「under etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Under a state that the spin chuck 1 is rotated, by introducing the ozone gas and the hydrofluoric acid vapor to the periphery of the wafer W, unwanted subjects at the periphery of the wafer W are removed by vapor- phase etching.例文帳に追加

スピンチャック１が回転している状態で、ウエハＷの周縁部にオゾンガスおよびふっ酸蒸気を導くことにより、気相エッチングによって、ウエハＷの周縁部の不要物を除去できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the etching of an upper electrode can be suppressed, even when a mask material is retreated and the upper surface of the upper electrode is exposed from under the mask material.例文帳に追加

マスク部材が後退して上部電極の上面がマスク部材下から露出した場合でも、この上部電極のエッチングを抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, with the resist pattern 9 as a mask; the support 7', the Si layer 5, and the SiGe layer 3 are subjected to dry etching successively, and an open surface H for exposing the side of the SiGe layer 3 is formed under the support 7'.例文帳に追加

次に、レジストパターン９をマスクに支持体７´、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次ドライエッチングして、支持体７´下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

And by calculating the offset distribution after the dry etching which uses the microloading effect (S5) and oversizing or under sizing the acquired design data according to the offset distribution, the design data after the correction is acquired (S6).例文帳に追加

そして、マイクロローディング効果によるドライエッチング後のオフセット分布を計算し（Ｓ５）、得られたオフセット分布に基づいて設計データをオーバーサイジングおよびアンダーサイジングすることで、補正後の設計データを得る（Ｓ６）。 - 特許庁

A semiconductor substrate non-removed part 11A is formed by etching under the gate insulation film 12, and in addition a semiconductor substrate removed region 11B is formed around the non-removed part 11A.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２の下に、エッチングにより、半導体基板非削除部１１Ａが形成されると共に、この非削除部１１Ａの周囲に半導体基板削除領域１１Ｂが形成される。 - 特許庁

In the step for manufacturing a nitride compound semiconductor laser, a p-type AlGaN etching marker layer 200 is placed under a p-type GaN cap layer 108 and a p-type AlGaN clad layer 107.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザの製造工程において、ｐ型ＧａＮキャップ層１０８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７下にｐ型ＡｌＧａＮエッチングマーカー層２００を敷く。 - 特許庁

To prevent such a reaction of tantalum on oxygen generated when dry-etching a tantalum film or the alloy and oxide films thereof under the situation of generating oxygen that a tantalum oxide redeposits on the sidewall of the etched film.例文帳に追加

タンタル膜又はその合金膜や酸化膜を酸素が発生する状況下でドライエッチングするとタンタルと酸素が反応し、タンタル酸化物が被エッチング膜の側壁に再付着することを防止する。 - 特許庁

When formed by dry etching in a laminate structure comprising a high carbon concentration insulating film 114 and a low carbon concentration insulating film 116 containing no carbon or having a low carbon concentration, the groove is formed in the low carbon concentration insulating film 116 under a first etching condition using a first etching gas to which a CHF-based gas is added, and then a high carbon concentration insulating film 114 is exposed from a wiring groove bottom part.例文帳に追加

高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。 - 特許庁

A protective film 107 of a carbon polymer is formed on a sidewall of a polysilicon film 105 with plasma containing carbon after the polysilicon film 105 is etched to prevent side etching and sidewall roughening of the polysilicon film 105 even when the metal material 104 forming a lower-layer film is subjected to etching processing with plasma of halogen-based gas under etching conditions of volatility increased by keeping a wafer at higher temperature and processing pressure lower.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device includes etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the bottom of the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side wall junction region, and forming a bit line coupled to the side wall junction region.例文帳に追加

基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定の深さエッチングして側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続するビットラインを形成するステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

By this setup, the etching solution is prevented from flowing into a device forming a region located at the center of the wafer W, and a metal thin film formed on the under peripheral edge, end face, and upper peripheral edge of the wafer W is removed by the etching solution flowing from the undersurface to the top surface of the wafer W at the same time.例文帳に追加

これにより、ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去することができる。 - 特許庁

The plasma etching treatment method repeatedly performs plasma etching and plasma ashing for treating an object to be treated by generating glow discharge plasma obtained by applying an electric field between opposed electrodes in which at least one confronted surface is covered with a solid-state dielectric under pressure near atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The end point detection patterns 41 to 46 of sacrificial layer etching are formed on the region where a fixed electrode 14 is formed, and the removal of te sacrificial layer (oxide film) located under the moving part, consisting of a weight movable electrode 12 and a beam part 13, is confirmed in the state of displacement of the end point detection patterns 41 to 46 by etching the sacrificial layer.例文帳に追加

