「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

Main surfaces 12 of each of an inner side reflection surface 9a and an outer side surface 9b of a single-sheet type reflection shade 9 of the lighting fixture 2 are made substantially in curved surfaces, and as a result, shape-designing freedom is enhanced for enlarging a curvature of the curved surface or decreasing the curvature of the curved surface.例文帳に追加

本発明の照明器２の一枚板反射笠９内側の反射面９ａ及び外側面９ｂそれぞれの主面１２は実質的に曲面とされる結果、曲面の曲率を大きくする若しくは曲面の曲率を小さくする等の設定を行う形状自由度が高い。 - 特許庁

The roll type screen 8 has a screen body 100 equipped with a first screen surface 110 used as a surface to be attached other than used for a picture projected from a picture projection device, and a second screen surface 120 used as a projection surface for the picture projected from the picture projection device, and formed as a flexible sheet.例文帳に追加

ロール式スクリーン８は、画像投写装置から投写される画像以外の被付着面として使用される第１スクリーン面１１０と、画像投写装置から投写される画像の投影面として使用される第２スクリーン面１２０とを備える可撓性でシート状をなすスクリーン本体１００を有して構成する。 - 特許庁

This transmission type projection screen is provided with black stripe 14 layer parts in the portions where the projected light from projection is not transmitted and light diffusion layer parts 16a by foaming only in the portions where the light is transmitted on the flat surface side of a lenticular sheet 10 which is provided with cylindrical lenses in juxtaposition on one surface and the other surface is a flat surface.例文帳に追加

片面にシリンドリカルレンズが並設され、他面が平坦面であるレンチキュラーシート１０の平坦面側にプロジェクションからの投影光が透過しない部分にブラックストライプ１４層部、透過する部分のみに発泡による光拡散層部１６ａが設けられている透過型プロジェクションスクリーン。 - 特許庁

A time resolving type surface analyzing apparatus has a function temporally resolving the surface state of a sample to measure the same and is integrally constituted of a structure measuring means for measuring the surface structure of the sample and an image measuring means for measuring the surface shape of the sample.例文帳に追加

本発明の時間分解型表面分析装置は、試料の表面の状態を時間分解して測定する時間分解型表面分析装置であって、前記試料表面の構造を測定する構造測定手段と、前記試料表面の形状を測定する像測定手段と、を一体的に有する構成である。 - 特許庁

A spot (bright spot) α is formed on the image forming surface 2 by light 6 diffracted from a disk shaped area 4 on the surface 1 of the hologram by waveguide light within a single mode plane type optical waveguide, and simultaneously a spot β is formed on the image forming surface 2 by light 7 diffracted from a disk shaped area 5 on the surface 1 of the hologram.例文帳に追加

シングルモード平面型光導波路内の導波光によってホログラム面１上の円盤状の領域４から回折された光６は結像面２上にスポット（bright spot；輝点）αを作り、同時に、ホログラム面１上の円盤状の領域５から回折された光７は結像面２上にスポットβを作る。 - 特許庁

This zoom lens barrel is constituted as the multistage type one by combining plural barrel members, and at least a pair of adjacent barrel members is connected by helicoid-coupling an outer peripheral surface helicoid part formed on the outer peripheral surface of either barrel member with an inner peripheral surface helicoid part formed on the inner peripheral surface of the other barrel member.例文帳に追加

複数の筒部材を組み合わせて多段式に構成されるとともに、隣接する少なくとも１組の筒部材が一方の筒部材の外周面に形成した外周面ヘリコイド部と他方の筒部材の内周面に形成した内周面ヘリコイド部とのヘリコイド結合で連結されている、ズームレンズ鏡胴。 - 特許庁

To provide a multiple layer type spread style surface treatment method which has a sufficient durablility when a surface is exposed in highly severe conditions in such places as curves, intersections and sloping roads, and which builds an excecellently durable surface treatment layer with rare peeling of aggregates, and a pavement body having a surface treatment layer acquired from the method.例文帳に追加

