「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The master disk is irradiated, after development, with at least one of irradiation treatment media 104, such as light, plasma, and ion having 1 or under in the etching selection ratio of the master disk substrate and below 40 nm/min in an etching treatment rate.例文帳に追加

原盤現像後、フォトレジスト層に対する原盤基板のエッチング選択比が１未満であって、かつ、エッチング処理速度が４０ｎｍ／分以下である光、プラズマ、イオンなど照射処理媒質１０４を少なくとも一つ照射する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of then dry etching under the condition in which an etching velocity of the dielectric 2 with respect to that of the sidewall 9a becomes about 10, thereby obtaining the through hole 10 having a tapered shape of an optimal slope.例文帳に追加

その後、サイドウォール９ａのエッチング速度に対する層間絶縁膜２のエッチング速度が約１０になるような条件でドライエッチングをすることにより、最適な傾斜のテーパ形状を有するスルーホール１０を得ることができる。 - 特許庁

To provide an etching liquid for micro-etching a copper surface which can securely maintain adhesion between a copper layer and an insulating layer even under high temperature conditions, and further can improve adhesion to wide insulating materials.例文帳に追加

高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、広範な絶縁材に対して密着性を向上させることができる銅表面をマイクロエッチングするエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus capable of efficiently removing chemicals after supplying the chemicals such as etching liquid to the under surface of a substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。 - 特許庁

The decoding/decompressing circuits 17 and 18 are hidden under the disk and, when the disk is tried to be removed from a motor axis, disk record is destructed by an etching agent.例文帳に追加

復号化・解凍回路１７と１８はディスクの下側に隠され、ディスクをモータ軸から外そうとするとディスク記録が腐蝕液で破壊される。 - 特許庁

To provide a structure in which an embedded insulating film located under a contact opening is not etched when the contact opening is formed by etching.例文帳に追加

本発明はコンタクト開口をエッチングにより形成した場合にその下に位置する埋込絶縁膜がエッチングされないようにした構造の提供を目的とする。 - 特許庁

To suppress the generation of powder generated under a high-speed processing condition in the plasma processing process of film formation and etching, etc., in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおける成膜やエッチング等のプラズマ処理工程において、高速処理条件下で生じるパウダーの発生を抑制する。 - 特許庁

The second SiN film under the tapered portion 20a of the gate electrode is removed by etching to form a gap 34, and the first SiN film is exposed.例文帳に追加

ゲート電極の傘部２０ａの下は、第２のＳｉＮ膜がエッチングにより除去されて、空隙部３４を形成し、第１のＳｉＮ膜が露出している。 - 特許庁

The connecting hole 18c is expanded so as to have an undercutting shape under the insulating film 14, by the isotropic wet etching using a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

バッファードフッ酸等を用いる等方性ウェットエッチング処理により接続孔１８ｃを絶縁膜１４の下にアンダーカット形状を有するように拡大する。 - 特許庁

A second hole is formed by etching the first interlayer insulating film positioned below the first hole under condition of preventing the first diffusion prevention film from being etched.例文帳に追加

第１の拡散防止膜がエッチングされにくい条件で、第１のホールの下方に位置する第１の層間絶縁膜をエッチングして第２のホールを形成する。 - 特許庁

The tapered end face of the stopper film 4 is removed by etching carried out until an overhand 4H located under the stopper film 4 and generated in a cleaning process is eliminated.例文帳に追加

清浄化工程の際に生じるストッパ膜４の下のオーバハング４Ｈを解消するまでストッパ膜４のテーパ状の端面をエッチングで除去する。 - 特許庁

Then, a contact hole 5 is formed by anisotropic dry etching, and heat treatment is carried out under a condition that a temperature is about 800°C, and that a time is about 30 minutes.例文帳に追加

次に、異方性ドライエッチングによってコンタクトホール５を形成した後、温度が８００℃程度、時間が３０分程度の条件で、熱処理を行う。 - 特許庁

For each opening having the same opening width, etching (irradiation of methane/hydrogen plasma) is carried out, under the condition such that a hydrogen plasma concentration at a mask end becomes a predetermined concentration.例文帳に追加

