「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

A projection-type image display device 10 is equipped with a PBS 23, whose separation surface is slanted at 45° with respect to a plane A which is perpendicular to an optical axis X, a flat plate type linear polarizer 22 which is provided in front of the PBS 23, and a reflection-type liquid crystal element 24 which is provided behind the PBS 23.例文帳に追加

投影型画像表示装置１０は、分離面が光軸Ｘに垂直な平面Ａに対して４５度に傾いているＰＢＳ２３と、ＰＢＳ２３の前に設けられた平板状の直線偏光子２２と、ＰＢＳ２３の後段に設けられた反射型液晶素子２４とを備えている。 - 特許庁

Accordingly, the joining of each TiN-based crystalline substance is easily achieved by dotting various shapes such as spherical Ag, a spherical Ag-connected beaded or layered-type, a potbelly-type, a rice cake with sesame-type and the like on the surface part of the TiN-based crystalline substance and then a three-dimensional structure is formed.例文帳に追加

その結果、ＴｉＮ基結晶体表面部には球状Ａｇやこれらが連なった数珠状あるいは積層型、だるま状型、ゴマ餅状型など多様な形状が点在することによりＴｉＮ基結晶体同士接合が容易達成され、３次元的構成体が形成される。 - 特許庁

The window structure is formed by adding a second conductivity type impurity to the light emitting end surface of the laminated structure consisting of the layers 103-109, and partition regions 205 containing a first conductivity type impurity are formed in the second conductivity type layers on both sides of the window region.例文帳に追加

各層１０３〜１０９からなる積層構造の光出射端面に第２導電型不純物を添加することにより窓領域が形成され、窓領域の両側の第２導電型層に第１導電型の不純物を含有した仕切領域２０５を形成する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 14, an n-type GaN contact layer 16, an n-type AlGaN clad layer 18, and an n-type GaN optical waveguide layer 20, are successively grown on a (c) surface sapphire substrate 12 at 1,000°C by an MOCVD method, in the same way as conventional manner.例文帳に追加

本方法では、従来と同様にして、ＭＯＣＶＤ法により１０００℃で、ｃ面のサファイア基板上１２上に、ＧａＮバッファ層１４、ｎ型ＧａＮコンタクト層１６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、及びｎ型ＧａＮ光導波層２０を順次成長させる。 - 特許庁

A P-type base region 31 is formed, adjacent to the trench 27, and an N-type source region 32 is formed on the surface layer of the P-type base region 31.例文帳に追加

Ｎ^-型ドリフト層６の表層にトレンチ２７、及びトレンチ２７にゲート酸化膜２８を介して形成されたトレンチゲート電極２９を備え、トレンチ２７に隣接して形成されたＰ型ベース領域３１と、Ｐ型ベース領域３１の表層に形成されたＮ型ソース領域３２を有する構造とする。 - 特許庁

In the diode, a lightly doped P-type semiconductor region 3 is partially formed on the surface of an N-type semiconductor layer 1, and a heavily doped P^+-type semiconductor region 4 is formed shallower than this region 3 in depth so as to embed a gap between these regions 3.例文帳に追加

本発明のダイオードは、Ｎ型半導体層１の表面に、低不純物濃度のＰ型半導体領域３が部分的に形成され、この領域３の間隙を埋めるようにこの領域３よりも浅くかつ高不純物濃度のＰ^＋型半導体領域４が形成されている。 - 特許庁

The polarizing plate is made by laminating the polarizer protective film, consisting essentially of (meth)acrylic type resin via an adhesive layer formed of polyvinyl alcohol type adhesive and polyethylene imine layer, in this order on at least half the surface of the polarizer, formed of polyvinyl alcohol type resin.例文帳に追加

本発明に係る偏光板は、ポリビニルアルコール系樹脂から形成される偏光子の少なくとも片面に、ポリビニルアルコール系接着剤から形成される接着剤層およびポリエチレンイミン層をこの順に介して、（メタ）アクリル系樹脂を主成分とする偏光子保護フィルムが積層されてなる。 - 特許庁

