「write」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

Upon receipt of write error information showing that a write error has occurred in a storage apparatus 2a during the redundant recovery, an error information receiving means 1c stores the identification information of the storage apparatus 2a where the write error occurs in an error storage means 1d.例文帳に追加

エラー情報受信手段１ｃは、二重化復旧処理中に、ストレージ装置２ａにおけるライトエラーの発生を示すライトエラー情報を受け取ると、ライトエラーが発生したストレージ装置２ａの識別情報をエラー記憶手段１ｄに格納する。 - 特許庁

A monitoring camera 2 includes: a write-time detection part 171 which detects a write time required for writing data to a memory card 30; and a storage performance inspection part 172 which inspects storage performance of the memory card 30 on the basis of the detected write time.例文帳に追加

監視カメラ２は、メモリカード３０へのデータの書き込みに要する書込時間を検出する書込時間検出部１７１と、検出された書込時間に基づいてメモリカード３０の記憶性能を検査する記憶性能検査部１７２とを備える。 - 特許庁

In a matrix formed using a plurality of memory cells in each of which a drain of a write transistor is connected to a gate of a read transistor, and the drain is connected to one electrode of a capacitor, a gate of the write transistor is connected to a write word line.例文帳に追加

書き込みトランジスタのドレインと読み出しトランジスタのゲート、および、前記ドレインとキャパシタの一方の電極を接続した記憶セルを複数用いて形成されたマトリクスにおいて、書き込みトランジスタのゲートを書き込みワード線に接続する。 - 特許庁

The odd write signal generation circuit generates an odd write address signal WA-O while using 1 as an initial value and 127 as a maximum address together with an odd write enable signal WE-O with the signal WE as reference and supplies it to the SRAM 3.例文帳に追加

奇数ライト信号生成回路は、ライトイネーブル信号ＷＥを基準に、１を初期値とし１２７を最大アドレスとする奇数ライトアドレス信号ＷＡ＿Ｏを奇数ライトイネーブル信号ＷＥ＿Ｏとともに生成して、ＳＲＡＭ３に供給する。 - 特許庁

Cache memories 13A and 13B for an SSD with low write performance are provided, separately from cache memories 12A and 12B for an HDD even when there is a difference in write performance of write data from cache memories to an HDD and an SSD.例文帳に追加

ＨＤＤおよびＳＳＤに、キャッシュメモリからのライトデータの書込み性能に優劣があっても、書込み性能が低いＳＳＤに対するキャッシュメモリ１３Ａ，１３ＢをＨＤＤに対するキャッシュメモリ１２Ａ，１２Ｂから区別して設けた。 - 特許庁

In writing information onto a recording medium 2, a write control means 4 specifies a write interrupt condition and temporarily interrupts write operations of the information to the recording medium 2 when the interrupt condition is satisfied.例文帳に追加

記録媒体２に対して情報を書き込むに際して、書き込みの中断条件を書き込み制御手段４が規定するとともに中断条件に合致する場合に記録媒体２への情報の書き込み動作を一時的に中断させる。 - 特許庁

When voltage VPASS being higher than power source voltage VCC and lower than write voltage VPGM is applied to the control gate of the memory cell of non-selection during write operation, voltage VRDEC being higher than voltage VPASS and not more than write voltage VPGM are applied to the gate of the transfer transistor.例文帳に追加

書き込み動作時に、非選択のメモリセルの制御ゲートに、電源電圧ＶCCより高く、書き込み電圧ＶPGMより低い電圧ＶPASSが印加されるとき、転送トランジスタのゲートに電圧ＶPASSより高く、書き込み電圧ＶPGM以下の電圧ＶRDECが印加される。 - 特許庁

Thereby, in the process of '01' write-in processing and write-in verifying processing, for even a bit which is discriminated as verify-pass due to any cause, when it is decided as fail by this operation, write-in voltage is applied again, and the prescribed threshold voltage can be obtained.例文帳に追加

