A V level suppression circuit 25 applies suppression based on the UV suppression parameter to the V signal in accordance with the edge intensity signal.例文帳に追加

Ｖレベル抑圧回路２５では、エッジ強度信号に応じて、ＵＶ抑圧パラメータに基づいた抑圧をＶ信号に施す。 - 特許庁

Heat treatment such as carbonitriding treatment is performed to a formed and fabricated material to be obtained from steel containing 3.2-5.0 mass% of Cr, and 0.05 mass% or more and 0.5 mass% or less of V.例文帳に追加

3.2〜5.0質量%のCrと、0.05質量%以上0.5質量%未満のVを含有する鋼材から得られる素形材に浸炭窒化処理等の熱処理を施す。 - 特許庁

(v) That the relevant person has a sufficient financial and technical basis to properly implement Dispute Resolution, etc.;発音を聞く 例文帳に追加

五　紛争解決等業務を的確に実施するに足りる経理的及び技術的な基礎を有すること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In S57, a speaker is set up based on the sound volume V of the test sound at that time.例文帳に追加

Ｓ５７では、テスト音響のその時の音量Ｖに基づきスピーカのセットアップを実施する。 - 特許庁

The method also comprises a step of thereafter executing an after C-V measurement by the instrument (S6).例文帳に追加

その後、非接触型Ｃ−Ｖ測定器によるアフターＣ−Ｖ測定を実施する（Ｓ６）。 - 特許庁

METHOD OF ETCHING SIDEWALL OF GROUP III-V BASED COMPOUND FOR ELECTRO-OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

電気光学素子のためのＩＩＩ−Ｖ族ベースの化合物による側壁にエッチングを施すための方法 - 特許庁

For the purpose of the provisions of the 1st and 2nd sentences persons performing the acts referred to in subsection 3(i),(iii),or shall not be considered entitled to exploit the invention.発音を聞く 例文帳に追加

本項第1文及び第2文の適用上，(3)(i)，(iii)，(iv)又は(v)にいう行為を遂行する者は，発明を実施する権利を有しているとはみなさない。 - 特許庁

When vehicle speed V slows down to the extent that control should be performed (YES at step S2), a deceleration D is calculated (step S3).例文帳に追加

車速Ｖが制御を実施すべきほどの低速になったならば（ステップＳ２でＹＥＳ）、減速度Ｄを算出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Bending is performed beforehand to the guard net 11 in an independent state to reform the guard net 11 itself into the shallow V-groove shape.例文帳に追加

保護網１１には単独の状態で予め曲げ加工を施すことにより、保護網１１自体に浅いＶ溝形状のくせ付けを施してある。 - 特許庁

To provide a method for simultaneously recording two competing A/V input signals using only a single digital A/V compressor, and an apparatus for reading from and writing to recording media capable of performing such method.例文帳に追加

１つのデジタルＡ／Ｖ圧縮器のみを使用して、競合する２つのＡ／Ｖ入力信号を記録する方法と、該方法を実施するための記録媒体から読み出し該記録媒体に書き込むための装置とを提供すること。 - 特許庁

When the luminance of an object surface to execute texture mapping is defined as I, a U coordinate among read coordinates for accessing the texture data is calculated as U=a*I+b, and a V coordinate is obtained from V=d.例文帳に追加

テクスチャマッピングを施すオブジェクト表面の輝度をＩとすれば、テクスチャデータにアクセスするための読み出し座標のうちＵ座標をＵ＝ａ＊Ｉ＋ｂとして算出し、Ｖ座標をＶ＝ｄから求める。 - 特許庁

Ashape blank obtained from a steel material containing 3.2-5.0 mass% Cr and 0.05 to <0.5 mass% V is subjected to a carbo-nitriding treatment, a tempering-treatment at the temperature of >250°C and ≤300°C and a finish-processing.例文帳に追加

3.2〜5.0質量%のCrと、0.05質量%以上0.5質量%未満のVとを含有する鋼材から得られる素形材に浸炭窒化処理、250℃を超え、300℃以下の温度で加熱する焼もどし処理及び仕上げ加工を施す。 - 特許庁

A method for evaluating the semiconductor heat treatment apparatus comprises steps of initially first heat-treating the semiconductor wafer, forming the wafer with the oxide film of the evaluating wafer (S1), and executing initial C-V measurement according to the non-contact type C-V measurement instrument (S2).例文帳に追加

先ず、半導体ウェハに対してイニシャルの熱酸化処理を行い、評価用ウェハである酸化膜付き半導体ウェハを作成し（Ｓ１）、非接触型Ｃ−Ｖ測定器によるイニシャルＣ−Ｖ測定を実施する（Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a spectacle lens chamfering method for chamfering an edge of a spectacle lens so as to secure a predetermined chamfering width even if the spectacle lens has only a very narrow V-block hem or can hardly have the V-block hem due to very narrow edge of the spectacle lens, and to provide a spectacle lens chambering device.例文帳に追加

