「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

In the forming method, a dispersion solution containing metal particles whose mean particle diameter is ≤100nm is coated on the surface of a base material to form a coating film, and it is dried under the condition of maintaining the range where the mean particle diameter is ≤500nm on the coating film after drying, pattern-formed into a prescribed plane shape by etching and calcined.例文帳に追加

形成方法は、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。 - 特許庁

For forming this mirror layer 4, a lower part clad layer being the lower half of the clad layer 2 is formed, and the core 3 is patterned on it, and a mirror forming layer formed by coating the whole of a substrate is etched just under an etching mask so as to be undercut, or is patterned through photolithography and development processing.例文帳に追加

このミラー層４を形成するには、クラッド層２の下半分である下部クラッド層を形成し、この上でコア３をパターニングした後、基体の全面を被覆して形成されたミラー形成層をエッチング・マスクの直下にアンダカットが入るようにエッチングするか、またはフォトリソグラフィと現像処理を経てパターニングする。 - 特許庁

In a method for etching surface of wiring board, a thin wiring board 1 is transported in the direction of its flat surface in an etchant L and, at the same time, the etchant L is transported under pressure to the front and rear surfaces of the board 1 over the whole width perpendicularly to the transporting direction of the board 1.例文帳に追加

エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送すると共に、この配線基板１の表裏面に対し、この表裏面における搬送方向と直交する幅全体に渉り上記エッチング液Ｌを圧送する、配線基板の表面エッチング方法。 - 特許庁

Then, the resulting single crystal SiC substrate 15 is heat treated under saturated vapor pressure of silicon so as to form a sacrificial growth layer (amorphous SiC layer 15c) comprising amorphous SiC in the part of the carbonized layer 15b and at the same time, to perform thermal etching by sublimating the amorphous SiC layer 15c (second process).例文帳に追加

次に、前記単結晶ＳｉＣ基板１５をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、前記炭化層１５ｂの部分にアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層（アモルファスＳｉＣ層１５ｃ）を形成するとともに、このアモルファスＳｉＣ層１５ｃを昇華させて熱エッチングする（第２工程）。 - 特許庁

To eliminate a disadvantage that a support of desired shape cannot be formed due to an etching solution permeated through an interface between a low structure and upper structure of a gate electrode when forming a support for an insulating film to prevent the gate from overturning under the gate consisting of the low structure of high-melting-pint metal and the upper structure of low-resistance metal containing gold.例文帳に追加

高融点金属の下部構造と金を含む低抵抗金属上部構造とからなるゲートの庇下にゲートの転倒防止のための絶縁膜支持体を形成する際に、ゲートの下部構造と上部構造の界面部分からエッチング液がしみ込み、所望形状の支持体が形成できない。 - 特許庁

To obtain a photosensitive compound capable of maintaining a transparent property even under an exposure light source having ≤193 nm short wave length, excellent in adhering capability to a base plate and not only excellent in wettability toward a developing liquid but also in resistance to dry etching, and a chemically amplifying type photoresist composition.例文帳に追加

本発明は１９３ｎｍ以下の短波長の露光源下でも透明性を維持し、基板に対する付着力に優れ、現像液に対する湿潤性に優れるだけでなく、乾式蝕刻に対する耐性が大きい感光性化合物及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物に関するものである。 - 特許庁

It becomes easy to form the etching pattern representing information in a desired shape and size under control by imposing a negative bias to the micro chip 50 and using heat up and melt by the electron beam 30 generated from the micro chip 50 with imposed by the prescribed voltage without applying strong mechanical force like in a conventional way.例文帳に追加

マイクロチップ５０に負のバイアスを印加することにより、従来のように機械的な強い力を加えずに、所定電圧を印加したマイクロチップ５０から発生された電子ビーム３０による加熱及び溶解を実行する方式を用いて、情報を表すエッチングパターンを所望の形状と大きさに制御して形成することが容易となる。 - 特許庁

Further, while using the patterned photo resist 14 as a mask, the reflection prevention film 13 and polymer layer 12 are etched under such a condition that the etching speed of the polymer layer 12 is higher than that of the reflection prevention film 13 and more higher than that of the semiconductor substrate 11, so that a mask for processing the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