これにより、“０１”書き込み処理、書き込みベリファイ処理の途中に、何らかの原因でベリファイパスと判定されたビットでも、この動作でフェイルと判定されれば再び書き込み電圧が印加され、所定のしきい電圧にすることができる。 - 特許庁

The respective pieces of equipment to be set write the transferred data in ROMs 2c, 3c, etc., and when write of the data is completed, notify the setting device of data that the write is completed in the inverse route of the one for transfer, respectively.例文帳に追加

各被設定機器は前記転送データをＲＯＭ2c、3c等に書き込み、同書き込みを完了したときには、各被設定機器それぞれが前記転送のルートとは反対のルートで設定装置１に対し、それぞれ書込み完了の旨のデータを通知する。 - 特許庁

Overshoot control circuits 30a and 30b add an overshoot current corresponding to the write current to the write current Iw flowing to the magnetic head 12 in a prescribed overshoot period during which the direction of the write current Iw flowing to the magnetic head 12 changes.例文帳に追加

オーバーシュート制御回路３０ａ、３０ｂは、磁気ヘッド１２に流れる書込電流Ｉｗの向きが変化する所定のオーバーシュート期間中、磁気ヘッド１２に流れる書込電流Ｉｗに、書込電流に応じたオーバーシュート電流を加算する。 - 特許庁

To deal with the trouble of a multiprocessor system where processors each with a write-back cache memory are connected to a bus, by specifying the processor which issued a write-back in the event of trouble at the time of the write-back, without modifying the architecture of the processor.例文帳に追加

ライトバック方式キャッシュメモリを搭載したプロセッサをバス接続したマルチプロセッサシステムにおいて、プロセッサのアーキテクチャを変更することなく、ライトバック時に障害が発生した際、ライトバックを発行したプロセッサを特定して障害処理を行う。 - 特許庁

In a phase change memory cell MC, a write voltage is transmitted from a write voltage generation circuit 24 to a bit line BL to which a selection memory cell MC is connected, and then a word line WL is driven to a selection state to supply a write current to the memory cell.例文帳に追加

相変化メモリセル（ＭＣ）において、選択メモリセル（ＭＣ）が接続されるビット線（ＢＬ）に、書込電圧を書込電圧発生回路（２４）から伝達した後、ワード線（ＷＬ）を選択状態へ駆動し、書込電流をメモリセルに供給する。 - 特許庁

By making a positioning setting projecting part 47 abut on a write-in head positioning member 43 abutting on the outer peripheral surface of an image carrier 9, a write-in head 15 is positioned with respect to the image carrier 9, whereby the write-in gap Gw is set.例文帳に追加

像担持体９の外周面に当接する書込みヘッド位置決め部材４３に位置決め設定突出部４７が当接することで書込みヘッド１５が像担持体９に対して位置決めされて、書込みギャップＧｗが設定される。 - 特許庁

In response to the write command and a precharge command, the control signal generating circuit 32 generates active enable signals ϕWBA0 and ϕWBA1 and the read preamplifier and write buffers 9a and 9b write data stored in FIFOs 8a and 8b to memory cells 1a and 1b.例文帳に追加

ライトコマンド、プリチャージコマンドに応答して、制御信号発生回路３２は活性のイネーブル信号φＷＢＡ０，φＷＢＡ１を発生し、リードプリアンプ＆ライトバッファ９ａ，９ｂは、ＦＩＦＯ８ａ，８ｂに記憶されたデータをメモリセル１ａ，１ｂへ書込む。 - 特許庁

When the computer system accepts directions of memory dump, the read cache domain and write cache domain which completes write-in to the data storing part 25 among the write cache domain are assigned as a dump cache domain 23d which maintains the dumped memory contents temporarily.例文帳に追加

