町内で知らぬは亭主ばかりなり例文帳に追加

“The good man is the only one who does not know what is amiss at home.”【イディオム・格言的】発音を聞く  - 斎藤和英大辞典

辞世は「世の中を廻りも果てぬ小車は火宅の門を出づるなりけり」。例文帳に追加

Morimasa's death poem is '世の中を廻りも果てぬ小車は火宅の門を出づるなりけり'.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

日本は天職を有する国なりと断言してはばからぬ例文帳に追加

I may safely say―It is safe to say―that Japan has a mission.発音を聞く  - 斎藤和英大辞典

（町内で知らぬは亭主はかりなりと言われた）彼も今頃は悟ったろう例文帳に追加

The truth must have dawned on his mind by this.発音を聞く  - 斎藤和英大辞典

手を洗うときには、手を十分にぬらします。ちょっとせっけんをつけて、水がもっとよくつくようにします。すると手はぬれたままになります。例文帳に追加

When you wash your hands, you wet them thoroughly; you take a little soap to make the adhesion better, and you find your hand remains wet.発音を聞く  - Michael Faraday『ロウソクの科学』

平滑化層５４は、好ましくはＳｉＮ又はＳｉＯ_2からなり、一方、バインダ層５６は、例えば、ＴｉＮ又はＴａＮからなる。例文帳に追加

The smooth layer 54 is preferably composed of SiN or SiO_2 (if possible), and the binder layer 56 is for example composed of TiN or TaN. - 特許庁

本発明による光触媒ナノシートは、ＮｂＯ_６および／またはＴｉＯ_６八面体ユニットからなり、Ｎｂ_３Ｏ_８、Ｎｂ_６Ｏ_１７、ＴｉＮｂＯ_５、Ｔｉ_２ＮｂＯ_７、Ｔｉ_５ＮｂＯ_１４、Ｃａ_２Ｎｂ_３Ｏ_１０およびＬａＮｂ_２Ｏ_７からなる群から選択されたナノシートからなることを特徴とする。例文帳に追加

The photocatalyst nanosheet comprised of NbO_6 and/or TiO_6 octahedral units, and is characterised by being formed of nanosheet selected from the group consisting of Nb_3O_8, Nb_6O_17, TiNbO_5, Ti_2NbO_7, Ti_5NbO_14, Ca_2Nb_3O_10 and LaNb_2O_7. - 特許庁

例えば、ＳＷ１＝ＯＮ時は抵抗はＲ１とＲ５の並列となり１ｋΩとなる。例文帳に追加

For instance, the resistance becomes 1 kΩ by parallel connection of resistors R1, R5 when SW1=ON. - 特許庁

「こんな人の行く末にいいことがあるだろうか（いや、ない）」（「そのあだになりぬる人の果ていかでかはよくはべらむ」『紫日記』黒川本）例文帳に追加

"Will the life of a person with such insincerity be better in the future?" (from "Murasaki Diary" Kurokawabon)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ｎＭＯＳ ００-6はオン状態になり、ｎＭＯＳ ００-7はオフ状態になるので、互いに接続されているドレイン電極は低レベルの電圧（“０”）となる。例文帳に追加

Since the nMOS 00-6 becomes the ON state and the nMOS 00-7 becomes the OFF state, drain electrodes connected each other become the low level voltage ("0"). - 特許庁

接続点Ｎ２の電圧は低下してローレベルになり、ＶＰＰパワーオンリセット信号ＰＯＮ２が立ち上がる。例文帳に追加

The voltage of a node N2 is reduced to a low level and a VPP power on reset signal PON 2 rises. - 特許庁

並列回路１３１は抵抗素子１１１と容量素子１２１とから成り、並列回路１３２は抵抗素子１１２と容量素子１２２とから成り、・・・、並列回路１３ｎは抵抗素子１１ｎと容量素子１２ｎとから成る。例文帳に追加

The parallel circuit 131 consists of the resistor element 111 and the capacitive element 121, a parallel circuit 132 consists of a resistor element 112 and a capacitive element 122, and a parallel circuit 13n consists of a resistor element 11n and a capacitive element 12n. - 特許庁

博多帯の締め心地には定評があり、締める際には「キュッキュッ」と絹鳴りする。例文帳に追加

The Hakata obi sash has a reputation for making silk make a satisfying squeak when tying it.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＬＰＧ冷却器３５での冷却は、低温ＬＮＧタンク２１からＬＮＧ気化器２４に送出するＬＮＧの有する冷熱を利用するので、冷却のための冷凍サイクルなどは不要となり、設備費用を低減することができる。例文帳に追加

