「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the low-level second metal film 30 is etched under second dry-etching conditions, having selection ratio with respect to the metal oxide of the main component metal, the selection ratio being higher than that under the first dry-etching conditions.例文帳に追加

そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。 - 特許庁

Though the ridge part forming layer 12 can be etched easily, the etching is substantially checked by the etching stop layer 11 under it since the etching rate is large there, and it is finished at the point of time when the etching stop layer 11 is surfaced without progressing to the substrate 10.例文帳に追加

リッジ部形成層１２は容易にエッチングされるが、その下のエッチングストップ層１１ではエッチングレート比が大きいため、エッチングは実質的に阻止され、基板１０まで進行することなくエッチングストップ層１１が表出した時点で終了する。 - 特許庁

In a dry etching method with an inductive coupling etching unit, an etching gas contains a chlorine gas and an etching step is carried out with a flow rate of chlorine gas of 0.0025 to 0.034 Pa.m3/sec under the atmosphere that doesn't contain an argon gas and nitrogen gas.例文帳に追加

誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m^3／sec以上0.034Pa・m^3／sec以下で当該エッチングを行なう。 - 特許庁

In the wiring etching method, including a step of etching a wiring film formed on a semiconductor substrate by plasma etching, etching is carried out under CW conditions (condition for causing continuous plasma discharge), until a prescribed film thickness prior to etching of the wiring film extending throughout the entire film thickness, and subsequently etching is carried out under TM conditions (condition for causing intermittent plasma discharge).例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線膜をプラズマエッチング法によりエッチングする工程を含む配線エッチング方法において、前記配線膜が全膜厚にわたってエッチングされるよりも前の所定の膜厚まではＣＷ条件（プラズマ放電を連続的に放電させる条件）でのエッチングを行い、それ以降はＴＭ条件（プラズマ放電を断続的に放電させる条件）でのエッチングを行う。 - 特許庁

After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.例文帳に追加

本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁

In the plasma working device 1, the surface of a work is subjected to working by utilizing reactive etching by low temperature plasma under pressurization or under atmospheric pressure.例文帳に追加

加圧又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置１である。 - 特許庁

By this anisotropic etching, an ONO (oxide-nitride-oxide) film 2 located immediately under the CVD oxide film is also removed.例文帳に追加

この異方性エッチングにより、ＣＶＤ酸化膜の直下に存在するＯＮＯ膜２も除去される。 - 特許庁

The etching operation is continued, until the expanded part of the light-shielding film 23 is removed under the sidewall insulating film 24.例文帳に追加

このエッチングは、サイドウォール絶縁膜２４下の遮光膜２３の張り出し部を除去するまで行う。 - 特許庁

The via hole is formed by etching in the region of the substrate 2 directly under the PIN diode 4.例文帳に追加

このＰＩＮダイオード４の直下の半絶縁性基板２の領域にバイアホールをエッチングにより形成する。 - 特許庁

The etching device comprises an etching chamber 11 for etching an object M in gas phase under predetermined etching conditions, means 20 for observing the progressing conditions of etching of the object M, and means 40 for calculating the etching distribution of the object M based on the observation results of the observing means 20 and setting etching conditions based on the etching distribution.例文帳に追加

被処理対象物Ｍに対し気相中において所定のエッチング処理条件によりエッチング処理するエッチング処理室１１と、被処理対象物Ｍのエッチング進行状況を観察する観察手段２０と、観察手段２０による観察結果に基づいて被処理対象物Ｍにおけるエッチング分布を算出し、当該エッチング分布に基づくエッチング処理条件を設定するエッチング処理条件設定手段４０とを有する。 - 特許庁

Then the silicon compound is etched at a high speed, under a condition suitable for the formation of sidewalls 7 in a first etching process, and when a etching time measured in advance has elapsed immediately before the silicon surface of the compound is exposed, the etching of the compound 16 is switched to a second etching process.例文帳に追加

このシリコン化合物を、第１のエッチング処理工程で、高速でサイドウォール１７の形成に適した条件でエッチング処理し、シリコン面が露出する直前で、あらかじめ測定したエッチング時間が経過すると第２のエッチング処理工程に切り換える。 - 特許庁

A method of manufacturing the thin-film magnetic head is characterized in that etching of the sensor film is carried out by switching the incident angle of an etching beam, and when an incident angle in a normal direction with respect to a sensor film surface is 0 degree, etching is carried out under the condition that the incident angle of the etching beam is smaller toward the latter process.例文帳に追加

センサ膜のエッチングはエッチングビームの入射角度を切り替えながら行い、センサ膜面に対する法線方向を入射角度０とすると、そのエッチングビームの入射角度は後になるほど小さくなる条件にてエッチングを行う。 - 特許庁