カーブや交差点、坂道など過酷な条件に晒される場所においても十分に耐えることのできる、骨材の剥離が少なく耐久性に優れた表面処理層を構築する複層型散布式表面処理工法と、それによって得られる表面処理層を有する舗装体を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a novel surface treatment apparatus such as a work dipping type washing apparatus or the like capable of being effectively made compact in its size and capable of making the height of the liquid surface of a washing chamber (surface treatment chamber) larger than that of the liquid surface on a work charging side or feeding-out side.例文帳に追加

ワーク浸漬方式の洗浄装置等の表面処理装置において、装置の大きさをよりコンパクトにするのに効果的で、ワーク投入側又は搬出側の液面高さより洗浄室（表面処理室）の液面高さを簡単な構造で高くすることができる新規表面処理装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A protection plate 9 is nearly in the same shape with the display surface 10 of the display side 2 of the folding type portable telephone and the operation surface 11 of the button side 6 thereof, coaxially journaled by a hinge 4 at a fitting part 12, and arranged rotatably around the hinge 4 between the display surface 10 and the operation surface 11.例文帳に追加

保護プレート９は、折り畳み式携帯電話のディスプレイサイド２の表示面１０およびボタンサイド６の操作面１１とほぼ同じ形状で、取り付け部１２でヒンジ４に同軸に軸支されて表示面１０および操作面１１の間に、ヒンジ４を軸として回転自在に配置されている。 - 特許庁

The surface type antenna device 20 is provided with: a wiring substrate 22 on one surface side of which a plurality of antenna elements 24 are arranged and on the other surface side of which a plurality of modules 26 for controlling operations of the antenna elements are arranged; and an outer package 30 which is arranged on the one surface side and has a plurality of antenna element storage holes 32.例文帳に追加

この面型アンテナ装置２０は、一面側に複数のアンテナ素子２４が配置され他面側に複数のアンテナ素子動作制御用モジュール２６が配置された配線基板２２と、上記一面側に配置され複数のアンテナ素子収容孔３２を有している外装体３０と、を備えている。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element where a surface acoustic wave of an SH type is reflected between two opposed end faces of a piezoelectric substrate on the surface of which interdigital transducer electrodes are formed, where frequency adjustment is easily performed while ensuring the reliability of the surface acoustic wave element and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表面にインターデジタルトランスデューサ電極の形成された圧電基板の対向する２端面間で、ＳＨタイプの表面波が反射される弾性表面波素子において、弾性表面波素子の信頼性を確保しながら、かつ容易に周波数調整を行える弾性表面波素子、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion type acrylic adhesive sheet for repeeling which comprises an aqueous dispersion type adhesive enabling to coat it in an aqueous type, can suitably be used for particularly the adhesive sheet for a semiconducting wafer processing, and causes a little stain on a surface of an adherend.例文帳に追加

水系で塗工できる水分散型の粘着剤を実現し、特に半導体ウエハ加工用粘着シートとして好適に用いることのできる被着体表面への汚染が少ない再剥離用水分散型アクリル系粘着シートを提供することを目的とする - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 301 at the lower portion of the connection electrode 308, p-type impurities are introduced selectively, thus forming a high-concentration p-type impurity region 310 having a p-type impurity concentration that is higher than that of the pixel separation region 306.例文帳に追加

また、接続電極３０８の下方における半導体基板３０１の表面には、Ｐ型不純物を選択的に導入することによって、画素分離領域３０６よりＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型不純物領域３１０が形成されている。 - 特許庁

The element is constituted by using the p-type GaN semiconductor layer, in which a region where hydrogen is made to remain in a p-type GaN compound semiconductor layer (p-type layer) profundal part, resistance is made high exists inside, and a region formed of a nonstoichiometric composition is installed in a surface layer.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層（ｐ型層）深底部に水素を残留させて、高抵抗となした領域を内在し、且つ表層部に非化学量論的な組成からなる領域を設けたｐ型ＧａＮ系半導体層を用いて素子を構成する。 - 特許庁

A first trench 13 is made vertically from the surface side of an n-type semiconductor layer 1 to serve as a collector region, and p-type impurities are diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13, whereby a p-type base region 2 is made laterally.例文帳に追加

