「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This is performed under the control of the etching time calculated from a parameter at dry etching.例文帳に追加

これはドライエッチング時のパラメータから算出するエッチング時間の制御で達成する。 - 特許庁

To provide a resist ink for wet etching having good etching resistance even if an etching process is carried out under severe working conditions.例文帳に追加

より過酷なエッチング条件でエッチング加工してもエッチング耐性が良好なウェットエッチング用レジストインクを提供する。 - 特許庁

A plasma processing method uses CxHyFz gas, and etching is carried out under low pressure (≤1.0 Pa).例文帳に追加

CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 - 特許庁

In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed.例文帳に追加

第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。 - 特許庁

To provide an etching treatment device capable of treating a sample having different etching areas under optimum etching conditions.例文帳に追加

エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

When the glass base board is subjected to etching under an etching environment in which a 10 mass% concentration of hydrogen fluoride exists and the temperature is 22°C, its etching characteristics give an etching rate of at least 3.7 μm/min.例文帳に追加

前記ガラス基板は、濃度１０質量％のフッ化水素を含む２２℃のエッチング環境で、３．７μｍ／分以上のエッチングレートのエッチング特性を有する。 - 特許庁

The etching conditions at the next treatment unit are determined on the basis of the result of an etching at the previously etching-treated treatment unit under specified conditions.例文帳に追加

所定の条件で既にエッチング処理された処理単位のエッチング結果を基にして、次の処理単位のエッチング条件を決定する。 - 特許庁

To provide an etchant, by which etching residue is not generated at all and etching is conducted under mild conditions, when wet etching a transparent conductive film.例文帳に追加

透明導電膜のウエットエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供する。 - 特許庁

The chamber 10 is a chamber storing an etching liquid 5 under fixed pressure.例文帳に追加

チャンバ１０は、エッチング液５を一定の圧力下で貯溜する室である。 - 特許庁

A hybrid porous tube body 100 is obtained by putting the base material 3 under an etching removal process by a wet etching method (d).例文帳に追加

基材３をウエットエッチング法によりエッチング除去して混成型多孔質管体１００を得る〔（ｄ）〕。 - 特許庁

To provide an etching device easy in process control and controllable under a fixed condition about etching performance with a small amount of a chemical, and an etching solution management method.例文帳に追加

プロセス管理が容易で、少量の薬液でエッチング性能を一定条件下に制御可能なエッチング装置及びエッチング液管理方法を提供する。 - 特許庁

The trench etching is performed by using a fluorine producing gas which is not coupled with carbon as an etching gas and introducing the etching gas under a working pressure of ≤1.7 Pa.例文帳に追加

エッチングガスとして、炭素結合のないフッ素生成ガスを用い、このエッチングガスを１．７Ｐａ以下の作動圧力下で導入してエッチングを行う。 - 特許庁

Etching processing is performed inside the opening 61a under an etching condition that an etching rate of the first insulating film becomes higher than those of the second insulating film and the silicon nitride film.例文帳に追加

第１の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜及びシリコン窒化膜より高くなるエッチング条件で開口部６１ａ内にエッチング処理を施す。 - 特許庁

To provide an etching agent that can prevent the generation of etching residues completely, and at the same time carry out etching under mild conditions when a transparent conductive film is to be etched.例文帳に追加

透明導電膜をエッチングする際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、穏和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus capable of readily performing etching, whose sectional form is vertical and whose in-plane uniformity is superior, even under various etching conditions.例文帳に追加

多種のエッチング条件下においても、断面形状が垂直で面内均一性の良いエッチングを容易に行なうことができる、ドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To prevent an undercut from being formed when an UBM (under bump metal) layer is subjected to wet etching.例文帳に追加

ＵＭＢ層をウエットエッチングする際のアンダーカットの発生を防止する。 - 特許庁

Under the aforementioned etching conditions, an etching-resistant deposit is formed except for the region near the spacer projection 2.例文帳に追加

このようなエッチング条件であると、スペーサ突起２に近接した個所を除いて、耐エッチング性の堆積物５が形成される。 - 特許庁

The silicon nitride film 20 is then processed to the lens shape by subjecting the silicon nitride film to isotropic etching under such etching conditions under which the etching rates of a plasma nitride film 20 of a base and the resist patterns 21 are equaled (c).例文帳に追加

次に、下地のプラズマナイトライド膜２０とレジストパターン２１とのエッチング速度が等しくなるようなエッチング条件にて等方性エッチングを行い、シリコンナイトライド膜２０をレンズ形状に加工する（ｃ）。 - 特許庁

To realize dry-etching without generation of under-cut, using active seeds generated under atmospheric condition.例文帳に追加

大気圧状態で生成した活性種を用いてアンダーカットを生ずることなくドライエッチングをできるようにする。 - 特許庁

Reaction gas 37 produced by performing etching in the etching chamber 24 is discharged after etching while introducing etching gas 34 under such a state as not generating plasma.例文帳に追加

エッチング室２４でエッチング処理を行ったことにより発生する反応ガス３７を、エッチング処理後に、プラズマを発生させない状態でエッチングガス３４を導入しながら反応ガス３７を排気する。 - 特許庁

Straight chain fluorocarbon gas is used as etching gas, and the etching of the reflection preventing film 32 and the interlayer insulating film 31 is effected collectively and continuously under the same etching condition.例文帳に追加

エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、同じエッチング条件で連続して反射防止膜３２と層間絶縁膜３１とを一括してエッチングするようにした。 - 特許庁

Next, the remaining part 22 of the cap film 20 and the low dielectric film 10 are etched at the same time under second etching condition different from the first etching condition (second etching step).例文帳に追加

