「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Etching liquid is supplied to working parts 11f and 15 having the wider width, and a separation layer 2b under the narrow working part 12e is completely removed while partially leaving a separation layer 2a between a connection member 8 and a substrate 1.例文帳に追加

次に、広い幅寸法の加工部分１１ｆ、１５にエッチング液を供給し、連結部材８と基板１との間の分離層２ａを部分的に残留させた状態で狭い加工部分の穴１２ｅの下部の分離層２ｂを完全に除去する。 - 特許庁

Buried via masks at an etching stop level 311 are merged with rectangular windows which are aligned so as to be perpendicular to the major axes of conductive features M1 under a first metal level, and have openings which include misalignment error regions 315 of at least two adjacent vias.例文帳に追加

エッチング停止レベル(311)にある埋め込みビアマスクは、第１の金属レベルの下層導電性フィーチャ(M1)の長軸に直交して整列された矩形窓にマージされ他２つ以上の近接するビアのミスアライメントエラー領域(315)を有する開口を備える。 - 特許庁

Then, an etching operation is carried out under the condition that the removal ratio of the second insulating film 4 to the first insulating film 3 is set at 1:1, the upper electrodes 23 of all the capacitors 2 are disclosed, and then the interconnect line 5 is formed so as to connect the upper electrodes 23 together.例文帳に追加

次に、第２絶縁膜４および第１絶縁膜３の除去比率が１：１である条件でエッチングを行い、全てのキャパシタ２の上部電極２３を露出させた後、複数の上部電極２３を接続する配線５を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 which has a selection ratio of an interlayer insulating film 6 higher than that of a resist film and which is more hardly polished in a chemical/mechanical polishing method than the interlayer insulating film 6 is formed on the interlayer insulating film 6 under predetermined etching conditions.例文帳に追加

所定のエッチング条件においてレジスト膜よりも層間絶縁膜６に対する選択比が高くかつ層間絶縁膜６よりも化学機械研磨法において研磨され難いシリコン窒化膜７を層間絶縁膜６の上に形成する。 - 特許庁

In the method for grasping the one-line processing quantity by the FIB under the prescribed condition, the sample is processed by performing scanning of a plurality of lines, and the etching size at that time is measured by the microscope length measuring function, and the average processing quantity by one-line scanning is calculated.例文帳に追加

所定条件下のＦＩＢによる１ラインの加工量を把握する方法は複数ラインの走査を行って試料を加工し、その際のエッチング寸法を顕微鏡測長機能で測長し、１ライン走査の平均加工量を算出する。 - 特許庁

The first resist pattern is used as an etching mask to etch the insulating film under the condition that deposits are formed on a width-direction center part of the plane pattern part, long in the one direction, of the first opening, thereby forming a first groove corresponding to the first opening.例文帳に追加

第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、第１の開口の一方向に長い平面パターン部の幅方向の中央部に、堆積物が堆積する条件で、絶縁膜をエッチングすることによって、開口に対応する第１の溝を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive polymer which satisfactorily ensures dry etching resistance while keeping the production cont low and has superior adhesiveness to an under film and a resist composition for ArF excimer laser containing the polymer.例文帳に追加

製造コストが低廉でありつつ乾式蝕刻に対する耐性を十分に確保すると同時に、下部膜質に対する優れた接着特性を持つ感光性ポリマーおよびこれを含有するＡｒＦエクシマレーザ用レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

For nitride layer formed under the oxide layer, SixNy seeds are formed and deposited on the nitride layer, to substantially balance the etching of the nitride layer, so that the oxide layer can be etched at a high selective ratio on the nitride layer.例文帳に追加

酸化物層の下に形成された窒化物層において、Ｓｉ_xＮ_y種が形成され、窒化物層のエッチングと実質的に平衡して窒化物層上に付着するので、酸化物層を窒化物層に対して高い選択比でエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

After a plurality of conductive carbon films 3 separated mutually and used as sensor parts are formed on the surface of an insulating substrate 2, a through hole is formed on an area just under each conductive carbon film 3 on the insulating substrate 2 by dry etching.例文帳に追加

絶縁性基板２の表面上に、センサ部となる相互に分離された複数の導電性炭素膜３を形成した後、ドライエッチングにより、絶縁性基板２における各導電性炭素膜３の直下域に貫通孔を形成する。 - 特許庁

The ALD-SiN film 3 is used in a stopper, and the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9 is alternatively removed by etching from the clearance of the oscillating beam 13a, thereby forming a space (a) under the oscillating beam 13a.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３をストッパに用いて振動ビーム１３ａの隙間から第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、振動ビーム１３ａの下方に空間部ａを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a polymer molded body includes a process of dry-etching a polyglycolic acid-containing polymer structure by the use of a power output of 1-6 W and an electric current of 3 mA or less under the degree of vacuum of 50 mTorr or less, and thus forming a recessed part on the above polymer structure.例文帳に追加

