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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper- layerの意味・解説 > upper- layerに関連した英語例文

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upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11093



例文

The extension structure of an intrusion path that makes intrusion of a corrosion-causing substance delay is provided between the part of a fuse wiring 1 that is positioned at the periphery of a fuse opening 3 and a via hole 2 that electrically connects its end to the wiring layer in the upper layer or lower layer close to a fuse wiring layer.例文帳に追加

ヒューズ配線1において、ヒューズ開口部3の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続するビアホール2までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長構造を設けた。 - 特許庁

The cover material is a laminate material 7 comprising a base material 1 made of an easily moldable synthetic resin layer, a synthetic resin- made print supporter 2 disposed on the upper surface via an adhesive layer 4 and a sealant layer 3 disposed on the lower surface via an adhesive layer 5 wherein fine embossment is given to the laminate material 7.例文帳に追加

基材1が易成形性を有する合成樹脂層からなり、その上面にある接着層4を介して合成樹脂層からなる印刷支持体2を設け、同じく下面にある接着層5を介してシーラント層3を設けた積層材料7に微細なエンボス10を施したことを特徴とする蓋材である。 - 特許庁

A lower electrode 31 contacting the insulating layer 21, a piezoelectric film 41, and an upper electrode 51 are provided in this order from the insulating layer 21 side on regions corresponding to the plurality of recesses 12 on the insulating layer 21 of the base 10 respectively, thereby configuring a vibration detecting layer 40 to form a diaphragm having a uniform thickness.例文帳に追加

ベース部10の絶縁層21上において複数の凹部12にそれぞれ対応する領域には、絶縁層21側から順に、絶縁層21に接する下部電極31、圧電膜41、および、上部電極51が設けられて振動検出層40が構成され、均一な厚さのダイアフラム部が形成される。 - 特許庁

This magnetic memory device has a TMR element 18 provided with an upper magnetic layer 17 which is magnetized perpendicularly to a film face direction of the layer 17 and a lower magnetic layer on both sides of a nonmagnetic layer 16, and a bit line 21 and metallic wiring 19 respectively provided above and below the TMR element 18 so that the line 21 and the wiring 19 may interest each other.例文帳に追加

膜面方向に垂直な方向に磁化される上磁性層17、下磁性層15が非磁性層16の両側に設けられたTMR素子18と、TMR素子18の上方、下方にそれぞれ位置し、互いが交差するように設けられたビット線21、メタル配線19とを有する。 - 特許庁

例文

A scatter type reflecting element is characterized in that a lower-layer substrate 101 and an upper-layer substrate 111 have a common electrode layer and a pixel electrode layer, respectively, and the electrode layers have a transparent electrode and an automatic oblique array inside, and the reflecting element has a swell part structure 113 which projects upward or is recessed downward in a pixel area.例文帳に追加

下層基板101及び上層基板111は、それぞれ共電極層及び画素電極層を有し、電極層の中は透明電極層及び自動傾斜配列を有する散乱式反射素子であり、反射素子は画素区域において上に突出するか下に凹んだ隆起部構造113を形成する。 - 特許庁


例文

A rainwater storage structure 10 is comprised of a water tank formed by arranging an impervious sheet layer 12 at an internal surface of a recess on the ground, a weight layer 16 arranged at the lower part of the water tank and a multistory structure 14 on the weight layer 16 and an upper layer member 18 formed on the multistory structure.例文帳に追加

地面凹部内面に遮水シート層12が配設されて形成される貯水槽、貯水槽の下部に設けられた錘層16、錘層16の上に形成された立体構造体14及び立体構造体の上に形成された上層材18を有する雨水貯留構造体10とする。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造30は、下層埋め込み配線3A、層間絶縁膜積層構造32、接続孔プラグ34、配線間絶縁膜積層構造36と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線18A、及びSiC膜20(酸化防止層)を有する。 - 特許庁

As for this plasma display panel 1 in which a first dielectric layer 7 to cover a display electrode 6 composed of a scanning electrode 4 and a sustaining electrode 5 and/or a second dielectric layer 12 to cover a data electrode 11 are made as a multi-layered structure, the upper layer of the multi-layered structure does not cover the edge of the lower layer.例文帳に追加

