「single grain」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The BaTiO_3-PbTiO_3 based single crystal has 10^2-10^6 grain/cm^2 dislocation density, 1-5 vol.% pore content and ≥1 mm^3 volume.例文帳に追加

本発明のＢａＴｉＯ_3 −ＰｂＴｉＯ_3 系単結晶は、転位密度が１０^2 〜１０^6 個／ｃｍ^2 、気孔含有量が１体積ｐｐｍ〜５体積％の範囲にあり、１ｍｍ^3 以上の体積を有する。 - 特許庁

Also, the sheet has a single phase structure of ferrite, in which the ferrite includes acicular ferrite and polygonal ferrite, while the acicular ferrite occupies 50 to 95% by volume fraction, and the mean crystal grain size is 20 μm or smaller.例文帳に追加

そして、アシキュラーフェライトおよびポリゴナルフェライトからなるフェライト単相組織であり、前記アシキュラーフェライトの分率は体積比で50〜95%であり、平均結晶粒径は20μm以下である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal thin film consisting of large single crystal grains, in which the ratio of the thickness of the thin film to the grain size exceeds 50, independently from the kind of a substrate or a specific vapor deposition process.例文帳に追加

基板の種類とか、特定の蒸着方法に依存しなくても、平均金属薄膜の粒子大きさに対する厚さの比が５０を超える単結晶巨大粒子からなる金属薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a stable oil-soluble diamond processing liquid composition for polishing by dispersing diamond abrasive grain of fine powder into an oil- soluble dispersion medium in a single particle state.例文帳に追加

本発明の主な目的は、微粉のダイヤモンド砥粒を、単一粒子状態で油溶性の分散媒中に分散させた、安定な油溶性ダイヤモンド加工液研磨用組成物を提供することにある。 - 特許庁

Also, the sheet has a single phase structure of ferrite with a mean crystal grain size of 20 μm or smaller, in which the acicular ferrite occupies more than 95% by volume fraction.例文帳に追加

そして、平均結晶粒径が20μm以下のフェライト単相組織であり、該フェライト単相組織において、アシキュラーフェライトの分率が体積比で95%超えである。 - 特許庁

To provide a thresher although having a compact constitution, applying sufficient processing action to a treating object by a long processing step to promote formation of single grains and increase grain recovery ratio.例文帳に追加

脱穀装置を、コンパクトな構成でありながら長い処理行程によって処理物に十分な処理作用を与えられるものとし、穀粒の単粒化を促進して穀粒回収率を高める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface sticky type light emitting diode of single-grain and its structure, wherein a lifetime is long, a production cost is cheap, a heat dispersion effect is excellent and a conventional production process can be used.例文帳に追加

寿命が長く、生産費用が安く、散熱効果に優れ、従来の生産プロセスが利用できる、単粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法と、その構造を提供する。 - 特許庁

(2) Rust preventing treatment to the surface of the fine copper grain layer is executed by using a plating bath having a composition of a single metal or an alloy whose deposition potential is nobler than -900 mV (the value in the case of using an AgCl2/Ag reference electrode).例文帳に追加

微細銅粒層上に行う防錆処理を析出電位が−９００ｍＶ（ＡｇＣｌ_２／Ａｇ参照電極を用いた場合の値）より貴である単一金属又は合金組成のメッキ浴を用いて行う。 - 特許庁

To provide an alloy material which is suitable for mass production and has a fine grain size; a magnetic material having a bulk of a single phase and a uniform composition; and a method for manufacturing those.例文帳に追加

大量生産に適した微細な粒径の合金材料並びに単相で組成が均質なバルクの磁性材料を提供するとともにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon film which is used for forming an active region consists of several nearly single-crystal silicon crystal grains and its region including the grain boundary which exists in the lengthwise direction of the channel forming regions 26 (directions L in the figure) is eliminated.例文帳に追加

活性領域の形成に用いられるシリコン膜は、複数の略単結晶のシリコン結晶粒からなり、チャネル形成領域２６の長さ方向（図示のＬ方向）に存在する結晶粒界を含む領域が除去されている。 - 特許庁

The rotary drum 11 is rotated, and hot air and microwaves are supplied into the rotary drum 11 to heat and dry the cooked rice residues in the single grain state.例文帳に追加

このように乳化剤が散布されるため、米粒の表面に乳化剤により保護膜が形成され、米粒どうしが粘着することはなく、回転ドラム１１を回転させても塊となることはない。 - 特許庁

The silver particles obtained in the manner described above have a grain size distribution of ≤15% in CV value expressed by the standard deviation [standard deviation δD of particle diameter]/D_TEMx100 and the degree of single crystallization expressed by D_TEM/D_X is, for example, ≤2.0.例文帳に追加

