「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A crystal oscillator 2 is arranged so as to be dry-etched by the dry etching means 1 under the same condition as the etched material 5.例文帳に追加

水晶振動子２を、被エッチング材料５と同一条件でドライエッチング手段１によってエッチングされるように配置する。 - 特許庁

As a result, the oxide film can be removed at high etching selection ratio without damaging or polluting the under film quality of the oxide film.例文帳に追加

これにより酸化膜の下部膜質を損傷や汚染させることなしに高い蝕刻選択比を持って酸化膜を除去できる。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a capacitor electrode by etching a metal nitride film under an environment containing fluorine and oxygen.例文帳に追加

この方法は、フッ素および酸素を含む環境で金属窒化膜をエッチングしてキャパシタ電極を形成する段階を含む。 - 特許庁

By etching the island portion from the rear side of the substrate 100, the cavity 110 is formed just under the resonator.例文帳に追加

そして、基板１００の裏面から、前記島部分をエッチングすることで、前記共振器の直下に空洞１１０を形成する。 - 特許庁

The mold for molding with the spacer is produced by forming an etching prevention film 102 on a glass substrate 100, forming an opening array 104 on the etching prevention film, forming a recess array 106 in the glass substrate under the opening array by the liquid phase etching, removing the etching prevention film of the member of the recess array, and fixing the spacer in at least three portions of the residual etching prevention film.例文帳に追加

スペーサ付き成形型は、ガラス基板１００上にエッチング阻止膜１０２を成膜し、エッチング阻止膜に、開口アレイ１０４を形成し、液相エッチングによって、開口アレイの下部のガラス基板に凹部アレイ１０６を形成し、凹部アレイの部分のエッチング阻止膜を除去し、残されたエッチング阻止膜上の少なくとも３個以上の箇所にスペーサを固着することで作製される。 - 特許庁

The etching is effected by a method wherein CH_2F_2 gas is added to C_4F_8 gas or the like, and plasma etching is effected under a treating condition that fluorocarbon is readily deposited on the resist mask 8 at a part whereat an interval between patterns is wide.例文帳に追加

このエッチングは、Ｃ_４Ｆ_８ガス等にＣＨ_２Ｆ_２ガスを添加して、パターンの間隔の広い部分のレジストマスク８上にフルオロカーボンが堆積されやすい処理条件でプラズマエッチングを行う。 - 特許庁

Accordingly, the wet etching under the condition that the end face shape of ridge after the dry etching can be almost maintained becomes possible and thereby reduction in ridge width and improvement in symmetry of the ridge shape can be realized simultaneously.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング後のリッジ端面形状を概ね維持した状態でのウェットエッチングが可能となってリッジ幅の狭幅化とリッジ形状の対称性の向上の双方を同時に実現できる。 - 特許庁

Ring blows 20, 21 are provided above and under the wafer, hot air is blown out in an annular shape in a radial direction of the wafer and when gases of the etching liquid are blown back into the etching units, at the same time, the wafer is warmed.例文帳に追加

ウエーハの上下にはリングブロー２０，２１が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。 - 特許庁

The metal microstructure exposed through an etching treatment using the etching solution is observed under an optical or laser microscope to determine a subgrain size, and the creep damage is derived from the subgrain size.例文帳に追加

このエッチング液によりエッチング処理して現出した金属微細組織を光学顕微鏡またはレーザ顕微鏡により観察し、サブグレインサイズを求め、このサブグレインサイズからクリープ損傷率を求める。 - 特許庁

A semiconductor layer 20 and the metal layer 22 are patterned by etching through the etching resist 28 to form wiring 30 from the metal layer 22, and a part under the wiring 30 of the semiconductor layer 20 is left as it is.例文帳に追加

エッチングレジスト２８を介して、半導体層２０及び金属層２２をエッチングによってパターニングして、金属層２２から配線３０を形成し、半導体層２０の配線３０下の部分を残す。 - 特許庁

The projected and recessed pattern 7 is formed by etching glass for etching containing 3 to 20wt.% vanadium pentoxide to base glass composing the covered glass layer 3, and performing firing under heating at 850 to 950°C.例文帳に追加