眼鏡レンズのコバが狭いために、ヤゲン裾部が極めて狭くなっているか、ほとんどヤゲン裾部が形成されていないような眼鏡レンズのコバ部分においても、一定の面取幅をもって面取加工を施すこと。 - 特許庁

To provide a method in which a beautiful V-shaped channel is implemented in high productivity in processing for molding the V-shaped channel when hinge structure is given to a thick foam sheet, and to provide an apparatus for the method.例文帳に追加

厚手の気泡シートにヒンジ構造を与える場合に行なう、Ｖ字溝を成形する加工において、美麗なＶ字溝を高い生産性をもって実施する方法と、装置を提供すること。 - 特許庁

The method lastly comprises a step evaluating contamination of the facility by differentially analyzing a result of the after C-V measurement and a result of the initial C-V measurement (S7).例文帳に追加

最後に、アフターＣ−Ｖ測定の結果と、前述のイニシャルＣ−Ｖ測定の結果との差分解析により、評価対象設備の汚染評価を実施する（Ｓ７）。 - 特許庁

To provide a V-ribbed belt capable of inhibiting a generation of noise caused by a slight slide between a rib part and a V-ribbed pulley at the time of racing by curing a surface of the rib part by applying a simple surface treatment to the rib part of the V-ribbed belt without particularly imparting a change to a composition of the rib part.例文帳に追加

リブ部の配合に特に変更を加えることなく、Ｖリブドベルトのリブ部に簡便な表面処理を施すことによりリブ部表面を硬化し、レーシング時におけるリブ部とＶリブドプーリとの間の微小すべりに起因する異音発生を抑制したＶリブドベルトを提供する。 - 特許庁

The method for forming a low resistance p-type compound semiconductor material on a substrate comprises a step (a) for forming a III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities on a substrate, and a step (b) for subjecting the III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities to microwave processing.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

Electrodeposition coating is started at the initial voltage of 20-100 V in this electrodeposition coating method, the voltage is increased to a first maximum current value from the initial voltage at a rate of 20-200 V/s in a short time, and then the voltage is gradually increased to a set voltage at a rate of 2-20 V/s and kept at the set voltage for a fixed time.例文帳に追加

２０〜１００Ｖの初期電圧で電着塗装を開始し、前記初期電圧から第１電流極大値になるまでは２０〜２００Ｖ／ｓの上昇速度で短時間で電圧を昇圧し、その後は２〜２０Ｖ／ｓの上昇速度に切り替えて徐々に設定電圧に昇圧させ、一定時間設定電圧に保持する電着塗装方法およびこの方法を実施するための電着塗装装置。 - 特許庁

(v) Providing Promoters for Balancing Work Life and Family Life with training to help said promoters acquire the knowledge required for smooth implementation of the duties prescribed in Article 29;発音を聞く 例文帳に追加

五　職業家庭両立推進者に対して、第二十九条に規定する業務を円滑に実施するために必要な知識を習得させるための研修を行うこと。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(vii) Matters concerning measures to be implemented for the quantities under item (iv) (or the quantities listed in item (v) in the case where such categories are designated; hereinafter referred to as "quantity control by the Minister");発音を聞く 例文帳に追加

七　第四号に掲げる数量（第五号に掲げる数量を定めた場合にあっては、その数量。以下「大臣管理量」という。）に関し実施すべき施策に関する事項 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The gain of a phase compensation treatment part 40 applying the phase compensation treatment to the torque signals outputted from a torque sensor 5 is variably set according to a vehicle speed V.例文帳に追加

トルクセンサ５が出力するトルク信号に対して、位相補償処理を施す位相補償処理部４０のゲインは、車速Ｖおよび操作角速度ω_ｈに応じて可変設定される。 - 特許庁

The circuit for generating the spread spectrum clock (CGSCC) 200 conducts dithering using a means 260 for modulating an input voltage (V_ctrl) to a VCO.例文帳に追加

ＶＣＯに対する入力電圧（Ｖ＿ｃｔｒｌ）を変調する手段(260)を用いてディザリングを実施するスペクトル拡散クロック生成回路（ＣＧＳＣＣ）(200)。 - 特許庁

The image processor applies the smoothing processing to pixels at the end of the image on the basis of the predicted images and the images in the image region on the precondition of existence of the predicted images (pixels W, V, U, T).例文帳に追加

予測した画像（画素Ｗ，Ｖ，Ｕ，Ｔ）が存在することを前提として、その予測した画像および画像領域内の画像に基づいて、画像端の画素に対するスムージング処理を施す。 - 特許庁