To provide an embedded permanent magnet type rotary electric machine capable of reducing a cogging torque, a torque ripple and a reluctance torque and improving a torque output and having the cogging torque and current-torque characteristics same as those of a surface magnet type permanent magnet type rotary electric machine.例文帳に追加

コギングトルク、トルクリップル、リラクタンストルクを低減し、トルク出力を高めるとともに、コギングトルクや電流-トルク特性は、表面磁石型永久磁石式回転電機と同等の特性を有する埋め込み型永久磁石式回転電機を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the surface of the semiconductor substrate of a first conductivity type, there are an impurity region of a second conductivity type disposed below the channel and a high concentration impurity region of a first conductivity type which is disposed below the source and the drain and has a higher impurity concentration than that of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板表面では、前記チャネルの下方に位置する第２導電型の不純物領域と、前記ソースおよびドレインの下方に位置し、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第１導電型の高密度不純物領域とを有する。 - 特許庁

To provide a spiral type membrane modules which allows easy loading of spiral type membrane elements, is capable of assuring flow passages between the outer peripheral parts of the spiral type membrane elements and the inner peripheral surface of a pressure resistant container, may be decreased in cost, is easy to wash and has high reliability.例文帳に追加

スパイラル型膜エレメントを容易に装填することが可能であるとともに、スパイラル型膜エレメントの外周部と耐圧容器の内周面との間に流路を確保でき低コスト化が可能でかつ洗浄が容易であり信頼性の高いスパイラル型膜モジュールを提供を提供することである。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film is composed of a process of preheating the plate type substrate, a process of attracting the preheated plate type substrate on the hot plate, and a process of spraying the solution containing the raw material of the thin film on the surface of the plate type substrate attracted on the hot plate.例文帳に追加

また、板状の基板を予備加熱する工程と、予備加熱された板状の基板をホットプレート上に吸着する工程と、ホットプレート上に吸着された板状の基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧する工程とを含む薄膜の製造方法である。 - 特許庁

A plurality of thin light-emitting chips 13 each of which is configured by laminating an n-type compound semiconductor layer 16, an active layer 17 and a p-type compound semiconductor layer 18 are bonded on a wafer 11 through lower surface wiring 12 by using the p-type compound semiconductor layers 18 as bonding surfaces.例文帳に追加

ｎ型化合物半導体層１６,活性層１７およびｐ型化合物半導体層１８が積層された薄型の発光チップ１３を、複数個、ｐ型化合物半導体層１８を接合面として、ウェハ１１上に、下面配線１２を介して接合する。 - 特許庁

This method for manufacturing a photovoltaic device comprises the steps of forming a substantially true i-type amorphous silicon layer 2a on the surface of an n-type single crystal silicon substrate 1, and thereafter introducing hydrogen into the substantially true i-type amorphous silicon layer 2a.例文帳に追加

この光起電力装置の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａに水素を導入する工程とを備えている。 - 特許庁

The vehicle with a biotechnology type lavatory adopts a constitution wherein the biotechnology type lavatory 4 is provided at a point of a baggage chamber 3, i.e., an approximately central part in a longitudinal direction of the vehicle and an entrance/exit port 16 which a person utilizing the biotechnology type lavatory 4 enters/exits is provided on a back surface part of the baggage chamber 3.例文帳に追加

本発明のバイオ式トイレ搭載車両は、バイオ式トイレ４を車両の前後方向でほぼ中央部となる荷室３の地点に設け、荷室３の後面部にバイオ式トイレ４を利用する人が出入りする出入り口１６を設けた構成を採用した。 - 特許庁

The pseudo-capacity type organic capacitor material producing capacity by redox type reaction is covered on or attached to a part of the surface of the electrical double layer type capacitor material inside the electrode to increase the capacity of the capacitor, and as a result, low temperature output characteristics are enhanced.例文帳に追加