開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。 - 特許庁

After the photoresist has been removed, the substrate temperature is made high, and the entire oxide film 7 is etched back under etching conditions of a large selection ratio with respect to the nitride film.例文帳に追加

フォトレジストを除去後、基板温度を高温にして、窒化膜に対して選択比の大きなエッチング条件で酸化膜７を全面エッチバックする。 - 特許庁

The side wall insulating films 212 are formed of a material having an etching rate lower than that of the insulating film 302 under conditions that the insulating film 302 is etched.例文帳に追加

そして側壁絶縁膜２１２は、絶縁膜３０２がエッチングされる条件では絶縁膜３０２よりエッチングレートが低い材料により形成されている。 - 特許庁

Then a silicon oxide film 27, formed on the upper surface of a silicon layer 26 in a region except for under the channel protective film 25, is removed by dry-etching.例文帳に追加

次に、チャネル保護膜２５下以外の領域におけるシリコン層２４の上面に形成されたシリコン酸化膜２７をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

The conductive film 5 is is subject to anisotropic etching employing the resist pattern 7 as a mask under a state that the conductive film 5 is left on the whole surface of the gate insulating film 3.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３上の全面に導電膜５を残す状態で、レジストパターン７をマスクに用いて導電膜５を異方性エッチングする。 - 特許庁

The resist pattern has a surface layer on a resist pattern with etching rate (Ånm/s) ratio (internal layer/surface layer) of 1.1 or more under the same condition.例文帳に追加

レジストパターン上に表層を有し、同条件下での該表層と内層とのエッチング速度（Å／ｓ）比（内層／表層）が１．１以上であるレジストパターン。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck member, disposed in a semiconductor processing device to perform plasma etching processing under strongly corrosive environment, capable of improving durability of the electrostatic chuck.例文帳に追加

強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置内に配設される静電チャックの耐久性を向上させること。 - 特許庁

Moreover, the inorganic insulating film under this mask layer protects organic low-permittivity insulating film from the process of resist mask removal, such as plasma etching or the like.例文帳に追加

また、このマスク層のうち下層にある無機絶縁膜が上記有機低誘電率絶縁膜をプラズマ・アッシング等のレジストマスク除去の工程から保護する。 - 特許庁

An etching device, which sprays an etching liquid from under a conveyor roll, is provided with almost the same number of sensors for detecting substrate position as sprays at their positions, comprising a control for jetting the etching liquid only from a spray at a position detecting the presence of the substrate.例文帳に追加

コンベアロールの下からエッチング液をスプレー噴霧するエッチング装置であって、基板の位置を検出するセンサがスプレーとほぼ同じ箇所にほぼ同じ数設置され、基板の存在を検出している箇所のスプレーのみからエッチング液を噴霧させる制御を有するエッチング装置と、そのエッチング装置を用いたプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

In the semiconductor device including any of silicon oxide film or silicon film formed by anisotropic etching over the compound semiconductor substrate, the other film is allocated under any film of the silicon oxide film and silicon film, and the other film works as an etching stopper of the anisotropic etching.例文帳に追加

化合物半導体基板上に異方性エッチングにより加工された酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜を有する半導体装置において、前記酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜の下に他方の膜を配置し、この他方の膜が前記異方性エッチングのエッチングストッパとなっている。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming an insulating film 4 so as to embed scratches 3a, 3b occurring on the surface of the film 2 at this polishing time, and then etching back under the condition where an etching selection ratio of the film 4 to the film 2 becomes '1' by reactive ion etching until the film 2 is exposed.例文帳に追加

この研磨時に層間絶縁膜２の表面に生じるスクラッチ３ａ、３ｂを埋め込むように絶縁膜４を形成した後、層間絶縁膜２に対する絶縁膜４のエッチング選択比が１になる条件で反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜２が露出するまでエッチバックを行う。 - 特許庁

A step of peeling the etching resist having been used for etching the magnetic layer includes: a step of radiating excimer VUV laser under a reduced pressure onto the etching resist on the magnetic layer or a protection layer; and a step of cleaning and removing the resist remaining on the magnetic layer or the protection layer by soaking the resist in a release agent solution.例文帳に追加

磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 - 特許庁

The glass substrate etching apparatus 100 includes: a container 110 for storing an etching liquid 115; a first plate 120 at which a glass substrate 125 stably settles horizontally; and a flow part 130 arranged so as to face the glass substrate in the container for flowing the etching liquid on the first plate or under the first plate.例文帳に追加

ガラス基板エッチング装置１００は、エッチング液１１５を収容する容器１１０と、容器内に配置され、ガラス基板１２５が水平に安着する第１プレート１２０と、ガラス基板と向き合うように容器内に配置され、第１プレート上または第１プレート下でエッチング液を流動させる流動部１３０とを含む。 - 特許庁

When a substrate 11 is placed in a pressure reducible reaction vessel and a contact hole 14 is etched in a silicon oxide film 12 formed on the substrate 11 as an insulating film using plasma of etching gas, the pressure of the etching gas plasma is elevated to approach the gas pressure in the contact hole 14 under etching.例文帳に追加

減圧可能な反応容器内に基板１１を設置し、基板１１上に成膜された絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２にエッチングガスのプラズマを用いてコンタクトホール１４をエッチングする際に、エッチングガスのプラズマの圧力をエッチング途中のコンタクトホール１４内のガス圧力に近づけるように上昇させる。 - 特許庁

(c) Among anisotropic plasma dry etching devices having cassette-to-cassette functions and load lock functions or devices designed to be connected to and used with equipment falling under (e), those that fall under any of the following 例文帳に追加

ハ　異方性プラズマドライエッチング装置であって、カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有するもの又はホに該当するものに接続して使用するように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Then, a groove 1d is formed under the recess 11b by etching a semiconductor substrate 1 with the silicon nitride film 11 as a mask, and a groove 1c deeper than the groove 1d is formed under the opening 11a.例文帳に追加

その後、窒化シリコン膜１１をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより、凹部１１ｂの下に溝１ｄを形成するとともに、開口部１１ａの下に、溝１ｄより深い溝１ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a non-chelating type remover free from discoloration of a metallic material used as a substrate and capable of releasing a photoresist film or a film of etching resistant resin composition each remained on the surface of the substrate after etching and easy in elluent treatment after releasing under a wide range of releasing condition, accordingly, under a simple process management.例文帳に追加

広範囲の剥離条件下で、したがって簡便な工程管理の下に、基材として用いる金属材料に変色を生じることなく、エッチング後の基材表面に残るフォトレジスト皮膜や耐エッチング性樹脂組成物皮膜を剥離でき、しかも剥離後の排水処理の容易な非キレートタイプの剥離剤を提供する。 - 特許庁

To provide a tape for mutually joining boards causing no separation of the boards until the boards undergo a resist-removing step in subjecting the plurality of printed boards joined serially to etching under conveyance, thus eliminating an uneven etching phenomenon in the direction of their conveyance.例文帳に追加

複数のプリント基板を連結して搬送しながらエッチングする際に、レジスト除去工程に入るまで基板の分離が起きない基板接続用テープを提供し、搬送方向のエッチング不均一現象を解消することを課題とする。 - 特許庁

As a central nozzle 5 supplies etching solution to a center of an under surface of the wafer W, the etching solution turns around a peripheral end surface of the wafer W and reaches the upper surface of the wafer W, thereby a solution membrane in contact with the wafer facing surface 45 is formed.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。 - 特許庁

The first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film 32 is higher than that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

Grooves (trenches 2a) are formed on the surface of the substrate 2 by etching the portions of the mask layer 6 under the sidewalls 10, by using the sidewalls 10 as masks and etching the substrate 2 by using the mask layer 6 and sidewalls 10 as masks.例文帳に追加

サイドウォール１０をマスクとして当該サイドウォールより下のマスク層部分をエッチングし、当該マスク層６およびサイドウォール１０をマスクとして半導体基板２をエッチングすることにより、半導体基板２の表面に溝（トレンチ２ａ）を形成する。 - 特許庁