Constant current-constant voltage changing over treatment in which constant current electrolysis is performed first, and it is changed over to constant voltage electrolysis when voltage between the hydrogen electrode and a separator of an oxygen (air) electrode reached zero V is preferable.例文帳に追加

まず定電流電解を行ない、水素極と酸素（空気）極のセパレータ間の電圧がゼロＶに達したところで、定電圧電解に切り替えて実施する、定電流−定電圧の切り替えによる処理が好ましい。 - 特許庁

It is preferable that V grooves 3 are formed in the metal plate 1 by press simultaneously with forming the pilot holes 2 so that the side edge portion 1a where the pilot holes 2 are formed can be separated before etching.例文帳に追加

パイロットホール２を形成すると同時に、パイロットホール２の形成される側縁部分１ａがエッチング加工前に分離できるように、プレス加工により金属板材１にＶ溝３を施すことが好ましい。 - 特許庁

In this case, the multilayer film can appropriately be used as an interior material for such as an interior wall, bath room panel, door and furniture by applying a U or V cut processing in concert with its use.例文帳に追加

この多層フィルムは、その用途に合わせてＵ字カットやＶ字カット等の加工を施すことにより、室内壁、浴室パネル、扉、家具などの内装材に好適に用いる事ができる。 - 特許庁

To accurately evaluate contamination of a semiconductor heat treatment apparatus having no gas supply line for forming an oxide film on a semiconductor wafer by using a non-contact type C-V measuring instrument.例文帳に追加

非接触型Ｃ−Ｖ測定器を用い、半導体ウェハ上に酸化膜を形成するためのガス供給ラインを持たない半導体熱処理装置の汚染評価を高精度に実施すること。 - 特許庁

An H filter 42 obtains the two transformed results 38 and 40 outputted from the V filter 34 and applies horizontal filtering processing to the transformed result 38 and 40.例文帳に追加

Ｈフィルタ４２は、Ｖフィルタ３４から出力される２つの変換結果３８および４０を入力として得て、これらの変換結果３８および４０に対して水平方向のフィルタリング処理を施す。 - 特許庁

To easily execute various kinds of machining, such as V-notch machining, corner cut machining or the like, to a steel product of an equal angle steel or the like by using only a single stopper.例文帳に追加

単一のストッパのみを用いて、等辺山形鋼等の鋼材に、左右４５度のＶノッチ加工、９０度のＶノッチ加工および左右９０度のコーナカット加工等の各種加工を、容易に施すことができるようにする。 - 特許庁

In the die 3 for the press brake, a surface hardening treatment for forming a hard film 5' is applied to a part of the section L_2 in the longitudinal direction of the die 3 and only to a shoulder part 4a of a V-groove 4 by electrical discharge machining.例文帳に追加

一方、プレスブレーキ用金型のダイ３において、当該ダイ３における長手方向の一部の区間Ｌ_２でかつＶ溝４の肩部４ａにのみ放電加工により硬質皮膜５′を形成する表面硬化処理を施す。 - 特許庁

A method of producing hot-forged parts to be carburized under reduced pressure and high temperature employs steel containing prescribed amounts of C, Si, Mn, Cr, Al, Nb, N, and V and, if necessary, Mo and the balance Fe with impurity elements, and the following processes are applied to the steel.例文帳に追加

所定量のＣ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎ、Ｖを含有し、必要に応じてＭｏを含有、残部Ｆｅ及び不純物元素からなる鋼に以下の工程を施す。 - 特許庁

An electric control device 24 is configured to perform a method including steps of checking whether or not a preceding vehicle detector 14, 28 generates a signal and does not detect a preceding vehicle 16; and terminating, in the case of no, spontaneous braking when a traveling speed v_F is smaller than a preceding vehicle speed v_Vf detected last.例文帳に追加

先行車両検出装置（１４，２８）が信号を発生し、かつ先行車両（１６）を検出しないか否かを検査し、否の場合、走行速度（ｖ_Ｆ）が最後に検出された先行車両速度（ｖ_Ｖｆ）より小さい時、自発的制動を終了する、段階を持つ方法を実施するように電気制御装置（２４）が構成されている。 - 特許庁

This is a semiconductor surface treatment method for applying surface treatment to each semiconductor crystal thin film surface, so formed that a III-V group compound semiconductor or a III-V group mixed crystal semiconductor can be epitaxial or hetero-epitaxial grown on the base layer with the plasma of mixed gas formed of H2 and PH3, and a semiconductor device to which the treatment is applied.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体或いはIII−Ｖ族混晶半導体を基層にエピタキシャル或いはヘテロエピタキシャル成長させた半導体結晶薄膜表面の各々にＨ_2 およびＰＨ_3 より成る混合気体のプラズマによる表面処理を施すことを特徴とする半導体表面処理方法、およびこの処理を施された半導体装置。 - 特許庁