In cooling by the LPG cooler 35, by utilizing heat provided in the LNG fed to an LNG carburetor 24 from an LNG tank 21, necessity for a refrigerating cycle or the like for cooling is eliminated, the cost of equipment can be reduced. - 特許庁

バリアメタル層２０の第１の部分はＴｉ含有量が５０原子％を超えるＴｉＮ_x膜からなり、第２の部分は第１の部分よりＴｉ含有量が多いＴｉＮ_x膜またはＴｉ膜からなる。例文帳に追加

The first portion of the barrier metal layer 20 is formed of a TiN_x film whose Ti content is more than 50 atom%, and the second portion thereof is formed of a TiN_x film whose Ti content is larger than that of the first portion or of a Ti film. - 特許庁

自律機能性ステントは、Ｔｉ−Ｎｉ系形状記憶合金からなり、その長さ方向の中心部に最大拡張力を有する。例文帳に追加

The autonomous functional stent is composed of a Ti-Ni based shape memory alloy and has maximum expansion force at the center part in the length direction. - 特許庁

取り付け後の通常点灯時には、ＮＴＣサーミスタ１１の自己発熱によってその抵抗値が小さくなり、不要な電力消費は低減される。例文帳に追加

At a regular turn-on time after attachment, the resistance value is reduced by self-heating of the NTC thermistor 11, and unnecessary power consumption is thereby cut down. - 特許庁

この視力訓練装置１においては、レンズ２０Ｒ，２０Ｌは、ＴＮ型のＬＣＤからなり、透過制限状態において半透明となっている。例文帳に追加

In this eyesight training device 1, the lens 20R, 20L is formed of a TN (twisted nematic) type LCD (liquid crystal device). - 特許庁

ソース／ドレイン領域２３１は低不純物濃度領域３２と重なっており、かかる重なり部分では高濃度ＰＮ接合の形成が抑制される。例文帳に追加

The source/drain region 231 is superposed on the low impurity concentration region 32, and the high concentration PN junction is suppressed from forming a superposed part. - 特許庁

この時間内に信号Ｓ１がＯＦＦからＯＮにならなければスプール１３にワイヤが無くなり空になったと判断してモータ１５は停止する。例文帳に追加

Unless the signal S1 turns from off to on within this time interval, it is decided that the wire has run out on the spool 13, and the motor 15 is stopped. - 特許庁

積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。例文帳に追加

A semiconductor mesa of the laminate structure 33 includes a low-temperature GaN buffer layer 35, an n-type GaN layer 37, and an active layer 39 and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 of a quantum well structure. - 特許庁

該プロセスは、適切な量と比率の食物性ｎ−６及びｎ−３脂肪酸類を含有するペットフード組成物を、発育中のイヌに投与することを含む。例文帳に追加

The process includes administering to a growing canine a pet food composition which includes an appropriate amount and ratio of dietary n-6 and n-3 fatty acids. - 特許庁

半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層と、このＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性ＡｌＧａＮ半導体層を有することを特徴とする。例文帳に追加

The base material for a semiconductor device comprises a substrate, a GaInNP buffer layer or a GaNP buffer layer deposited on the substrate, and a base layer for formation of a functional element deposited on the GaInNP buffer layer or the GaNP buffer layer, wherein the base layer for a functional element includes a high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer as the uppermost layer and also includes a low crystalline AlGaN semiconductor layer. - 特許庁

従来の自動書記では天明自身が中止しようと思えば中止出来たが、今回の場合は中止しようとすれば更に右腕の激痛が耐えられぬほどになり全く自由にならなかったという。例文帳に追加

Normally he had been able to stop automatic writing by his will, but at that time, the more he tried to stop, the more pain he got in his right arm and he couldn't stop.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その結果、ダミーゲート電極２０の下方にはＮ＋ソースドレイン領域９は形成されずＮ＋ソースドレイン領域９の幅が狭くなり、アクセストランジスタのコンダクタンスは低下する。例文帳に追加

Thus, the N+ source drain regions 9 are not formed below the dummy gate electrode 20 and the widths of the N+ source drain regions 9 become narrow and the conductance of the access transistor drops. - 特許庁

ＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２の繰り返し単位を含むポリマーが特に好ましく、このようなポリマーは、短波長、たとえば３００ｎｍ未満および２００ｎｍ未満において画像形成されるレジストの樹脂成分として非常に有用となりうる。例文帳に追加

Particularly preferred are polymers that contain SiO_2 or TiO_2 repeat units and which can be highly useful as a resin component of resists imaged at short wavelengths such as sub-300 nm and sub-200 nm. - 特許庁

出力トランジスタＰ５を流れる電流ＩＰの貫通電流成分は定電流源２３を流れる電流Ｉ０となり、電流ＩＰ及び出力トランジスタＮ６を流れる電流ＩＮの最大値と無関係に定められる。例文帳に追加

