「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

The area of an i layer(intrinsic semiconductor layer) delay electricity storage region 13a in the intrinsic semiconductor layer 13 except a region in contact with the contact hole 6 and a region where the drain electrode 5 exists on the upper side is set, based on effective application voltage to a liquid crystal.例文帳に追加

真正半導体層１３における、コンタクトホール６との接触領域と上側にドレイン電極５が存在する領域とを除くｉ層遅延蓄電領域１３ａの面積は、液晶への実効印加電圧に基づいて設定されている。 - 特許庁

To provide a method of appropriately manufacturing a joint plan panel for lining having a small block group partitioned by crack inducing joints in an upper layer 20a, embedding a net 25 in a lower layer 20b, and sticking a grass pressing sheet 36 to the lower face of the lower layer.例文帳に追加

上層部２０ａに割れ誘発目地で区画された小ブロック群を有し、下層部２０ｂにネット２５を埋設し、下層部下面に草押えシート３６を貼付した目地割りパネルを適正に製造できる覆工用目地割りパネルの製造法を提供する。 - 特許庁

Then, by performing heat treatment, for example, under a PH_3 atmosphere at 550°C while leaving the cap layer 16, thermal deformation is gradually generated from corner portions of the upper part of the cap layer 16 located around the recesses 17 by mass transport and the cap layer is started to flow into the recesses 17.例文帳に追加

その後、キャップ層１６を残したまま、例えば５５０℃のＰＨ_3雰囲気下で熱処理を行うことにより、マストランスポートにより、凹部１７の周囲に位置するキャップ層１６の上部の角部から徐々に熱変形し、凹部１７内に流れ込み始める。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

The circuit upper face pattern layer 2a or the circuit lower face pattern layer 4 and the intermediate pattern layer 3 are connected by a conductor film 2b with thermal conductivity of 50 W/(m K) or above, which is continuously formed on an inner wall face of the first back facing hole 9.例文帳に追加

回路上面パターン層２ａ又は回路下面パターン層４のいずれか１つと中間パターン層３が、第１のザグリ穴９の内壁面に連続して形成された熱伝導率５０Ｗ/(ｍ・Ｋ)以上の熱伝導体膜２ｂで接続されている。 - 特許庁

c. The anode light intensity of each lamp unit shall be such that within a cone comprising a boundary plane between the upper and lower layers of the anode light and the light source center and an axis formed by a cross-line of a vertical plane parallel to the runway centerline and the light source center as the apex with apical angle against the light source of 4 degrees, the lower layer shall be 15,000 candela or more and the upper layer shall be 2 times to 6.5 times of the intensity of the lower layer; and within a space corresponding to the locus in the case of a cone with said cross-line as an axis and the apex with an apical angle of 7 degrees is allowed to rotate around the apex for 4.5 degrees toward left and right along the boundary plane between the upper and lower layers of the anode light, the lower layer shall be 4,000 candela or more and the upper layer shall be 2 times to 6.5 times of the intensity of the lower layer. 例文帳に追加

ｃ　各灯器の光柱光度は、光柱の上層と下層との境界面と光源の中心を含み滑走路中心線に平行な鉛直面の交線を軸とし光源の中心を頂点とする頂角が四度である円錐内では、下層が一万五千カンデラ以上で上層が下層の光度の二倍以上六・五倍以下であり、かつ、当該交線を軸とし光源の中心を頂点とする頂角が七度である円錐を、光柱の上層と下層との境界面に沿つて当該頂点を支点として左右にそれぞれ四・五度回転させた場合における軌跡に相当する空間内では、下層が四千カンデラ以上で上層が下層の光度の二倍以上六・五倍以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

c. The anode light intensity of each lamp unit shall be such that within a cone comprising a boundary plane between the upper and lower layers of the anode light and the light source center and an axis formed by a cross-line of a vertical plane parallel to the runway centerline and the light source center as the apex with apical angle against the light source of 4 degrees, the lower layer shall be 5,000 candela or more and the upper layer shall be 2 times to 6.5 times of the intensity of the lower layer; and within a space corresponding to the locus in the case of a cone with said cross-line as an axis and the apex with an apical angle of 7 degrees is allowed to rotate around the apex for 4.5 degrees toward left and right along the boundary plane between the upper and lower layers of the anode light, the lower layer shall be 1,500 candela or more and the upper layer shall be 2 times to 6.5 times of the intensity of lower layer. 例文帳に追加