つまり、電極内の電気二重層型キャパシタ材の表面の一部にレドックス型の反応により容量を発揮する疑似容量型の有機系キャパシタ材を被覆乃至付着させることでキャパシタの容量を向上させることが可能となり、結果として低温出力特性が向上できる。 - 特許庁

To provide a glass ceramic bead whose surface is excellent in durability and which has a crystal phase of one or more titanium oxides selected from the group consisting of an anatase type, a rutile type and a brookite type or an inorganic titanium phosphate compound and to provide a photocatalytic functional member containing the glass ceramic bead.例文帳に追加

表面が耐久性に優れ且つアナターゼ型、ルチル型及びブルッカイト型からなる群の１種以上の酸化チタン、又は無機チタンリン酸化合物の結晶相を有しているガラスセラミックスビーズ、及び前記ガラスセラミックスビーズを含む光触媒機能性部材を提供する。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

A heat treatment is performed to the back of an n^+ type SiC substrate 10 in a vacuum, at 1,000°C for one minute, the exposed rear surface of an n-type SiC substrate 10 is cleaned, and a drain electrode 100 is formed.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１０の裏面に、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行って、ｎ^+型ＳｉＣ基板１０の露出された裏面表面を清浄化した後、ドレイン電極１００を形成する。 - 特許庁

In the group III nitride semiconductor laminate structure 2, m-axis is a main surface for crystal growth, and an n-type semiconductor layer 11, a light emitting layer 10, and a p-type semiconductor layer 12 are stacked in the m-axis direction.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

A curable reaction type resin is coated on a sticking surface of the base material, and the magnetic stripe is made at a low-temperature in a temporal drying condition of the curable reaction type resin, and then the adhesion of the magnetic stripe is performed by fully drying it.例文帳に追加

基材の被貼り付け面に硬化反応型樹脂をコーティングし、その硬化反応型樹脂の仮乾燥状態において磁気ストライプを低温で施し、その後、本乾燥させて、磁気ストライプの貼り付けを行う。 - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

The mold short-wall side replacing apparatus 1 for replacing the mold short-wall side 3a of an assembling type mold 3 on the continuous casting facility main body, is loaded on the side surface of a turning frame 1b of the turret type ladle replacing apparatus 1.例文帳に追加

組立式鋳型３の鋳型短辺３ａを連続鋳造設備本体上で交換する鋳型短辺交換装置６を、ターレット式取鍋交換装置１の旋回フレーム１ｂの側面に搭載した。 - 特許庁

The p-type oxide thermoelectric conversion material, the n-type oxide thermoelectric conversion material, insulating materials disposed between the materials, and the insulating films covering a predetermined region on the surface are sintered at the same time.例文帳に追加

ｐ型酸化物熱電変換材料、ｎ型酸化物熱電変換材料、両者の間に配設された絶縁材料、および、表面の所定の領域を被覆する絶縁膜が同時焼結された構成とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device having a package structure adaptable to both of an unbalanced input-unbalanced output type filter and an unbalanced input-balanced output type filter, and having reduced insertion loss.例文帳に追加

不平衡入力−不平衡出力型のフィルタおよび不平衡入力−平衡出力型のフィルタのいずれにも対応可能なパッケージ構造を有し、挿入損失が小さい表面弾性波装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the surface of a semiconductor substrate projecting in a logic element formation region from being overetched in a manufacturing method for a semiconductor storage where a MONOS type memory element and a MOS type logic element are mixedly mounted.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリ素子とＭＯＳ型のロジック素子とを混載する半導体記憶装置の製造方法において、ロジック素子形成領域に出する半導体基板の表面がオーバエッチングされないようにする。 - 特許庁