ポリグリコール酸を含むポリマー構造体を、真空度５０ｍＴｏｒｒ以下、出力１〜６Ｗかつ電流３ｍＡ以下でドライエッチングして、上記ポリマー構造体に凹部を形成する工程を備える、ポリマー成形体の製造方法。 - 特許庁

The surface of a separator material board having a conductive intercalated matter in its metal texture is put under an anti-corrosion film forming treatment, and then, the surface of a parent material of the separator material board is removed by etching to have the conductive intercalated matter protruded on the surface.例文帳に追加

金属組織中に導電性介在物を有するセパレータ素材板の表面に、耐食性被膜形成処理を施し、次いで、このセパレータ素材板の母材表面をエッチングにより除去して導電性介在物を表面に突出させる。 - 特許庁

Under the temperature and pressure conditon where a water becomes stable in a gaseous state, the etching gas is formed by mixing hydrogen fluoride gas with a catalytic gas hard to vaporize compared to the liquid-phase water and having an ionization power to at least the hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

水が気相状態で安定となる温度圧力条件において、フッ化水素ガスを、液相水に比して気化し難く、かつ少なくともフッ化水素に対する電離能を有する触媒ガスと混合させることによってエッチングガスを形成する。 - 特許庁

The rolling bearing of this configuration can be used for a long time even under the atmosphere in which strongly corrosive fluorine gas is generated, such as a dry etching apparatus or an excimer laser apparatus in a semi-conductor manufacturing step.例文帳に追加

この構成により、本発明の転がり軸受は、半導体製造工程におけるドライエッチング装置あるいはエキシマレーザー装置等、強い腐食性を有するフッ素系ガスが発生する環境下においても、長期に渡り使用することができる。 - 特許庁

The mask layer 30b and the substrate 10 are simultaneously removed, e.g. by dry etching under conditions which make selection ratios to the substrate 10 and the mask layer 30b nearly equal to each other to transfer the shape of the mask layer 30b to the substrate 10 and to obtain the shape of the optical lens.例文帳に追加

基板１０とマスク層３０ｂに対する選択比が略同等となる条件のドライエッチング処理などによりマスク層と基板を同時に除去することで、マスク層３０ｂの形状を基板１０に転写し、光学レンズの形状とする。 - 特許庁

After forming insulation films 103 and 105 on a p-type silicon substrate 101, the trench 109 is formed by etching these insulation films and the p-type silicon substrate and they are annealed under a predetermined reducing atmosphere.例文帳に追加

また、本願発明は、ｐ型シリコン基板１０１上に絶縁膜１０３、１０５を形成した後、この絶縁膜およびシリコン基板をエッチングすることによりトレンチ１０９を形成する工程と、所定の還元雰囲気でアニールする工程と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

After that, the silicon oxide film 43 is removed by etching, and then the conductive base film 42 is dry etched using the Pt film 45 as a mask, thereby forming a lower electrode of a capacitive element composed of the Pt film 45 and the conductive base film 42 remained under thereof.例文帳に追加

その後、酸化シリコン膜４３をエッチングで除去した後、Ｐｔ膜４５をマスクにして導電性下地膜４２をドライエッチングすることにより、Ｐｔ膜４５とその下部に残った導電性下地膜４２とで容量素子の下部電極を形成する。 - 特許庁

A surface of a copper alloy plate with a density of deposits with a diameter of 1 to 50 nm of 100 pieces/μm^2 or more is put under etching treatment to be of the above surface roughness, and pores with a diameter of 1 to 50 nm are formed, with a thickness of an oxide film to be 4 to 300 nm.例文帳に追加

直径１〜５０ｎｍの析出物の密度が１００個以上／μｍ^２の銅合金板の表面をエッチング処理し、前記表面粗さとし、かつ１〜５０ｎｍ径の細孔を形成するとともに、酸化皮膜の厚みを４〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

To obtain satisfactory connection by preventing the end part of a pattern from becoming a reversely tapered shape at the time of forming the pattern by etching off the insulating film arranged under a wiring while using the wiring as a mask and by suppressing the step cutting of a connecting elec trode which is to be provided on the end part.例文帳に追加

配線の下に配置された絶縁膜を該配線をマスクとしてエッチング除去してパターン形成する際に、該パターン端部が逆テーパ形状となることを防ぎ、その上に設けられる接続電極の段切れを抑制して良好な接続を得る。 - 特許庁

The magnetic recording layer 13 is etched with reactive ion etching under heating, by using a reaction gas composed of gaseous chlorine in a vacuum, and using the first mask layer 14a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

By performing anisotropic after boring the through hole at the semiconductor substrate by laser work etching, even when the pierced hole has a shape having an under cut, the satisfactory insulation film can be formed and the satisfactory semiconductor device can be formed.例文帳に追加