続いて、パターニングされたフォトレジスト１４をマスクとして、ポリマー層１２のエッチング速度が反射防止膜１３のエッチング速度よりも速く、半導体基板１１のエッチング速度よりもさらに速くなる条件で、反射防止膜１３及びポリマー層１２をエッチングし、半導体基板１１に処理を施す際のマスクを形成する。 - 特許庁

When a wiring pattern 5a is formed by etching a metal foil 2 on the surface of a laminate 1, a cut pattern 3a is previously formed around the wiring pattern 2a, a wear plate 10 is superposed on the under surface of the laminate 1, and the laminate 1 is irradiated with a laser beam along the cutting pattern 3a, from the side above the top surface of the laminate 1.例文帳に追加

積層板１の表面の金属箔２をエッチングして配線パターン５ａを形成する際に、配線パターン２ａの回りに切断パターン３ａを形成しておき、積層板１の下面側に当板１０を重ねた状態で積層板１の上面側から切断パターン３ａに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する。 - 特許庁

In a parallel plate reactive ion etching system, a matching box housing a matching circuit is positioned under a cathode assembly accessory mechanism attached to the external wall surface of a cathode-side vacuum chamber, within an extent containing the center axis line passing through a cathode and an anode, so that an earthing route may become symmetrical with respect to a substrate on the cathode.例文帳に追加

本平行平板式反応性イオンエッチング装置においては、陰極と陽極とを通る中心軸線を含む範囲内でしかもアース経路が陰極上の基板に対して対称形となるように、マッチング回路を収納したマッチングボックスを、陰極側の真空チャンバーの外壁面に取付けられた陰極組立体付属機構の下側に位置決めされる。 - 特許庁

In the case of movably forming the resonator including the movable electrode 34 on the silicon substrate 50, after forming a protection resin 67 around the fixed electrode 32 fixed on the insulation film 51, the lead wires 35, and the connection terminals 36 or the like in advance, the insulation film 51 under the resonator and including the movable electrode 34 is removed by etching.例文帳に追加

可動電極３４を含む共振子をシリコン基板５０上において移動可能に形成する際に、予め絶縁膜５１上に固定される固定電極３２、リード線３５、及び接続端子３６等の周囲に保護樹脂６７を形成してから可動電極３４を含む共振子の下方の絶縁膜５１をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.例文帳に追加

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁

When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.例文帳に追加

レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁

An auxiliary layer not dissolving in an electrolytic solution is arranged under an heating resistor arranged between a pair of electrodes on the substrate and the protective functional film constituted of Ir having a contact face with an ink arranged on the heating resistor via an insulation layer and the auxiliary layer is used as an electroconductive layer when electrolyzing and etching the protective functional layer in the electrolytic solution.例文帳に追加

基板上の一対の電極間に設けられた発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に絶縁層を介して設けられたインクとの接触面を有するＩｒからなる保護機能膜の下に、電解液中で溶出しない補助層を設け、補助層を電解液中で保護機能層を電解エッチングする時の導電層として使用する。 - 特許庁

A first region requiring a high driving capacity is irradiated with CW laser light at a low rate under a state where an a-Si film is patterned by lithography and etching into an island pattern 11 (or a ribbon pattern) whereas a second region not requiring a high driving capacity is irradiated with the CW laser light in the form of a solid a-Si film.例文帳に追加

高い駆動能力を要する第１の領域には、ａ−Ｓｉ膜をアイランドパターン１１（又はリボンパターン）にリソグラフィー及びエッチングによりパターニングした状態でＣＷレーザ光を低速で照射し、高い駆動能力を要しない第２の領域には、ａ−Ｓｉ膜のベタ膜のままＣＷレーザ光を高速で照射する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition exhibiting satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, having high dry etching resistance, and excellent in line edge roughness and image forming properties.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、耐ドライエッチング性が高く、ラインエッジラフネス特性に優れ、画像形成性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In order to prevent dust occurrence from a peripheral end of the wafer, a semiconductor film 4 is formed in an integrated circuit pattern area on a front surface by removing at least the whole rear surface and the peripheral end of the formed semiconductor film 4 with a chemical to an insulating film 3 under the semiconductor film 4 by a high etching rate, in the semiconductor device 100.例文帳に追加

