「the ta」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A calculation of the reach forecast time Ta and a detection of the charged voltage Vc after an elapse of the reach forecast time Ta are repeated.例文帳に追加

充電電圧Ｖｃが目標電圧Ｖｔに達するまで、到達予測時間Ｔａの算出と到達予測時間Ｔａ経過後の充電電圧Ｖｃの検出とを繰り返す。 - 特許庁

To simplify the operation mode setting of a TA in the case of performing no-ringing communication utilizing a caller number notifying function with respect to a terminal network controller connected to the TA analog port of an ISDN.例文帳に追加

ＩＳＤＮのＴＡのアナログポートに接続される端末網制御装置において、発信者番号通知機能を利用したノーリンギング通信を行う場合のＴＡの動作モード設定を簡単に行う。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The IP telephone TA device 20B is arranged between a communication network 30 and a paging additional apparatus 70, and the IP telephone TA device 20B is connected to the paging additional apparatus 70 via a communication line 76.例文帳に追加

通信網３０とページング付加装置７０との間にＩＰ電話ＴＡ装置２０Ｂを設け、ＩＰ電話ＴＡ装置２０Ｂとページング付加装置７０との間を通信線７６で接続する。 - 特許庁

A static frictional coefficient between the surfaces A-A at 23°C is about 0.25 to 0.55, and a ratio Ta/Td of a thickness Ta of the layer A to a mean particle size Td of the particles is about 1/5 to 2.例文帳に追加

また、２３℃における（Ａ）−（Ａ）面間の静摩擦係数は０．２５〜０．５５程度であり、表面層（Ａ）の厚みＴaと微粒子の平均粒径Ｔdとの比Ｔa／Ｔdは１／５〜２程度である。 - 特許庁

A single crystal which belongs to the group of dots 32, has a Ca3Ga2Ge4 O14 type crystal structure, has its main components consisting of La, Ta, Ga and O and is expressed by a chemical formula La3Ta0.5 Ga5.5 O14 is used for the material of the substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１の材料には、点群３２に属し、Ca_3Ga_2Ge_4O_14型結晶構造を有し、その主要な成分がLa、Ta、GaおよびＯよりなり、化学式La_3Ta_0.5Ga_5.5O_14で表される単結晶が用いられる。 - 特許庁

In a square cylinder part 11, by being contacted with a position nearer to the end side than a contact part with an elastic contact piece 17 in a tab Ta, a retaining part 18 to retain the end part of the tab Ta in a relative displacement regulating state is installed.例文帳に追加

角筒部１１に、タブＴａにおける弾性接触片１７との接触部よりも先端側の位置に当接することで、タブＴａの先端部を相対変位規制状態に保持する保持部１８を設けた。 - 特許庁

When power is supplied while a RAM clear switch is kept pressed, RAM clear signals rise after the time Ta roughly and fall the time Ta after releasing a hand from the RAM clear switch.例文帳に追加

ＲＡＭクリアスイッチを押したまま電源を投入すると、ＲＡＭクリア信号が、時間略Ｔa 後に立ち上がり、ＲＡＭクリアスイッチから手を離して時間Ｔa 後に立ち下がる。 - 特許庁

The holding pieces 21A-21D are formed with different thickness TA, TB, TC and TD between the rolling elements 13 so as to satisfy the inequalities TA>TB>TC>TD.例文帳に追加

保持ピース２１Ａ〜２１Ｄは転動体１３間の厚さＴ_A，Ｔ_B，Ｔ_C，Ｔ_DをＴ_A＞Ｔ_B＞Ｔ_C＞Ｔ_Dのようにそれぞれ異ならせて形成されている。 - 特許庁

The WTRU generates a new TAC, which represents a tracking area identification (TA-ID) of a new cell, based on the system information, and compares the new TAC with an existing TAC, which represents a TA-ID of a previous cell.例文帳に追加

ＷＴＲＵは、システム情報に基づいて、新しいセルのＴＡ−ＩＤを表す新しいＴＡＣを発生し、新しいＴＡＣを、以前のセルのＴＡ−ＩＤを表す既存のＴＡＣと比較する。 - 特許庁

The device further includes: Ta films 11s and 11d formed over the n-AlGaN layer 4; and Al films 12s and 12d formed over the Ta films 11s and 11d, respectively.例文帳に追加

また、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上に形成されたＴａ膜１１ｓ及び１１ｄと、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄ上に形成されたＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄと、が設けられている。 - 特許庁