コレクタ領域とするｎ形半導体層１の表面側から縦方向に形成される第１の溝１３が形成され、その第１の溝１３からｐ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されることによりｐ形ベース領域２が横方向に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 and an n-type semiconductor layer 3 are laminated with a silicon oxide film 2 between, while a p-type semiconductor layer 9 and an n+layer semiconductor layer 11 are formed on the surface of the n-type semiconductor layer 3 with a source electrode 13 and a drain electrode 14 provided, respectively.例文帳に追加

半導体基板１とｎ−型半導体層３とをシリコン酸化膜２を挟んで積層すると共に、当該ｎ−型半導体層３の表面に、ｐ型半導体層９やｎ＋型半導体層１１を形成して、それぞれにソース電極１３、ドレイン電極１４を設ける。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

In the translucent electrode 170, through holes 180 are provided so that a ratio (an opening ratio) in which the surface of the p-type semiconductor layer 160 is exposed is different from a region (C) adjacent to a first-type electrode 190 and a region (A) adjacent to a second-type electrode 200.例文帳に追加

透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 - 特許庁

The manufacturing process of a film comprises blending under melting a polyolefin type resin by an extruder and extruding through a T die to give a film composed of a melted polyolefin type resin and pressing the resulting film under pinching with a metal roller and a roller at least a surface of which is structured by a fluorine type polymer.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂を押出機にて溶融混練し、Ｔダイより押出ししたポリオレフィン系樹脂製溶融フィルム状物を、金属ロールと、少なくとも表面がフッ素系重合体から構成されているロールとで挟んで圧着することを特徴とするフィルムの製造方法。 - 特許庁

Gettering sites 31 absorbing crystal defects 30 generated in a drift region 20 are arranged at part positions except the drift region 20 as an operation region on the main surface side of the N-type semiconductor layer 1 between the P-type well region 4 and an N+ type drain region 2.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４とｎ^^^+形ドレイン領域２との間におけるｎ形半導体層１の主表面側の動作領域たるドリフト領域２０以外の部位に、ドリフト領域２０に発生した結晶欠陥３０を吸収するゲッタリングサイト３１が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for producing a core-shell type particle by which the particle diameter of the obtained core-shell type particle can be strictly controlled, and the surface function is uniformly exhibited; and to provide the core-shell type particle obtained thereby; and to provide an adhesive particle and an adhesive spacer particle for a liquid crystal display element.例文帳に追加

得られるコア−シェル型粒子の粒径を厳密に制御することが可能で、且つ、表面機能が均一に発現されるコア−シェル型粒子の製造方法、それにより得られるコア−シェル型粒子、接着粒子、及び、液晶表示素子用接着性スペーサ粒子を提供する。 - 特許庁

An electrode 17 to be connected with the P-type layer 12 as well as an electrode 18 to be connected with the channel stopper layer 14 are formed on the insulating film 16, and a high-concentration N+-type layer 19 as well as an electrode 20 to be connected with the layer 19 are formed on the rear surface of the N-type substrate 11.例文帳に追加

絶縁膜１６上にＰ型層１２と接続される電極１７、チャネルストッパ層１４と接続される電極１８が形成されＮ型基板１１の裏面には高濃度のＮ^+ 型層１９及びこのＮ^+ 型層１９に接続される電極２０が形成されている。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁

A p-type oxide transparent conducting film 13, an i-type oxide transparent conducting film 14, and an n-type oxide transparent conducting film 15, are layered on a transparent board 11 to form the transparent solar battery 2, which is superposed on the display surface of the display panel 1.例文帳に追加

ｐ型酸化物透明導電膜１３、ｉ型酸化物透明導電膜１４およびｎ型酸化物透明導電膜１５を透明基板１１上に積層することにより透明太陽電池２を構成し、表示パネル１の表示面上に透明太陽電池２を配置する。 - 特許庁

When the projection type electrode body 1 formed on a distal end of the feeder cable 7 is dropped, the recession type electrode body 2 formed with a receiving part for receiving the projection type electrode body 1 is provided near a road surface R provided with a guide means for guiding a traveling direction of the yard crane.例文帳に追加

ヤードクレーンの走行方向を案内する案内手段を設けた路面Ｒの近傍に、給電ケーブル７の先端に形成した凸型電極体１を落とし込んだ際にその凸型電極体１を受け入れる受入部を形成した凹型電極体２を設けた。 - 特許庁

