「single-step process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereby, the polylactic acid-based expanded foam having expandability and moldability equivalent to the case with conventional process can be obtained while simplifying both of the crosslinking step and the impregnating step into a single step.例文帳に追加

これにより、架橋工程と含浸工程が一工程に簡素化されると同時に、従来工程と同等の発泡性、成形性を有するポリ乳酸系発泡成形体が得られる。 - 特許庁

Thus, a back light returning operation and a function process selection operation are realized by a single input operation and it is immediately shifted to a next step process.例文帳に追加

これにより、バックライト復帰操作と機能処理選択操作を１回の入力操作で実現でき、次の段階の処理に即座に移行することができる。 - 特許庁

To provide a process for efficiently producing an aromatic compound in a single step from a gas containing carbon monoxide and hydrogen.例文帳に追加

一酸化炭素と水素を含むガスから１段で芳香族化合物を収率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single-step process for producing a fine metal nanoparticle, in particular a regular alloy nanoparticle, which is performed in a solution.例文帳に追加

微細な金属ナノ粒子、更には規則性合金ナノ粒子の溶液中での一段階製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process of thin sapphire substrates comprises a step in which a single crystal nickel oxide thin film 2 is formed on a single crystal sapphire preform 1, a step in which a thin single crystal sapphire substrate 3 is formed on the single crystal nickel oxide thin film 2 and a step in which the thin single crystal sapphire substrate 3 and the single crystal sapphire preform 1 are separated.例文帳に追加

単結晶サファイヤ母材１上に単結晶酸化ニッケル薄膜２を成膜させる工程と、該単結晶酸化ニッケル薄膜２上に薄型単結晶サファイヤ基板３を成膜させる工程と、該薄型単結晶サファイヤ基板３と該単結晶サファイヤ母材１とを分離する工程を含むことを特徴とする、薄型単結晶サファイヤ基板３の成長方法。 - 特許庁

To reduce the load on a double-sided simultaneous polishing step or a single-sided polishing step in a process for producing a silicon wafer, and to reduce surface roughness of a wafer, while maintaining planarization, when a planarization step is ended.例文帳に追加

両面同時研磨工程や片面研磨工程の負荷を軽減するとともに、平坦化工程を終えた際のウェーハ平坦度の維持及びウェーハ表面粗さの低減の双方を達成し得る。 - 特許庁

To reduce the load on a double-sided simultaneous polishing step or a single-sided polishing step in a process for producing a silicon wafer, and to reduce the surface roughness of a wafer, while maintaining flatness, when planarization step is ended.例文帳に追加

両面同時研磨工程や片面研磨工程の負荷を軽減するとともに、平坦化工程を終えた際のウェーハ平坦度の維持及びウェーハ表面粗さの低減の双方を達成し得る。 - 特許庁

To provide a precursor fiber for carbon fiber production, scarcely requiring prevention of adhesion of single fiber to each other, single fiber breakage prevention and the like and excellent in process stability, in the carbon fiber production step especially in the flameproofing treatment step.例文帳に追加

炭素繊維製造工程において特に耐炎化処理工程において、単糸同士の接着防止・単糸切れ防止などが少なく工程安定性が良好な炭素繊維製造用前駆体繊維を提供する。 - 特許庁

A single step power process presented by a single step induction charger system compatible with SAE J-1773 provides power factor correction and adjustment of output power by using a small number of parts.例文帳に追加

ＳＡＥ Ｊ−１７７３と両立し得る単一段誘導充電器システムにより提供される単一段電力処理は、小数の部品を用いて力率補正と出力電力の調整とを提供する。 - 特許庁

The number of process steps and manufacturing cost are reduced because a single etching step is needed by forming the conductive trace only on the single side of the base film.例文帳に追加

ベース膜の片面のみに導電性トレースを形成することにより、単一のエッチングステップしか必要とされないので、プロセスステップの数及び製造コストを減少することができる。 - 特許庁

To provide a single tunnel gate oxidation process for fabricating NAND memory strings in which gate oxide of the selection transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタ及び浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物を１つの酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling-up apparatus capable of producing a silicon single crystal ingot having a prescribed shape and no defect by suppressing the occurrence of a flushed burr in a growth process for the crown part of single crystal ingot which is the most important step in the pulling-up process for silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

