「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently the magnetic recording layer 13a is etched with reactive ion etching under heating by using gaseous chlorine in a vacuum, and using the etched first mask layer 14a as a mask.例文帳に追加

その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 - 特許庁

A substrate uses a silicon wafer, and a silicon anisotropic etching technology is used to form a void under a capacitor, preventing a high-frequency signal from passing in the substrate.例文帳に追加

基板をシリコンウェハとし、シリコン異方性エッチング技術を用いてコンデンサの下部に空洞を形成することによって、高周波信号が基板内を通過することを防止する。 - 特許庁

A metal conductive film 15 is dry-etched under the conditions of a fast etching speed and a low pressure, and hence a source electrode 17 and a drain electrode 18 are formed.例文帳に追加

金属導電膜１５をエッチング速度の大きな低圧の条件でドライエッチングすることによって、ソース電極１７およびドレイン電極１８を形成する。 - 特許庁

A material not to be easily etched as compared with the lower clad layer 102 and the upper clad layer 104 under a prescribed etching condition is used for a material constituting the core 103.例文帳に追加

また、そのコア１０３を構成する材料に、所定のエッチング条件において下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０４よりエッチングされ難い材料を用いる。 - 特許庁

After the film 6 on the MOS transistor forming region 1 for low voltage and the film 5 under the film 6 are removed through etching, the remaining film 6 is removed from the entire surface.例文帳に追加

低電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域１の窒化膜６及びその下の酸化膜５をエッチングにより除去した後、残っていた窒化膜６を全面除去する。 - 特許庁

The hollow structure 10 forms a gate insulation film 4 existing just under the floating gate electrode 9 as the floating gate electrode 9 is made a mask by etching.例文帳に追加

この中空構造１０はフローティングゲート電極９の真下に存在するゲート絶縁膜４を、フローティングゲート電極９をマスクとしてエッチングにより形成する。 - 特許庁

An article to be treated is exposed in a treating fluid containing etching reaction species, and the treating fluid is kept under a fluidized state to the article to be treated (a fourth step S4).例文帳に追加

エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒し、かつ被処理物に対して前記処理流体を流動させた状態に保つ（第４ステップＳ４）。 - 特許庁

The method of framing the resist pattern includes a step of forming the resist pattern on a material worked by discharging a composition containing a photosensitive agent to the material under reduced pressure, and a step of etching the material by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

Then, etching is carried out after mask is peeled, and the thin plated layers 7 and the base layers 6 under the masks 11 are removed so that conductive patterns 2 can be divided by a dividing process.例文帳に追加

分断工程にて、マスク剥離後にエッチングを行い、マスク１１下の薄付けめっき層７及び下地層６を除去して導体パターン２同士を分断する。 - 特許庁

Moreover, in the method of manufacturing semiconductor device for conducting anisotropic etching to any film of the silicon oxide film and silicon film over the compound semiconductor substrate, the other film is allocated under any film of the silicon oxide film and silicon film, and the anisotropic etching of one film is performed using the other film as the etching stopper.例文帳に追加

また、化合物半導体基板上の酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜に異方性エッチングを行なう半導体装置の製造方法において、前記酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜の下に他方の膜を配置し、この他方の膜をエッチングストッパとして前記一方の膜の異方性エッチングを行なう。 - 特許庁

An etching apparatus of a semiconductor wafer comprises a wafer magazine 3 which is rotated in an etching tank 2 into which an etching solution is supplied and on which many semiconductor wafers W are separated and mounted; and a cleaning solution ejection nozzle disposed just under the semiconductor wafer W with a spatulated cross sectional shape and with a flattened wide opening.例文帳に追加

本半導体ウェーハのエッチング装置は、エッチング液が供給されるエッチング槽２内で回転され多数の半導体ウェーハＷが離間して搭載されるウェーハマガジン３と、半導体ウェーハＷの直下に配置され、先広がりの断面形状及び扁平幅広の開口部が形成された洗浄液噴出ノズルを備える。 - 特許庁

Then, isotropic etching is made by reducing bias output applied to a wafer without containing N_2 or O_2, or etching under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2 for machining the grooves or holes slightly thinner than the pattern dimensions and isotropic etching while reducing bias output applied to the wafer without containing N_2 or O_2 are made periodically.例文帳に追加

その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 - 特許庁

The film thickness measuring method according to the present invention is characterized in obtaining the film thickness of a coat at a predetermined position of an SiC dummy wafer from a measured etching time by forming the coat on a surface of the SiC dummy wafer under predetermined conditions, etching the coat, and measuring the etching time needed to expose the SiC dummy wafer surface at the predetermined position.例文帳に追加