メモリダンプの指示があった場合に、リードキャッシュ領域と、ライトキャッシュ領域の内でデータ格納部２５への書き込みが終了しているライトキャッシュ領域とを、ダンプするメモリ内容を一時保持するダンプキャッシュ領域２３ｄとして割り当てる。 - 特許庁

To surely prevent multiple selection of a write/erasure execution bank and a read execution bank in starting and finishing write/erasure operation, and in switching temporary interruption and recovery, in a flash memory in which the write/erasure operation and read operation can be simultaneously executed.例文帳に追加

書き込み／消去動作と読み出し動作を同時実行可能なフラッシュメモリで、書き込み／消去動作の開始時や終了時、一時中断や復帰時の切換時に、書き込み／消去実行バンクと読み出し実行バンクの多重選択を確実に防止する。 - 特許庁

Write bit lines (WBL0, WBL1) are arranged in a direction orthogonal to an easy axis (EX) of magnetization of a variable magnetoresistive element (VR), and write bit line drive circuits (22U, 22L) supply currents to the bit lines in directions corresponding to write data.例文帳に追加

可変磁気抵抗素子（ＶＲ）の磁化容易軸（ＥＸ）と直交する方向に書込ビット線（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を配置し、書込ビット線ドライブ回路（２２Ｕ，２２Ｌ）により、書込データに応じた方向に、書込ビット線に電流を流す。 - 特許庁

Adjusting circuits (10a-10c) are provided corresponding to each row of memory cells (MCA-MCC) at write-in of data, data-holding characteristic at write-in of data of the memory cell is made to be degraded, conforming to a row-selecting signal and a write-in indicating signal on a word line.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣＡ−ＭＣＣ）の各行に対応して調整回路（１０ａ−１０ｃ）を設け、データ書込時に、ワード線上の行選択信号および書込指示信号に従ってメモリセルのデータ書込時のデータ保持特性を低下させる。 - 特許庁

The write assist layer is a ferromagnetic material that has a Curie temperature less than the operating temperature of the disk drive so that at operating temperature and in the absence of a write field, the write assist layer is in its paramagnetic state and has no remanent magnetization.例文帳に追加

ｐ−ＷＡＬは、ディスク・ドライブの動作温度より低いキュリー温度を持つ強磁性材料でできており、動作温度にあって書き込み磁界が存在しない場合には、ｐ−ＷＡＬは常磁性状態にあり残留磁気を持たない。 - 特許庁

The host computer 10 writes valid data transferred from the memory controller 20 in the first data buffer, transfers a write burst data block to the second data buffer to write it and outputs the write burst data block to the system bus 11 in a valid data transfer clock cycle.例文帳に追加

ホストコンピュータは、メモリコントローラから転送される有効データを第１のデータバッファに書き込み、ライトバーストデータブロックを第２のデータバッファに転送して書き込み、かつライトバーストデータブロックを有効データ転送クロックサイクルにシステムバスに出力する。 - 特許庁

Write processing can be performed simultaneously and parallelly with performing read processing by performing the write processing while alternately switching the two write modes and also performing the read processing while alternately switching the two read modes.例文帳に追加

二つの書込みモードを交互に切り替えながら書き込み処理を行うと共に、二つの読出しモードを交互に切り替えながら読み出し処理を行うことにより、読み出し処理を行うのと同時並行的に、書き込み処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide an electric charges saving type write-in method and a device for reducing an average write-in current in an integrated circuit magnetic resistance random access memory (MRAM) system.例文帳に追加

集積回路（IC）磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（MRAM）システムにおける平均的書込電流を低減するための電荷節約書込方法および装置を提供する。 - 特許庁

When a reproduction switch 17 (Figure 1) is operated at a time Y, the control circuit 9 deactivates a write control signal to allow the memory 12 (Figure 1) to interrupt write operations.例文帳に追加

タイミングＹの時点で再生スイッチ１７(図１)が操作されると、制御回路９は、書き込み制御信号を非アクティブにしてメモリ１２(図１)に書き込み動作を中断させる。 - 特許庁