ｃ　各灯器の光柱光度は、光柱の上層と下層との境界面と光源の中心を含み滑走路中心線に平行な鉛直面の交線を軸とし光源の中心を頂点とする頂角が四度である円錐内では、下層が五千カンデラ以上で上層が下層の光度の二倍以上六・五倍以下であり、かつ、当該交線を軸とし光源の中心を頂点とする頂角が七度である円錐を、光柱の上層と下層との境界面に沿つて当該頂点を支点として左右にそれぞれ四・五度回転させた場合における軌跡に相当する空間内では、下層が千五百カンデラ以上で上層が下層の光度の二倍以上六・五倍以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The electric wiring substrate includes a first substrate, an adhesive layer provided on the upper surface of the first substrate, and a second substrate having the lower surface adhered with the adhesive layer and the upper surface provided with an electrode pad where a plurality of irregularities are provided on the upper surface of the first substrate or the lower surface of the second substrate, and the electrode pad is located above the projecting part of the irregularities.例文帳に追加

第１の基板と、前記第１の基板上面に設けられた接着層と、前記接着層と下面とが接着され、上面に電極パッドを有する第２の基板と、を具備する電気配線基板であって、前記第１の基板上面または前記第２の基板下面に複数の凹凸が設けられ、前記凹凸の凸部の上方に前記電極パッドが位置する。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor includes: an effective layer formed by alternately laminating inner electrodes and dielectric layers; and a protection layer formed by stacking dielectric layers on upper and lower surfaces of the effective layer, wherein the thickness of the protection layer is 10.0 to 30.0 times the sum of an average thickness of the inner electrodes and an average thickness of the dielectric layers within the effective layer.例文帳に追加

本発明による積層セラミックキャパシタは、内部電極及び誘電体層が交互に積層されて形成された有効層と、上記有効層の上面及び下面に誘電体層が積層されて形成された保護層とを含み、上記保護層の厚さは上記有効層内の内部電極の平均厚さと誘電体層の平均厚さの和の１０．０から３０．０倍である。 - 特許庁

The inorganic electroluminescent element at least includes: a substrate 18; a light-emitting active layer 11 including quantum dots and arranged above the substrate; the insulating layer 15 arranged between the substrate 18 and the light-emitting active layer 11; a lower part electrode 17 arranged between the substrate 18 and the insulating layer 15; and an upper electrode 16 arranged above the light-emitting active layer 11.例文帳に追加

無機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１８と、量子ドットを含み且つ基板の上方に配置される発光活性層１１と、基板１８と発光活性層１１の間に配置される絶縁層１５と、基板１８と絶縁層１５の間に配置される下部電極１７と、発光活性層１１の上方に配置される上部電極１６とを少なくとも有する。 - 特許庁

In this manner, even if the upper-layer ultraviolet curing resin 2A and the lower-layer ultraviolet curing resin 3A, namely liquid synthetic resins for sealing adhesives are used, the liquid lower-layer ultraviolet curing resin 3A is cured and the lower-layer sealing material layer 3 is formed and then the solar battery cell 4 is disposed, thus easily disposing the solar battery cell 4 and securing alignment precision.例文帳に追加

このように、液状の封止接着剤用合成樹脂である上層紫外線硬化樹脂２Ａ及び下層紫外線硬化樹脂３Ａを用いる場合であっても、液状の下層紫外線硬化樹脂３Ａを硬化させて下層封止材層３を形成した後に太陽電池セル４を配置するため、太陽電池セル４を容易に配置でき、アライメント精度を確保することができる。 - 特許庁

A memory string MS includes a memory columnar semiconductor layer 36, a charge storage layer which includes a memory gate insulating layer 35 formed to surround a side surface of the memory columnar semiconductor layer 36, four-word line conductive layers 31a-31d formed to surround the memory gate insulating layer 35, and two protection layers 33a, 33b protecting upper parts of the word line conductive layers 30a-30d.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、メモリ柱状半導体層３６と、メモリ柱状半導体層３６の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層を含むメモリゲート絶縁層３５と、メモリゲート絶縁層３５を取り囲むように形成された４層のワード線導電層３１ａ〜３１ｄと、ワード線導電層３１ａ〜３１ｄの上部を保護する２層の保護層３３ａ、３３ｂとを備える。 - 特許庁