本発明の膜厚測定方法は、ＳｉＣダミーウェーハの表面に、所定条件で被膜を形成し、被膜をエッチングし、ＳｉＣダミーウェーハの所定位置において、ＳｉＣダミーウェーハ表面が露出するまでのエッチング時間を測定し、測定されたエッチング時間より、所定位置における被膜の膜厚を得ることを特徴とする。 - 特許庁

At the time of an etching of sacrifice layers 2 and 4 to expose a board 1 and/or a conductor path layer 3, at least a protective layer 5 is temporarily provided in a prescribed range under a bonding pad header 8 and around the header 8 on the layers 2 and 4 for stopping such an underetching as the etching of the layers 2 and 4 under the header 8.例文帳に追加

基板（１）及び／又は導体路層（３）を露出する犠牲層（２；４）のエッチングの際に、ボンディングパッドヘッダ（８）の下における犠牲層（２；４）のこのようなアンダーエッチングを阻止するために、ボンディングパッドヘッダ（８）の下の所定の範囲及び犠牲層（２；４）の上のボンディングパッドヘッダ（８）の回りに少なくとも一時的に保護層（５）を設ける。 - 特許庁

By using an inductively coupled plasma etching apparatus, the surface of the semiconductor substrate 101 is etched by Cl_2 gas and SiCl_4 gas under the etching pressure lower than 20 mTorr, and the via hole 103 whose cross-sectional shape becomes wide toward the bottom part from the opening is formed.例文帳に追加

誘導結合プラズマエッチング装置を用いて、Ｃl_2ガスとＳiＣl_4ガスによりエッチング圧力が２０ｍＴorr未満で半導体基板１０１の表面からエッチングすることによって、断面形状が開口部よりも底部に向って広いバイアホール１０３を形成する。 - 特許庁

An etching stopper member, constituted of a material having a resistance to etching agent of a first interlayer insulating film 110, is formed under a cell plate electrode 116 so as to surround an active region along a peripheral edge of the electrode 116.例文帳に追加

セルプレート電極１１６の下方において、第１の層間絶縁膜１１０のエッチング剤に対する耐性を有する材料により構成されるエッチストッパ部材をセルプレート電極１１６の周縁部に沿って上記活性領域を取り囲むように形成する。 - 特許庁

In the method for etching an oxide film, an etching gas containing C_5F_8 gases is changed to a plasma state, under which condition an oxide film on a substrate is etched with a flow rate of a CO gas set to 20-90 sccm, thus solving the above problem.例文帳に追加

Ｃ_5Ｆ_8ガスとＣＯガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、ＣＯガスの流量を２０〜９０ｓｃｃｍにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

Next, the wiring protecting metal film 9 in other than the area under the columnar electrode 10 is removed by the etching process with the columnar electrode 10 as a mask to expose the upper surface of the wiring 8 in other than the area under the columnar electrode 10.例文帳に追加

次に、柱状電極１０をマスクとして、柱状電極１０下以外の領域における配線保護金属膜９をエッチングして除去し、柱状電極１０下以外の領域における配線８の上面を露出させる。 - 特許庁

A nitride film sidewall is formed on a side wall of a gate electrode, and a gate oxide film on a source/drain formation-predetermined-region is removed by a wet etching to form an undercut under the nitride film sidewall but no undercut under the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に窒化膜サイドウォールを形成し、ウエットエッチングにより、ソース・ドレイン形成予定領域上のゲート酸化膜を除去することにより、窒化膜サイドウォール下方にアンダーカットが入るが、ゲート電極下方にはアンダーカットは入らない。 - 特許庁

The planar optical waveguide is manufactured by depositing an under clad layer 20 on a silicon substrate 10, depositing a core layer on the under clad layer 20 by using an aerosol process, etching the core layer to produce the core 30, and forming the over clad layer 40 on the under clad layer 20 and on the core 30 in an aerosol process.例文帳に追加

シリコン基板１０上にアンダークラッド層２０を被着し、エアゾール工程を用いてアンダークラッド層２０上にコア層を被着し、このコア層をエッチングしてコア３０を生成し、エアゾール工程を通じてアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０を形成することによって、プレーナ型光導波管が製造される。 - 特許庁

Under a state where the temperature at at least a part of the circumferential edge part of the transparent substrate is sustained higher than the temperature in the central part of the transparent substrate, the light shading film is etched by a plasma etching method using the resist film pattern as an etching mask thus forming a light shading film pattern.例文帳に追加

前記透明基板の周縁部のうち少なくとも一部の温度を前記透明基板の中心部分の温度より高く維持する状態で、前記レジスト膜パターンをエッチングマスクとし、プラズマを利用するエッチング方法によって前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor storage device comprises the steps of forming a nitride film 113 on an upper layer of a metal electrode layer 111 on a gate electrode layer, and removing a gate oxide film 106 under etching conditions in which an etching rate of the nitride film 113 is slower than that of the film 106 in a source region forming step.例文帳に追加