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

After a formation process of a piezoelectric element 73, at least one portion of an oscillation plate 53 between extracting electrodes 90 formed later is etched in an etching process under the conditions that etching residue of an upper electrode film 83 is removed without removing the oscillation plate 53.例文帳に追加

圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。 - 特許庁

To provide an etching method, a polishing method and a fabricating method of silicon carbide capable of etching and polishing the surface of silicon carbide, microfabricating and removing silicon carbide efficiently under low temperature conditions of several hundreds degree.例文帳に追加

数百度程度の低温条件において、炭化珪素表面のエッチング及び研磨や炭化珪素の微細加工及び除去を容易に且つ効率良く行うことができる、炭化珪素のエッチング方法、研磨方法及び加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus or the like and a plasma processing method capable of adopting higher concentration radical irradiation for ensuring high speed etching even under a low pressure and ensuring ion concentration required for vertical etching performance.例文帳に追加

本発明は、低圧下にありながら、高速エッチングを確保するためのラジカルをより高濃度とすることができ、しかも垂直エッチング性に必要なイオン濃度を確保することが可能なプラズマ処理装置等や処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The surface of a metal base material is put under an alumite treatment, coated with fluorine resin to be baked, and the surface of the fluorine resin is put under an etching or a chemical treatment to form there the heating layer made of a conductor.例文帳に追加

金属基材の表面をアルマイト処理し、金属基材の表面にフッ素樹脂を塗布して焼成し、フッ素樹脂の表面をエッチングまたは化学処理し、フッ素樹脂の表面に導電体からなる発熱層を形成する。 - 特許庁

In conducting dry cleaning, while suspending dry etching treatment, only the O_2 gas is made to flow as the reactant gas under pressures of 20 to 200 Pa with the operation of the plasma generator.例文帳に追加

ドライエッチング処理を中止してドライクリーニングを行う場合には、反応ガスとしてＯ_2ガスのみを圧力２０〜２００Ｐａで流しながらプラズマ生成部を作動させる。 - 特許庁

A silicon substrate 1 and a thermally oxidized silicon substrate 2 are bonded directly under a low temperature of 5000-1000°C (Fig. (A)) and then a mask layer 36 for wet etching is formed (Fig. (B)).例文帳に追加

シリコン基板１と熱酸化３したシリコン基板２を５００〜１０００℃なる低温下で直接接合した後（図１（Ａ））、ウェットエッチングのマスク層３６を形成する（図１（Ｂ））。 - 特許庁

Forming locally modified regions may prevent under-etching of the at least one structure during further process steps in the formation of a semiconductor device 10.例文帳に追加

部分的に変更された領域の形成工程は、半導体デバイス１０の作製中の更なる処理工程中に、少なくとも１つの構造のアンダーエッチングを防止できる。 - 特許庁

At the point when the wiring film is separated or thereafter, etching is carried out under TM conditions, thereby preventing electrical damages to a device due to charge-up.例文帳に追加

また、配線膜が分離される時点ないしその後はＴＭ条件でのエッチングを行うことで、配線膜でのチャージアップによるデバイスへの電気的ダメージを防止する。 - 特許庁

Meantime, the lower clad layer 121 under the mask 22 that decides the height accuracy of the pedestal block 19 is always protected by the etching stop layer or the mask 22 during the manufacturing process.例文帳に追加

一方、台座ブロック１９の高さ精度を決定するマスク２２下の下部クラッド層１２１は、製造工程中常にエッチングストップ層又はマスク２２によって保護されている。 - 特許庁

Next, unwanted part of the metal underlayer 7 is removed by etching process using the wiring protecting metal film 9 as a mask, leaving the metal underlayer 7 only under the wiring 8.例文帳に追加

次に、配線保護金属膜９をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去し、配線８下にのみ下地金属層７を残存させる。 - 特許庁

When opening a connection hole high in aspect ratio, the flow ratio of He gas to all etching gas is put in the range of 70 volume % or over and 85 volume % or under.例文帳に追加

アスペクト比の高い接続孔を開口する際には、Ｈｅガスの全エッチングガスに対する流量比を７０容量％以上８５容量％以下の範囲にする。 - 特許庁