| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
An adhesive layer for joining the lower substrate 22 and an upper substrate enters into a step extending from the surfaces of the lower electrode layers 32, 33 to the surface of the transparent conductive layer 31 located inside the intervals D, E.例文帳に追加
下部基板22と上部基板間を接合するための粘着層は、下部電極層32,33の表面から間隔D,E内に位置する透明導電層31の表面にかけての段差内に入り込んでいる。 - 特許庁
On the upper surface of a first interlayer insulation layer 5, a first local interconnect line 6 connecting the drain region 4B and a part of gate electrodes 3B and 3D of an MOS transistor T with an uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加
第一の層間絶縁層5の上面に、MOSトランジスタTのドレイン領域4B及び一部のゲート電極3B、3Dと最上層配線12とを接続する第一の局所配線6を形成する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device having a contact structure comprising a highly reliable multi-layer conductive plug by stabilizing electrical connection between upper and lower conductive plugs while preventing short circuit between a conductive plug and an electrode layer.例文帳に追加
導電性プラグと電極層との短絡を防止しつつ、上下の導電性プラグ間の電気的な接続を安定化し、信頼性の高い多層の導電性プラグからなるコンタクト構造を有した半導体装置を得る。 - 特許庁
The shielding layer is provided in an upper part of an outgoing surface of the light emitting diode (LED), and the length of the shielding layer is larger, equal to, or smaller than a length of the outgoing surface of the light emitting diode (LED).例文帳に追加
その中、遮蔽層は発光ダイオード(LED)チップの出射面の上方に設けられ、しかも遮蔽層の長さは発光ダイオード(LED)チップの出射面の長さより、大きい、等しいまたは小さい。 - 特許庁
When the element is viewed from the upper surface, the nitride semiconductor layer N has a square shape and the longitudinal direction of the stripe protrusion/recess structure is not parallel with any one of four sides of the square nitride semiconductor layer N.例文帳に追加
素子を上面視したとき、窒化物半導体層Nの形状は方形であり、かつ、前記ストライプ状の凹凸構造の長手方向は、方形の窒化物半導体層Nの4つの辺のいずれとも平行でない。 - 特許庁
Thus, the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced and the characteristics of isolation between the upper layer element (capacitor or inductor) and the lower layer element (active element or passive element) can be improved without increasing parasitic capacitance.例文帳に追加
これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子(コンデンサ、インダクタ)と下層素子(能動素子、受動素子)との間のアイソレーション特性を向上できる。 - 特許庁
The substrates are adhered to each other so that the structure physically contacts onto the upper electrode layer on the connection electrode layer.例文帳に追加
さらに、対向基板上の上記接続電極層と重なる位置に構造物を設け、当該構造物が接続電極層上の上部電極層の上方から物理的に接触するように、基板同士を貼り合わせればよい。 - 特許庁
The display device 10 translates the extracted character string and displays translation results on the user interface screen in an overlapping manner by disposing the translation results on an upper layer above a layer where the user interface screen is disposed.例文帳に追加
表示装置10は、抽出された文字列を翻訳し、ユーザインタフェース画面が配置されているレイヤよりも上層のレイヤに翻訳結果を配置することで、ユーザインタフェース画面に翻訳結果を重ね合わせて表示する。 - 特許庁
The first layer extends in an upward direction from the featherline of the sole to a height on the upper which is at least 1.5 inches (about 3.8 cm) above the ground engaging surface of the sole and is attached to the second layer at height.例文帳に追加
第1の層は、靴底のフェザーラインから上方向に、靴底の接地面の少なくとも1.5インチ(約3.8cm)上方にあるアッパー上の高さ位置に亘って延在し、その高さで第2の層に取付けられる。 - 特許庁
Carbon fibers 114, 116 constituting the floor lower face layer 102 including the recessed part 108 and the floor upper face layer 100 are arranged along a vehicle body width direction which is a load inputting direction, and are continuous.例文帳に追加