A water-soluble laminated film features that a sheet-type fiber is stacked on one surface of a water-soluble resin film, a water-soluble resin is applied on the sheet-type fiber over a coated area of 5 to 80%, and the applied water-soluble resin in the coated area is impregnated into the sheet-type fiber.例文帳に追加

水溶性樹脂フィルムの一面にシート状繊維体が積層されてなり、かつ、シート状繊維体面に、塗布面積５〜８０％で水溶性樹脂が塗布されるとともに、塗布部分において、塗布された水溶性樹脂がシート状繊維体に含浸してなる、水解性積層フィルム。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加

そして、Ｐ型ボディ領域３の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域５内に達するよう、Ｎ型ドリフト領域５より高濃度のＰ型埋め込み拡散領域４が形成される。 - 特許庁

A trench 61 formed to reach the n^+ type silicon substrate 1 from the principal surface 72 of the n^+ type silicon substrate 1 so as to contact with the n^- type silicon region 3 having the high resistance, is filled with a conductive body 5 through an insulating material 4, and the conductive body 5 is electrically connected to a source electrode 13.例文帳に追加

また、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３に接してｎ^＋型シリコン基板１の主面７２からｎ^＋型シリコン基板１に達するトレンチ６１内に、絶縁体４を介して導電体５を充填し、前記導電体５を電気的にソース電極１３に接続させる。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 7 is formed on a surface of the n^--type substrate 1, and through contact holes 7a and 7b, a cathode electrode 8 is electrically connected to the n^+-type doped Poly-Si 5 and an anode electrode 9 is electrically connected to the p^+-type impurity layer 2.例文帳に追加

また、ｎ^-型基板１の表面に、層間絶縁膜７を形成し、コンタクトホール７ａ、７ｂを通じて、ｎ^+型ドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ５と電気的に接続されるようにカソード電極８を備えると共に、ｐ^+型不純物層２と電気的に接続されるようにアノード電極９を備える。 - 特許庁

On the other hand, an N+-type semiconductor layer 10 is formed on the front surface of the second N-well 3 and a second resistance electrode 16, connected electrically to the N+-type semiconductor layer 10 through the contact hole CH4 formed in the interlayer insulating film 11 on the N+-type semiconductor layer 10, is formed.例文帳に追加

また、第２のＮウエル３の表面にＮ＋型半導体層１０が形成され、Ｎ＋型半導体層１０上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホールＣＨ４を介して、Ｎ＋型半導体層１０に電気的に接続された第２の抵抗電極１６が形成されている。 - 特許庁

On an n type InP semiconductor substrate 101 whose surface azimuth is a (311) A plane, n type InP 102 and p type InP 105 are formed sandwiching MQW 103 for EA-MD between them, and a reverse electrode 108 for voltage application and an electrode 109 for EA-MD are provided.例文帳に追加

面方位が｛３１１｝Ａ面のｎ型ＩｎＰ半導体基板１０１の上にＥＡ−ＭＤ用ＭＱＷ１０３を挟み込んでｎ型ＩｎＰ１０２及びｐ型ＩｎＰ１０５を形成すると共に、電圧印加用の裏面電極１０８及びＥＡ−ＭＤ用電極１０９を設ける。 - 特許庁

On one principal surface of an n-type Si substrate 11, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, an n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 are grown with a buffer layer 12 interposed therebetween to form the light emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

A PIN photodiode 100C has the following layers formed on a p-type substrate 110: a p-type silicon layer 112; an n-type silicon layer 114; a field oxide film 118; a silicon oxide film 120c that covers the surface of an active region; and a silicon nitride film 122c that covers the silicon oxide film 120c.例文帳に追加

ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。 - 特許庁

The metallic main body of the noisy type lure for lure fishing formed by press working comprises a curved surface that is formed so that the the upper side of the main body of the noisy type lure is recessed and right and left feather parts that are simultaneously formed at front both sides of the main body of the noisy type lure so that the lower sides are recessed.例文帳に追加

プレス加工により成型された金属性のノイジー本体は、ノイジー本体上面側が凹となるように成型された曲面からなり、ノイジー本体前方両脇に左右一枚ずつ下面側が凹となるように湾曲した羽部分を同一成型した事を特徴とする。 - 特許庁