本発明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ過程で最も重要とされる単結晶インゴットのクラウン部成長工程においてフラッシュアウトの発生を抑制し、所望形状で欠陥のないシリコン単結晶インゴットを製造することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer by which a loss caused by carrying out an outer peripheral grinding of a crystal in a cylindrical grinding step or a beveling step in a process for producing the silicon single crystal wafer having ≥200 mm diameter using a silicon single crystal grown by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法で育成されたシリコン単結晶を用いて直径２００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハを製造する工程において、円筒研削工程やべべリング工程で結晶の外周研削を行なうことにより生じる損失を低減する製造方法を提供する。 - 特許庁

By using the material subjected to spin-on processing to the hard mask, a process can be executed by using a single tool, and usage of a single curing step is enhance, which is not normally used in a patterning process of the conventional technique, in which a CVD hard mask is used.例文帳に追加

ハード・マスクにスピンオンされた材料を使用すると、プロセスが単一のツールで実施でき、ＣＶＤハード・マスクが使用される従来技術のパターニング・プロセスで通常使用されない単一の硬化ステップの使用が可能になる。 - 特許庁

To provide a process for production of liquid hydrocarbon in a single step from a synthetic gas with low methane selectivity and enhanced isoparaffin yield.例文帳に追加

合成ガスから一段で、メタン選択性が低く、かつイソパラフィン収率をより高くした液体炭化水素を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single poly non-volatile memory cell that can be operated on a low voltage and that can be manufactured by a conventional logic process combined an SOC manufacturing step for the simplification of a process.例文帳に追加

プロセスを簡単化するため、低電圧で操作できてＳＯＣ製作工程の統合された通常ロジックプロセスで製作できる単一ポリ不揮発性メモリーセルを提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film device in which the wiring step to the thin film device can be simplified by single transfer while lessening waste of material.例文帳に追加

材料の無駄を軽減しつつ、１回転写であって薄膜装置への配線工程を簡略化可能な薄膜装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus by which a splittable optical fiber ribbon can be produced in a single step process while greatly reducing the manufacturing cost and time of the present technology.例文帳に追加

現技術の製造コストと時間を大幅に抑え、単一ステッププロセスで引き裂き可能な光ファイバリボンを製造する方法と装置を提供すること。 - 特許庁

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the liquid crystal display devices having the process step for forming of non-single crystalline Si films on a transparent substrate and a cleaning process step of treating the substrate with an aqueous ozone solution, then treating the same with a dilute aqueous hydrofluoric acid solution.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜を形成する工程と、オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程とを有する液晶表示装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The above process forms a desired laminate structure on a principal plane of the substrate 1 although photolithography is limited to a single step of forming the first mask pattern 4.例文帳に追加

以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 - 特許庁

The process for producing a semiconductor substrate comprises a step for forming one laminate by laying a metal foil and an insulating layer in layer and boring a main opening for mounting a semiconductor chip in the a single laminate, and a step for laying another laminate formed by laying a metal foil and an insulating layer sequentially in layer on the single laminate.例文帳に追加

金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrical article provided with an insulating layer which is formed in a single step process and withstands high voltage even having a thickness reduced comparing with a conventional insulating body manufactured from multilayered materials.例文帳に追加

一段階法で施工でき、多層材料から製造した絶縁体に比べて減少した厚さを有しながら、高い電圧に耐え得る絶縁層を備える電気物品を提供する。 - 特許庁

The deposition method has a process step of chemically adsorbing at least a first layer of the one single-layer film thickness on the substrate by bringing the substrate into contact with the first precursor at the first temperature.例文帳に追加

堆積方法は、第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着する工程を有する。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

A method and device for manufacturing bearing are used for inspecting a cylindrical bearing 20 which becomes a slide bearing or dynamic bearing in the state of a single bearing or bearing unit in the inspection step of the final process.例文帳に追加

滑り軸受ないし動圧軸受となる円筒状の被検査軸受２０を、最終工程の検査工程で、軸受単体、または軸受ユニットの状態で検査する製造方法および装置である。 - 特許庁

To provide a method for producing microspheres with which desired sustained release feature is easily obtained by producing a mixed pharmaceutical form of microspheres having various compositions by a continuous single-step process.例文帳に追加

連続単一工程によって様々な組成の徐放性マイクロスフェアの混合剤型を製造して所望の放出様相を容易に得ることが可能なマイクロスフェアの製造方法を提供する。 - 特許庁