Rh layers 27A are provided in a lattice pattern on a surface of a p-type GaN contact layer, so that a p-type GaN contact layer 25 and a p-side multilayer electrode 27 make ohmic contact to each other with an excellent bonding property.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層２５の表面にＲｈ層２７Ａを格子状に設けることで、ｐ型ＧａＮコンタクト層２５とのｐ側多層電極２７とがオーミック接触し、良好な接合性が得られる。 - 特許庁

Among the plurality of washing nozzles, at least one is turned to the fixed type washing nozzle 17 and at least a part of the fixed type washing nozzle 17 is disposed inside a groove 23 provided on the side wall surface of the washing tub 18.例文帳に追加

複数の洗浄ノズルの内、少なくとも１つは固定式洗浄ノズル１７とし、固定式洗浄ノズル１７の少なくとも一部を洗浄槽１８の側壁面に設けた溝２３内に配設する。 - 特許庁

An Al_2O_3 bottom barrier layer 4, an Al rich Al_2+xO_3 charge storage layer 5, and an Al_2O_3 top barrier layer 6, an n-type polysilicon gate 7 are deposited in succession on an upper surface of a p-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶シリコンン基板１の上面にＡｌ_2Ｏ_3のボトム障壁層４、ＡｌリッチのＡｌ_2+xＯ_3の電荷蓄積層５、Ａｌ_2Ｏ_3のトップ障壁層６、ｎ型ポリシリコンゲート７を順次堆積して形成する。 - 特許庁

The wavelength conversion device has a domain inversion layer 50, an n-type first clad layer 60, a waveguide layer 70, a p-type second clad layer 80, and a cap layer 85 laminated in order on a first main surface 11 of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の第１主表面１１上に、ドメイン反転層５０、ｎ型の第１クラッド層６０、導波路層７０、ｐ型の第２クラッド層８０及びキャップ層８５を順に積層して備えている。 - 特許庁

As the sensor device 80 is of the contactless type, no stress deforming the substrate 8 is generated, and as the hole element 83 is of the surface-mounted type, a lead terminal is not projected on the back side of the substrate 8.例文帳に追加

センサ装置８０は非接触式であるため、基板８を変形させるような応力を発生させず、かつ、ホール素子８３は面実装タイプであるため、基板８の裏側にリード端子が突出することがない。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film 107 is provided on the main surface of the silicon substrate 101 around the p-type impurity layer 102, and an anode electrode 104 is provided at the upper section of the p-type impurity layer 102.例文帳に追加

そして、ｐ型不純物層１０２の周囲のシリコン基板１０１の主面上にはシリコン酸化膜１０７が配設され、ｐ型不純物層１０２の上部にはアノード電極１０４が配設されている。 - 特許庁

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。 - 特許庁

In addition, a male type fabric tape (face fastener) 9 and a female type fabric tape (face fastener) 10 which function as an engagement medium are respectively adhered on the outside of each sponge 3, 3 which is adhered to the inside surface of a support plate 2.例文帳に追加

また、支持板２の内面に貼着された各スポンジ３，３の外側には、それぞれ、係合手段として機能する雄型布テープ（面ファスナー）９と雌型布テープ（面ファスナー）１０とが貼着されている。 - 特許庁

An n-type GaN contact layer 2, a MQW active layer 3, and a p-type AlGaN clad layer 4 are sequentially formed on a GaN substrate 1 and an n-electrode 8 is also formed at the rear surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上にｎ型ＧａＮコンタクト層２、ＭＱＷ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４が順に形成されており、ＧａＮ基板１の裏面にはｎ電極８が形成される。 - 特許庁

By changing the trim posture of the the glide type underwater sailing body 10, a radio antenna 21 arranged at a front portion or a rear portion of the glide type underwater sailing body 10 is projected out on a water surface to carry out radio contact.例文帳に追加

また、グライド型水中航走体１０のトリム姿勢を変化させて、グライド型水中航走体１０の前部又は後部に配設した無線アンテナ２１を水面上に突出させて、無線連絡を行う - 特許庁