To prevent a defective image, what is called, an elephant skin, as for a contact electrification type, cleaner-less image forming device provided with a contact type electrifying member 2 having a porous outer peripheral surface and where cleaning particles (z) lie in a contact part (n) between the contact type electrifying member 2 and an image carrier 1.例文帳に追加

外周面が多孔質状の接触帯電部材２を有し、該接触帯電部材２と像担持体１の接触部ｎに清掃粒子ｚが介在する、接触帯電方式、クリーナレスの画像形成装置において、「象肌」といわれる画像不良を防止すること。 - 特許庁

In the surface treatment method for the aluminum or aluminum alloy used for the vacuum device and its components, porous type anodic oxidation is performed and thereafter barrier type anodically oxidized films are grown within all of the pores of the porous type anodic oxidation film.例文帳に追加

真空装置及びその部品に使用されるアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法であって、ポーラス型陽極酸化処理をした後に、バリア型陽極酸化処理を行い、ポーラス型陽極酸化皮膜のポア内全てにバリア型陽極酸化皮膜を成長させることを特徴とする。 - 特許庁

In an RESURF MOSFET, an n-type upper diffusion area 115 that has higher n-type impurity concentration than that in other parts of a drift area 102 is provided between a drain area 109 and a drift embedded area 114 on the surface of an n-type drift area 102.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎ型ドリフト領域１０２の表面部におけるドレイン領域１０９とドリフト埋め込み領域１１４との間に、ドリフト領域１０２の他の部分と比べてより高いＮ型不純物濃度を有するＮ型上部拡散領域１１５が設けられている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side.例文帳に追加

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。 - 特許庁

To provide a water-splash prevention means for a concealed type sprinkler head preventing the water-splash to adjoining sprinkler heads and preventing the impairment of the design property as a characteristic of the concealed type sprinkler head in the concealed type sprinkler head having the sprinkler head installed on a ceiling surface concealed with a cover plate.例文帳に追加

天井面に設置されたスプリンクラーヘッドが、カバープレートによって覆い隠されているコンシールド型スプリンクラーヘッドにおいて、近隣のスプリンクラーヘッドを被水させないと共に、コンシールド型スプリンクラーヘッドの特徴である意匠性が損なわれないコンシールド型スプリンクラーヘッドの被水防止手段を提供する。 - 特許庁

To prevent the luminance unevenness with simple constitution at the time of applying to a reflection type liquid crystal display device of a front light type and using a point light source of a light emitting diode etc. for the primary light source especially, for a light transmission plate, a side light type surface light source device and a display device.例文帳に追加

本発明は、導光板、サイドライト型面光源装置及び表示装置に関し、特にフロントライト型の反射型液晶表示装置に適用して、一次光源に発光ダイオード等の点光源を使用した場合でも、簡易な構成により、輝度ムラを防止することができるようにする。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁

The boehmite-type and gibbsite-type aluminum hydroxides are 100-500 m^2/g and 5-100 m^2/g in BET specific surface area, respectively and further, the gibbsite-type has the main particle size of 0.1 to 2 μm and the sodium content (Na_2O) of 0.01 to 2 mass%.例文帳に追加

使用量比は１：９９〜２０：８０、ベーマイト型水酸化アルミニウムはＢＥＴ比表面積１００〜５００ｍ^2／ｇのもの、ギブサイト型水酸化アルミニウムはＢＥＴ比表面積５〜１００ｍ^2／ｇ、中心粒子径０．１〜２μｍ、ナトリウム含有量（Ｎａ_2Ｏ）０．０１〜２質量％のものである。 - 特許庁

In a fan blade 261 which is a part of the rear side cooling fan 26, a boundary part 266 of a claw type magnetic pole partly corresponds to the one claw type magnetic pole and a fan base 262 corresponding to a part of the fan blade 261 has a facing surface facing over the other claw type magnetic pole.例文帳に追加

リア側冷却ファン２６の一部のファンブレード２６１は、一の爪状磁極にこの爪状磁極の境界部２６６までが部分的に対応し、この一部のファンブレード２６１に対応するファンベース２６２が他の爪状磁極に渡って対向する対向面を有している。 - 特許庁