A through-current component of a current IP flowing through the output TR P5 is a current I0 flowing to a constant current source 23 and is decided independently of a maximum value of a current IN flowing to the output TR N6 and the current IP. - 特許庁

導電性バリア膜１３は、ＴｉＡｌＮ膜１５、Ｉｒ膜１６及びＩｒＯ_ｘ膜１７からなり、ＴｉＡｌＮ膜１５に凹部２６が形成されている。例文帳に追加

The conductive barrier film 13 is made of a TiAlN film 15, an Ir film 16, and an IrO_x film 17, where a recess 26 is formed in the TiAlN film 15. - 特許庁

化合物膜８は、例えばＥｒＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴｉＳｉ又はＮｉＳｉ膜等からなり、化合物膜９は、例えばＮｉＳｉ膜、ＣｏＳｉ膜又はＴｉＳｉ膜等からなる。例文帳に追加

A chemical compound film 8 is composed of ErSi, PtSi and TiSi or NiSi films, for example, and a chemical compound film 9 is composed of NiSi and CoSi or TiSi films, for example. - 特許庁

硬質皮膜３は、ＴｉＮ型の窒化チタンからなり、結晶の格子定数が０．４２５５〜０．４３５５ｎｍの範囲にあり、Ｔｉの含有量が３０〜４９原子％である。例文帳に追加

The hard film 3 is composed of TiN type titanium nitride, the lattice constant of the crystals lies in the range of 0.4255 to 0.4355 nm, and the content of Ti is 30 to 49 atomic %. - 特許庁

塩漬けして梅酢を上げた梅の果実１１の花（果）柄部分からタネを抜き取り、該果実１１に串１２をさしてなり、上記串１２の刺し方は、タネを抜き取った果実１１の軸に串１２が直交する方向にを刺してなる。例文帳に追加

Stone is removed through the peduncle of a salted Japanese apricot fruit 11 after the separation of Japanese apricot vinegar and a skewer 12 is thrust through the Japanese apricot fruit 11 in the direction perpendicular to the axis of the fruit 11. - 特許庁

Ｙおよび／またはＬａからなる希土類元素と、Ｎｂおよび／またはＴａからなる５Ａ族元素の酸化物からなり、一般式Ｙ_xＬａ_1-xＮｂ_yＴａ_1-yＯ_4（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）で表される無機エレクトロルミネッセンス材料４とした。例文帳に追加

An inorganic electroluminescent material 4 is composed of a rare earth element of Y and/or La and the oxides of group 5A elements of Nb and/or Ta and is represented by the formula: YxLa1-xNbyTa1-yO4 (wherein 0≤x≤1 and 0≤y≤1). - 特許庁

これによりシールドメタルはＤＣ電位となり、高周波的にＧＮＤ電位となるので、ＦＥＴのＩＮ-ＯＵＴ間の高周波信号の漏れを抑制できる。例文帳に追加

Consequently, since the shield metal becomes DC potential and GND potential in a high frequency, the leak of the high frequency signal between IN-OUT of FET can be suppressed. - 特許庁

これに併せて、主蒸気流量も、時刻Ｔ２Ｂ〜Ｔ２Ｃの期間では定格主蒸気流量Ａになり、時刻Ｔ２Ｄで定格主蒸気流量Ｂに到達する。例文帳に追加

Simultaneously, the main steam flow rate is the rated main steam flow rate A during the period from time T2B to time T2C, and reaches the rated main steam flow rate B at the time of T2D. - 特許庁

実際問題として、すべてのものの異様な奇妙さ、マシンの気分が悪くなりそうな振動と揺れ、何よりも果てしなく落ち続けているような感覚のおかげで、知らぬ間に神経が完全におかしくなってしまったのです。例文帳に追加

The fact is that insensibly, the absolute strangeness of everything, the sickly jarring and swaying of the machine, above all, the feeling of prolonged falling, had absolutely upset my nerve.発音を聞く  - H. G. Wells『タイムマシン』

天然繊維、若しくは天然繊維と合成繊維との混紡のモップ糸を基布下面に縫着して形成される吸水部３と、マイクロファイバー製のモップ糸を基布下面に縫着して形成される拭き上げ部４とが隣り合う。例文帳に追加

A water-absorbing portion 3, which is obtained by sawing mop strings made of a natural fiber or a mixed fiber of a natural fiber and a synthetic fiber with the lower surface of a base cloth, is adjacent to a wiping-up portion 4, which is obtained by sawing mop strings mode of a micro-fiber with the lower surface of the base cloth. - 特許庁

実施の形態に係る電極板は、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｒからなる群から選択された添加元素と、２ｍａｓｓ ｐｐｍを超える量の酸素を含み、残部が銅と不可避的不純物とからなり、導電率が１０１．５％ＩＡＣＳ以上である。例文帳に追加