To reduce fluctuation in reproduced output even if the magnetic tape sliding surface of a magneto-resistance effect type magnetic head is worn when a magnetic signal recorded in a magnetic tape is reproduced by the magneto- resistance effect type magnetic head.例文帳に追加

磁気テープに記録されている磁気信号を磁気抵抗効果型磁気ヘッドにより再生する際に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気テープ摺動面が磨耗しても、再生出力の変動が少なくて済むようにする。 - 特許庁

To provide electronic equipment which changes a dial type operation part to a predetermined rotation angle posture by only a touch feeling in operation without a visual observation on a mark or the like applied to the surface of the dial type operation part.例文帳に追加

ダイヤル式操作部の表面に施されている標記等を視認しなくても、操作時の触感だけでダイヤル式操作部を所定の回動角度姿勢に変更することが可能な電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a projection type video display device, along with an image adjusting method, capable of reducing a buffer capacity required for specifying a positional relationship between the projection type video display device and a projection surface.例文帳に追加

投写型映像表示装置と投写面との位置関係を特定するために必要なバッファ容量を削減することを可能とする投写型映像表示装置及び画像調整方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B.例文帳に追加

ｐ形半導体層３と上記活性層とｎ形半導体層２とで発光部Ｂを構成し、発光部Ｂの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。 - 特許庁

The light guided into a light transmission plate is made to gradually exit from an exiting surface in the process of traveling while repeating internal reflection, and is made incident to a reflection type or a scattering type polarizing film through a prism sheet.例文帳に追加

導光板内に導入された光は内部反射を繰り返しつつ末端側へ伝播する過程で出射面から徐々に出射し、プリズムシートを経て反射型または散乱型の偏光フィルムに入射する。 - 特許庁

To provide a disk type recording medium transportation apparatus in which transportation of a disk type recording medium can be performed surely, while contact for the surface and the back of the disk recording medium can be prevented, and which can be miniaturized.例文帳に追加

ディスク状記録媒体の搬送が確実に行えるとともにディスク状記録媒体の表面および裏面への接触が回避でき、小型化が可能なディスク状記録媒体搬送装置を提供する。 - 特許庁

A second-type single layer package P2, provided with a lead 133 exposed over the lower surface of a molded part 136, is mounted to a first- type single layer package P1 provided with a lead 33 extending to outside a molded part 36.例文帳に追加

成形部３６の外側まで延長されたリード３３を有する第１型単層パッケージＰ１上に、成形部１３６の下面に露出されたリード１３３を有する第２型単層パッケージＰ２を実装する。 - 特許庁

At the surface layer part of the epitaxial layer 3, an N^+ type source region 9 and a body contact region 10 which penetrates the center part of the N^+ type source region 9 along the layer thickness are formed between mutually adjacent trenches 6.例文帳に追加

エピタキシャル層３の表層部には、互いに隣り合うトレンチ６間において、Ｎ^+型のソース領域９、およびソース領域９の中央部を層厚方向に貫通するボディコンタクト領域１０が形成されている。 - 特許庁

When the contact type displacement sensor 10 is pressed to a measurement target 20 against the restoration force of an elastic body 12, an enclosure 11 comes into contact with a reference surface 21, and the contact type displacement sensor 10 stops at that point.例文帳に追加

弾性体１２の復元力に抗して接触式変位センサ１０を測定対象２０に押付けていくと、筐体１１が基準面２１に当接することにより、接触式変位センサ１０がそこで止まる。 - 特許庁

Thereby, when a high potential higher than that of the n-type diamond layer 3 is applied to a gate electrode 4, electrons present at an energy level of the lower end of a conduction band of the n-type diamond layer 3 easily reaches the surface 3a.例文帳に追加

これにより、ゲート電極４にｎ型ダイヤモンド層３より高い電位が与えられると、ｎ型ダイヤモンド層３の伝導帯下端のエネルギー準位に存在する電子が表面３ａに容易に達する。 - 特許庁