A word fine current control circuit 40 forms and cuts off a current path in the write-word line WWL corresponding to each of data write-in and data read-out.例文帳に追加

ワード線電流制御回路４０は、データ書込時およびデータ読出時のそれぞれに対応して、ライトワード線ＷＷＬにおける電流経路を形成および遮断する。 - 特許庁

The CPU outputs a read command signal in response to a data read request signal, and outputs a write command signal in response to a data write request signal.例文帳に追加

ＣＰＵはデータ読出し要請信号に応答して読出しコマンド信号を出力し、データ書込み要請信号に応答して書込みコマンド信号を出力する。 - 特許庁

To a memory 7 for application program(AP) storage, the new write or additional write of a point application program applied from an information processing terminal 3 is performed by a CPU 5.例文帳に追加

アプリケーションプログラム格納用メモリ７には、情報処理端末３から与えられるポイント付与プログラムの新たな書込みや、追加書込み等がＣＰＵ５によって行われる。 - 特許庁

And when refresh-operation, normal read-out operation of data, or write-in operation of data are not overlapped, data held in the write-data buffer 4 is rewritten in a corresponding memory cell.例文帳に追加

そして、リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出しまたは書き込み動作とが重ならないときに、対応するメモリセルにライトデータバッファ４の保持データを書き戻す。 - 特許庁

To provide a use environment similar to that of a rewritable optical disk to a write once optical disk while maintaining the functions of a conventional write once optical disk.例文帳に追加

本発明の目的は、従来の追記型光ディスクの機能を維持しつつ、追記型光ディスクに書き換え型光ディスク同様の使用環境を与えることにある。 - 特許庁

In a memory element 403 of (j) row and (k) column, a write-in line of the (j+1)th row and a write-in line of the (k+1)th column are arranged so as to overlap at intersection.例文帳に追加

ｊ行ｋ列のメモリ素子４０３は、（ｊ＋１）行の書き込み線と（ｋ＋１）列目の書き込み線とが交差する位置に重なるように配設されている。 - 特許庁

To eliminate the influence of external light as noise and to increase the use efficiency of light of write light when image data are written to an optical write type spatial optical modulation element.例文帳に追加

光書き込み型空間光変調素子に画像データを書き込む際、ノイズとなる外部からの光の影響を無くすとともに、書き込み光の光利用効率を高める。 - 特許庁

Moreover, the image recording apparatus 2 changes over a write pitch of an image recording means 29 to a write pitch conformed to the kind of the medical image, and makes the medical image recorded to the recording medium of the suitable density.例文帳に追加

また、画像記録手段２９の書込ピッチを医用画像の種別に応じた書込ピッチに切り替えて、濃度の適した記録媒体に医用画像を記録させる。 - 特許庁

To keep a write-data-mask function even when operation speed of an operation frequency is increased, with respect to a semiconductor memory provided with a write-data mask function.例文帳に追加

ライトデータマスク機能を備える半導体記憶装置に関し、動作周波数が更に高速化された場合であっても、ライトデータマスク機能を維持することができるようにする。 - 特許庁

To sharply shorten write time of data in nonvolatile semiconductor memory by eliminating overheads in a whole bit write termination determination operation which will terminate in fail.例文帳に追加

フェイル終了するであろう全ビット書き込み終了判定動作のオーバヘッドをなくし、不揮発性半導体メモリにおけるデータの書き込み時間を大幅に短縮する。 - 特許庁

A Write/Read pointer generating part 41 generates a Write pointer for writing data into the data output buffer and a Read pointer for reading out data.例文帳に追加

Ｗｒｉｔｅ／Ｒｅａｄポインタ生成部４１は、データ出力バッファにデータを書き込むためのＷｒｉｔｅポインタ、データを読み出すためのＲｅａｄポインタを生成する。 - 特許庁