ウエハの周端部からの発塵を防止するために、成膜された半導体膜４における少なくとも裏面全面および周端部を薬液によりその下の絶縁膜３に対して高エッチングレートで除去して表面の集積回路パターン領域に半導体膜４を形成した半導体装置１００を実現する。 - 特許庁

The composite material 6 for the transfer method is produced by a method for bonding a strip material wherein the carrier material 1 and the barrier material 2 are laminated and the wiring forming material 2 under pressure to form a composite strip or a method subjecting the bonding surfaces of the barrier material 2 and the wiring forming material 3 to ion etching to laminate and bond both materials by rolling.例文帳に追加

また、本発明の転写法用複合材の製造方法としては、キャリア材とバリア材を積層した帯材と、配線形成材とを圧着して複合帯とする転写法用複合材の製造方法や、バリア材と配線形成材の接合面がイオンエッチングされた後、圧延により積層接合する転写法用複合材の製造方法である。 - 特許庁

Etching treatment using an acid, alkali or fluoride is applied to aluminum metal fittings 2 and chemical forming treatment using alkali metal phosphate is further applied thereto and the vulcanizing adhesion regions of these treated metal fittings 2 thus obtained are coated with an adhesive and predetermined rubber 4 is bonded to the coated regions of the metal fittings under vulcanization to produce a metal fitting-rubber integrated composite product 6.例文帳に追加

アルミ金具２に対して、酸、アルカリ又はフッ化物を用いたエッチング処理を施した後、更にアルカリ金属リン酸塩を用いた化成処理を実施し、次いで、この得られた化成処理金具２を用いて、その加硫接着部位に接着剤を塗布せしめた後、所定のゴム４を加硫接着せしめることにより、金具−ゴム一体複合製品６を製造する。 - 特許庁

To provide a new polymerizable monomer having a high transparency and a low refraction index in such a wide wavelength range as from a vacuum ultraviolet ray to an optical communication wavelength area and further having high adhesion to substrates, high film-forming property and high etching resistance, which can be attained by allowing a polar group to contain in the same molecule even under a high fluorine content, and to provide a polymer compound using the monomer.例文帳に追加

高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることで、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性と低屈折率性を有し、かつ基板への密着性、高い成膜性、エッチング耐性を併せ持つ新規な重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物を提供する。 - 特許庁

A metal film 11 is formed on a prepared wafer 10, etching the metallic film 11 forms IDTs 2 and reflectors 3, the frequency is adjusted by trimming a piezoelectric substrate 10a and the IDTs 2 which are part of the wafer 10, the surface of the IDTs 2 are rapidly modified through heat treatment under an oxygen atmosphere, to form a modified layer so as to stabilize the characteristics.例文帳に追加

ウエハ１０を用意し、ウエハ１０上に金属膜１１を形成し、金属膜１１をエッチングしてＩＤＴ２及び反射器３を形成し、ウエハ１０の一部である圧電基板１０ａ及びＩＤＴ２をトリミングして周波数を調整し、ＩＤＴ３表面を酸素雰囲気中での熱処理により急速に変質させて変質層を形成して特性を安定させる。 - 特許庁

The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁

An etching device 10 is provided with carrying rollers 12 which carry the wiring board 1 in the direction of its flat surface in the etchant L, upper and lower paired water wheels 14 which transport the etchant L to the front and rear surfaces of the substrate 1 under pressure, and flow straightening plates 22 and 23 respectively positioned on both sides of the water wheels 14 and having curved surfaces 20.例文帳に追加

また、エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送する搬送ローラ１２と、配線基板１の表裏面に対向して配設され、係る表裏面に上記エッチング液Ｌを圧送する上下一対ずつの水車１４と、各水車１４の両側に配置したカーブ面２０を有する整流板２２,２３と、を含む、配線基板の表面エッチング装置１０も提案する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