また、半導体基板にレーザ加工により貫通孔を形成した後、異方性エッチングを行うことにより、貫通孔がアンダーカット部を有する形状にであっても、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。 - 特許庁

Since processes such as film formation, CVD, etching, planarization, cleaning and so forth can be conducted directly by only switching the gas, majority of processes can be performed under atmospheric pressure, thus enabling efficient processes.例文帳に追加

また、略々大気圧動作としガス流によるプロセス空間等の隔離を行うことでロードロックが不必要となり、直接成膜・ＣＶＤ・エッチング・平坦化・洗浄等のプロセスがガスの切り替えだけで可能なことから大半のプロセスを大気圧で行え、効率的なプロセスが可能となる。 - 特許庁

Furthermore, a second laminated insulation film 8 of which etching rate is smaller than that of first laminated insulation film 7 is formed, and the first and second laminated insulation films 7 and 8 are etched at the same time under the same condition, so as to form a pattern groove 9 for a second wiring layer 10.例文帳に追加

さらに、第１および第１の積層絶縁膜７よりもエッチングレートが小さい第２の積層絶縁膜８を形成し、第１および第２の積層絶縁膜７、８を同じ条件で一度にエッチングし、第２の配線層１０用のパターン溝９を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the main etching process is terminated before the silicon oxide film 102 is exposed as shown in Fig. 1 (b) and overetching is performed using a gas including at least HBr under a second pressure ranging 13 Pa to 27 Pa, which is higher than the first pressure.例文帳に追加

この後、図１（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜層１０２が露出する前に、上記メインエッチング工程を終了し、少なくともＨＢｒを含むガスを用い、第１の圧力より高い１３Ｐａ以上、２７Ｐａ以下の第２の圧力で、オーバーエッチング工程を行う。 - 特許庁

The etching treatment device includes a coating means 14 detachably attachable to an object W to be treated, the coating means coating a prescribed area of a face Wa to be treated of the object W, under a condition of being attached to the object W, and blocking contact with a treating liquid or treating gas in the prescribed area.例文帳に追加

被処理物Ｗに着脱自在であり、当該被処理物Ｗに装着された状態にて当該被処理物Ｗの被処理面Ｗａの所定領域を被覆し、当該所定領域における前記処理液又は処理ガスの接触を遮断する被覆手段１４を備える。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for processing development, capable of developing a resist pattern having a rectangle shape whose tip is not rounded, and capable of processing with sufficient accuracy a film to be etched, when etching the under layer film to be etched using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

先端が丸みを帯びない矩形形状を有するレジストパターンを現像することができ、レジストパターンをマスクに用いて下層の被エッチング膜をエッチング処理により加工する際に、被エッチング膜を精度よく加工することができる現像処理方法及び現像処理装置を提供する。 - 特許庁

The gate electrode 5 can be formed by the steps containing the step of forming the metal film to form the gate electrode; the step of sputtering Al and Si simultaneously, thereby forming an Al post self-systematically; and the step of etching the Al post and the metal film just under the Al post.例文帳に追加

ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 - 特許庁

Because an etching condition is optimized by performing RIE processing under the above condition, both the upper pole chip 11a and the magnetic pole part 100 can be formed with high accuracy, and the time needed to form both can be drastically shortened.例文帳に追加

上記のような条件下においてＲＩＥ加工を行うことにより、エッチング条件が最適化されるので、上部ポールチップ１１ａおよび磁極部分１００の双方を高精度に形成することができると共に、双方の形成に要する所要時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁

When a contact hole 13 is to be formed with plasma dry-etching process of an insulation film 11 formed on a silicon substrate 10 within an evacuable chamber, pressure within the chamber (point a) is raised to make small the pressure difference from the pressure at the points (b, c, d, e) within the contact hole 13 under formation.例文帳に追加

減圧可能なチャンバー内でシリコン基板１０上の絶縁膜１１をプラズマドライエッチング処理してコンタクトホール１３を形成する際に、前記チャンバー内（ａ点）の圧力を、形成されつつあるコンタクトホール１３の内部（ｂ，ｃ，ｄ，ｅ点）との圧力差が小さくなるように上昇させる。 - 特許庁

To provide a method of producing a micro structure of nitride semiconductor, which forms a microstructure containing a hole inside of a semiconductor without fluctuating the size of the hole formed under precision control in the etching step of the semiconductor even after applying a heat treating step.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

After carrying out hydrogen reduction treatment and etching treatment on nickel particles or nickel alloy particles having a form of secondary particles, they are hydrated under an atmosphere for controlling temperature and humidity by retaining them for 48 hours or more at temperature of 40-100°C and relative humidity of 60-100%.例文帳に追加