A search control unit 40 sets a search range in the reference image in a layer higher by one layer than the marked layer in accordance with the initial search point determined by the determining unit 70 as a reference, allows the search unit 30 to carry out a search process within the search range and controls the search unit 30 to carry out the search process from a lower layer to an upper layer.例文帳に追加

探索制御部４０は、決定部７０により決定された初期探索点を基準として、注目階層の１つ上の階層の参照画像における探索範囲を設定し、探索範囲内において探索部３０に探索処理を実行させ、当該探索処理が下位の階層から上位の階層に向けて実行されるように探索部３０を制御する。 - 特許庁

The step of growing the group III nitride semiconductor layer 12 includes: the step of growing the first group III nitride semiconductor layer 121 by three-dimensional growth while growing facet structure on the upper part of carbide layer 11; and the step of forming the second group III nitride semiconductor layer 122 on the first group III nitride semiconductor layer 121 by two-dimensional growth.例文帳に追加

III族窒化物半導体層１２を成長させる工程は、炭化物層１１の上部にファセット構造を形成しながら、３次元成長により第一のIII族窒化物半導体層１２１を成長させる工程と、第一のIII族窒化物半導体層１２１上に２次元成長により第二のIII族窒化物半導体層１２２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To prevent loss caused by bleeding of light from increasing by making an upper side clad layer maintain a proper thickness even if a carrier traveling time is reduced by thickening an optical absorption layer, by making a simple change to a constitution relationship between an optical waveguide layer for inputting an optical signal and an optical waveguide layer below an optical absorption layer in a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードに関し、光信号を入力する光導波路層と光吸収層下の光導波路層との構成関係に簡単な改変を加えることで、光吸収層を薄くしてキャリヤ走行時間が低減されるようにしても上側クラッド層は適正な厚さを維持できるようにして、光の滲み出しに起因する損失が大きくならないようにする。 - 特許庁

This ferroelectric capacitor comprises a first electrode layer (a lower electrode 31) formed of a compound including a first metal and a second metal which are at least any one of Ir and Ru, a ferroelectric layer 32 formed on the first electrode layer, and a second electrode layer (an upper electrode 33) formed on the ferroelectric layer 32.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタは、ＩｒおよびＲｕのうち、少なくとも何れか一つの第１金属と、第２金属と、を含む化合物より形成された第１電極層（下部電極３１）と、第１電極層上に形成された強誘電体層３２と、強誘電体層３２上に形成された第２電極層（上部電極３３）と、を備えている。 - 特許庁

A multilayered magnetic recording medium, suitable for high recording density and digital recording, having superior electromagnetic recording characteristics and improved surface smoothness and capable of sufficiently absorbing a large quantity of lubricant in the lower side layer, is provided with an upper-side magnetic recording layer, having less than 0.5 μm layer thickness and at least one layer of lower side layer which includes the magnetically soft pigment.例文帳に追加

高記録密度及びディジタル記録に適し、そして優れた電磁記録特性、改良された表面平滑性を有し、さらに下側層に十分に大量の潤滑剤を吸収することができる記録媒体で、層厚が０．５μｍ未満の上側の磁気記録層、及び磁気的に柔かい顔料を含む、少なくとも１層の下側層が設けられた多層磁気記録媒体。 - 特許庁

The reversible thermal recording medium 1 has a reversible thermal recording layer 6 that consists of a resin matrix and particles having organic acid dispersed therein, and becomes transparent or a white turbid state through heating, in which ceramics 5 are added to irradiate infrared rays on at least one layer of the recording layer 6, upper layer thereof, or lower layer thereof.例文帳に追加

樹脂母材とこれに有機酸を主成分とする粒子を分散してなる加熱により可逆的に透明あるいは白濁状態となる可逆性感熱記録層を有する可逆性感熱記録媒体において、この記録層、その上の層、若しくはその下の層の少なくとも１つの層に遠赤外線を放射するセラミクスを添加したことを特徴とする可逆性感熱記録媒体。 - 特許庁

The optical coupler includes a dielectric layer and a semiconductor crystal layer on a substrate, at least a part of the semiconductor crystal layer has a vertical tapered structure in which the thickness perpendicular to the substrate plane gradually varies along the light propagation direction, and the roughness of the upper face of the vertical tapered structure is in the order of one layer of molecules composing the semiconductor crystal layer.例文帳に追加