凹部108を含むフロア下面層102、及びフロア上面層100を構成する炭素繊維114、116は荷重入力方向である車体幅方向に沿って配向されかつ連続した繊維とされている。 - 特許庁
The electrodes 141, 151 are provided with lower-layer connecting conductors 161, 171 with respective ends integrally formed, and the electrodes 142, 152 are provided with upper-layer connecting conductors 162, 172 with respective ends integrally formed.例文帳に追加
電極141,151に一端がそれぞれ一体形成された下層の接続導体161,171を形成し、電極142,152に一端がそれぞれ一体形成された上層の接続導体162,172を形成する。 - 特許庁
To provide a high-reliability display device that has unevenness of film thickness eliminated in thin-film wiring patterns, which connect patterns of different wiring widths, and reduced coverage defects of an insulating layer formed on an upper layer.例文帳に追加
配線幅が異なるパターンを接続した薄膜配線パターンにおける膜厚の段差を解消して上層に成膜する絶縁層のカバレッジ不良を低減し、信頼性の高い表示装置を提供する。 - 特許庁
A lower electrode 11 and an upper electrode 17 are provided on the transparent substrate 10 with an organic luminescence layer 13 or a liquid crystal layer between, and are connected to an external driving circuit 15 with the leader wiring.例文帳に追加
有機発光層13又は液晶層を挟んで下部電極11,上部電極17を透明基板10上に設け、下部電極11,上部電極17を引出配線で外部駆動回路15に接続する。 - 特許庁
To generate high-quality color image data in an image pickup apparatus including a hybrid solid-state image pickup element having a photoelectric conversion film on an upper layer and a photoelectric conversion element made of a silicon on a lower layer.例文帳に追加
上層部に光電変換膜を有し、下層部にシリコンからなる光電変換素子を有するハイブリッド型の固体撮像素子を含む撮像装置において、高品質のカラー画像データを生成可能にする。 - 特許庁
The vegetation mat for greening a rooftop or the like comprises a vegetation layer at the upper surface of which a plurality of recessed portions respectively receiving clods of earth containing seeds are formed, wherein the vegetation layer comprises a mixture of fibrous material or the like and soil.例文帳に追加
屋上等緑化用植生マットは、それぞれが種子を含む土塊を受け入れる複数の凹所を上面に有する植生層を含み、前記植生層は繊維質材料等と土との混合物からなる。 - 特許庁
Then, a second HTS layer 16 is accumulated and pattern-formed on at least one part of the first HTS layer 14 and the exposed upper face of the substrate 18 so that the SNS Josephson junction can be formed.例文帳に追加
次に、第1のHTS層(14)及び基板(18)の露出した上面の少なくとも一部の上に第2のHTS層(16)を堆積し及びパターン形成し、それによってSNSジョセフソン接合を形成する。 - 特許庁
A ceramic laminate 21 comprises a via hole ceramic layer 11, connection conductor ceramic layers 13, 14 laminated on the upper and lower sides of the via hole ceramic layer, and covering ceramic layers 18, 19.例文帳に追加
ビアホールセラミック層11と、その上側及び下側に積層された接続導体セラミック層13,14と、カバー用のセラミック層18,19とからなるセラミック積層体21の内部に、コイルを配設した積層コイル部品。 - 特許庁
A first disk substrate 1 made of a polycarbonate resin and having a chucking center hole 5 as well as an information recording layer 2 and a reflecting layer 3 on the upper face and having light transmitting property is formed into a business card size.例文帳に追加
ポリカーボネート樹脂から作成されチャッキング用中心孔5を有すると共に上面に情報記録層2及び反射層3を有しかつ光透過性を具備した第1ディスク基板1を名刺型に形成する。 - 特許庁
Then, the hole is filled with a conductive film 96 which is substantially on the same level with the upper surface of the lower electrode seed layer and formed through an electroplating process in which the lower electrode seed layer is used.例文帳に追加
次いで、ホール内部を、下部電極用シード層の上部表面と実質的に同一なレベル上の導電膜96を下部電極用シード層を用いた電気メッキ工程を行って形成することにより充填する。 - 特許庁
The gate insulating film comprises a first gate insulating film 30 as a lower layer and a second gate insulating film 32 as an upper layer having a higher etching rate than that of the first gate insulating film in order from the ground side.例文帳に追加
