「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

Since deviation of crystal orientation in the surface of the metal substrate 1 is within 5 degrees, deviation of crystal orientation of the n-type polycrystalline Si thin film 3 and the p-type polycrystalline Si thin film 4 is also extremely small.例文帳に追加

金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 - 特許庁

When air is supplied into an air cylinder of a displacement type support body 2 to lift it and it contacts to the back surface of the workpiece W, the position of the displacement type support body 2 in the height direction is fixed and the workpiece W is fixedly held.例文帳に追加

次に変位式支持体２のエアシリンダにエアを供給して上昇させワークＷの裏面に接触した時点で、変位式支持体２の高さ方向の位置を固定し、ワークＷを保持固定する。 - 特許庁

A solder material 11, having a melting point lower than that of the flat type wire 1, is interposed between both side surfaces 5, 5 for bonding of the end portions 2 of the flat-type wires 1, and heating beam 12 is radiated from an end surface 4 side of the paired conductors 10.例文帳に追加

平角線１よりも低融点のろう材１１を、対導線１の端部２の両接合用側面５，５の間に介設した後、加熱ビーム１２を対導線１０の端面４側から照射する。 - 特許庁

Next, the drum type worm 2 is moved obliquely to the rotating axis of the drum type worm 2 of the gear housing 1 along a raceway surface of the outer ring 7c, and the tapered roller bearing 7 is assembled in the gear housing 1.例文帳に追加

次いで、ギヤハウジング１の鼓型ウォーム２の回転軸線に対して、外輪７ｃの軌道面に沿って斜めに、鼓型ウォーム２を移動させて、ギヤハウジング１内でテーパーローラ軸受７を組み立てるようしている。 - 特許庁

A pattern for positioning of laser trimming provided on the surface of a semiconductor wafer is arranged within a bleeder resistance region which is constituted by combining p-type and n-type semiconductor film resistors.例文帳に追加

半導体ウエハの表面に設けられたレーザトリミング位置決め用パターンを半導体集積回路チップ内の、型とＮ型の半導体薄膜抵抗体を組み合せて構成したブリーダ抵抗領域内に配置した。 - 特許庁

Further, it is preferable that a p+ layer 3 and a p-type electrode 5 connected to the p+ layer and wire-connected to the cathode electrode are provided on an upper surface of the p-type substrate positioned to the outside of the n-well layer.例文帳に追加

さらに、ｎウェル層の外側に位置するｐ型基板の上部表面には、ｐ＋層３と、該ｐ＋層に接続しかつカソード電極に結線されたｐ型電極５と、を更に備えることが好ましい。 - 特許庁

On the upper surface of the p-type second base region 2b, a trench for gate electrode and a short-circuit trench for short-circuiting the first base region 2a, the second base region 2b, and the n-type source region 4 are provided successively.例文帳に追加

該ｐ型第２ベース領域２ｂの上面にはゲート電極用トレンチと、該第１ベース領域２ａと第２ベース領域２ｂおよびｎ型ソース領域４を短絡する短絡用トレンチが並設されている。 - 特許庁

To provide a conversion socket that substitutes for a surface-mounted type semiconductor package, which allows multi-device structuring or can use different-type-packaged devices without imposing constraints on a body substrate regarding a mounting area.例文帳に追加

本体基板に実装面積の制約条件を持たせることなく、複数デバイス構成、或いは異なる実装タイプのデバイスを使用できる、表面実装タイプの半導体パッケージを代替する変換ソケットを提供する。 - 特許庁

After the irregular unevenness 10 is formed, an accumulation layer 11 having higher impurity density than that of the n^- type semiconductor substrate 1 is formed on the second principal surface 1b side of the n^- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ^−型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。 - 特許庁

A fourth semiconductor layer of the second conductivity type is provided on the third semiconductor layer, and a fifth semiconductor layer of the first conductivity type is selectively provided on a surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

前記第３半導体層の上には、前記第２導電型の第４半導体層が設けられ、前記第４半導体層の表面に前記第１導電型の第５半導体層が選択的に設けられる。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is formed in an N type MISFET formation area 11 and a P type MISFET formation area 12 on the surface of a silicon substrate 1, and metal gate electrodes 4 and 5 are formed on the gate insulating film 3.例文帳に追加

シリコン基板１の表面におけるＮ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域１１及びＰ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域１２にゲート絶縁膜３を設け、その上にメタルゲート電極４及び５を設ける。 - 特許庁