走査電極4と維持電極5とからなる表示電極6を覆う第一誘電体層7および/または、データ電極11を覆う第二誘電体層12が、多層構造であるプラズマディスプレイパネル1において、多層構造の上層が、下層のエッジを覆わないように構成する。 - 特許庁

With a resist mask RM1 as an etching mask, a polysilicon layer 12, a silicon nitride film 5, a polysilicon layer 10, and a silicon oxide film 4 are removed selectively by dry etching, and the upper layer section of an SOI layer 3 is removed by a prescribed thickness for forming the trench 21 for separation at a portion corresponding to an opening OP1.例文帳に追加

レジストマスクRM1をエッチングマスクとして、ポリシリコン層12、シリコン窒化膜5、ポリシリコン層10およびシリコン酸化膜4をドライエッチングにより選択的に除去し、さらにSOI層3の上層部を所定厚さ除去して、開口部OP1に対応する部分に分離用トレンチ21を形成する。 - 特許庁

例文

In a rice cooking pot 1, a primer layer 3 is formed on an inside surface of base metal 2 (happens to be plural layer), and an NEWPFA resin (end group processed perfluoroalkoxy resin) coating layer 4 is formed on an upper surface of the primer layer 3 (two layers inclusing second coating when necessary) in a range of a film thickness of 10 to l00 μm.例文帳に追加

炊飯釜1は、素地金属2(複層のこともある)の内表面にプライマ層3が形成され、該プライマ層3(場合によっては中塗を含めて二層)の上面にNEWPFA樹脂(末端基処理済パーフルオロアルコキシ樹脂)コーテイング層4が、膜厚10μm〜100μmの範囲で形成されている。 - 特許庁

例文

The inter-layer wiring 41 includes: a conductive layer 42 formed, in an opening formed in the wiring layer, between an upper end portion and a lower end portion of the opening so as to cover a part of the wall surface; and a land pattern 44 formed around the opening for connecting the wiring pattern 21 and the conductive layer 42.例文帳に追加

層間配線41は、配線層に形成された開口部において、その壁面の一部を覆うように開口部の上端部と下端部との間に形成された導電層42と、開口部の周囲に形成され、配線パターン21と導電層42とを接続するランドパターン44とを有している。 - 特許庁

To prevent an operation failure of a piezoelectric actuator 21 resulting from void parts 22b, 23b and 24b generated to a piezoelectric layer 23, etc., in a thin film formation process when the piezoelectric layer 23, an upper electrode layer 24 and a lower electrode layer 22 of the piezoelectric actuator 21 are formed into a thin film to make an ink jet head H small.例文帳に追加

圧電アクチュエータ21の圧電層23、上部電極層24及び下部電極層22を薄膜化してインクジェットヘッドHを小型化する場合に、その薄膜形成過程で圧電層23等に生じる空乏部22b,23b,24bに起因する圧電アクチュエータ21の作動不良の発生を、簡単な方法で防止する。 - 特許庁

The device has a configuration such that a ground line is formed for supplying the grounding voltage GND to a metal wiring layer 206 of a third layer (3M) of the upper layer of metal wiring layers 207, 208 so as to be electrically connected to the metal wiring layers 204, 209 of the second layer (2M), respectively via contact holes 215 and 216.例文帳に追加

金属配線層207,208の上層の第3層(3M)の金属配線層206に接地電圧GNDを供給する接地線を形成し、コンタクトホール215および216をそれぞれ介して第2層(2M)の金属配線層204,209と電気的に結合した構造となっている。 - 特許庁

A hole injection layer 7, an α-NPD vapor deposited film 8, an n-doped electron transportation layer 11 and a p-doped hole transportation layer 12 which are patterned to the same size as a B sub-pixel, a DNA vapor deposited film 13, an electron injection layer 14 and an upper electrode 15 are formed on a lower electrode 5 in the B sub-pixel.例文帳に追加