このゲート絶縁膜は、下地側から下層の第1ゲート絶縁膜30と第1ゲート絶縁膜のエッチングレートより大なるエッチングレートを有する上層の第2ゲート絶縁膜32から成る窒化シリコン膜である。 - 特許庁
In the method of this invention, an MM layer and its upper layer message can be sent by using an RRC direct transfer message, and separate RLC entities are set for the RRC direct transfer message.例文帳に追加
本発明による方法では、MM層及びその上位層メッセージはRRC直接転送メッセージを用いて送信されるが、別々のRLCエンティティがRRC直接転送メッセージ用として設定される。 - 特許庁
The semiconductor laser diode is of a ridge waveguide wherein a predetermined thickness part of a clad layer is formed to have a mesa structure, and the remaining thickness D of the clad layers is laminated on the entire upper surface of an active layer.例文帳に追加
本半導体レーザダイオードは、クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させてなるリッジ導波路型半導体レーザダイオードである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device forming an upper layer bump on a lower layer bump without a grinding process, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は研削工程を経ることなく下層バンプ上に上層バンプを形成できる半導体素子及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
On a defective electroluminescent element 2b out of the plurality of electroluminescent elements 2, a covering organic layer 14 is formed between the organic lamination layer 13 and the upper common electrode 15.例文帳に追加
エレクトロルミネッセンス表示装置1では、複数のエレクトロルミネッセンス素子2のうちの不良のエレクトロルミネッセンス素子2bにおいて、有機積層体13と上部共通電極15との間に被覆有機層14が設けられている。 - 特許庁
The coated metal sheet contains at least a metal sheet, a non-chromium type substrate coating film arranged on the metal sheet, a non-chromium type primer layer arranged on the substrate coating film and the upper coating film arranged on the primer layer.例文帳に追加
金属板と、該金属板上に配置された非クロム系下地塗膜と、該下地塗膜上に配置された非クロム系プライマー層と、該プライマー層上に配置された上層塗膜とを少なくとも含む塗装金属板。 - 特許庁
An emitter mesa (upper emitter layer) 6a and a base mesa 4a in a lower layer of a base electrode 8 are etched to be formed while including projecting areas (protruding portions) Pa, Pb and Pc in a terminal portion of an approximately rectangular area.例文帳に追加
エミッタメサ(上部エミッタ層)6aおよびベース電極8の下層のベースメサ4aを、略矩形状の領域の端部に、突起領域(飛び出た部分)Pa、PbおよびPcを有する形状となるようエッチングする。 - 特許庁
In a method of manufacturing a three-dimensional semiconductor circuit, a conductive layer possessing a doped polysilicon layer at its upper part is formed, patterned, and annealed for the formation of the first single grain polysilicon terminal 16 of a semiconductor device.例文帳に追加
三次元半導体回路の製造方法は、ドープ・ポリシリコンを上側に有する導電層(13)を設け、パターニングし、アニールすることによって、半導体素子の第1単粒子ポリシリコン端子(16)を形成する。 - 特許庁
The organic electroluminescence display device forms the lower electrode of R, G, B pixels on an insulating substrate, forms an organic film layer formed on the insulating substrate, and forms an upper electrode on the organic film layer.例文帳に追加
有機電界発光表示装置は、絶縁基板上にR、G、B画素の下部電極を形成し、絶縁基板上に形成された有機膜層を形成し、有機膜層上に上部電極を形成した構成を含む。 - 特許庁
A superlattice 106, constituted by respectively laminating each metal layer (201) and each insulator layer (202), is formed into a structure with electrodes 104 and 102 being respectively arranged at the upper and lower positions in the direction vertical to the surface of the superlattice 106.例文帳に追加
金属層(201)と絶縁体層(202)を繰り返して積層した超格子106において、前記超格子の面直方向に関して上下の位置にそれぞれ電極102、104を配した構成をとる。 - 特許庁
In the flat magnetic element having a structure having a planar coil between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer, a taper angle of 20-60 degrees is given to the side of a contact hole connecting the planar coil and the outside electrode.例文帳に追加