A groove 10a is formed on the substrate, and a step to be flattened by the polishing process of the single interlayer insulating film 7a is relaxed, therefore, the interlayer insulating film can be formed thinner.例文帳に追加

基板には溝（１０ａ）が形成されており、一の層間絶縁膜（７ａ）の研磨処理により平坦化すべき段差が緩和されており、一の層間絶縁膜は薄く形成することができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 - 特許庁

The manufacturing method uses a low-cost process step and a wet chemical etching step at a mainframe, and the SPM sensor which is provided with the rectangular cantilever having the tip protruding or not protruding from the free end part is manufactured from a single object.例文帳に追加

本製造法は費用のかからないプロセスステップ、大体において湿式化学エッチングステップを利用し、その結果自由端部より突出しまたは突出しないチップを持つ矩形片持ちばりを備えたＳＰＭセンサーを単一物から製造することを可能にする。 - 特許庁

In a substrate processor for a single wafer cleaning process, a process (steps S1a) of discharging an ammonia hydrogen peroxide solution- mixed aqueous solution against a substrate to be processed which is being rotated, and a process (step S2a) of intermittently discharging a hydrofluoric acid against the rotating substrate, are performed.例文帳に追加

枚葉式洗浄処理を行う基板処理装置において、処理対象となる基板を回転させつつその基板に対してアンモニア過酸化水素水混合水溶液を吐出する処理（ステップＳ１ａ）と、基板を回転させつつその基板に対してフッ酸を間欠吐出する処理（ステップＳ２ａ）とを行う。 - 特許庁

The structure of the protective spectacles includes a single structure 12 made by a two shots process step within a single mold and this single structure has outer rigid segments 12A on the outer side adhered to soft segments 13B having nose pieces 12C and soft segments 12B on the inner side formed with flexible projections 12D to be applied on the nose of a wearing person.例文帳に追加

保護眼鏡の構造は、単一モールド内で２ショット工程によって作られる単一構造１２を含み、その単一構造は、ノーズ片１２Ｃを有する軟質部分１２Ｂに接着された外側の硬質部分１２Ａと、着用者の鼻にあわせるためのフレキシブルな突起１２Ｄが形成されている内側の軟質部分１２Ｂと、を有する。 - 特許庁

The method (108) includes: a step of varying the exposure level of X-rays within an X-ray imaging system (10) to generate a plurality of images having different exposure levels; and a step of combining (112) the plurality of images in an addition process to form a single X-ray image.例文帳に追加

本方法（１０８）は、Ｘ線イメージング・システム（１０）内のＸ線の露出レベルを変えて、異なる露出レベルを持つ複数の画像を作成する段階と、該複数の画像を加法的処理で組み合わせて（１１２）、単一のＸ線画像を形成する段階とを含む。 - 特許庁

This is attained by performing defatting and sintering processes of the binder in a vacuum sintering furnace as a single process (One-Step), and a device for forming a complicated shape by an insert (a placed core) and removing it by solvent.例文帳に追加

これらは、バインダーと真空焼結炉内でのプロセスである脱脂、焼結を一つの工程内（Ｏｎｅ−Ｓｔｅｐ）で行う事と、複雑な形状はインサート（置き中子）し、それを溶媒で除去する装置。 - 特許庁

The exterior repair method for a building comprises the step of forming the color matching coating 4 and the hard coating 5 in a single process on the whole surface of the exterior 2 after mixing the coating for executing the color matching coating 4 and the coating agent.例文帳に追加

色あわせの塗装４を行なう塗料と、コーティング剤とを混合して外装２表面全体に１工程で色あわせの塗装４と硬化皮膜５の形成とを行なう建物の外装補修方法。 - 特許庁

The method comprises: a film deposition process for depositing an SiC epitaxial film 2 on an off-cut SiC single crystal substrate 1; and a heating process for reducing crystal defects by heating the deposited SiC epitaxial film 2 so as to generate step bunching 3 on the surface of the SiC epitaxial film 2.例文帳に追加

オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。 - 特許庁

The process for preparing a polyolefin nanocomposite, more particularly, a process capable of preparing a polyolefin nanocomposite more simply, efficiently and economically by preparing the polyolefin nanocomposite in a single step without a pretreatment process for modification of a polyolefin resin used as a matrix of the nanocomposite, is provided.例文帳に追加