Bサブ画素において、下部電極5の上に、正孔注入層7、α−NPD蒸着膜8、Bサブ画素と同等のサイズにパターニングしたnドープ電子輸送層11及びpドープ正孔輸送層12、DNA蒸着膜13、電子注入層14、上部電極15を形成する。 - 特許庁

This head is provided with a write-in head element having a coil conductor in which a write-in current is made to flow and a yoke, an overcoat layer laminated on the write-in head element, and a heat block layer formed in the overcoat layer being an upper part of the coil conductor and made of a material having lower heat conductivity than this overcoat layer.例文帳に追加

書込み電流が流れるコイル導体及びヨークを有する書込みヘッド素子と、書込みヘッド素子上に積層されたオーバーコート層と、コイル導体の上方のオーバーコート層内に形成されておりこのオーバーコート層より低い熱伝導率を有する材料による熱ブロック層とを備えている。 - 特許庁

This conducts heat to a high-radiating base board near the lower face of the lower layer circuit board 1 through the thermal via 14 from the bottom face of the heating component 100, and also to the base board through the upper layer circuit board 2, the inter-layer connecting members 3 and the lower layer circuit board 1 from the top face of the heating component 100.例文帳に追加

これにより、発熱部品100の底面からサーマルビア14を介して下層回路基板1の下面に近接する放熱性の高いベース基板に熱が伝導されるとともに、発熱部品100の天面から上層回路基板2、層間接続部材3、下層回路基板1を介してベース基板に熱が伝導される。 - 特許庁

The submount 10 comprises a submount substrate 11, a solder layer 14 formed on the upper surface of the submount substrate 11 for bonding a semiconductor laser element 20, and a spacer layer 15 provided with an area smaller than the solder layer 14 and formed between the submount substrate 11 and the solder layer 14.例文帳に追加

このサブマウント10は、サブマウント基板11と、サブマウント基板11の上面上に形成され、半導体レーザ素子20を接合するための半田層14と、半田層14よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板11と半田層14との間に形成されたスペーサ層15とを備えている。 - 特許庁

A cover layer 20D of the diffraction element 20 is constituted of a cover lower layer 20Du made of a second UV cured resin 100B and joined to a diffraction pattern PTc for a CD and a cover upper layer 20Do made of a third UV cured resin 100C and joined to the cover lower layer 20Du.例文帳に追加

本発明の回折素子20におけるカバー層20Dは、第2のUV硬化樹脂100Bでなり、CD用回折パターンPTcに接合されたカバー下層20Duと、第3のUV硬化樹脂100Cでなり、当該カバー下層20Duに接合されたカバー上層20Doとによって構成されるようにする。 - 特許庁

In the solder joining structure of a wafer level package, there is provided an air pad solder joining structure comprising an air layer formed in a predetermined substrate layer, a connection pad formed in the upper portion of the air layer, and a part of the air layer including in a side face thereof a region passing over an exposed connection pad.例文帳に追加

本発明はウェーハレベルパッケージのハンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造である。 - 特許庁

Reinforcing metal and/or inorganic particles are contained in a Sn group overlay 5, while gradually or continuously changing its content in such manner that a content of the reinforcement metal and/or inorganic particles is high in an intermediate layer 5b of the Sn group overlay 5, and 0 or less than that of the intermediate layer 5b in a lower layer 5a and an upper layer 5c.例文帳に追加

Sn基オーバレイ5に強化金属および/または無機物粒子を含有させ、その強化金属および/または無機物粒子の含有割合を、Sn基オーバレイ5の中層5bでは高く、下層5aおよび上層5cでは0または中層5bより小となるように、段階的にまたは連続的に変化させる。 - 特許庁

In the absorber made by covering a mixed layer of a fiber and an absorptive polymer with an upper layer sheet and a lower layer sheet, the absorbent polymer is formed of a liquid permeable high absorbency polymer and a high absorbency polymer featuring a large absorption quantity is applied to the top face of the lower layer sheet.例文帳に追加

繊維と吸水性ポリマーとの混合層を上層シートと下層シートにより被覆して成る吸収体において、前記吸水性ポリマーを通液性のよい高吸水性ポリマーで構成すると共に、前記下層シートの上面に吸収量のよい高吸水性ポリマーを塗設して吸収体を作製する。 - 特許庁