下部磁性層と上部磁性層との間に平面コイルを有する構造になる平面磁気素子において、該平面コイルと外部電極とを接続するコンタクトホールの側面にテーパ角:20〜60°のテーパを付与する。 - 特許庁
The optical waveguide device 12a comprises a substrate 13, a lower clad layer 14, cores 15a, 15b, and 15c, an upper clad layer 16, a glass substrate 17, and a filter 18 which reflects only a specified wavelength band and transmits other light.例文帳に追加
光導波路装置12aは、基板13,下部クラッド層14、コア15a,15b,15c、上部クラッド層16、ガラス基板17、特定の波長域のみ反射しそれ以外の光を透過するフィルタ18で構成される。 - 特許庁
When the object is collected, the host name is acquired by inquiring the logic path of system equipment to be collected in the virtual name space from the upper layer to system equipment of the next lower layer on the virtual name space.例文帳に追加
オブジェクトを収集する場合、仮想ネームスペース上の上位から1つ下の階層のシステム機器に向かって、仮想ネームスペースにおける収集対象のシステム機器の論理パスを照会することでホスト名を取得する。 - 特許庁
As the magnetic layer has composition expressed by the above mentioned composition formula, saturation magnetic flux density Bs of the upper magnetic layer 24 is larger than approximately 1.9T, while specific resistance ρis larger than approximately 70μΩcm.例文帳に追加
上記した組成式で表される組成を有していることに伴い、上部磁極層24の飽和磁束密度Bsが約1.9Tよりも大きくなると共に、比抵抗ρが約70μΩcmよりも大きくなる。 - 特許庁
The concave portion 19 prevents the light distribution in an in-plane direction in the inside of the phosphor layer 16 and the light from reaching the phosphor layer in an upper part of an adjacent opening 18, and thus, dot display is provided while preventing crosstalk.例文帳に追加
凹部19は、蛍光体層16の内部で光が面内方向に散乱し、隣接する開口18上部の蛍光体層に達するのを妨げるため、クロストークを防止しながら、ドット表示を実現できる。 - 特許庁
Then a laddering execution part 26 ladders up from a certain selected item to a selected item of an upper layer and ladders down to a selected item of a lower layer to create a link between the items.例文帳に追加
次いで、ラダーリング実行部26が、ある選択された項目から、上位階層の選択された項目へのラダ−アップや下位階層の選択された項目へのラダーダウンを実行して、項目間のリンクを形成する。 - 特許庁
This building plate 1 is constituted by providing a lower side paint layer 3 and an upper side paint layer 4 sequentially on a design surface 201 of an original plate 2 forming many protrusions 21, 22 and having the recessed and protruded pattern 203.例文帳に追加
建築板1は,多数の凸部21,22を形成してなる凹凸模様203を有する原板2の意匠表面201に,下側塗料層3及び上側塗料層4を順次設けてなるものである。 - 特許庁
In this structure, an FPC 10 is applied onto the upper surface of a base material 1 via an adhesive 2, and an insulating protection layer 4 is formed on a conductor layer 3 formed in a prescribed pattern by applying a thermoplastic resin.例文帳に追加
FPC10は、ベース材1の上面に接着剤2を介して貼着され、所定のパターンに形成された導体層3の上に熱可塑性樹脂の塗布により絶縁保護層4が形成された構造となっている。 - 特許庁
The lower resist layer 103 is composed of a resist material, which is not resolved by developer employed in a next process and which is provided with an ashing speed higher than that of the resist material constituting the upper resist layer 104.例文帳に追加
下層レジスト層103は、次工程で用いられる現像液には溶解しないレジスト材料であって、アッシング速度が上層レジスト層104を構成するレジスト材料のそれよりも速いレジスト材料でなる。 - 特許庁
In this case, the position on the uppermost face on the light shielding member 3 side of the resin layer 5 is identical with the position on the upper face of the light shielding member 3, and the thickness of the resin layer 5 becomes smaller as it goes from the light shielding member 3 to the outer edge part.例文帳に追加
この場合、樹脂層5の遮光部材3側の最上面の位置は遮光部材3の上面の位置と同一であり、樹脂層5の厚さは遮光部材3から外縁部に向けて小さくなっている。 - 特許庁