The electrode plate includes an additive element selected from the group consisting of Ti, Mg, Zr, Nb, Ca, V, Ni, Mn and Cr, and oxygen in an amount exceeding 2 mass ppm, with the remainder being copper and unavoidable impurities, and has an electric conductivity of 101.5% IACS or more. - 特許庁

Ｒ_１−（Ｐ−Ｇ）_ｎ−Ｐ−Ｒ_２ 一般式［１］ （式中、ｎは平均重合度で０．１≦ｎ＜３、Ｐはオルソフタル酸、イソフタル酸またはテレフタル酸の残基、Ｇは炭素数２〜１０のグリコール又はポリオキシアルキレングリコール、Ｒは炭素数４〜１３の脂肪族アルコールの残基であり同一又は異なり、それぞれエステル基で結合している）例文帳に追加

The molded article is obtained using the (meth)acrylic resin composition. - 特許庁

ダブルへテロ型の発光層部１０において、ＺｎＯ系半導体活性層４を、ＳｅもしくはＴｅを含むＺｎＯを主体としたＺｎＯ系半導体より形成することで、活性層４の形成過程におけるＺｎＯ結晶の酸素欠損したサイトに同族であるＳｅもしくはＴｅを導入することが可能となり、活性層４の結晶性を向上させることができる。例文帳に追加

In a double-hetero light emitting layer unit 10, a ZnO semiconductor active layer 4 is formed of ZnO semiconductor which contains ZnO as a main component including Se or Te, by which Se or Te of the same family can be introduced into oxygen-deficient sites in ZnO crystal in a process of forming the active layer 4, and the active layer 4 can be improved in crystallinity. - 特許庁

この装置はアクセルを足で踏むとスイッチ（１）がＯＦＦとなりランプ（３）は消灯し、足を離せばスイッチ（１）はＯＮとなりランプ（３）は点灯して運転の状況を表示する。例文帳に追加

This device turns off the switch 1 when an accelerator is depressed by a foot, extinguished the lamp 3, turns on the switch 1 when the foot is detached from the accelerator, lights the lamp 3, and displays a condition of operation. - 特許庁

ディザリングは、ある特定の色で塗り潰されたような領域をモノクロ化するのには適するが、色の付いた特定のパターンを表現することはできない。例文帳に追加

To provide an image processor and its method for gradational representation which is applicable to a specific colored pattern, etc. - 特許庁

光ファイバの外周部にＮ層（Ｎ≧２）以上の被覆層が形成されてなる光ファイバケーブルであって、内側から１層目〜Ｎ−１層目の被覆層は熱可塑性樹脂からなり、内側からＮ層目の被覆層はエチレン単位及びテトラフルオロエチレン単位を含む重合体又はテトラフルオロエチレン単位及びパーフルオロアルコキシエチレン単位を含む重合体からなる光ファイバケーブル。例文帳に追加

In the optical fiber cable constituted by forming N or more (N≥2) covering layers on the outer circumferential part of an optical fiber, the first to (N-1)th covering layers from the inside are constituted of thermoplastic resin, and the Nth covering layer from the inside is constituted of: a polymer incorporating ethylene units and tetrafluoroethylene units; or a polymer incorporating the tetrafluoroethylene units and a perfluoroalkoxyethylene unit. - 特許庁

本発明にかかる膜形成剤は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、ＬａおよびＹからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物からなり結晶子径が１５ｎｍ未満である金属酸化物微粒子を含む、屈折率が１．５以上の膜を形成させるための膜形成剤であることを特徴とする。例文帳に追加

This film-forming agent contains the metal oxide fine particles comprising at least one kind of oxide of a metal selected from a group comprising Ti, Zr, Zn, Sn, In, La, and Y and having a crystallite diameter of <15 nm, wherein the agent is used in forming the film having the refractive index of ≥1.5. - 特許庁

パワーオンリセット信号に重畳したノイズによってトランジスタＰＭ１がＯＮしても、ｎｏｄｅ５は、抵抗Ｒ１〜Ｒｎと静電容量素子Ｃ１〜Ｃｎとの回路時定数により、電圧レベルが徐々にしか上昇しないことになり、次段のシュミット入力バッファ１９には電圧レベルの変動がないＬｏ信号が出力される。例文帳に追加

Even if a transistor PM1 is turned on by noise superimposed on a power-on reset signal, and in a node 5, a voltage level increases only little by little by a circuit time constant of resistors R1 to Rn and static capacitative elements C1 to Cn, and an Lo signal with no fluctuation in a voltage level is output to a Schmidt input buffer 19 of the next stage. - 特許庁