このようにして得られる銀粒子は、［粒子径の標準偏差σ_D］／Ｄ_TEM×１００で表されるＣＶ値が１５％以下の粒度分布を有し、Ｄ_TEM／Ｄ_Xで表される単結晶化度は例えば２.０以下である。 - 特許庁

To provide a vent type single screw extruder equipped with a pigment master batch supply device capable of easily coloring and molding a plastic composite material having a grain pattern.例文帳に追加

木目模様のプラスチック複合材料を容易に着色・成形できる顔料マスターバッチ供給装置を備えたベント式単軸スクリュ押出機を提供する。 - 特許庁

The recrystallized structure is crystallized into a single crystal, wherein the size of the crystal grains is coarsened to a size larger than in a 4N silver material having an electrical conductivity of 106 (%) or less, and the grain boundary density per unit volume is lower than that of the 4N silver material.例文帳に追加

再結晶組織は単結晶化しており、その結晶粒の大きさは、導電率１０６［％］以下の４Ｎ銀材よりも粗大化し、且つ、４Ｎ銀材に比べて単位体積あたりの結晶粒界密度が少い。 - 特許庁

This single crystal superabrasive grain is constituted by a plurality of crystalline planes, minute projections are formed on 111 plane and 100 plane among a plurality of crystalline planes, respectively, and the crystalline plane forming the minute projection has surface roughness obtained by a PV value of 0.1-5 μm.例文帳に追加

複数の結晶面で構成される単結晶超砥粒であって、複数の結晶面のうち（１１１）面と（１００）面に微小突起を形成し、微小突起を形成した結晶面はＰＶ値が０．１〜５μｍの表面粗さとする。 - 特許庁

Finally, the crystal grains which have highest growth rate reach the objective region 11 from one final path 10d, and a single domain having no large-angle grain boundary is made in the objective region 11.例文帳に追加

最終的には、最も成長速度の大きい結晶粒が１本の最終経路部１０ｄから目標領域１１にまで到達して、目標領域１１に大傾角粒界のない単一ドメインが形成される。 - 特許庁

The brass has a composition comprising, by mass, 68.5 to 71.5% copper, and the balance zinc with inevitable impurities, and has a crystal structure consisting of an α single phase with crystal grain sizes of ≤2 μm.例文帳に追加

銅６８．５質量％〜７１．５質量％、不可避不純物を除いて残部亜鉛からなり、結晶粒度が２μｍ以下のα単相からなる結晶組織で構成される。 - 特許庁

The under layer 12 is chiefly composed of crushed stones, cobble stones, gravel, single grain sized blast furnace slag, artificial or natural hard aggregate, light-colored aggregate, and non-elastic hard aggregate such as granular stone like colored aggregate, etc.例文帳に追加

下層部１２は、砕石、玉砕、砂利、単粒度製鋼スラグ、天然または人工の硬質骨材、明色骨材、着色骨材等粒状の石材等の非弾性の硬質骨材を主成分とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high performance TFT through formation of at least one TFT channel region with a single crystal by enlarging crystal grain size and controlling location for crystal growth.例文帳に追加

結晶粒径を拡大し、かつ結晶成長の位置を制御して、少なくともＴＦＴのチャネル領域をひとつの結晶で構成することにより、高性能なＴＦＴを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which device characteristics can be improved by unifying a cooling rate of a semiconductor element molten by single laser irradiation and unifying/increasing grain sizes of growing crystals, and to provide a method for producing the element.例文帳に追加

単一のレーザ照射により溶融した半導体素子の冷却速度を均一にし、成長する結晶を均一かつ大きくすることで、デバイス特性を向上できる半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A multiplicity of recessed parts as small as to allow the admission of single grain of the unpolished rice and to prohibit the admission of the paddy are formed at the vibration separating plate which separates the unpolished rice to a paddy layer, a mixed rice layer composed of the paddy and the unpolished rice and an unpolished rice layer.例文帳に追加

籾層と、籾と玄米との混合米層と、玄米層とに分離する揺動選別板に、玄米一粒が入り且つ籾が入らない程度の小さい凹部を多数形成する。 - 特許庁

To provide a coating method capable of forming a uniform single layer film of powder on a substrate even in the case fine powder having the volume average grain size of ≤15 μm is used.例文帳に追加

体積平均粒子径が１５μｍ以下のような微小粉体を用いた場合でも、基体上に均一な粉体単層皮膜を形成することのできる塗装方法を提供する。 - 特許庁

Metal particles 1 which are substantially spherical single crystals 0.1 to 10 μm in average grain diameter are all or partially coated with an insulating layer 2, one or more kinds of the coated metal particles are dispersed into resin 10 for the formation of composite magnetic material.例文帳に追加