This inkjet recording medium is manufactured in such a manner that a lower layer, which is composed of a water-absorbing inorganic pigment, latex and boric acid or borate, and an upper layer, which is composed of colloidal silica and polyvinyl alcohol, are applied onto the substrate and subjected to casting treatment.例文帳に追加
基材上に、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩からなる下層と、コロイダルシリカ、ポリビニルアルコールからなる上層を塗工し、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁
Further, a plurality of half light-permeable materials are arranged in the height direction of the stairwell space, and a light-permeable rate of the half light-permeable material is set up to decrease from an upper layer to the lower layer of the stairwell space.例文帳に追加
また、半透過性材料が吹抜空間内の高さ方向に複数も受けられ、半透過性材料の光透過率が吹抜空間の上層から下層に向かうにしたがって小さくなるように構成される。 - 特許庁
A film thickness tu1 in the silicon oxide film 7 contained in the upper-layer side insulating films 7 and 8 is larger than a film thickness td2 in the silicon oxide film 3 contained in the lower-layer side insulating films 2 and 3, and tu1/td2>1.22 is satisfied.例文帳に追加
上層側絶縁膜7,8に含まれるシリコン酸化膜7の膜厚t_u1が、下層側絶縁膜2,3に含まれるシリコン酸化膜3の膜厚t_d2よりも厚くなっており、t_u1/t_d2>1.22を満たしている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the upper face of a conductive layer for securing conductivity and heat radiating performance with the semiconductor element and the conductive layer, and for developing sufficient thermal stress relaxing action.例文帳に追加
導電層の上面に半導体素子が搭載された半導体装置において、半導体素子と導電層との通電性及び放熱性を確保しながら、充分な熱応力緩和作用を発揮する。 - 特許庁
To effectively utilize barrier functions which both an internal layer and an external layer respectively contain by constituting an upper surface of a bottle mouth of both layers to allow both layers to come into secure contact with a sealing material.例文帳に追加
ボトル口上面を内側層と外側層の両者で構成することによって、内外層のいずれもがシール材に確実に接触できるようにし、両層がそれぞれ持つバリアー機能の有効利用を図る。 - 特許庁
The body case 10 has a storing chamber capable of housing a pile of residue cases 70 for each storing a thin layer of fumigant residue, an absorbent layer capable of absorbing hydrogen phosphide, an upper opening and a vent hole.例文帳に追加
本体ケースは、くん蒸剤の残渣を薄い層にして収容する残渣ケース70を積み重ねて収納可能な収容室、りん化水素ガスを吸収可能な吸収剤層、上方開口、及び通気口を有する。 - 特許庁
Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加
次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を0Vと500Vとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁
To provide a measuring material for measuring a coefficient of absorption and an index of absorption of extreme UV light of a resist, a resist lower layer, a resist upper layer, a hard mask material, an antistatic material and the like; and to provide a measurement method.例文帳に追加
レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、ハードマスク材料、及び耐電防止材料等の極端紫外光の吸収係数や吸収率を測定するための測定材料と測定方法を提供する。 - 特許庁
The intermediate molten resin layer kneaded with a foaming agent is supplied in such a manner that it covers the upper face of the base material excepting its peripheral side part, and the surface molten resin layer is supplied in such a way that it covers the entire base material side molding part.例文帳に追加
発泡剤を混練した中間溶融樹脂層は基材の周辺部を除く上面を覆うように供給し、表面溶融樹脂層は基材側成形型全体を覆うように供給する。 - 特許庁
Therefore, while the short circuit is prevented based on the enhancement the dielectric breakdown proofness of the lower insulating layer 30 and the upper insulating layer 33, the reproducing characteristics are improved based on narrowing of the shielding space K2.例文帳に追加
これにより、下部絶縁層30および上部絶縁層33の耐絶縁破壊性の向上に基づいて短絡が防止されると共に、シールド間隔K2の狭小化に基づいて再生特性が向上する。 - 特許庁
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