次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 - 特許庁

First, a resist 30 is used as a mask, and the cap film 20 is etched to partway under first etching condition (first etching step).例文帳に追加

まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。 - 特許庁

A trench TR2 is formed under the determined etching condition using the patterned nitride film 22 as an etching mask (S4).例文帳に追加

そして決定されたエッチング条件を用いて、パターニングされた窒化膜２２をエッチングマスクとしてトレンチＴＲ２を形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

At this time, etching stopper layers 24, 26 are formed under the respective GaAs layers 25, 27.例文帳に追加

このとき、各ＧａＡｓ層２５，２７の下にエッチングストッパー層２４，２６を形成する。 - 特許庁

The etching stop layer under the opening of the resist film is etched by using the resist film as a mask.例文帳に追加

レジスト膜をマスクとし、レジスト膜の開口下のエッチング停止層をエッチングする。 - 特許庁

To eliminate an under cut generated by wet anisotropic etching of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェハの湿式異方性エッチングによって生じるアンダーカットを除去すること。 - 特許庁

To provide an atmospheric plasma etching method for tungsten by which a tungsten film of a semiconductor substrate can be etched with plasma under an almost atmospheric pressure field.例文帳に追加

半導体基材のタングステン膜を略常圧場においてプラズマエッチングする。 - 特許庁

The static eliminating process after an etching process for RIE is performed under the following condition.例文帳に追加

ＲＩＥのエッチング工程後に行われる除電処理を次に示す条件で行う。 - 特許庁

The first dry etching is carried out using the gas containing fluorine under a pressure of 0.1-4 Pa.例文帳に追加

第１のドライエッチングは、０．１Ｐａ〜４Ｐａの圧力でフッ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁

To provide an etching agent for smoothening the surface of copper under a mild condition, and to provide an etching method for smoothening the surface.例文帳に追加

穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching agent enabling an amorphous ITO film to be etched under a mild condition without causing etching residue at all.例文帳に追加

非晶質ＩＴＯ膜を、温和な条件下で、エッチング残渣を全く発生せずにエッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

To provide an etchant in which an etching residue is not generated at all when a transparent conductive film undergoes wet etching and the wet etching can be conducted under gentle conditions while suppressing bubbling.例文帳に追加

透明導電膜を、ウェットエッチングする際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下でウエットエッチングが行え、泡の発生も抑制したエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

To provide an etching agent capable of etching a transparent electrically conductive thin film under a mild condition without producing any etching residual dross at all by using an oxalic acid solution.例文帳に追加

透明導電薄膜をシュウ酸溶液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

The etching under the CW conditions is carried out, until the wiring film is subject to etching to its full thickness and is separated, thus eliminating a factor caused for etching residue to be generated later.例文帳に追加

配線膜が全厚さにわたってエッチングされて配線膜が分離されるまではＣＷ条件でのエッチングを行うことで、後にエッチング残渣が生じる要因を解消する。 - 特許庁

In this case, a side etching rate under a mask for etching is higher than an etching rate in the depthwise direction of the semiconductor base material.例文帳に追加

この為に、本願発明は、更に、前記孔又は段差を形成するため、エッチング用マスク下のサイドエッチ速度が半導体基体の深さ方向のエッチ速度より早い新らたなウエットエッチング液を用いる。 - 特許庁

Grooves or holes are machined thinner than pattern dimensions in a BARC etching step, and etching is made under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2.例文帳に追加

BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。 - 特許庁

A gate electrode 31 is covered with a silicon nitride film 7, which has a larger etching selection ratio than that of an NSG film 14 under prescribed etching conditions.例文帳に追加

ゲート電極３１２が所定のエッチン条件においてＮＳＧ膜１４より選択比の大きなシリコン窒化膜７により覆われている。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which satisfactory etching work under a high aspect area is realized by obtaining a high selection ratio to a mask.例文帳に追加

より高い対マスク選択比を得ることができ、高アスペクト領域下での良好なエッチング加工が可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This recessed part is formed in each of cylinders by subjecting the oriented materials of diamond cylinders under a plasma etching.例文帳に追加

ダイヤモンドシリンダの配列体をプラズマエッチングに供することによって、各シリンダに凹部を形成する。 - 特許庁

Under this state, the semiconductor substrate 7 is turned in the circumferential direction to conduct bevel etching on it.例文帳に追加

この状態で、半導体基板７を周方向に回転させることにより、ベベルエッチングを行う。 - 特許庁

After this, the resist film is eliminated, the single crystal silicon base board having depressions is put under a wet etching process.例文帳に追加

その後、レジスト膜を除去し、窪みを有する単結晶シリコン基板をウエットエッチングする。 - 特許庁

Then, the metal thin film 2 is removed by chemical etching except for a region under the conductor pattern 4.例文帳に追加

その後、導体パターン４下の領域を除いて金属薄膜２を化学エッチングにより除去する。 - 特許庁

The main etching process is performed from the state shown in Fig. 1 (a) using a gas including at least HBr as an etching gas under a first pressure of <13 Pa.例文帳に追加

図１（ａ）に示す状態から、エッチングガスとして、少なくともＨＢｒを含むガスを用い、１３Ｐａ未満の第１の圧力で、メインエッチング工程を行う。 - 特許庁

An under etching residual film 20 is eliminated by etching using the resist 16 on which the deposit 18 is stuck as a mask, and a lower electrode material film 12 is patterned.例文帳に追加

堆積物１８が付着したレジスト１６をマスクとして、エッチングによりアンダーエッチング残膜２０を除去し、下部電極材料膜１２をパターニングする。 - 特許庁