凹凸パターン７は、被覆ガラス層３を構成する基礎ガラスに、五酸化バナジウムを３〜２０ｗｔ％含むエッチング用ガラスをエッチングし、８５０〜９５０℃の温度で加熱焼成して形成してある。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for dry etching even a large area wafer or substrate through a convenient arrangement under conditions of atmospheric pressure in the etching step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるエッチング工程において、大気圧条件下で処理でき、大面積ウェーハや基板に対応でき、簡便な装置でドライエッチングをする方法及びその装置の提供。 - 特許庁

Under a condition of a high selection ratio (etching rate ratio) between a 2nd inter-layer insulating film 7 and a photoresist 8, the 2nd inter-layer insulating film 7, a flattening insulating film 6, and a 1st inter-layer insulating film 5 are subjected to dry etching.例文帳に追加

第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８の選択比（エッチングレート比）が高い条件にて、第２層間絶縁膜７、平坦化絶縁膜６及び第１層間絶縁膜５をドライエッチングする。 - 特許庁

Then second etching treatment is performed for removing the areas of the semiconductor layer 14A under the openings of the mask pattern 15 by using second etching gas containing more bromine than chlorine.例文帳に追加

その後、塩素と比べて臭素の割合が大きい第２のエッチングガスを用いて半導体層１４Ａにおけるマスクパターン１５の開口部の下方の領域を除去する第２のエッチング処理を行なう。 - 特許庁

In a dry etching method, a mask pattern 15 is formed on a semiconductor layer 14A and first etching treatment is performed for removing about 70% of the areas of the semiconductor layer 14A under the openings of the mask pattern 15 by using a first etching gas containing chlorine and bromine.例文帳に追加

半導体層１４Ａの上にマスクパターン１５を形成し、塩素と臭素とを含む第１のエッチングガスを用いて半導体層１４Ａにおけるマスクパターン１５の開口部の下側の領域の７０％程度を除去する第１のエッチング処理を行なう。 - 特許庁

The hole 12a is formed by dry etching treatment for masking a resist layer, and after dry etching is performed in a condition that an undercut occurs under the resist layer in the treatment, the hole 12a is formed so that a diameter is increased in an opening part outward by performing the dry etching in a condition that the undercut does not occur under the resist layer.例文帳に追加

孔１２ａは、レジスト層をマスクとするドライエッチング処理により形成し、この処理ではレジスト層の下にアンダーカットが生ずるような条件でドライエッチングを行なった後、レジスト層の下にアンダーカットが生じないような条件でドライエッチングを行なうことにより孔１２ａを開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形成する。 - 特許庁

By this way, the opening size of resist itself is made small, and also adhesiveness is improved so that the exfoliation under wet etching might be prevented.例文帳に追加

これによりレジストの開口寸法自体を小さくすると共に密着性を向上させてウェットエッチング中の剥離を防止する。 - 特許庁

A part positioned under the pad electrode 14 among the lower parts 42 is etched to the etching stop layer 32, thereby forming a recess 46.例文帳に追加

低地部４２のうちパッド電極１４下に対応する部分は、エッチング停止層３２までエッチングされ、陥凹部４６が形成される。 - 特許庁

By etching the first film exposed on the bottom surface of the recess in the thickness direction and lateral direction, a cavity is formed under the residue.例文帳に追加

凹部の底面に露出した第１の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、残渣の下に空洞を形成する。 - 特許庁

Under etching condition of high selectivity to a silicon nitride film, an upper layer of a silicon oxide film 14 is etched with sufficient overetching amount.例文帳に追加

そして、対シリコン窒化膜高選択性のエッチング条件で、シリコン酸化膜１４上層を充分なオーバーエッチ量によりエッチングする。 - 特許庁

Then, only the intermediate layer 41 under the movable part of the optical device is removed by selectively wet-etching the intermediate layer 41 (Fig.D).例文帳に追加

次に、中間層４１を選択的にウエットエッチングして、光デバイスの可動部の下の中間層４１のみを除去する（図１０Ｄ）。 - 特許庁

Then, isotropic etching is performed, and a part 2d corresponding directly under the side wall of the floating gate 3 of the tunnel oxidation film 2 is removed.例文帳に追加

