半導体膜上に絶対値が３×１０^9dynes/cm^2以上の応力を有する絶縁膜を成膜し、開口部を設けてマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜の選択的領域に触媒元素を添加して加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a selective pattern forming method of an inorganic substance with which a polarization element in which an inorganic substance layer is formed on projected parts of the surface of a substrate so as not to be inclined toward the direction of the normal of the substrate and also the surface of the substrate is exposed in recessed parts of the surface, and which is bright and is excellent in polarization chracteristics can be manufactured easily.例文帳に追加

本発明の目的は、基板表面の凸部に該基板の法線方向に対して片寄ることのないように無機物層を形成し、且つ凹部においては基板表面が露出した、明るく、また偏光特性に優れた偏光素子を容易に製造することが可能な無機物の選択的パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

The radio device is equipped with a selective high-frequency amplifying means 50 including a selecting circuit 51 tuned to a tuning frequency, and also equipped with a reception part 45 consisting of a level meter 98 varying the tuning frequency with a measured level and a storage element 90 which stores frequency variation giving the best level detected by the level meter.例文帳に追加

本発明による無線装置は、同調周波数に同調される選択回路（５１）を含む選択性高周波増幅段（５０）に、測定したレベルに応じて同調周波数を変化させるレベルメータ（９８）と、レベルメータにより検出した最良のレベルを与える周波数変化を記憶する記憶素子（９０）とにより構成される受信部分（４５）を具える。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical element comprises a substrate and at least one layer of the selective reflection layer having a cholesteric liquid crystalline structure selectively reflecting the light of a specific polarized-light component via an intermediate layer on the substrate, in which the intermediate layer contains a resin prepared by polymerization crosslinking an acrylic monomer having at least two or more ethylenic functional groups in one molecule.例文帳に追加

基材と、その基材上に中間層を介して、特定の偏光成分の光を選択的に反射するコレステリック液晶構造を有する選択反射層が少なくとも１層設けられてなる光学素子であって、前記中間層が、エチレン性官能基を１分子中に少なくとも２以上有するアクリル系モノマーを重合架橋させた樹脂を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display element comprising at least one chiral nematic liquid crystal layer capable of selectively reflecting light having a prescribed wavelength region, capable of simply and inexpensively attaining enhancement of color purity at the time of selective reflection of light and enhancement of transparency or a black level by a light absorbing layer at the time of light transmission and accordingly enhancement of contrast.例文帳に追加

所定波長域の光を選択的に反射できるカイラルネマティック液晶層を少なくとも一つ含む反射型の液晶表示素子であって、光の選択反射時の色純度の向上、また、光透過時の透明度乃至光吸収層による黒レベルの向上、従ってコントラストの向上を簡単、安価に達成できる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

To provide a color selective array developable in various fields, an image forming device using the same, and a display having resolution improved to twice or more of light valve, using, for example, a low-resolution light valve and a wobbling element, having improved light use efficiency, in particular, preventing deterioration in resolution of green light with high visibility characteristic, and maintaining favorably a white balance.例文帳に追加

様々な分野に展開可能な色選択性アレイ、これを用いた結像装置およびこの結像装置を有する表示装置において、たとえば低解像度のライトバルブとウォブリング素子を用いてライトバルブの２倍以上に解像性能を向上させ、光利用効率を向上させ、特に視感度特性の高い緑光の解像性能劣化を防ぎ、ホワイトバランスを良好に保つことが可能な表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.例文帳に追加

銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The external resonator single mode laser is disclosed in which a short optical path length for the optical resonator (for example, from about 3mm to 25mm) provides sufficient spacing of a plurality of longitudinal modes thereby allowing a single wavelength selective element such as microfabricated etalon, to provide a single mode of operation, and optionally a selectable mode of operation.例文帳に追加

本発明は、外部共振器単一モードレーザーの設計に関するものであり、その設計においては、この光共振器の短い光路長（例えば、約３ｍｍから２５ｍｍまで）が複数の縦モードの充分な間隔あけを提供し、これにより、マイクロ製造エタロンなどの単一の波長選択エレメントによって、単一の運転モード、場合によっては、選択可能な運転モードをもたらすことが可能になる。 - 特許庁

The selective diversity OFDM receiver is constituted in a simple circuit configuration that is provided with, for each antenna element, a delay circuit for imparting a fixed delay quantity to a baseband signal and a switch circuit for selectively outputting either one of a baseband signal or the baseband signal to which the fixed delay quantity is imparted, and that determines the ON/OFF combination of respective switch circuits on the basis of a processed carrier signal.例文帳に追加

各アンテナ素子毎に、ベースバンド信号に対し固定的な遅延量を与える遅延回路と、ベースバンド信号又は前記固定的な遅延量が与えられたベースバンド信号のいずれか一方を選択的に出力するスイッチ回路を設け、信号処理されたキャリア信号に基づいて各スイッチ回路のオン／オフの組み合わせを決定するという簡素の回路構成により、選択ダイバーシティ型のＯＦＤＭ受信装置を構成する。 - 特許庁