A polycrystalline SiC body 13 and SiC powder 14 are placed around the SiC substrate 11, and Ta plates 15 are placed under the substrate 11 and on inner walls of the crucible 12.例文帳に追加

SiC基板１１の周囲にはSiC多結晶体１３及びSiCパウダー１４を入れ、SiC基板１１の下及び黒鉛製坩堝１２の内壁にはTa板１５を設置する。 - 特許庁

At least a part of the hydrogen-permeable membrane is formed from a Ta alloy which contains Ta as a base metal and one or more metallic elements selected from the group consisting of Au, Cr, Fe, Pt, Ru and W as additive metals.例文帳に追加

水素透過膜２の少なくとも一部が、Ｔａをベース金属として、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｗからなる群から選ばれる１種以上の金属元素を添加金属として添加したＴａ合金によつて形成されている。 - 特許庁

At the time of the fuel cutoff, a variable valve train 32, 34 is controlled so that an exhaust gas recirculation amount is increased, and a throttle valve 18 is controlled so that a throttle opening TA is decreased.例文帳に追加

フューエルカット時に、排気ガス再循環量が増えるように可変動弁機構３２，３４を制御し、かつ、スロットル開度TAが小さくなるようにスロットル弁１８を制御する。 - 特許庁

The electrode for generating hydrogen has a hydrogen adsorbing layer comprising an oxide containing at least one kind of an element selected from Pd, Ta, Nb, Ti, Ni, Zr and lanthanum based metals or carbon, formed on a catalytic layer formed on the surface of a conductive base material.例文帳に追加

導電性基材表面に形成した触媒層に、Pd、Ta、Nb、Ti、Ni、Zr及びランタン系金属から選択される少なくとも１種類の元素を含む酸化物又はカーボンから成る水素吸着性層を形成した水素発生用電極。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

To improve reliability by accurately detecting occurrence of TA (thermal asperity) and also performing replacement processing of data at the TA detection spot so as not to use the spot thereafter.例文帳に追加

ＴＡの発生を的確に検出するとともに、ＴＡ検出箇所のデータを交替処理して当該箇所を以後使用しないようにして信頼性を向上させること。 - 特許庁

By forming fixing test images TA to TC on a recording body S, a supervisory control part 54 calculates measured glossiness from the intensity of reflected light concerning the respective images TA to TC detected by an image information detection part.例文帳に追加

記録体Ｓ上に定着テスト画像ＴＡ〜ＴＣを作成し、画像情報検出部が検出したそれぞれの画像ＴＡ〜ＴＣについての反射光強度から、統括制御部５４は実測光沢度を算出する。 - 特許庁

A braking force Tb by a brake 20 necessary to counteract the added positive driving force Ta such that the positive driving force Ta is not transmitted to driving wheels 93 is calculated.例文帳に追加

その一方で、当該上乗せする正駆動力Ｔａを駆動輪９３に伝達させないように打ち消すために必要なブレーキ２０による制動力Ｔｂを算出する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a material containing an oxide having a homologous structure containing ZnO as a principal component, to which the oxide(s) of one or two kinds of elements selected from Ta and Y are added.例文帳に追加

ZnOを主成分とするホモロガス構造を有する酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The proportion of Ti to a total amount of Ta and Ti (Ti/(Ta+Ti)) of the birefringent film 20 is 4.0 atm.% to 30 atm.%, and blue light among visible light has high light transmittance and large birefringence.例文帳に追加

複屈折膜２０のＴａとＴｉの合計量に対するＴｉの割合(Ｔｉ／(Ｔａ＋Ｔｉ))は、４．０原子％以上３０原子％以下であり、可視光のうちの青色の光の透過率が高く、また、複屈折が大きい。 - 特許庁

A water temperature sensor 23a for detecting the temperature (Tb) of cooling water W and an IGBT temperature sensor 13c for detecting the temperature (Ta) of an inverter 13 are electrically connected to an EV-ECU 17.例文帳に追加

冷却水Wの温度（Tb）を検出する水温センサ２３ａと、インバータ１３の温度（Ta）を検出するIGBT温度センサ１３ｃとをEV-ECU１７に電気的に接続した。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

In another embodiment the sputtering target composed of a material which has a homologous structure of (In_2O_3)(ZnO)_m, m≥1 and contains the oxide(s) of one or two kinds of elements selected from Ta and Y.例文帳に追加