This liquid crystal display device is produced by forming scanning lines, gate electrodes 3a, signal lines 7 and thin film transistors on a transparent first substrate, forming color filters 9R, 9G, 9B as an upper layer all over the substrate including the aforementioned elements, forming an overcoat layer 10 on the color filters, and arranging pixel electrodes 11 and COM electrodes in the same layer on the overcoat layer.例文帳に追加

透明な第1の基板の上に走査線、ゲート電極3a、信号線7,薄膜トランジスタを形成し、これらを含む全体の上層にカラーフィルタ9R、9G、9Bを設け、カラーフィルタ上にオーバーコート層10を形成し、このオーバーコート層上に画素電極11とCOM電極を同じ層に配置する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having at least one magnetic recording layer containing magnetic particles on a supporting body, a lubricant- contg. layer containing each ≤100 μl/m2 of diacetone alcohol and/or ethylene glycol diacetate and/or 1-acetoxy-2-methoxyethene is formed as an upper layer on the face where the magnetic recording layer is formed.例文帳に追加

支持体上に少なくとも一層の磁性粒子を含む磁気記録層を有する磁気記録媒体において、該磁気記録層側の上層にジアセトンアルコールおよび/またはエチレングリコールジアセテートおよび/または1−アセトキシ−2−メトキシエタンを各100μl/m^2 以下の量含む滑り剤含有層を有する透明磁気記録媒体。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board (10) is arranged such that an external pad 41 is formed on a substantially flat part of the second conductor layer 35 in a built-up layer 30, and an internal pad 43 is formed on the upper surface part of a field via 36 produced by filling a via hole formed in the second conductor layer 35 of the built-up layer 30 with copper plating.例文帳に追加

多層プリント配線板10では、エクスターナルパッド41はビルドアップ層30の第2の導体層35の略平坦な部分に形成され、インターナルパッド43はビルドアップ層30の第2の導体層35に形成されたビアホールを銅めっきで充填したフィルドビア36の上面部分に形成されている。 - 特許庁

The substrate includes a resin layer 100, wiring layers 101-107 buried in the upper surface of the resin layer 100, and semi-cured vias 108, 109 having a sintering temperature equal to or lower than the softening temperature of the resin layer 100, and having one end in contact with the wiring layers 102, 106 and the other end exposed from the lower surface of the resin layer 100.例文帳に追加

樹脂層100と、樹脂層100の上面に埋設された配線層101〜107と、樹脂層100の軟化温度以下の焼結温度を有し、配線層102,106に一端が接触し且つ樹脂層100の下面から他端が露出した半硬化状態のビア108,109とを備える。 - 特許庁

The upper magnetic pole of the ID head has a structure wherein a third magnetic layer 11 consisting of the CoNiFe plated film or the like is laminated by adopting a first magnetic layer 13 consisting of the CoNiFe film, the CoNiFeX film or the like film-formed by the physical vapor growth method and a second magnetic layer 14 consisting of a NiFe layer or the like as the seed layers.例文帳に追加

IDヘッドの上磁極を、物理的気層成長法により成膜したCoNiFe膜あるいはCoNiFeX膜などの第1の磁性層13、NiFe層などの第2の磁性層14をシードレイヤーとし、CoNiFeめっき膜などからなる第3の磁性層11を積層する構造とする。 - 特許庁

The process of forming the piezoelectric element 54 includes the process of forming a lower electrode 4 above the diaphragm, the process of forming an orientation layer 7 above the lower electrode, the process of forming a piezoelectric layer 5 above the orientation layer, and the process of forming an upper electrode 6 above the piezoelectric layer.例文帳に追加

前記圧電素子54を形成する工程は、前記振動板の上方に下部電極4を形成する工程と、前記下部電極の上方に配向層7を形成する工程と、前記配向層の上方に圧電体層5を形成する工程と、前記圧電体層の上方に上部電極6を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The elastic pavement body 10 is formed by laminating an upper layer elastic layer 2 containing a urethane binder, rubber chips and/or rubber powder, and aggregate, on a lower layer elastic layer 1 containing an asphalt-based binder including asphalt and an ethylene vinylacetate copolymer (EVA), rubber chips and/or rubber powder, and aggregate.例文帳に追加

アスファルトおよびエチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)を含むアスファルト系バインダーと、ゴムチップおよび/またはゴム粉末と、骨材とを含有する下層弾性層1と、ウレタンバインダーと、ゴムチップおよび/またはゴム粉末と、骨材とを含有する上層弾性層2とが積層されてなる弾性舗装体10である。 - 特許庁

The optical waveguide has the wettability changing layer which varies in wettability through the operation of a light catalyst accompanying energy irradiation so that the angle of contact with liquid decreases and contains no light catalyst, a core layer which is patterned on the wettability changing layer, and an upper clad layer which is so formed on the wettability changing layer as to cover the core layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下するように濡れ性が変化し、かつ光触媒を含まない濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層上にパターン状に形成されたコア層と、前記コア層を覆うように濡れ性変化層上に形成された上部クラッド層とを有することを特徴とする光導波路を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes a substrate 10, a lower electrode 20 formed above the substrate 10, the piezoelectric layer 30 formed above the lower electrode 20, an upper electrode 40 formed above the piezoelectric layer 30, a protection layer 60 formed on the lateral sides of the piezoelectric layer 30, and a self-organized monomolecular film 70 formed on the side of each of the protection layer 60 not facing the piezoelectric layer 30.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子100は、基板10と、基板10の上方に形成された下部電極20と、下部電極20の上方に形成された圧電体層30と、圧電体層30の上方に形成された上部電極40と、圧電体層30の側面に形成された保護層60と、保護層60の圧電体層30と反対側の面に形成された自己組織化単分子膜70と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a plurality of integrated photosensors arranged on the same substrate, each composed of at least a lower electrode layer 103, a semiconductor layer 105 and an upper electrode 107, comprises a step of forming an insulation film 108 on the surface of the electrode layer or the semiconductor layer and a step of scribing at least the electrode layer or the semiconductor layer, starting from the insulation film 108.例文帳に追加

少なくとも下部電極層103と、半導体層105と、上部電極層107とからなる光起電力素子を同一基板上に複数配列してなる集積型光起電力素子の製造方法において、電極層または半導体層の表面に絶縁膜108を形成する工程と、絶縁膜108側から少なくとも電極層または半導体層をスクライブする工程とを有する。 - 特許庁

In the multi-layer butt weld joint of a steel plate having a thickness of 50 mm or more, at least one weld layer among weld layers between surface weld layer and rear surface weld layer has a toughness superior than that of the other weld layers by being imparted with tempering effect when its upper layer is welded, and functions as a breakage resistant layer suppressing or stopping the propagation of brittle crack.例文帳に追加

板厚50mm以上の鋼板の多層盛突合せ溶接継手において、表面溶接層と裏面溶接層間の溶接層のうち、少なくとも一つの溶接層が、その上層の溶接層の溶接の際に焼戻し効果を付与されて他の溶接層より優れた靭性を有し、脆性き裂の伝播を抑制又は止める破壊抵抗層として機能する多層盛突合せ溶接継手とする。 - 特許庁

The capacitor is formed by forming a lower metal layer of at least one kind of valve metal selected from aluminum, tantalum, niobium, tungsten, vanadium, bismuth, titanium, zirconium or hafnium, a dielectric layer composed of an oxide of valve metal in the lower metal layer, an intermediate layer of solid state electrolyte, and an upper metal layer of electrode metal sequentially on an underlying wiring layer in a circuit board.例文帳に追加

回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも1種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of protecting a pixel zone and minimizing contact resistance between an upper electrode and an upper electrode power source line by effectively removing an organic layer outside the pixel zone upon connecting the upper electrode with the upper electrode power source line and improving light-emitting characteristics of an organic light-emitting element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when the auxiliary capacitor upper electrode 81b is exposed to the PE atmosphere during the process, the presence of the Mo layer 18b_2 on the surface of the auxiliary capacitor upper electrode 18b prevents damages on the auxiliary capacitor upper electrode 18b, which reduces short circuits between the auxiliary capacitor upper electrode 18b and the auxiliary capacitor electrode 18a.例文帳に追加