基板上に誘電体層と半導体結晶層を有し、この半導体結晶層の少なくとも一部に光の伝搬方向に沿って基板平面に垂直方向の厚さが徐々に変化する垂直方向テーパ構造を有し、この垂直方向テーパ構造部の上面のラフネスが前記半導体結晶層を構成する原子１層分程度である、光結合器。 - 特許庁

A method includes the steps of: supplying a substrate; forming a base electrode pattern on the substrate; forming a phase change layer pattern in the base electrode pattern; forming a dielectric layer pattern in the phase change layer pattern; forming a spacer structure between openings in the dielectric layer pattern; and depositing an upper electrode pattern on the dielectric layer pattern.例文帳に追加

基板を提供する工程と、上記基板に基底電極パターンを形成する工程と、上記基底の電極パターンに位相変化層パターンを形成する工程と、上記位相変化層パターンに誘電層パターンを形成する工程と、上記誘電層パターンの開口の間にスペーサ構造を形成する工程と、上記誘電層パターンに上部電極パターンを沈殿する工程を備える - 特許庁

This method of manufacturing a piezoelectric element includes processes of: forming a lower electrode on a base body; forming a seed layer having a layered perovskite structure on the lower electrode; forming a piezoelectric body layer formed of Bi_4Ti_3O_12-BaBi_4Ti_4O_15 on the seed layer; and forming an upper layer on the piezoelectric body layer.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子の製造方法は、基体の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に層状ペロブスカイト構造を有するシード層を形成する工程と、前記シード層の上にＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２−ＢａＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層の上に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element of an upper surface light-emitting type, which has a multilayered anode composed of an hole injection electrode layer and a reflective film layer, in which a luminous efficiency is enhanced by reflecting light generated in a light emission layer by the reflective film layer having a high reflection factor as soon as the hole injection electrode layer injects holes.例文帳に追加

ホール注入電極層と反射膜層とからなる多層構造のアノードを上面発光型の有機電界発光素子に採用し，ホール注入電極層が有機層へホールの注入を行うと同時に，高い反射率を有する反射膜層が発光層にて生成された光をカソード方向に反射することにより，有機電界発光素子の発光効率を高める。 - 特許庁

A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁

On the layer 11, an undoped lower GaAs spacer layer 4, a multi-quantum well active layer composed of three active layers (quantum well active layer) 12 as Ga_xIn_1-xAs quantum well layers and GaAs barrier layers (20 nm) 13, and an undoped upper GaAs spacer layer 4 are laminated to form a resonator which has a thickness λ of one oscillation wavelength λin a medium.例文帳に追加

そしてその上にアンドープ下部ＧａＡｓスペーサ層４と、３層のＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＡｓ量子井戸層である活性層（量子井戸活性層）１２とＧａＡｓバリア層（２０ｎｍ）１３からなる多重量子井戸活性層と、アンドープ上部ＧａＡｓスペーサ層４とが積層されて、媒質内における発振波長λの１波長分の厚さ（λの厚さ）の共振器を形成している。 - 特許庁

A planar cell 100 comprises: a negative electrode structure layer 110; a first separator 120 placed on the negative electrode structure layer 110; a chlorophyll layer 130 placed on the first separator 120; a second separator 140 placed on the chlorophyll layer 130; a positive electrode structure layer 150 placed on the second separator 140; an upper flat plate 160; and a lower flat plate 170.例文帳に追加

本発明に係る平板電池１００は、負極構造層１１０と、負極構造層１１０上に設けられる第一セパレータ１２０と、第一セパレータ１２０上に設けられる葉緑素層１３０と、葉緑素層１３０上に設けられる第二セパレータ１４０と、第二セパレータ１４０上に設けられる正極構造層１５０と、上平板１６０と、下平板１７０と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a first substrate 10, a second substrate 20 and a liquid crystal layer 5, an optical reflection layer 4 stipulating the reflection display area 31 and the transmission display area 32 is formed in the pixel area 3 and a layer thickness adjusting layer 6 in which an area equivalent to the transmission display area 32 is turned to an opening 40 is formed on the upper layer side.例文帳に追加