実質的に単結晶となる球形でかつ平均粒径が０．１〜１０μmである金属粒子１の表面の全部または一部を、絶縁体層２により被覆し、該１種以上の被覆金属粒子を樹脂１０中に分散してなる。 - 特許庁

Spherical single crystals of ferrite of an average grain diameter in the range of 0.1 to 30 μm are dispersed into resin for the formation of a composite magnetic material, and an electronic component is formed of the above composite magnetic material.例文帳に追加

平均粒径が０．１〜３０μm である、球状の単結晶フェライトを樹脂中に分散させた複合磁性体材料を用いた電子部品。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a carbon-based film having such a thickness that the number of carbon atoms is 1E17/m^2 to 1E22/m^2 is formed on the amorphous silica substrate, and a Sn single crystal film wherein the grain diameters are ≥ 400 nm is vapor deposited on the carbon-based film.例文帳に追加

非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素系の膜を有し、膜の上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つＳｎ単結晶膜が蒸着されてなる半導体基板。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal AlN improved in crystallinity by laterally growing AlN utilizing a non-c axis oriented AlN crystal grain formed on a base substrate.例文帳に追加

ベース基板上に形成される非ｃ軸配向ＡｌＮ結晶粒を利用して、ＡｌＮを横方向成長させ、結晶性が改善された単結晶ＡｌＮを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-quality thin-film transistor channel region by utilizing a patterned metal mask and a grain boundary filter region for forming a large-scale single-crystal silicon thin film.例文帳に追加

パターニングされた金属マスクと粒界フィルタ領域とを利用して大規模な単結晶シリコン薄膜を形成することにより、高品質の薄膜トランジスタチャンネル領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crucible for growing a single crystal, which satisfies both of control of crystal face orientation and prevention of polycrystallization caused by the generation of a grain boundary; and to provide a high quality fluoride crystal grown by using the crucible.例文帳に追加

結晶面方位の制御とグレインバウンダリーの発生による多結晶化の防止とを両立できる単結晶育成用ルツボを提供すると共に、このルツボにより育成される高品質のフッ化物結晶を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor memory element using a ferroelectric-thin- film capacitor as its memory capacitor, by making a ferroelectric layer 7 included in the capacitor as a single-grain layer, reduction in grain boundaries present in a cell and reduction of the variations present between crystal grains are made possible, so as to realize a high-quality semiconductor memory element having the high production yield.例文帳に追加

強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中の強誘電体層７を単一粒子とすることにより、セル内の粒界及び結晶粒間ばらつき低減を可能とし、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を実現する。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６の間に非磁性体層２５を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層２４の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。 - 特許庁

In the microstructure of the heat affected zone in the high strength steel for bridges having excellent HZA toughness and weather resistance, the average grain size of old γ grains is ≤200 μm, and the ratio of γgrains containing 3 pieces or more of transgranular ferrite having the single or blended deposition grains of sulfide and nitride with MgO or Mg-containing oxide as nuclei is ≥30% in the whole γ grain.例文帳に追加

溶接熱影響部のミクロ組織において、旧γ粒の平均粒径が２００μｍ以下で、全γ粒のうち、粒内にＭｇＯまたはＭｇ含有酸化物を核にした硫化物および窒化物の単独または複合析出粒子を核にした粒内フェライトが３個以上有するγ粒が３０％以上である溶接ＨＡＺ靱性および耐候性に優れた橋梁用高強度鋼。 - 特許庁

To provide a highly oriented diamond film composed of arranged large polygonal diamond crystal grains, which can efficiently produce a high-performance element substantially equivalent to that produced on a single crystal substrate by easily forming element arrangement avoiding a grain boundary and further can easily produce an element by division along a grain boundary.例文帳に追加

粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the gallium nitride substrate, with which the gallium nitride thick-film single crystal is grown on a substrate and then sliced to manufacture a plurality of sheets of gallium nitride substrates, abrasive grains of 9.5 to 14 μm in average grain size are used, when the gallium nitride thick-film single crystal is sliced.例文帳に追加

基板上に窒化ガリウム厚膜単結晶を成長させ、窒化ガリウム厚膜単結晶をスライスして複数枚の窒化ガリウム基板を製造する窒化ガリウム基板の製造方法において、窒化ガリウム厚膜単結晶をスライスする際に、平均砥粒径９．５μｍ以上１４μｍ以下の砥粒を用いる方法である。 - 特許庁

As a piezoelectric material for composing the piezoelectric thin film 111, a single-crystal material, which is selected from quartz, lithium niobate, lithium tantalate, lithium tetraborate, zinc oxide, potassium niobate, and langasite and does not contain any grain boundaries, is desirable.例文帳に追加