固定電極１４の形成領域に、犠牲層エッチングの終点検出パターン４１〜４６を形成しておき、犠牲層エッチングによる終点検出パターン４１〜４６の変位状態によって、おもり可動電極１２、梁部１３からなる可動部の下の犠牲層（酸化膜）の除去を確認する。 - 特許庁

The etching opening 20 is refilled with the same material as the insulation film 15 and then a contact hole 21 opening onto a semiconductor substrate 10 substantially having no protective film 14 and a contact hole 22 opening onto the conductive part 11d are formed simultaneously by etching under the substantially same conditions.例文帳に追加

このエッチング開口２０は、前記絶縁膜１５と同質の材料により埋め戻され、その後、実質的に保護膜１４を有しない半導体基板１０上に開放するコンタクトホール２１と、導電部１１ｄ上に開放するコンタクトホール２２とが、実質的に同一条件でのエッチング処理により、同時的に形成される。 - 特許庁

The height of a polysilicon layer 4 is formed to be lower than before to be about 95[nm], and when etching a NONON film 5, a polysilazane film 15b and a silicone oxide film 15a, etching treatment is performed under such a prescribed condition that a selection ratio condition between the polysilicon layer 4 and the NONON film 5 is in a range of 1:1.5 to 2.例文帳に追加

多結晶シリコン層４の高さを９５［ｎｍ」程度と従来に比較して低く形成し、ＮＯＮＯＮ膜５およびポリシラザン膜１５ｂおよびシリコン酸化膜１５ａをエッチング処理するときに、多結晶シリコン層４およびＮＯＮＯＮ膜５間の選択比条件を１：１．５〜２の範囲となる所定条件でエッチング処理する。 - 特許庁

The method of forming a circuit pattern of a printed circuit board includes (a) a step of applying an etching liquid to the portions of an insulating board where the circuit pattern is formed, (b) a step of curing the etching liquid under adjusted curing conditions, (c) a step of coating a metal ink over the etched circuit pattern, and (d) a step of sintering the metal ink.例文帳に追加

(ａ)絶縁基板の回路パターンの形成される部分にエッチング液を塗布する段階、(ｂ)養生条件を調節してエッチング液を養生する(curing)段階、(ｃ)エッチングされた回路パターンにメタルインクを塗布する段階、及び(ｄ)メタルインクを焼成する段階を含む印刷回路基板の回路パターン形成方法。 - 特許庁

After the sacrificial film pattern is removed, the floating gate film is etched using the pattern of the gate interlayer insulating film as an etching mask, so that a floating gate is formed under the pattern of the gate interlayer insulating film.例文帳に追加

前記犠牲膜パターンを除去した後、前記ゲートの層間絶縁膜のパターンをエッチングマスクとして使用して、前記フローティングゲート膜をエッチングして、前記ゲート層間絶縁膜パターン下部にフローティングゲートを形成する。 - 特許庁

Further, in the case the substrate is composed of aluminum, the alloy thereof, SiO2 or Si, when the concentrations are controlled to ≤0.25 mol/L, etching under the conditions where influence is hardly exerted on the substrate is possible.例文帳に追加

更に、下地が、アルミニウム及びその合金、ＳｉＯ_2、Ｓｉの場合、フッ酸と過酸化水素水の濃度を共に０.２５ｍｏｌ／Ｌ以下の低濃度に調製すると、下地にほとんど影響を与えない条件でのエッチングが可能である。 - 特許庁

Then, the collar oxide film 15a is removed under second etching conditions, to expose a part of the surface of the semiconductor substrate 11 in the trench 13, to thereby form an opening 17 of an embedded strap.例文帳に追加

次に、第２のエッチング条件によりカラー酸化膜１５ａが除去され、トレンチ１３内の半導体基板１１の表面の一部が露出されることにより、埋め込みストラップの開口部１７が形成される。 - 特許庁

Irregularities 19 are provided on the rear of a wafer by wet etching, and then phosphorus (P) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 190 keV, and an average projection range is, for instance 0.24 μm.例文帳に追加