二次粒子の形態を有するニッケル粒子あるいはニッケル合金粒子を水素還元処理やエッチング処理した後に、温度と湿度が管理できる雰囲気下において、温度４０〜１００℃及び相対湿度６０〜１００％で４８時間以上保持して水酸化処理する。 - 特許庁

After making contact holes for exposing a substance containing silicon formed on a semiconductor substrate using a photoresist pattern as an etching mask, the semiconductor substrate is loaded in a cluster system where a plasma pretreatment module and a deposition module are coupled under vacuum state.例文帳に追加

フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物質を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着モジュールが真空状態で互いに連結される、クラスター装置にローディングさせる。 - 特許庁

A resist mask R2 having an opening at the position directly above the forming region of the FD portion is formed on the first conductive film 52, and etching is carried out to remove the first conductive film 52 and the gate insulating film 43 directly under the opening to form an opening 46 (Fig. 5(B)).例文帳に追加

ＦＤ部の形成領域の直上位置に開口を有するレジストマスクＲ２を第１導電性膜５２上に形成し、エッチングを行うことにより、開口下の第１導電性膜５２及びゲート絶縁膜４０を除去して開口４６を形成する（図５（Ｂ））。 - 特許庁

The fine pillar structure is formed on the polymer material by carrying out dry-etching under the condition of process pressure of the reactive ion by mixed gas of more than 0.01 Pa and less than 0.2 Pa by using the mixed gas of oxygen or inactive gas mainly with oxygen and halogen containing gas.例文帳に追加

酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。 - 特許庁

An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.例文帳に追加

直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁

In the combined electric discharge machining method and device with a chemical etching action, the device includes a conducting electrode providing an electrode in a negative electrode environment, an auxiliary electrode providing an environment under a positive electrode condition, an insulating liquid, and the bad conducting workpiece as a workpiece yet to be machined.例文帳に追加

ケミカルエッチング作用具備の複合放電加工法及び装置において、その装置は陰極環境の電極を提供する導電性電極と、陽極条件の環境を提供する補助電極と、絶縁液、加工待機する工作物である不良導電性工作物とを包括する。 - 特許庁

The silicon ring having an inner step 14 for supporting a material under etching opposite to an upper electrode plate in a plasma etcher has an etch-durable film 24 formed on at least the supporting surface 21 of the inner step 14 of the ring.例文帳に追加

プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The current blocking layer 8a is equipped with a conductor layer and an insulating layer 7 at least on the opening under a nitride compound semiconductor layer 8, and the insulating layer 7 functions as an etching stop layer of the nitride compound semiconductor layer 8 when the opening is formed.例文帳に追加

この電流阻止層８ａは、窒化物系化合物半導体層８の下の少なくとも開口部に導電体層と絶縁体層７とを有しており、絶縁体層７は開口部形成の際に窒化物系化合物半導体層８のエッチングストップ層として機能する。 - 特許庁

Since the condition of the etching treatment is optimized by performing the work by RIE under the above-mentioned condition both the upper pole chip 11a and the magnetic pole part 100 can be formed with high accuracy and the time required for forming them can be drastically reduced.例文帳に追加

上記のような条件下においてＲＩＥによる加工を行うことにより、エッチング条件が最適化されるので、上部ポールチップ１１ａおよび磁極部分１００の双方を高精度に形成することができると共に、双方の形成に要する所要時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁

Furthermore, the masking material can be removed under a low pressure, and a surface treatment is carried out using only an oxygen gas plasma so as to reduce the damage (etching) to the film layers subjected to etching after the above step of using a mixed gas plasma of oxygen and fluorine is carried out.例文帳に追加

酸素ガスとフッ素ガスとの混合ガスをアッシングガスとして導入することでマスク材表面に残留したケイ素成分や硬化したマスク層等を含んだ領域のマスク材の除去と真空容器内壁に堆積したカーボン系、ケイ素系のデポ物デポ物の除去を同時にができ、且つ、低圧力でのマスク材除去をすることと、上記酸素ガスとフッ素ガスのプラズマを用いるステップに引続き、酸素ガスのみのプラズマを用いる事により、エッチング後の膜層へのダメージ（エッチング）を少なくすることが可能となる。 - 特許庁

In a method for analyzing the surface layer of the silicon wafer, the analyzing surface of the silicon wafer is made close to and face the liquid surface of the silicon solution made of a mixed liquid of fluorine and nitric acid under normal temperatures so as to etch the surface layer section of the silicon wafer, and the etching liquid is collected for analysis.例文帳に追加

シリコンウェーハの分析面を、フッ酸と硝酸の混合液からなるシリコン溶解液の液面に、常温下で近接させて対面させることによってシリコンウェーハの表層部をエッチングし、そのエッチング液を回収して分析することを特徴とするシリコンウェーハの表層分析方法である。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