本発明はポリオレフィンナノ複合体製造方法に関するものであって、より詳しくは、ナノ複合体のマトリックスとして使用されるポリオレフィン樹脂の材質のための前処理過程なしに単一段階でポリオレフィンナノ複合体を製造することにより、より簡単で効率的であり経済的にポリオレフィンナノ複合体を製造することができる方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a process for producing a highly branched polyester that is capable of producing a hyperbranched polymer having a radically polymerizable unsaturated group or a radically crosslinkable unsaturated group in a single step and capable of easily producing a highly branched polyester in an industrial scale.例文帳に追加

ラジカル重合性又はラジカル架橋性の不飽和基を有するハイパーブランチドポリマーを一工程で製造することが可能であり、工業的スケールで容易に製造できる高分岐ポリエステルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The supplying device 10 has a first drive roller 21 and second drive roller 22 provided with rotating means 13 disposed to drop the single crystalline silicon 11 by gravity while rotating the same around a line approximately orthogonal with the falling axis in the lower part of a pipe line 12 in order to supply the single crystalline silicon 11 to a resist process step.例文帳に追加

供給装置10は、単結晶シリコン11をレジスト工程に供給するために、単結晶シリコン11を落下軸線に対して略直交する線を中心として回転させながら自重落下させるために設けられた回転手段13が、管路12の下方に設けられた第１駆動ローラ21および第２駆動ローラ22を有する。 - 特許庁

The method has the merits that the objective products are obtained in a single step reaction with a preferable yield, and the transesterification is carried out in a single phase and thus various substrates and enzymes can be used, and the process is free from organic solvents and thereby is gentle to the environment, and the solvent and enzyme can be recycled.例文帳に追加

一段階の反応で目的生成物が得られ収率がよく、また本発明のエステル交換反応は一相系で行われるため多様な基質と酵素を使用でき、また有機溶媒類を用いないので環境に優しく、溶媒および酵素がリサイクル利用できるといった利点を有する。 - 特許庁

This method of repairing a turbine engine component 10 comprises a step of providing the turbine engine component 10 having an air foil part 16, a step of applying a coating 15 to the air foil part 16, and a step of flowing by heating the coated material in a die set 24 and regenerating the tip part, chord, and surfaces of the air foil part 16 to the initial dimensions by a single process.例文帳に追加

タービンエンジン構成要素１０の修復方法は、エアフォイル部１６を有するタービンエンジン構成要素１０を提供するステップと、エアフォイル部１６にコーティング１５を付与するステップと、コーティングされた材料をダイセット２４内で加熱して流動させ、エアフォイル部１６の先端部、翼弦、及び表面を単一の工程で初期寸法に修復するステップと、を備える。 - 特許庁

The process comprises: a melting step to heat and melt a cyclic olefin thermoplastic resin by a twin screw extruder 22, a feeding step to extrude the heat molten resin from a single screw extruder 23 and feed to a molding die 24, and a molding step to form a film by spouting the molten resin in film shape from the molding die 24 to a cooling drum 26 and then cooling.例文帳に追加

環状オレフィン系の熱可塑性樹脂を二軸スクリュー押出機２２により加熱溶融する溶融工程と、加熱溶融した溶融樹脂を一軸スクリュー押出機２３から押し出して成形ダイ２４に供給する供給工程と、成形ダイ２４から溶融樹脂を冷却ドラム２６にフィルム状に吐出して冷却することによりフィルム成形する成形工程と、を備えた。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity oxygen sensor chip manufacturable even in a single-step coating process, a manufacturing method of the sensor chip, and an optical oxygen sensor for simply and accurately measuring the concentration of oxygen in a gaseous or liquid atmosphere by using the sensor chip.例文帳に追加

塗布プロセスがシングルステップでも作製可能な高感度酸素センサーチップと、前記センサーチップの製造方法と、前記センサーチップを用いて、気体や液体雰囲気中の酸素濃度を簡単、正確に測定できる光学式酸素センサーとを提供すること - 特許庁

Accordingly, the single wafer substrate cleaning facility and backside cleaning method of substrate, which can simplify a process step and saving a cost therefor by simplifying the facility for cleaning the backside of substrate and can minimize the contamination of the substrate by particles, can be provided.例文帳に追加

従って、基板の裏面を洗浄するための設備を簡素化して費用を節減し、工程ステップを簡素化することができ、パーティクルによる基板の汚染を最小化できる枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI substrate which improves adhesiveness between a single crystal semiconductor layer and a semiconductor substrate, reduces laminating defects, and provides sufficient bonding strength in a laminating step and also in a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