(In_2O_3)(ZnO)_m、m≧1のホモロガス構造を有し、これにTa、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A manufacturing method wherein one aggregate plate P having a shape formed by gathering and uniting a plurality of tiles Ta, Tb and Tc is formed and after the aggregate plate P is burned, the tiles Ta, Tb and Tc are cut and divided, is provided.例文帳に追加

複数のタイルＴａ，Ｔｂ，Ｔｃを寄せ集めて合体させた形態の一枚の集合板Ｐを形成し、その集合板Ｐを焼成してから各タイルＴａ，Ｔｂ，Ｔｃを切り分けるようにした製造方法を提供する。 - 特許庁

The total weight of Ni and Co is 15 to 25 mass%, a Ti content is 30 to 50 mass%, a W content is 15 to 30 mass%, and the total content of Ta, Nb, Mo, Hf, V and Cr is 5 to 15 mass%.例文帳に追加

そして、NiとCoの合計量が15〜25質量％で、Tiの含有量が30〜50質量％で、Wの含有量が15〜30質量％で、Ta、Nb、Mo、Hf、VおよびCrの合計含有量が5〜15質量％である。 - 特許庁

In the base material, Cr is included so that a weight ratio of WC, Co of 5 to 8 wt.% and Cr/Co may be 0.05 to 0.15, and Ti and Ta of a ppm level or a mixture of the Ti and Ta exists.例文帳に追加

基材は、ＷＣ、５〜８重量％のＣｏおよびＣｒ／Ｃｏの重量比が０．０５〜０．１５になるようなＣｒを含み、ｐｐｍレベルのＴｉ、Ｔａまたはこれらの混合物が存在する。 - 特許庁

The machine 4 corrects a dropping- down temperature Ta set by means of a remote controller 8 so that the temperature Tb of hot water actually dropped down in a bathtub 6 may become Tb= Ta+α(Tr).例文帳に追加

給湯熱源機４は、受信した室温情報に基づき、リモートコントローラ８で設定されている落とし込み温度Ｔａを補正し、実際に浴槽６に落とし込まれる湯の温度が、 Ｔｂ＝Ｔａ＋α（Ｔｒ） となるように補正する。 - 特許庁

This Ta target for film-forming a barrier material is the one in which the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% are sintered.例文帳に追加

本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ__2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。 - 特許庁

A P-N junction element ta is applied to a power circuit, where the P-N junction element ta is effective when mounted to each signal and communication functional circuit, activates Peltier effect and Seebeck effect in the same element, and gives noise reduction effect.例文帳に追加

個々の「弱電」機能回路に対して設計製造時に取付けて効果がある「ペルチェ効果及びゼーペック効果を同一素子内で発生してノイズ低減効果を与えるＰＮ接合素子」ｔａを「強電」回路に応用する。 - 特許庁

A buffer film 3 comprising a Ta-Si-O system material is formed on one side 2a of the glass substrate 2 and a conductive film 4 comprising Ta is formed on the buffer film 3.例文帳に追加

ガラス基板２の一方の面２ａに、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ系材料からなる緩衝膜３を成膜し、Ｔａからなる導電性膜４を緩衝膜３上に成膜する。 - 特許庁

Then a control device is designed to acquire a time, a CA certificate, and a CRL certificate from TA after referencing the policy ID received from a previously recorded issuance condition file and a record of the same policy ID.例文帳に追加

そして、制御装置は、あらかじめ記録された発行条件ファイルから受信したポリシーIDと同じポリシーIDのレコードを参照し、TAから時刻、CA証明書、CRL証明書を取得する。 - 特許庁

A buffer film 3 comprising a Ta-Si-O system material is formed on one side 2a of the glass substrate 2 and a connecting film 4 comprising Ta is formed on the buffer film 3.例文帳に追加

ガラス基板２の一方の面２ａに、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ系材料からなる緩衝膜３を成膜し、Ｔａからなる結合膜４を緩衝膜３上に成膜する。 - 特許庁

Moreover, a ratio (Tb/Ta) of a thickness (Tb) of the second negative electrode mixture layer to that (Ta) of the first negative electrode mixture layer is to be 0.2 or more and 0.8 or less.例文帳に追加

そしてこの第１の負極合材層の厚み（Ｔａ）と第２の負極合材層の厚み（Ｔｂ）の比率（Ｔｂ／Ｔａ）が、０．２以上、０．８以下となるようにする。 - 特許庁

Outside temperature Ta and refrigerant evaporation temperature Te are detected, and value κA=Q/(Ta-Te) is calculated by multiplying an overall heat-transfer coefficient κof the outdoor heat exchanger (22) by the heat transfer area A.例文帳に追加