Reduction in the capacity of a pin diode 1 is realized by mounting the pin diode 1 on a mounting substrate through bump electrodes 8 formed, respectively, on the surface of a p+ type diffusion layer 5 and an n+ type diffusion layer 6.例文帳に追加

ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６それぞれの表面に形成したバンプ電極８をもってｐｉｎダイオード１を実装基板に実装することによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of leakage current due to a crystal defect, in a semiconductor device having a plurality of second-conductivity-type regions that are selectively formed in a surface portion of a first-conductivity-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の表面部分に選択的に形成された複数の第２導電型領域を備える半導体装置において、結晶欠陥に起因するリーク電流の発生を抑える。 - 特許庁

The whole surface of the cassette type strainer is cleaned, and cleaning and inspection up to the tip part of a pyramid type cassette can be performed, by repeating movement in the circumferential direction and movement in the axial direction of the movable stand 4 on the ring frame 1.例文帳に追加

そして、リングフレーム１上の可動台４を円周方向移動と軸方向の移動を繰返すことで、カセット型ストレーナの全面を清掃し、かつ角錐形カセットの先端部まで清掃と点検を可能にした。 - 特許庁

Under that state, the epitaxial layer 18 exposed to the inner sidewall of the trench 4 is implanted with impurities for controlling to P type, and then the silicon substrate 2 is heated thus forming a P^- type reduced surface field layer 9.例文帳に追加

この状態で、トレンチ４の内側壁に露出したエピタキシャル層１８にＰ型への制御のための不純物が注入された後、シリコン基板２が加熱されて、Ｐ^-型のリサーフ層９が形成される。 - 特許庁

As the ionic liquid, only an organic phosphorus-type or quaternary amine-type ionic liquid is used that can produce spatial gaps only for introducing the object compounds into the ionic liquid chemically bonded to the surface of the base material.例文帳に追加

イオン液体として、基板表面に化学結合されたイオン液体中に目的化合物を導入するだけの空間的な隙間を作り出すことができる有機リン型もしくは４級アミン型のイオン液体を用いる。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

To provide a material to be recorded with ink jet printer and a surface treating agent having an excellent abrasion property, an absorbing property and a fixing property to any kind of a pigment type and a dye type ink.例文帳に追加

顔料タイプ及び染料タイプのいずれのインクに対しても優れた擦過性、吸収性及び定着性を有するインクジェットプリンター用被記録材及び表面処理剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

At least one layer of a layer constituting the n-type layer 3, a layer constituting the photoelectric conversion layer 4 and a layer constituting the p-type layer 5 has a preferred crystal orientation surface which is different from other layers.例文帳に追加

そして、ｎ型層３を構成する層、光電変換層４を構成する層およびｐ型層５を構成する層のうちの少なくとも１つの層は、他の層と異なる優先結晶配向面を有する。 - 特許庁

The n-type layer 12 is exposed partially by removing a part of the p-type layer 14 and the light emitting layer 13 from the GaN-based semiconductor layer L by etching, and a negative electrode 15 is formed on the exposed surface.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層Ｌからｐ型層１４と発光層１３の一部をエッチング除去することにより、ｎ型層１２が部分的に露出しており、その露出面上に負電極１５が形成されている。 - 特許庁

To prevent satisfactory ohmic contact between a p-type nitride semiconductor and metal even if a defect occurs on the surface of the p-type nitride semiconductor worked by using a dry etching method and metal is deposited.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いて加工したｐ型の窒化物半導体の表面に欠陥が発生し、金属を蒸着しても、ｐ型の窒化物半導体と金属の間には良好なオーミック性接触が形成されない。 - 特許庁

At formation of a first conductivity-type impurity region and a second conductivity-type impurity region respectively on the surface of the semiconductor epitaxial, a high performance PN diode, having superior characteristics for leakage current is formed.例文帳に追加

半導体エピタキシャルの表面に各々第１導電型の不純物領域及び第２導電型の不純物領域を形成すると、優れた漏洩電流の特性を有する高性能ＰＮダイオードが形成できる。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W is produced by forming a silicon epitaxial layer 2 on the major surface 11 of a lightly doped p^- type or n^- type silicon single crystal substrate 1 having a resistivity of 0.02 Ωcm or above.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、抵抗率が０．０２Ω・ｃｍよりも高いｐ^−型又はｎ^−型の低ドープのシリコン単結晶基板１の主表面１１にシリコンエピタキシャル層２が形成されたものである。 - 特許庁