途中で補助容量上電極18bが露出してPE雰囲気に曝されても、補助容量上電極18bの表面にはMo層18b_2が存在しているために補助容量上電極18bはダメージを受けず、補助容量上電極18bと補助容量電極18aとの間の短絡が少なくなる。 - 特許庁

In a process where a counter board 2 is manufactured, an upper electrode, a first charge blocking layer, and a semiconductor layer 19 are laminated in this order on a support board, and then ceramic particles 23 are blown against the surface of the semiconductor layer 19 by the use of an abrasive discharge nozzle 22.例文帳に追加

対向基板2の製造工程において、支持基板上に上部電極、第1の電荷阻止層、半導体層19がこの順に形成された後、該半導体層19の表面に砥粒吐出ノズル22によりセラミック粒子23を吹き付ける。 - 特許庁

A yoke layer 135 is formed in contact with the main pole layer 24, and the width dimension of the yoke layer 135 gradually or continuously spreads toward the backside in the height direction, and toward a lower surface from an upper surface.例文帳に追加

前記主磁極層24に接してヨーク層135が形成されており、前記ヨーク層135は、ハイト方向後方に向かって、段階的または連続的に幅寸法が広がるとともに、上面から下面に向って段階的または連続的に幅寸法が広がる。 - 特許庁

A sheet body 2 includes a liquid-absorbing layer 3 which absorbs a drip coming out of the seafood portion 1b of a sushi 1, and a porous film 6 which overlies the upper surface of the liquid-absorbing layer 3 and is provided with a number of pores for leading the drip to the liquid-absorbing layer 3.例文帳に追加

シート本体2は、握り鮨1のたね部分1bから出るドリップを吸収する吸液層3と、吸液層3の上面に一体に積層されて、前記ドリップを吸液層3に導くための多数の小孔が全面的に設けられた多孔フィルム6とを含む。 - 特許庁

The upper surface layer 3 and the lower surface layer 5 are formed respectively of thermoplastic synthetic fibers 11 and 12, as main materials, each having a fiber length of 25-70 mm and a fineness of 0.7-3.5 dtex, while the intermediate layer 6 is formed of a pulp fiber 13 as the main material.例文帳に追加

上部表面層3と下部表面層5とのそれぞれは、繊維長25〜70mm、繊度0.7〜3.5dtexの熱可塑性合成繊維11,12のそれぞれを主体にして形成され、中間層6がパルプ繊維13を主体にして形成される。 - 特許庁

A p-side GRIN-SH layer 6 is constructed so as to make the composition continuously vary from a 1.15 μm band to InGaAlAs corresponding to a 1.0 μm band starting from the MQW absorption layer 5 to a p-type InP upper cladding layer 7.例文帳に追加

p側GRIN−SCH層6は、前記MQW吸収層5から図1に示したp型InP上部クラッド層7へ向かって、組成が1.15μm帯から1.0μm帯相当のInGaAlAsへと連続的に変化するように構成される。 - 特許庁

The semiconductor laser which is equipped with a refractive index waveguide structure and a current stricture structure and oscillates in basic lateral mode has light guide layers 5 and 7 above and below a quantum wall layer 6, and the upper light guide layer 7 is made thicker than the lower light guide layer 5.例文帳に追加

屈折率導波構造および電流狭窄構造を備えた基本横モード発振する半導体レーザにおいて、量子井戸層6の上下に光ガイド層5,7を備え、上部光ガイド層7の厚みを下部光ガイド層5の厚みより薄くする。 - 特許庁

Each conductive plug 15 of the cross-sectional form of almost a rectangle is connected between each upper Al wiring layer 14 and each lower Al wiring layer 13, but the plug 15 is formed in such a way that the half length of the plug 15 squeezes out from the layer 13.例文帳に追加

横断面形状が概略長方形の導電性プラグ15は上層Al配線層14と下層Al配線層13間に接続されるが、導電性プラグ15は下層Al配線層13から半分の長さがはみ出すように形成される。 - 特許庁