外気温度Ｔａと冷媒蒸発温度Ｔｅとを検出し、室外熱交換器（22）の熱通過率κと伝熱面積Ａとを乗じた値κＡ＝Ｑ／（Ｔａ−Ｔｅ）を算出する。 - 特許庁

The manufacturing process for a (Li, Na, K)(Nb, Ta)O_3 type piezoelectric material comprises firing a formed article from powder particles constituted of a composition of (Li, Na, K) (Nb, Ta)O_3 at a specific temperature in the range of 850-1,000°C for a specific period of time.例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３の組成からなる粉末粒子の成形体を焼成することにより、（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３系圧電材料を製造する方法であって、８５０〜１０００℃の範囲内の一定温度で一定時間キープする。 - 特許庁

The hard phase is mainly formed of carbonitrides of one or more metals selected from the group consisting of Ti and W, which are indispensable, and Ta, Nb, Mo, Hf, V and Cr.例文帳に追加

また、前記硬質相は、TiとWを必須とし、Ta、Nb、Mo、Hf、VおよびCrよりなる群から選択される１種以上を金属成分とする炭窒化物を主体とする。 - 特許庁

The high strength Ni-based superalloy has a stable structure and has composition containing: ≤20 wt.% of Cr; ≤10 wt.% of Mo; ≤15 wt.% of W; 2 to 10 wt.% of Al; ≤16 wt.% of Ta+Nb+Ti; ≤10 wt.% of Ru; and the balance Ni and inevitable impurities without including Re.例文帳に追加

Reを含まず、Cr:20wt%以下、Mo:10wt%以下、Ｗ:15wt%以下、Al:２-10wt%、Ta+Nb+Ti:16wt%以下、Ru:10wt%以下を含有し、残部がNiと不可避的不純物からなる組成を有する、組織安定な高強度Ni基超合金とする。 - 特許庁

At acceleration time, acceleration corresponding forced torque Ta is set to increase according to an increase in throttle opening TPS, when an accelerator is off-operated according to shift up, the acceleration corresponding forced torque Ta is set to be decreased.例文帳に追加

加速時には、スロットル開度ＴＰＳの増加に伴って加速対応拘束トルクＴaを増加設定し、シフトアップに伴ってアクセルがオフ操作されると、加速対応拘束トルクＴaを減少設定する。 - 特許庁

By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer.例文帳に追加

ＴａＮの堆積中に窒素流をオフにすることで、ＴａＮ／Ｔａ二重層が容易に成長され、この二重層は、単一Ｔａ層または単一ＴａＮ層よりも優れた銅拡散障壁特性を有する。 - 特許庁

The fuel injection control device stops fuel injection from an injector 39 if an engine revolution speed Ne is higher than an injection stopping revolution speed NEFCth when a throttle valve opening TA is zero.例文帳に追加

この燃料噴射制御装置は、スロットル弁開度TAが０となった際、エンジン回転速度NEが噴射停止回転速度NEFCthより大きい場合、インジェクタ３９からの燃料噴射を停止させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can improve reliability of Cu wiring by preventing oxidation of Ta during the annealing process when Ta is used as a barrier film.例文帳に追加

Ｔａをバリア膜とする場合に、アニール時におけるＴａの酸化を防止することで、Ｃｕ配線の信頼を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least a part of this hydrogen-permeable membrane 2 is formed by using a Ta alloy obtained by adding one or more metallic elements selected from the group consisting of Fe and Mo as additive elements to Ta of its base metal.例文帳に追加

水素透過膜２の少なくとも一部が、Ｔａをベース金属として、Ｆｅ及びＭｏからなる群から選ばれる１種以上の金属元素を添加金属として添加したＴａ合金によつて形成されている。 - 特許庁

Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.例文帳に追加

次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu：Ta又はTaN及びCu：二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁

For example, the oxide coating film 2 is made of Ir-Ta based composite oxide containing Ta of 20 to 50 at.% or of Ru-Ti based composite oxide containing Ti of 30 to 70 at.%.例文帳に追加

例えば２０〜５０ａｔ％のＴａを含有するＩｒ−Ｔａ系複合酸化物、又は、３０〜７０ａｔ％のＴｉを含有するＲｕ−Ｔｉ系複合酸化物からなる。 - 特許庁