A first conductivity type source diffusion region 6 and a first conductivity type drain diffusion region 7 are formed, respectively, on the surface of the body diffusion region and the drift region corresponding to the opposite sides of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の両側に相当するボディ拡散領域の表面、ドリフト領域の表面にそれぞれ形成された第１導電型のソース拡散領域６、第１導電型のドレイン拡散領域７を備える。 - 特許庁

This tool for mounting the roll type water-absorbing sheet is provided by laying the water-absorbing sheet on a flat surface of a plate by rotating the roll type water-absorbing sheet wound on a core, separating the sheet from animal excrement and also installing a footstool.例文帳に追加

吸水シートを芯に巻きつけた、ロール式吸水シートを回転させてロール式吸水シートを板の平面に敷き、吸水シートと動物の糞を分別し、踏み台を設置したロール式吸水シート設置用具である。 - 特許庁

The cylinder barrel inner peripheral side member 2 is formed in a cylinder shape with specified thickness and has a window hole type scavenging port 15 and a recessed groove type scavenging passage 16 formed on an outer peripheral surface part by being communicated to this scavenging port 15.例文帳に追加

シリンダバレル内周側部材２は、所定肉厚の筒状に形成され、窓穴状の掃気ポート１５と、この掃気ポート１５に連通して外周面部に形成された凹溝状の掃気通路１６とを有する。 - 特許庁

A conductive layer 9 is formed so that it covers the end face of a semiconductor chip, namely, it is in contact with a back surface electrode 7, entirely covers the end face of an n^+-type substrate 1 and an n^--type drift layer 2, and reaches a passivation film 6.例文帳に追加

半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ^+型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。 - 特許庁

Two lead wires 3 of a chip type electronic component are laid including a couple of peak portions of a meandering shape and a couple of channels 4 are formed at the bottom surface of a resin plate 2 on which the chip type electronic component is fixed.例文帳に追加

チップ形電子部品の２本のリード線３が２つの蛇行頂部を有する蛇行形状を有し、チップ形電子部品を固定する樹脂板２の底面には、２つの溝４が形成されている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 1 has a structure in which a thin film shaped n-type thermoelectric member 11 with a thickness of 5μm and a thin film shaped p-type thermoelectric member 12 with a thickness of 5μm are formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

熱電変換素子１は、基板１０の表面上に、厚さ５μｍの薄膜状のｎ型熱電材料部１１と厚さ５μｍの薄膜状のｐ型熱電材料部１２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

The solar cell is formed by combining two or more processes of a process for roughening the surface of silicon having p-type conductivity and n-type conductivity, a process for forming openings having polygon shapes, and a process for forming a porous layer.例文帳に追加

ｐ型及びｎ型を有するシリコンの表面を粗化する工程と、多角形を有する孔を作成する工程と多孔質層を形成する工程とを２工程以上を組み合わせて作成された太陽電池。 - 特許庁

To provide a contact type electrifier realizing the reduction of cost and stable electrification as a contact type electrifier using an electrifying member where a carbon nano-tube is projected on a surface coming into contact with a body to be electrified.例文帳に追加

被帯電体と接触する面にカーボンナノチューブが突出している帯電部材を用いた接触型帯電器における、低コスト化が実現でき、且つ、安定な帯電の行える接触型帯電器を提供すること。 - 特許庁

This roll type medium supporting mechanism is furnished with a plurality of expanding opening contact members 230 axially one end sides of which are supported on a supporting member 210 and the other end sides of which make contact with an inner peripheral surface of a hollow shaft part of the roll type medium.例文帳に追加

一端側が支持部材２１０に軸支され、他端側がロール状媒体の中空軸部の内周面に当接する拡開当接部材２３０を、前記支持部材２１０の周方向に複数備える。 - 特許庁

After that, a recovering arm 80 turns around to carry the wafer 1 to a spinner type cleaning apparatus as a carrying destination, and the protective film 8 formed on the surface of the wafer 1 is removed by cleaning in the spinner type cleaning apparatus.例文帳に追加

この後、回収アーム８０を旋回させて、ウエーハ１を搬送先であるスピンナ式洗浄装置に搬送し、スピンナ式洗浄装置内でウエーハ１の表面に形成された保護膜８を洗浄除去する。 - 特許庁

The dummy region 32 is provided with an N-type epitaxial layer 2, which continuously extends, from the transistor region 31 and a body layer 4 which is continuously extended from the transistor region 31 on a surface part of the N-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ダミー領域３２は、トランジスタ領域３１から連続して延長されたＮ型エピ層２と、Ｎ型エピ層２の表面部にトランジスタ領域３１から連続して延長されたボディ層４とを備える。 - 特許庁