第１の基板１０と、第２の基板２０と、液晶層５とを有する液晶表示装置で、画素領域３には、反射表示領域３１および透過表示領域３２を規定する光反射層４が形成され、その上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口４０となっている層厚調整層６が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 1, an undoped channel layer 4 formed on the substrate 1, two supply layers 3 and 5 provided on and under the channel layer and doped with impurities, a metallic gate electrode 7 formed on the upper supply layer 5 constituting the two supply layers, and a semiconductor gate layer 2 formed under the lower supply layer 3 constituting the two supply layers.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたアンドープのチャネル層４と、チャネル層を挟んで上下に設けられ、不純物をドープされた２つの供給層３，５と、２つの供給層を構成する上部供給層５の上側に形成された金属ゲート電極７と、２つの供給層を構成する下部供給層３の下側に形成された半導体ゲート層２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor layer 24 of the upper semiconductor multilayer 26 is partially removed to the optical waveguide, and the semiconductor layer 3 of the lower semiconductor multilayer 5 is also partially removed to the optical waveguide, making a DBR structure which consists of an air space 24a and the semiconductor layer 25, and another DBR structure which consists of an air layer 3a and the semiconductor layer 4.例文帳に追加

上部多層半導体層２６を一部の半導体層／半導体層を残して半導体層２４を光導波部まで取り除き、下部多層半導体層５も一部の半導体層／半導体層を残して半導体層３を光導波部まで取り除き、各々空気層２４ａ／半導体層２５ＤＢＲ構造、空気層３ａ／半導体層４のＤＢＲ構造とする。 - 特許庁

A wiring 40 and a plating post 42 are covered with a resin insulation layer 46, the plating post and the resin insulation layer 46 are polished, and they are connected to an upper wiring 140 with the plating post 42 in between.例文帳に追加

配線４０及びめっきポスト４２を樹脂絶縁層４６で覆い、該めっきポスト及び樹脂絶縁層４６を研磨した上に、該めっきポスト４２を介して上層の配線１４０との接続を行っている。 - 特許庁

If the objective optical characteristics are judged as out of the allowance, the step S5 is then carried change the film thickness of the upper layer than the layer having the changed film thickness so as to obtain desired optical characteristics.例文帳に追加

目的とする光学特性が許容範囲に入っていないと判断された場合は、ステップＳ５に移行し、膜厚を変更した層より上層の膜厚を変更して所望の光学特性が得られるようにする。 - 特許庁

A fitting portion is formed on the lower end face of the first connecting column positioned at the lowermost level, and a thick covering layer 3a thicker than the covering layer on the lower portion of the base pillar 1 is formed on the upper portion of the base pillar 1 to be fitted with the fitting portion.例文帳に追加

最下位置の第１接続柱４ａの下端面に嵌合部を設け、その嵌合部と嵌合する台柱１の上側部分に、下側部分よりも厚みの大きい厚肉被覆層３ａを設ける。 - 特許庁

Since an inclined belt layer 24 is disposed only on an upper shoulder part side of a spiral belt layer 22, a part of low rigidity of the tread is brought into contact with the ground when a two-wheeler travels, and the ride comfort and the vibration absorption property are improved.例文帳に追加

スパイラルベルト層２２の上部ショルダー部側にのみ傾斜ベルト層２４を配置したので、直進走行時にはトレッドの剛性の低い部分が接地し、乗り心地性及び振動吸収性が向上する。 - 特許庁

The ground surface 1 is covered with a vegetation bedrock layer 4; the whole surface or periphery of the bedrock layer 4 is covered with an upper side wire net 5 whose mesh has a diameter of 16 mm or less; and the wire net 5 is fixed from above by means of an anchor pin 6.例文帳に追加

地盤面１を植生基盤層４で被覆し、該植生基盤層４の表面全体または周囲を径１６mm以下の網目の上側金網５で被覆し、その上からアンカーピン６で固定する。 - 特許庁

The lower layer 31 including MoSi_2 as a main component also has a function for preventing moisture or oxygen passing the upper layer 32 from invading the multilayered film 20, and is excellent from the viewpoint of oxidation resistance.例文帳に追加

このようにＭｏＳｉ_２を主成分とする下部層３１は、上部層３２を通過した水分や酸素が多層膜２０に侵入することを阻止する機能も有し、耐酸化性の観点でも優れたものとなっている。 - 特許庁

An input electrode pattern 7 and an output electrode pattern 8 are formed on the upper face of the insulating layer 18 (Fig. 1 (d)), and in addition, the insulating layer 18 is arranged on the patterns 7 and 8 by covering them (Fig. 1 (e)).例文帳に追加