ゲート電極層上の金属電極層１１１の上層に窒化膜１１３を形成するとともに、ソース領域形成工程において、ゲート酸化膜１０６より窒化膜１１３のほうがエッチングレートが遅いエッチング条件で、ゲート酸化膜１０６を除去する。 - 特許庁

A nitride compound semiconductor layer 8 is formed on an Al containing nitride compound semiconductor layer 7, and the nitride compound layer 8 is subjected to dry etching, under conditions where the etching selection ratio of the nitride compound layer 8 to the Al containing compound semiconductor layer 7 is 100 or higher.例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。 - 特許庁

The production of the air bridge 100 includes a step that performs first local etching being selective so that the sub-collector layer is etched in a horizontal direction under the bridge, and a step that performs second local etching being selective so that at least the collector layer is etched in a vertical direction.例文帳に追加

エアブリッジ１００の作成がブリッジの下で、サブコレクタ層を横方向にエッチングするように選択的である第１の局所エッチングを実施するステップと、ブリッジの下で、少なくともコレクタ層を縦方向にエッチングするように選択的である第２の局所エッチングを実施するステップとを含む。 - 特許庁

In a region where plasma treatment is performed by introducing gas containing fluorine as a constitutive element as the material gas of etching, the plasma of gas containing fluorine is caused to react on carbon 112 under a solid state to generate molecular chemical species of CF_4, CF_2, CF_3, C_2F_4, and the like, used for etching.例文帳に追加

エッチングの原料ガスとして、フッ素を構成元素とするガスを導入し、プラズマ処理するその領域で、固体の状態の炭素１１２にフッ素を含むガスのプラズマを反応させ、ＣＦ_4やＣＦ_2、ＣＦ_3、Ｃ_2Ｆ_4などの分子状の化学種を生成し、この化学種でエッチングする。 - 特許庁

Under the condition that the etching stop layer 104 keeps its function to stop etching for the second upper clad layer 106, laser beam absorption inhibiting impurities are diffused into the second upper clad layer 106 along a region where a light exiting end face 150 is provided (first annealing).例文帳に追加

エッチングストップ層１０４が第２上クラッド層１０６のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面１５０を形成すべき領域に沿って第２上クラッド層１０６に拡散させる（第１アニール）。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a film containing a noble metal free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas and applying low frequency bias power to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The etching is performed under the etching conditions that an opening diameter A at the bottom of the via hole 16 becomes larger than planar width C of the pad electrode 12, and an opening diameter B in the middle of depth of the via hole 16 becomes smaller than the width C and the opening diameter A.例文帳に追加

ここで、上記エッチングは、ビアホール１６の底部の開口径Ａが、パッド電極１２の平面的な幅Ｃよりも大きく、また前記ビアホール１６の深さの途中における開口径Ｂが、前記幅Ｃ及び前記開口径Ａよりも小さくなるようなエッチング条件により行われる。 - 特許庁

A single crystal silicon base board is put under a dry-etching process using a resist film with a square checker pattern, or in another word, the resist film having an opening pattern with a square checker pattern as a mask.例文帳に追加

正方形の市松模様のレジスト膜、言い換えれば、正方形の市松模様の開口パターンを有するレジスト膜をマスクとして、単結晶シリコン基板をドライエッチングする。 - 特許庁

Then the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 are subjected to dry etching under a condition that the selection ratio between the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 is nearly equal to form a through hole 9.例文帳に追加

次に、第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８との選択比がほぼ等しい条件にてフォトレジスト８と第２層間絶縁膜７をドライエッチングし、スルーホール９を形成する。 - 特許庁

This film forming material can be manufactured by substituting nitrogen for hydrogen and then heating the material under the nitrogen atmosphere after conducting the etching process to the SiC substrate using the hydrogen gas.例文帳に追加

この成膜体は、ＳｉＣ基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which a natural oxide film having different thicknesses by position can be removed well without over-etching a semiconductor substrate and a metal film positioned under the natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜下に位置する半導体基板や金属膜がオーバエッチングされず、位置によって厚みの異なる自然酸化膜を良好に除去できる半導体装置の提供。 - 特許庁

A thin film of non-single-crystalline silicon 4 deposited on an oxide film 3 is plasma-etched under a condition of having coated the inner wall of an etching reaction chamber 1 with a thin film 2 containing silicon.例文帳に追加

エッチング反応室１の内壁にシリコンを含有した薄膜２を被着した状態で、酸化膜３上に堆積させた非単結晶シリコン薄膜４をプラズマエッチングする。 - 特許庁

The crucible 12 is heated in a range from 1,700°C to 2,750°C under a nitrogen atmosphere to obtain a planarized surface at an atomic level (planarity of about 0.3 nm) at a higher speed (etching rate of 200-300 μm/hour) than that in a prior method.例文帳に追加