In an etching method, which is so arranged as to perform the etching treatment of a multilayer film by repeating the etching treatment plural number of times, next etching treatment is performed under the condition, that a last reference position θ1 with respect to a chamber of a semiconductor substrate which was used in the last etching, be readjusted to the next reference position θ2.例文帳に追加

エッチング処理を複数回繰り返すことで、多層膜のエッチング処理を行うようにしたエッチング方法において、直前にエッチングしたときに使用した半導体基体のチャンバーに対する直前の基準位置θ１を、次の基準位置θ２に再調整した状態で、次のエッチング処理を行う。 - 特許庁

In the etching apparatus, pressure exerted on the object is minimized during an etching process for thinning the thickness of the object, and the etching solution is applied to entire surface of the object under uniform pressure.例文帳に追加

エッチング装置は対象物の厚さを薄くエッチングする過程において対象物に加えられる圧力を最小化し、エッチング溶液を対象物の全領域に均一の圧力でエッチング溶液を提供する。 - 特許庁

In an etching process P2, etching treatment is carried out under the environment wherein light of a short wavelength less than excitation wavelength of about 880 nm is blocked by an etching bath 62 and a lid 66 and not injected to the semiconductor wafer 46.例文帳に追加

エッチング工程Ｐ２において、半導体ウェハ４６に880(nm)程度のその励起波長以下の短波長の光がエッチング槽６２および蓋６６で遮られて入射しない環境下でエッチング処理が行われる。 - 特許庁

Channels 19a and 19b are formed by etching the substrate 1 in the diagonal direction under a condition that only the opening part 18a is opened, and then, by similarly etching it in the diagonal direction under a condition that only the opening part 18b is opened.例文帳に追加

開口部１８ａのみが開放された状態で基板１に対して斜め方向にエッチングし、次いで開口部１８ｂのみが開放された状態で同様に斜め方向にエッチングし溝１９ａ、ｂを形成する。 - 特許庁

Otherwise a sequence of processes as follows is executed: (a) etching of the ITO film 4 under a resist pattern prior to post baking→(b) extension of the resist pattern by the post baking→(c) etching of the metal film 5 under the resist pattern after the post- baking.例文帳に追加

または、(a)ポストベーク前のレジストパターンの下でのＩＴＯ膜４のエッチング→ (b)ポストベークによるレジストパターンの拡大→ (c)ポストベーク後のレジストパターンの下での金属膜５のエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁

The auxiliary part has the sufficient planar shape in which the sacrifice layer part under the holding part remains when the sacrifice layer part under the probe is removed by the etching treatment.例文帳に追加

補助部は、プローブ下の犠牲層部分がエッチング処理によって除去されたとき、保持部下の犠牲層部分が残るに充分な平面形状を有する。 - 特許庁

Etching is carried out under such etching conditions as the diameter A of an opening in the bottom of the via hole 16 becomes larger than the planar width C of the pad electrode 12.例文帳に追加

ここで、上記エッチングは、ビアホール１６の底部の開口径Ａが、パッド電極１２の平面的な幅Ｃよりも大きくなるようなエッチング条件により行われる。 - 特許庁

When the pixel electrode 6 is formed by etching, the protective layer 15 prevents the removal of the 2nd electrode 18b under the pixel electrode 6 by etching.例文帳に追加

画素電極６をエッチングによって形成する際、その下地層である第２電極１８ｂがエッチングによって除去されることを保護層１５によって阻止する。 - 特許庁

The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions.例文帳に追加

第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and high frequency bias power is applied to a ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

To provide an etching apparatus comprising an etching chamber, piping portion located upper inside of the etching chamber and having a plurality of nozzles injecting etchant, mask substrate located under the piping portion, transfer means located under the mask substrate for transferring the substrate.例文帳に追加

エッチングチャンバと、前記エッチングチャンバの内部上側に位置し、エッチング液を噴射する複数のノズルを有する配管部と、前記配管部下側に位置するマスク基板と、前記マスク基板の下側に位置し、基板を移送する移送手段と、を含むことを特徴とするエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A substance under a supercritical state, in which the etching reaction species are contained, is used preferably as the treating fluid.例文帳に追加

処理流体としては、エッチング反応種を含有させた超臨界状態の物質が好適に用いられる。 - 特許庁

Then, etching is conducted under a condition where the side wall 15 is removed, so as to form the second element separation groove 17.例文帳に追加

この後、サイドウォール１５を除去した状態でエッチングが行われ、第２の素子分離溝１７が形成される。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor device, etching is executed under conditions of high pressure, high power, and high gas flow.例文帳に追加

半導体装置の製造において、高い圧力、高いパワーおよび高いガスフロー条件でエッチングを実行する。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

A part of the metallic film 2m with the side wall, exposed from the mask 3, and the re-deposited film 4 are etched by isotropic etching under an etching condition that the etching speed in the material of the metallic film 2m is higher than that in the material of the substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。 - 特許庁

By etching removing the dummy film 3 through the bypass S, a cavity A is formed under the cap insulating film 4.例文帳に追加