ウエットエッチングにより、ウエハの裏面に凹凸部１９が形成された後、加速エネルギーが例えば１９０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．２４μｍの条件で、例えばリン（Ｐ）がイオン注入される。 - 特許庁

The thickness of the deposited insulating film is decided based on the obtained sidewall width, the insulating film of the decided thickness is deposited, anisotropically etched under predetermined etching conditions, and the sidewall insulating film of the predetermined designed width is retained.例文帳に追加

求めたサイドウォール幅に基いて絶縁膜の堆積膜厚を決定し、決定した膜厚の絶縁膜を堆積し、所定のエッチング条件で異方性エッチングして、所定の設計幅の側壁絶縁膜を残す。 - 特許庁

The etching is performed in such a manner that a gaseous mixture of Ar, Cr_4 and O_2 in which the mixing ratio of Ar is ≥70% is introduced into the chamber under a gaseous pressure of ≤26 Pa, and the side face temperature of the work is held at 50 to 250°C.例文帳に追加

チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an etch selectivity measuring method and an etch selectivity measuring device which can determine the etch selectivity of an etched object against an etching mask under the environment wherein the etched object is actually etched.例文帳に追加

エッチング対象物を実際にエッチングする環境下でのエッチングマスクに対するエッチング対象物のエッチング選択比を求めることができるエッチング選択比測定方法およびエッチング選択比測定装置を提供する。 - 特許庁

A portion, where the source-drain region 11 and the storage node electrode 5 are located in close vicinity to each other putting the color oxide film 4 therebetween, is etched under a condition where an etching rate of an insulating material is larger than that of the semiconductor material.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１１とストレージノード電極５とがカラー酸化膜４を挟んで近接する箇所を、半導体材料のエッチングレートに比べ絶縁材料のエッチングレートが大きい条件でエッチングする。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

A process for eliminating an insulating film formed on a Cu film in a method for eliminating the insulating film comprises a process for etching under conditions, where the penetration of an etching active species onto the surface of a Cu film is 15 nm or less on the surface of the Cu film; and a process for washing the surface of the Cu film after eliminating the insulating film.例文帳に追加

Ｃｕ膜上に形成された絶縁膜を除去する工程において、Ｃｕ膜表面へのエッチング活性種の入り込みがＣｕ膜表面から１５ｎｍ以下となる条件でエッチングを行う工程と、絶縁膜を除去した後Ｃｕ膜表面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の除去法方法を提供する。 - 特許庁

The etching rate equal to or above the attained by the industrially applied caustic soda solution having high concentration is attained with the caustic soda solution having low concentration by pressurizing the caustic soda solution and as a result, the crystallization is performed under a concentration condition at which the crystallization is facilitated.例文帳に追加

苛性ソーダ溶液を加圧することにより低濃度の苛性ソーダ溶液で工業的に使用できる高濃度以上のエッチング速度が得られ、それにより、容易に晶析できる濃度条件とすることができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in the adaptability for a halftone phase difference shift mask and resolution for the formation of a contact hole pattern and to provide a positive resist composition having little deformation of a hole during etching and a wide exposure margin for under exposure.例文帳に追加

コンタクトホールパターン形成時のハーフトーン位相差シフトマスク適性と解像力に優れたポジ型レジスト組成物、更には、エッチング時のホール変形が少なく、アンダー露光時の露光マージンが広いポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

An ITO layer with a silicon oxide film thereon is separated by single dry etching, and further the ITO layer is overetched to a passivation film 7 so that the pixel electrode 6 under the passivation film 7 can be reliably separated from the adjacent pixel electrode 6.例文帳に追加

この原因は、ＩＴＯ層からなる画素電極が導電性の異物により短絡されるために発生するためで、２個対点欠陥が生じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著しく悪化させていた。 - 特許庁

Under RIE-lag effect, the etching rate of the barrier metal 6, positioned between the side surface of hole 5a and the metal film 7, is lower than that of barrier metal at other part, no longer resulting in no surface of the polysilicon plug 4 being exposed.例文帳に追加

ＲＩＥ−ｌａｇ効果により、ホール５ａの側面とメタル膜７との間に位置するバリアメタル６のエッチングレートが、他の部分におけるバリアメタルのエッチングレートよりも小さくなり、ポリシリコンプラグ４の表面が露出することがなくなる。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

The interlayer dielectric includes a first-class insulating layer 15 wrapping a side face and a bottom face of the wiring groove, and a second-class insulating layer 56 arranged under the first-class insulating layer and having etching characteristics different from that of the first-class insulating layer.例文帳に追加