続いて、等方性エッチングを行って、トンネル酸化膜２のうち浮遊ゲート３の側壁直下に相当する部分２ｄを除去する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, in which wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 having various pattern densities coexist mixedly, the wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 are formed, by dry etching performed under an etching condition such that the etching rate becomes faster as the pattern densities become higher.例文帳に追加

様々なパターン密度を有する配線パターン２０、２１やゲート電極パターン３６、３７が混在する半導体装置の製造方法において、パターン密度が高いほど、エッチング速度が速くなるエッチング条件によるドライエッチングで配線パターンやゲート電極パターンのパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide an inkjet recording head capable of performing high-quality printing with an inexpensive process under low temperatures, which keeps an etching sacrifice layer taper-angled to drastically lower the cracking probability in an etching stop layer during the formation of an ink supply port using anisotropic etching, with an improved yield.例文帳に追加

エッチング犠牲層にテーパー角を付けることによって、異方性エッチングを使ったインク供給口形成時のエッチングストップ層の割れの確率が飛躍的に低下して歩留まりが向上し、低温で安価なプロセスを使って高品位な印字が可能なインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film pattern which is capable of preventing a thin film that is not an object of etching from being etched even when thin films is subjected to etching under the condition that etching selectivity is set low, and to provide an electro-optical device, its manufacturing method, and an electronic apparatus.例文帳に追加

同一基板上に形成された薄膜をエッチング選択性の低い条件でエッチングする場合でも、エッチング対象とされない薄膜がエッチングされることを防止可能な薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

By performing an etching process so that the insulating film is left only under the second auxiliary pattern, in the etching process using the silyrated first auxiliary pattern and the second auxiliary pattern as etching masks, the hard mask film is etched to form a hard mask pattern.例文帳に追加

上記絶縁膜が上記第2の補助パターンの下部にのみ残留するようにエッチング工程を行い、上記シリレーションされた第1の補助パターン及び第2の補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で上記ハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

Related to a thin-film transistor substrate of 'In-Plane Switching' mode channel digging type, an etching-resistant reference surface 23, which is not etched at etching of a channel part 24, is formed on a gate insulating film 15, and a part of the etching-resistant reference surface 24 is formed under the layer of a source electrode 19.例文帳に追加

Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇモードチャネル掘り込み型薄膜トランジスタ基板において、チャネル部２４のエッチング時にエッチングされない耐エッチング性基準面２３をゲート絶縁膜１５上に形成し、耐エッチング性基準面２３の一部をソース電極１９の下層に形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resist film and the interlayer insulating film under the opening of the resist film are etched on condition that an etching velocity of the etching stop layer is faster than the etching velocity of the resist film and the interlayer insulating film, and a contact hole passing through the interlayer insulating film is formed and the resist film is removed.例文帳に追加

エッチング停止層のエッチング速度よりもレジスト膜及び層間絶縁膜のエッチング速度の方が速い条件で、レジスト膜及びレジスト膜の開口下の層間絶縁膜をエッチングし、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成するとともにレジスト膜を除去する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which can enhance the etching selection ratio between a silicon-containing conductive film and a silicon oxide film and assure the etching and removal of only the desired silicon-containing conductive film without etching the silicon oxide film of the under layer and without deforming the etched shape of silicon-containing conductive film.例文帳に追加

従来に較べて、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を向上させることができ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the covering film is removed every time when etching is completed for one work piece, so that the inside of the chamber can be always kept under the same condition for every etching treatment.例文帳に追加

これにより、例えば、上記被覆膜の除去を、１つの被加工体のエッチング処理が終了する度に行うことで、チャンバ内が常に同一の状態で、被加工体のエッチング処理を行うことが可能となる。 - 特許庁

When the contact holes 5 is formed on an inter-layer insulating film 2, first anisotropic dry etching is applied to the midway of the inter-layer insulating film 2, under the condition of the etching selection ratio between a photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2 being low.例文帳に追加

層間絶縁膜２にコンタクトホール５を形成する際に、最初にフォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチング選択比が低い条件で、層間絶縁膜２の途中まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