When a write command is received in the reception part, the write part writes data to the block corresponding to the selected channel number among the plurality of blocks constituting the set.例文帳に追加

書き込み部は、受信部で書き込みコマンドを受信した場合、組を構成する複数のブロックのうち、選択したチャネル番号に対応するブロックに対して、データを書き込む。 - 特許庁

In data writing, supply of data write current to a write word line WWL of a selection column is started from time t1 without waiting for the redundancy determination.例文帳に追加

データ書込時において、選択行のライトワード線ＷＷＬに対するデータ書込電流の供給は、冗長判定を待つことなく時刻ｔ１より開始される。 - 特許庁

Thus erroneous write can be prevented though a write control signal/WE of an external input goes to "L" erroneously due to a variance of an earth potential VSS.例文帳に追加

これにより、接地電位ＶＳＳの変動によって外部入力の書込制御信号／ＷＥが誤って“Ｌ”になっても、誤書き込みを防止することができる。 - 特許庁

When a received command is a write instruction, the read/write controller 206 acquires access control information from the fourth address from the leading of a memory array 201.例文帳に追加

リードライトコントローラ２０６は、受信したコマンドが書き込み命令である場合には、メモリアレイ２０１の先頭から４番目のアドレスからアクセス制御情報を取得する。 - 特許庁

The calculation of the use restriction value of the SD card 111 is always performed based on write quantity and write frequency in a secured region.例文帳に追加

なお、ＳＤカード１１１の使用制限値の算出については、確保された領域に対する書き込み量、書き込み回数に基づいて常時、算出が行われる。 - 特許庁

To realize read operation of a high speed low consumption current while increasing the number of parallel write cells and shortening a write time, in a non-volatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、並列書込みセル数を増やし書込み時間の短縮をはかりつつ、高速低消費電流の読み出し動作を実現する。 - 特許庁

A master latch circuit 12 and a slave latch circuit 21 are register for write-only and the master latch circuit 12 and slave latch circuits 21, 22 are controlled by WCLK generated in a write-cycle.例文帳に追加

マスタラッチ回路１２とスレーブラッチ回路２１とがライト専用レジスタで、マスタラッチ回路１２とスレーブラッチ回路２１，２２とはライトサイクルで発生するＷＣＬＫで制御される。 - 特許庁

After the write of the file data is completed, the file system management information is rewritten according to the quantity of the written file data, and write completion information is notified.例文帳に追加

またファイルデータの書き込みが完了した後に、書き込んだファイルデータの量に応じてファイルシステム管理情報を書き換え、書き込み完了情報を通知する。 - 特許庁

To shorten write/read time to a data base(DB) as much as possible and to read the latest write data with respect to a data base management system.例文帳に追加

データベース管理方式に関し、データベース（ＤＢ）に対する書込読出時間を極力短縮し、且つ最新の書込データを読出すことを可能とすることを目的とする。 - 特許庁

Object directional structured programming language 'Read() function, Write() function (first function)' is discriminated from 'Monitor_-Read() function, Monitor_-Write() function (second function)' to execute simulation.例文帳に追加

オブジェクト指向の構造化プログラミング言語「Ｒｅａｄ（）関数、Ｗｒｉｔｅ（）関数（第１関数）」と「Ｍｏｎｉｔｏｒ＿Ｒｅａｄ（）関数、Ｍｏｎｉｔｏｒ＿Ｗｒｉｔｅ（）関数（第２関数）」とを区分けしたシミュレーションを実行する。 - 特許庁

To provide a positive charge pumping voltage switching circuit in which a write-in time characteristic of a flash memory can be improved, and a row decoder circuit of a flash memory using it.例文帳に追加

フラッシュ・メモリの書き込み時間(Write time)特性を改善し得るポジティブ・チャージ・ポンピング電圧スイッチング回路及びそれを用いたフラッシュ・メモリのローデコーダ回路を提供すること。 - 特許庁