絶縁層１８の上面に入力電極パターン７及び出力電極パターン８を形成し（図１（ｄ））、さらにこれらパターン７，８の上方にこれらを覆って絶縁層１８を設ける（図１（ｅ））。 - 特許庁

A newly constructed trunk road 30 is included in the latest route calculation data indicated in an upper layer, but it is not included in the road data before update recorded in an HDD indicated in a lower layer.例文帳に追加

新設された幹線道路３０は、上側の層に示す最新の経路計算データの中には含まれているが、下側の層に示すＨＤＤに記録されている更新前の道路データの中には含まれていない。 - 特許庁

This cushion and bedding are constituted into jigsaw puzzle type forming a two-dimensional and mechanical recessed hole in a sheet or three-dimensional type removing a small sponge piece from the upper layer of two-layer structure using weak adhesion type adhesive.例文帳に追加

このために、シートに２次元機械的凹穴を造るジグソーパズル方式、および、弱粘着性接着剤を用いた２層構造の上層からスポンジ小片を抜き去り、３次元的方式の座布団と布団。 - 特許庁

The resin film comprising a polyester resin is composed of an upper layer part with a double refractive index of 0.040-0.070 and a thickness of 1-4 μm and a lower layer part with a double refractive index of 0.035 or below and a thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂からなる樹脂皮膜が、複屈折率が０．０４０〜０．０７０である厚さ１〜４μｍの上層部と、複屈折率が０．０３５以下である厚さ１０〜２５μｍの下層部からなる。 - 特許庁

A conductive member 6 is formed on the substrate 1 and partitions 4 each having an upper part of a conductive layer part 4-1 and a bottom part of an insulating layer part 4-2 on the substrate 1 side are formed on the conductive member 6.例文帳に追加

基板１上に導電部材６を形成し、導電部材６上に、上部が導電性層部分４−１であり、基板１側の底部が絶縁性層部分４−２である隔壁４を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic head which has improved resistance properties against an external electric field noise by making a deformity part not to occur in a lower magnetic pole when forming the lower magnetic pole in a same shape with a lower shield layer and an upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層と同形に下部磁極を形成する際に、下部磁極に変形部が生じないようにして、外部の電界ノイズに対する耐性を向上させた磁気ヘッドとして提供する。 - 特許庁

In the lateral electric field type liquid crystal display device, a comb teeth end part (D part) of a pixel electrode 206 integrated with a source electrode is opened in the vicinity of a contact hole 212 between an upper layer common electrode 210 and a lower layer common signal wire 202.例文帳に追加

上層の共通電極２１０と下層の共通信号配線２０２間のコンタクトホール２１２の周辺において、ソース電極と一体化した画素電極２０６の櫛歯終端部（Ｄ部）は開放している。 - 特許庁

The magnetic material layer 10 comprises a ferromagnetic material, for example, of NiFe (nickel iron) as a material, and serves as a role of reducing the saturation magnetic flux density of a magnetoresistance element 6 in an upper face of the magnetic material layer 10.例文帳に追加

この磁性体層１０は、例えばNiFe（ニッケル鉄）の強磁性体を材質とするとともに、磁性体層１０の上部にある磁気抵抗素子６の飽和磁束密度を低減させる役目を果たしている。 - 特許庁

A relief printing plate having linear or dashed line-like cut-out parts 7 at upper surface ends of its projecting parts 6 for incising an ink layer is used as a relief printing plate 3 for transferring and removing unnecessary parts of the ink layer.例文帳に追加

インク層の不要部を転写除去する凸版３として、その凸部６の上面端部にインク層に切り込みを入れるための線状もしくは破線状の切り込み部７を有した凸版を用いること。 - 特許庁

The ratio of the thickness to the width of the coil wire of the planar coil buried between the lower magnetic layer and the upper magnetic layer is set to 0.8 or over, and the ratio of the interval between coil wires to the width of the coil wire is set to 0.2 or over.例文帳に追加

下部磁性層と上部磁性層との間に埋設した平面コイルのコイル線の幅に対する厚さの比を 0.8以上にすると共に、コイル線の幅に対するコイル線間隔の比を 0.2以上にする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition with which it is possible to form a high resolution resist pattern with low line edge roughness, and which is used as an upper layer resist of a two layer resist process and a method for forming the resist pattern.例文帳に追加

低ラインエッジラフネスで、高解像度なレジストパターンを形成することが可能となり、２層レジストプロセスの上層レジストとして用いることができる感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