圧電体薄膜１１１を構成する圧電材料としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、酸化亜鉛、ニオブ酸カリウム及びランガサイトから選択された、粒界を含まない単結晶材料が望ましい。 - 特許庁

This polishing composition is mainly used for polishing a polishing object formed of silicon carbide single crystal, and the composition contains abrasive grain such as colloidal silica and iodine compound such as ortho periodic acid or meta sodium periodate.例文帳に追加

本発明の研磨用組成物は、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で主に使用されるものであり、コロイダルシリカなどの砥粒と、オルト過ヨウ素酸やメタ過ヨウ素酸ナトリウムなどのヨウ素化合物とを含有する。 - 特許庁

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain.例文帳に追加

銅の双晶においては、通常｛１１１｝面の１つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する２つの結晶粒は、実質的に１つの大きな結晶粒とみなすことができる。 - 特許庁

To provide a material to be used for a highly precise optical system using UV light and vacuum UV light without degrading working precision or productivity even when the material is a fluoride single crystal having a sub-grain boundary in a {111} crystal face perpendicular to the optical axis direction.例文帳に追加

光軸方向と直交する｛１１１｝結晶面にサブグレインバウンダリーが存在するフッ化物単結晶であっても、加工精度や生産性を悪化させることなく、紫外光および真空紫外光を用いた高精度な光学系に使用できるものを提供する。 - 特許庁

The negative charge non-magnetic single-component developer contains binding resin and a coloring agent, and also at least inorganic particulates having an average primary grain size of ≤25 nm stick on the surface of the negative charge non-magnetic toner particles not containing the electrification control agent.例文帳に追加

本発明の負帯電性非磁性一成分現像剤は、結着樹脂と着色剤とを含有すると共に、帯電制御剤を含有しない負帯電性非磁性トナー粒子の表面に、少なくとも、平均一次粒子径が２５ｎｍ以下の無機微粒子が付着してなることを特徴とする。 - 特許庁

In the spectacles having a frame and a temple attached to the frame, at least a part of the frame 2 is formed of the dried hard single wood, and also is treated so that the grain 2b of the wood 2 may stand out.例文帳に追加

フレームと、このフレームに取り付けられた眼鏡つるとを有する眼鏡において、少なくともフレーム２の一部を、乾燥させた硬質の単一木材から形成するとともに、木材２の木目２ｂを浮き出させるための処理を施した構成としてある。 - 特許庁

Then, in the film 10 for semiconductors, the area occupied by a grain size not less than 5 μm, is not more than 15% of an entire projected image in the projected image where a filler single body or an aggregate existing near the surface of the adhesive layer 3 is projected onto the surface of the adhesive layer 3.例文帳に追加

そして、この半導体用フィルム１０は、接着層３の表面近傍に存在するフィラー単体または凝集体を、接着層３の表面に投影した投影像について、粒径５μｍ以上のものが占める面積が、投影像全体の１５％以下であるものである。 - 特許庁

In particular, described herein are hyperelastic, single crystal SMA dental archwires and methods of forming them while preserving the hyperelastic properties, e.g., without significant grain boundaries in the crystal structure.例文帳に追加

詳細には、超弾性単結晶ＳＭＡの歯科用アーチワイヤと、例えば結晶構造中で有意の粒界割れを生じることなく、超弾性特性を維持しながら、超弾性単結晶ＳＭＡ歯科用アーチワイヤを形成する方法について記載する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises controlling a CVD process in such a manner that pressure below 2.0 mBar and methane concentration below 2% can be attained, thereby forming the diamond electrode having a single and uniform layer composed of polyacrystalline diamond of <1 μm grain size and exhibiting Raman quality exceeding 50%.例文帳に追加

ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。 - 特許庁

The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２の単結晶には、０．０５〜３重量％以下のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。 - 特許庁

To provide a twist forward extruding method and a twist forward extruding apparatus by which extrusion at a low pressure is made possible by friction stirring and which is suitable to the production of a large size fine particle bulk material by which crystal grain is made finer at a breath by a single continuous process.例文帳に追加

摩擦撹拌現象により低圧での押出しを可能にし、単一連続プロセスで一気に結晶粒を微細化できる大型微細粒バルク素材創製に適したねじり前方押出し法およびねじり前方押出し装置を提供すること。 - 特許庁

Thus, a columnar polycrystalline ZnO buffer layer for which the (c) axis orientatability is high and a grain size in a horizontal direction is small within the (C) plane is formed, and a nitride based semiconductor single crystal layer less influenced by heat distortion from the Si substrate is manufactured on it.例文帳に追加

これにより、ｃ軸配向性が高くＣ面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ＺｎＯバッファ層が形成でき、この上にＳｉ基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。 - 特許庁