バイパスＳを介してダミー膜３をエッチング除去することにより、キャップ絶縁膜４の下方に空洞Ａを形成する。 - 特許庁

To selectively conduct the plasma etching to silicon nitride under the almost normal pressure for the processing object including silicon nitride and silicon oxide.例文帳に追加

窒化シリコンと酸化シリコンを有する被処理物において、略常圧下で前記窒化シリコンを選択的にプラズマエッチングする。 - 特許庁

Under a state where the wiring pattern 6 is left on the surface of the base 4, the metal frame is removed from the base 4 by etching.例文帳に追加

ベース４の表面に配線パターン６を残した状態で、メタルフレームをエッチング法によりベース４から除去する。 - 特許庁

Next, a photoresist 31 is formed on the oxide layer 32, and the oxide layer 32 is etched under a first dry-etching condition.例文帳に追加

次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, the energy of the argon gas is reduced, and overetching is conducted under etching conditions which can secure a selection ratio with the gate 4.例文帳に追加

その後、アルゴンガスのエネルギを減少させゲート４との選択比の確保できるエッチング条件にてオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing the amount of sidewall etching of a Cu wiring layer due to galvanic corrosion in UBM (under bump metal) etching and having a mark of a bonding position in bonding.例文帳に追加

ＵＢＭエッチング時に異種金属接触腐食によるＣｕ配線層の側壁エッチング量を抑え、ボンディング時にボンディング位置の目印を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁

To provide a treatment method in which plasma etching treatment can be effectively performed at a high speed by using a simple device under an atmospheric condition in a plasma etching process in a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気圧条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。 - 特許庁

The method also comprises the steps of forming a gate electrode 8, then wet etching the films 3 and 4 under the condition in which the film 4 has sufficiently larger etching rate than that of the film 3, and removing only the film 4.例文帳に追加

ゲート電極８の形成後、ＳｉＯ_2膜３よりもＨＳＱ膜４が十分大きいエッチング・レートを持つ条件下でウェットエッチングして、ＨＳＱ膜４のみを除去する。 - 特許庁

By providing this configuration, the change in the standardized J inverter value can be suppressed, even if the dimensional errors of over-etching or under-etching occur in manufacturing the coupling lines, with respect to design specifications.例文帳に追加

上記構成を備えることにより設計仕様に対して製作時のオーバーエッチング、アンダーエッチングの寸法誤差が生じた場合でも規格化Ｊインバータ値の変化を抑えることができる。 - 特許庁

Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

When dry etching using etching gas containing at least COF_2 gas is performed, the silicon nitride film 22 can be favorably dry-etched and a channel protection film is formed under the resist film 23.例文帳に追加

そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。 - 特許庁

Then, the photopolymer film 107 is planarized by a development process under development condition under which differences between a latent image 110 portion and a non-exposed portion in film thickness and etching speed are balanced.例文帳に追加

次に、潜像１１０部分と未感光部分の膜厚差とエッチング速度差がバランスする現像条件で現像処理して感光性樹脂膜１０７を平坦化する。 - 特許庁

When gate electrodes 12 and 22 are formed, a first metal layer 31 of low etching rate is formed thin in one of two regions for forming first and second MOSFETs 10 and 20 under predetermined etching conditions and a second metal layer 32 of high etching rate is formed thick in the other region under those predetermined etching conditions, and then the first and second metal layers 31 and 32 are etched simultaneously.例文帳に追加

金属ゲート電極１２，２２を形成する際、第１，第２のＭＯＳＦＥＴ１０，２０を形成する領域に、一方には所定エッチング条件でエッチングレートの低い第１の金属層３１を薄く形成し、他方にはその所定エッチング条件でエッチングレートの高い第２の金属層３２を厚く形成して、第１，第２の金属層３１，３２を同時にエッチングする。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then removing etching residue of a bottom Mo layer 51 by plasma etching under the same resist pattern 9, and removing a protrusion 54 of a top Mo layer 53 at an end face of the pattern of the three-layer metal film (first stage of second etching).例文帳に追加

次いで、同一のレジストパターン９下で、プラズマエッチングにより、ボトムＭｏ層５１のエッチング残りを除去するとともに、三層金属膜のパターンの端面におけるトップＭｏ層５３の突き出し部５４を除去する（第２のエッチングの第１段階）。 - 特許庁

In the etching method where an etching liquid is sprayed on a beltlike flexible substrate 1 carried so as to be guided and supported by rolls 3, the carrying height of the flexible substrate 1 under etching is set to have ruggedness depending on the height of each roll 3.例文帳に追加

ロール３に案内支持されて搬送される帯状のフレキシブル基板１に、エッチング液を供給ポンプを介してスプレーで噴射するエッチング方法において、エッチング中のフレキシブル基板１の搬送高さにロール３の高低により凹凸を設ける。 - 特許庁