A light-reflecting layer 4 defining reflective display regions 31 and transmissive display regions 32 is formed in pixel regions 3, and a thickness- adjusting layer 6 having an opening 61 in regions corresponding to the transmissive display regions 32 is formed at the upper layer side.例文帳に追加

画素領域3には、反射表示領域31および透過表示領域32を規定する光反射層4が形成され、その上層側には、透過表示領域32に相当する領域が開口61となっている層厚調整層6が形成されている。 - 特許庁

When the cork layer 1a and a core sheet 1b are respectively used as upper and lower layers to be laminated integrally, the cork layer 1a mixed with a resin binder and sheetlike rubber cloth are superposed one upon another to be vulcanized and molded to form a coating film 1c on the surface of the cork layer 1a.例文帳に追加

コルク層1aを上層とし、芯板1bを下層として積層一体化させるとき、樹脂バインダーを混合したコルク層1aと、板状ゴム生地とを重ね合わせて加硫形成し、前記コルク層1aの表面に皮膜1cを形成せしめる。 - 特許庁

Since the write operation by the main pole layer 12 is carried out in the upper main pole layer 12B mainly at the medium outflow side, the expansion of the recording pattern due to the skew is suppressed as compared with the case the saturated flux density of the whole main pole layer 12 is larger.例文帳に追加

主磁極層12による書き込みは、主に媒体流出側の上部主磁極層12Bにおいて行われるため、主磁極層12全体の飽和磁束密度が大きい場合と比較して、スキューに起因する記録パターンの拡大が抑制される。 - 特許庁

This sheet for ink jet recording has a constitution wherein an adhesive layer containing a hydrophilic resin, an intermediate layer constituted mainly of polyvinyl acetal and an upper layer containing a non-dyeing pigment as the main pigment are provided, in the order of shorter distance to the base, on the base having transparency.例文帳に追加

透明性を有する基材上に、該基材に近い順に、親水性樹脂を含有する接着層、ポリビニルアセタールを主成分とする中間層および主顔料として非染着性顔料を含有する上層が設けられているインクジェット記録用シート。 - 特許庁

To provide a circuit board and its manufacturing method by which recessed and projecting parts producing on the upper surface of a conductor layer can be prevented, an insulator layer to be laminated on the conductor layer is jointed appropriately, and the reliability is improved.例文帳に追加

導電体層の上面に凹凸が生じることを防止して、その導電体層上に積層される絶縁体層を良好に接合することができ、信頼性を向上させることのできる、回路基板、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The bias magnetic layer 13 has a film thickness thicker than that of the laminate 2, and at least either of the upper and lower shield electrode layers 3 and 4 has an auxiliary shield layer 3b which shields level difference parts 16a and 16b formed by the laminate and the bias magnetic layer.例文帳に追加

バイアス磁性層13は積層体2より大きな膜厚を有し、上部及び下部シールド電極層3,4の少なくとも一方は、積層体とバイアス磁性層とによって形成される段差部16a,16bを埋める補助シールド層3bを有している。 - 特許庁

An upper insulation layer 15 is provided between a ferroelectric layer 14 and a gate electrode 16, reducing leakage current path from the ferroelectric layer 14 to the gate electrode 16, so that leakage current is reduced significantly, to improve the retention property of the memory device.例文帳に追加

強誘電体層14とゲート電極16間に上部絶縁層15を設けることにより、強誘電体層14からゲート電極16へのリーク電流経路を低減し、リーク電流を大幅に低減することにより、メモリ素子のリテンション特性を改善する。 - 特許庁

例文

A gate control type field emission structure comprises an emitter electrode (46), an electric insulating layer (48) to form the upper layer, and one or two or more electron emitting elements (52) installed in one or two or more aperture portions extended penetrating this insulating layer.例文帳に追加

ゲート制御式電界放出構造が、エミッタ電極(46)、上層をなす電気的絶縁性層(48)、この絶縁性層を貫通して延在する1または2以上の開口部分内に設置された1または2以上の電子放出性素子(52)を有する。 - 特許庁




  
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