窒素雰囲気中で黒鉛製坩堝１２内を1700℃〜2750℃に熱することにより、原子オーダーのレベルで平坦（平坦度〜0.3nm）な面が従来よりも高速（エッチング速度200〜300μm/hour）に得られる。 - 特許庁

In a second etching step, under cuts are formed in the dielectric layer by removing the hard mask layer, then a second conductive layer 106b is formed on a structure consisting of holes 108 and undercuts 109.例文帳に追加

第２エッチング工程ではハードマスク層を除去して誘電体層にアンダーカットを形成し、ホール１０８とアンダーカット１０９の構造上に第２導電層１０６ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a hafnium silicon oxide film under the condition that film thickness uniformity in a wafer surface is excellent and suppressing a variation of a threshold by etching treatment.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At removing of the sidewall spacers 26a after forming a heavily-doped region 28 by the injection of impurity ions with high concentration, the etching time can be shortened, and the generation of the residual etching of the specific sidewall spacers 26a can be prevented by almost uniformly removing all the sidewall spacers 26a under a prescribed etching condition.例文帳に追加

このため、高濃度の不純物イオンの注入により高濃度不純物領域２８を形成した後、サイドウォール・スペーサ２６ａを除去する際に、そのエッチング時間を短縮することができると共に、所定のエッチング条件により全てのサイドウォール・スペーサ２６ａをほぼ均一に除去して、特定のサイドウォール・スペーサ２６ａのエッチング残りの発生を防止することができる。 - 特許庁

The etching method of a translucent thin-film solar cell module includes a step of printing an ink slurry, having corrosion resistance against an etching solution in a region to be protected on the thin-film solar cell module placed under a screen, and drying and solidifying the ink slurry; a step of applying an etching solution on the thin film solar cell module; and a step of removing the ink slurry.例文帳に追加

本発明は、エッチング溶液に対して耐食性を有するインクスラリーを、スクリーンの下に置かれた薄膜太陽電池モジュールの保護必要領域に印刷し、前記インクスラリーを乾燥させ固めるステップと、前記薄膜太陽電池モジュールにエッチング溶液を塗布するステップと、前記インクスラリーを除去するステップと、を含む透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

The fine pattern with a pitch a half of that of the lithography is formed by forming a resist pattern using a lithography technology (a), making small the line width of the resist pattern using a sliming technology (b), forming a new mask pattern in a space widen by sliming by anisotropic etching under a low pressure environment (c), and carrying out etching of the under layer film using the mask pattern (d).例文帳に追加

リソグラフィ技術によりレジストパターン７を形成し（ａ）、スリミング技術によりレジストパターン７のライン幅を細くし（ｂ）、低圧環境下で異方性エッチング処理を行うことによってスリミングにより広くなったスペースに新たなマスクパターンを形成し（ｃ）、そのマスクパターンを利用して下層の膜のエッチングを行って（ｄ）、リソグラフィパターンの１／２倍のピッチの微細パターンを形成する。 - 特許庁

Next, the exposed oxide film 10 is removed while making a support portion 10b near the center under the silicon layer 11 remain, and an oxide film 10 on the side of the support portion 10b is removed by, for example, isotropic etching.例文帳に追加

次に、露出した酸化膜１０をシリコン層１１の下の中央寄りの支持部１０ｂを残留させながら支持部１０ｂ脇の酸化膜１０を例えば等方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

The method includes further a step for releasing structure including the probe structure and the holder from the substrate, by under-etching the probe structure from a side of substrate generated with the probe structure.例文帳に追加

該方法は、さらに、プローブ構造が生成された基板の側から該プローブ構造にアンダーエッチングを行うことにより、プローブ構造とホルダとを含んでいる構造を基板から離型するステップを含んでいる。 - 特許庁

To reduce the step in the boundary face between films by realizing dry etching under a given condition and to execute a good shape transfer by not forming sidewall protective films while keeping the selection ratio against a resist.例文帳に追加

一定条件でのドライエッチングを可能にして膜の境界面の段差を無くし、側壁保護膜を形成しないことによって対レジスト選択比を維持しながら良好な形状転写を可能にする。 - 特許庁

Only the short circuits 12 of the defective parts can be removed from the wiring pattern 10 without causing much etching damage to the wiring pattern 10 and an insulating film 7 appearing from under the wiring pattern 10.例文帳に追加

配線パターン１０や、この配線パターン１０下から露出した絶縁膜７にあまりエッチングダメージを与えることなく、この配線パターン１０からショート欠陥部１２だけを除去することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device technique shortening a processing time of Si anisotropic wet etching for forming a bridge structure by removing an Si (100) substrate itself under a membrane part and beam parts.例文帳に追加

メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。 - 特許庁