A dry etching apparatus 11 includes a coil 36 for generating a plasma in a vacuum container 12, and a camera 45 which photoes the image of the surface to be etched of the substrate (1) which generates the plasma and is under processing by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング装置１１は、真空容器１２内にプラズマを発生させるコイル３６と、プラズマが発生してドライエッチングにより加工中である基板（１）の被エッチング面の画像を撮影するカメラ４５を備える。 - 特許庁

A laminated film to be etched 2 is etched by using the silicon oxide film and the silicon nitride film as the head etching masks 3a, and the hard etching masks 3a are removed by using a decompressed hydrofluoric acid vapor under a heated state.例文帳に追加

ハードエッチングマスク３ａとしてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いて、被エッチング積層膜２のエッチングを行った後、減圧かつ加熱状態のフッ酸蒸気を用いてハードエッチングマスク３ａを除去する。 - 特許庁

A first etching process is used to form a first trench 226, and a second etching process or an oxidation process is used to form a second trench 228 under the first trench 226.例文帳に追加

第１のエッチングプロセスが、第１のトレンチ部分２２６を形成するために用いられ、第２のエッチングプロセスまたは酸化工程が、第１のトレンチ部分２２６の下に第２のトレンチ部分２２８を形成するために用いられる。 - 特許庁

A concave part is prepared on a sapphire substrate through etching, wherein the concave part is almost parallel with the main surface of the sapphire substrate, and epitaxial growth takes place under influence by the bottom surface of the concave part formed through the etching.例文帳に追加

エッチングによりサファイア基板に凹部を設け、且つその凹部はサファイア基板の主面とほとんど平行となっており、当該エッチングにより形成された凹部の底面に影響されたエピタキシャル成長が生ずる。 - 特許庁

To solve the problem wherein when photosensitive resin having a three-dimensional structure is etched under fixed conditions, the select ratio is gradually changed in the process of etching.例文帳に追加

３次元構造をもった感光性樹脂を一定条件でエッチングしていくと、その選択比がエッチング中に徐々に変化してしまうこと。 - 特許庁

Then the hole 12e of the narrow working part is pierced by anisotropic dry etching, and the separation layer 2a under the connection member 8 is completely removed.例文帳に追加

そして、異方性ドライエッチングにより狭い加工部分の穴１２ｅを貫通させ連結部材８の下部の分離層２ａを完全に除去する。 - 特許庁

A protective layer is formed on an etching stop layer, and an adhesion layer disposed under an ejection port forming material and a column is formed separately from the protective layer.例文帳に追加

エッチングストップ層の上に保護層を形成し、吐出口形成部材と柱の下に配置する密着層を、保護層から離して形成する。 - 特許庁

Etching treatment for forming side walls 16 under a status that an SiN layer 15 formed on a transfer electrode is covered by photo resist 21 is carried out.例文帳に追加

転送電極上に形成したＳｉＮ層１５をフォトレジスト２１で被覆した状態でサイドウォール１６を形成するエッチング処理を行なう。 - 特許庁

There are removed the nitride film 12 and the SOG film 13 exposed under substantially the same condition in the etching selection ratio of the nitride film 12 and the SOG film 13.例文帳に追加

窒化膜１２とＳＯＧ膜１３のエッチング選択比がほぼ同じ条件で露出している窒化膜１２とＳＯＧ膜１３を除去する。 - 特許庁

Next, the nitride film 16a is removed under first etching conditions, to leave the nitride film 16a only on the sidewall of the collar oxide film 15a.例文帳に追加

次に、第１のエッチング条件により窒化膜１６ａが除去され、カラー酸化膜１５ａの側壁にのみ窒化膜１６ａが残存される。 - 特許庁

To provide a resist stripping agent compound with satisfactory characteristics in exfoliating a remainder of resist generated by etching or ashing under severe conditions.例文帳に追加

より、過酷な条件下のエッチング、アッシング等により形成されたレジスト残渣物の剥離性能に優れたレジスト剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁

The dry etching process can be executed under the condition that the aluminum film 103 remains on only the side wall of the hole 321, and a conductive layer 322 is able to be formed.例文帳に追加

このドライエッチングプロセスは、ホール３２１の側壁にのみアルミニウム膜１０３が残留し、導電層３２２を形成可能な条件下とする。 - 特許庁