To increase luminous efficiency in a semiconductor light-emitting element, where at least an n-type nitride semiconductor layer, a luminous layer, and a p-type nitride semiconductor layer are laminated on a substrate, and an irregular structure is provided on an upper surface.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 4 is selectively provided on a surface of the third semiconductor layer 3 and has a higher concentration of a second-conductivity-type impurity than that of the second conductivity-type impurity of the third semiconductor layer 3.例文帳に追加

第４の半導体層４は、第３の半導体層３の表面に選択的に設けられ、第３の半導体層３の第２導電形不純物の濃度よりも高い第２導電形不純物の濃度を有する。 - 特許庁

An n-type GaN layer is provided near a two-dimensional electronic channel which is formed at AlGaN/GaN heterojunction, and a drain electrode is simultaneously brought into contact with the AlGaN layer and the n-type GaN layer of the surface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合に形成された二次元電子チャンネルの近くにｎ型ＧａＮ層を設け、さらにドレイン電極を表面のＡｌＧａＮ層及びｎ型ＧａＮ層に同時に接触させる。 - 特許庁

To provide a displacement type electroless gold-plating method which does not produce pores or burning on the surface of a metallic underlayer, with the use of an environmentally-friendly no-cyan-type electroless gold displacement plating bath.例文帳に追加

本発明は、環境負荷の少ないノーシアン型の置換型無電解金めつき浴を用いた下地金属層表面に細孔ややけを生じさせることのない置換型無電解めつき方法の提供を課題とする。 - 特許庁

First, n-type source-drain areas 3 are formed by selectively introducing an n-type impurity to the surface of a semiconductor substrate 1, into which boron has beam introduced, at a concentration higher than that of boron.例文帳に追加

先ず、ボロンが導入された半導体基板１の表面に、このボロン濃度よりも高い不純物濃度でｎ型不純物を選択的に導入することにより、ｎ型のソース−ドレイン領域３を形成する。 - 特許庁

To provide sure slide of a thrust slide bearing of a simple structure in a low pressure dome type scroll type compressor having a structure storing lubricating oil separated from sucked refrigerant on a back surface of a turning scroll.例文帳に追加

吸入冷媒から分離した潤滑油を旋回スクロール２６の背面に貯油できる構造を持つ低圧ドーム型のスクロール型圧縮機において、構造が簡素なスラスト滑り軸受け５２にて確実な滑動を得る。 - 特許庁

To attach a seat plate made of heat-resistant synthetic resin to the identical lead direction type component part of a surface-mounting type electronic component, which comprises the component part and the seat plate attached to the component main part without loosening.例文帳に追加

リード同一方向型部品本体に、リード挿通孔を有する耐熱性合成樹脂製の座板を装着してなる表面実装型電子部品を得るにあたって、部品本体に座板をガタ付きなく装着する。 - 特許庁

To provide a high activity surface-modified titanium oxide photocatalyst with its photocatalytic activity improved concerning a rutile-type or anatase-type titanium oxide having photocatalytic activity and a method of producing the photocatalyst.例文帳に追加

光触媒活性を有するルチル型あるいはアナターゼ型の酸化チタンについて、その光触媒活性がより高められた高活性表面修飾酸化チタン光触媒及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer, an active layer having a multiple quantum well structure of the nitride semiconductor, and a p-type nitride semiconductor layer are stacked in turn on a main surface of a first substrate on which irregularity is formed.例文帳に追加

凹凸が形成された第１基板の一主面上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量子井戸構造を有する活性層、およびｐ型窒化物半導体層を、順に積層する。 - 特許庁

On the main surface 103 of a p^+ semiconductor layer 12 on a side opposite to an n^- type semiconductor layer 80, a plurality of n^+ impurity areas 11 are selectively formed without connected with the n^- type semiconductor layer 80.例文帳に追加

ｎ型半導体層８０とは反対側のｐ^+半導体層１２の主面１０３上には、ｎ型半導体層８０とは接続されずに、複数のｎ^+不純物領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

To provide a two-stage type parking device capable of being easily installed regardless of an inclination of an installing surface in the two-stage type parking device for parking automobiles in upper/lower two stages.例文帳に追加

本発明は、自動車を上下二段に駐車させるための二段式駐車装置に関し、設置面の傾斜に関係なく容易に設置することができる二段式駐車装置を提供することを目的とする。 - 特許庁