層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。 - 特許庁

To provide a new vinyl ether excellent in heat resistance, dry etching resistance and stability under a high vacuum, especially suitable as an acid-releasing protecting group of a positive type resist resin, a new alcohol becoming a raw material of the same, and methods for producing them.例文帳に追加

耐熱性、ドライエッチング耐性、高真空下での安定性に優れ、特にポジ型レジスト樹脂の酸解離性の保護基として好適な新規ビニルエーテル、その原料となる新規アルコール及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a layer under an interference filter FB for blue color selective reflection and an interference filter FR for red color selective reflection, the first and the second transparent etching stopper layers 54B composed of alumina or magnesium oxide are inserted.例文帳に追加

青色用選択反射の干渉フィルタＦ_B と赤色用選択反射の干渉フィルタＦ_R の下層にはアルミナ又は酸化マグネシウムから成る第１の透明エッチングストッパ層５４Ｂと第２の透明エッチングストッパ層５４Ｂが挟まれている。 - 特許庁

The related invention (Claim 2) is the gas phase etching medium by sputtering. It does not correspond to the "equipment," but it falls under "other products" directly used in working the process for fabrication of the specified invention (Claim 1). 例文帳に追加

（請求項２）は、スパッタリングによるエッチングを行うためのガス状エッチング媒体であり、特定発明（請求項１）の基板の製造方法の実施に直接使用する「装置類」には該当しないが、「その他の物」に該当する。 - 特許庁

Under this arrangement, the semiconductor substrate can be minutely processed by the unit of atoms, and element separation or the like on the semiconductor substrates becomes possible based on coordinates whose origin can be set at a fixed location, so that masks become unnecessary and therefore lithography and etching become unnecessary.例文帳に追加

すると、半導体基板を原子単位で微細加工でき、所定の場所を原点とした座標に基づいて半導体基板における素子分離等ができるので、マスクが不要となってリソグラフィーやエッチングが不要となる。 - 特許庁

At the top face of the peripheral protrusion part 31, the sealing plate 30 is provided with a non-alkali glass thin plate 311 that has a corner size of 5.0 cm and a thickness of 0.1 mm, with an opening part having a corner size of 4.5 cm put under an etching process at the center.例文帳に追加

封止板３０は、周辺突条部３１の頂面に、中央にエッチング加工された４．５ｃｍ角の開口部を有する大きさ５．０ｃｍ角、厚さ０．１ｍｍの無アルカリガラス製のガラス薄板３１１を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of measuring electrical characteristics of TEG (Test Element Group) provided to a semiconductor substrate even when the surface of a measuring pad is damaged by etching a UBM (Under Bumping Metal) layer, and also a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

測定用パッドの表面がＵＢＭ層エッチングによって損傷を受けても、半導体基板に設けられたＴＥＧの電気的特性の測定が可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument capable of measuring a temperature precisely under a plasma generating environment in a process for PVD, CVD, dry etching or the like, and capable of precluding atmosphere from being contaminated even when measuring the temperature in a high temperature range.例文帳に追加

ＰＶＤ、ＣＶＤ、ドライエッチング等の工程におけるプラズマ発生環境下において、精度の高い温度計測が可能で、且つ高温域で温度計測する場合にも雰囲気を汚染することのない温度計測器を提供すること。 - 特許庁

At this time, the conductive layer 8 is not directly etched by the XeF_2 gas, and the XeF_2 gas wraps around into a lower part of the conductive layer 8 according too etching of the silicon substrate 6, and the conductive layer 8 is etched from the under surface side.例文帳に追加

このとき、導電層８がＸｅＦ_２ガスで直接エッチングされることは無いが、シリコン基板６のエッチングに伴ってＸｅＦ_２ガスが導電層８の下部に回り込み、導電層８が下面側からエッチングされる。 - 特許庁

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole.例文帳に追加

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist removing composition excellent in power to remove not only a resist but also an etching by-product such as a polymer, causing no damage to a film under the resist and having such a moderate viscosity as not to leave residua and residue after rinsing with deionized water.例文帳に追加

レジストだけでなくポリマーのようなエッチング副産物の除去力に優れ、下部膜を損傷させず、脱イオン水リンス後に残査及び残留物が残らないように適当な粘度を有する組成物を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