The low-noise down-converter 20 supplies a signal obtained by performing low-noise amplification and frequency conversion to a signal transmitted from an antenna 10 to a receiver 30, and has a power circuit 7 for converting a DC voltage that is supplied from the receiver 30 and has a prescribed value within 10.5 to 21 V to generate a supply voltage of 5 V.例文帳に追加

本発明に係る低雑音ダウンコンバータ２０は、アンテナ１０から送出される信号に対して低雑音増幅及び周波数変換を施すことで得られる信号をレシーバ３０に供給するものであって、レシーバ３０から供給される１０．５Ｖ〜２１Ｖの範囲内の所定値をとる直流電圧を変換して５Ｖの電源電圧を生成する電源回路７を備える。 - 特許庁

The fizzy alcoholic beverage containing carbon dioxide gas, obtained by subjecting the alcoholic beverage to carbonation, has 3-10 v/v% alcohol concentration, and 1.5-3.5 gas volume, and contains starch octenylsuccinate and quillaia saponin.例文帳に追加

アルコール飲料にカーボネーションを施すことにより炭酸ガスを含有させた発泡性アルコール飲料であって、アルコール濃度が３〜１０ｖ／ｖ％、ガスボリュームが１．５〜３．５であり、かつオクテニルコハク酸デンプンとキラヤサポニンとを含有することを特徴とする、泡立ちと泡持ちとが改善された発泡性アルコール飲料。 - 特許庁

(v) Collecting the Dismantled Vehicles or Parts Specified for Recycling, etc. removed by the head of a local government pursuant to the provisions of the Waste Disposal Act, Article 19-7, Paragraph 1 or Article 19-8, Paragraph 1 and implementing the acts necessary to Recycle, etc. same in the case provided in the preceding item.発音を聞く 例文帳に追加

五　前号に規定する場合において、廃棄物処理法第十九条の七第一項又は第十九条の八第一項の規定により地方公共団体の長が撤去した解体自動車又は特定再資源化等物品を引き取り、これらの再資源化等に必要な行為を実施すること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The method includes the steps of: forming a molten metal 14 by applying TIG welding as the first welding from the inside of a base material 10 to be welded which has V-shaped groove 12 to the surface thereof and uses a material with high-corrosion resistance; and then applying laser welding as the second welding onto the molten metal 14.例文帳に追加

Ｖ形状の開先１２を有し、高耐食性材料を用いた被溶接板材の母材１０の内部から表面まで第一の溶接としてＴＩＧ溶接を施して溶融金属１４を形成した後、溶接金属１４の上に第二の溶接としてレーザ溶接を施す。 - 特許庁

A Ti alloy expressed by, by mass%, [Mo]+[Ta]/5+[Nb]/3.6+[W]/2.5+[V]/1.5+1.25[Cr], and containing a β stabilization element of 5 to 8 mass% by an Mo equivalent is subjected to a quenching treatment so as to be a martensite composition, and thereafter, cold working is performed at a draft of 2 to 20%.例文帳に追加

ｍａｓｓ％で［Ｍｏ］＋［Ｔａ］／５＋［Ｎｂ］／３．６＋［Ｗ］／２．５＋［Ｖ］／１．５＋１．２５［Ｃｒ］で表されるＭｏ当量で５〜８ｍａｓｓ％のβ安定元素を含むＴｉ合金を焼入れ処理してマルテンサイト組成とし、その後に圧下率２〜２０％の冷間加工を施す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements.例文帳に追加

異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is then used as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

In a V-type internal combustion engine provided with an exhaust system having independent banks and having a catalytic converter installed in an exhaust duct after merge of the exhaust system, secondary air is supplied to the exhaust system of one bank and fuel increase is performed for all cylinder at a time of secondary air supply.例文帳に追加

各バンクが独立した排気系を備え、これら排気系が合流した後の排気ダクトに触媒コンバータが介装されるＶ型内燃機関において、一方のバンクの排気系に２次空気を供給する一方、２次空気の供給時には、全気筒に対して燃量増量を施す。 - 特許庁

This electric power steering device comprises a masking means 32 for applying masking processing to prevent an engine speed signal N or a vehicle speed signal V from being received from an engine speed sensor 17 or a vehicle speed sensor 16 in a certain time t0 after the ignition switch 30 is turned on.例文帳に追加

イグニッションスイッチ３０がオンされてから一定時間ｔ０の間は、エンジン回転数センサ１７あるいは車速センサ１６からのエンジン回転信号Ｎあるいは車速信号Ｖを受付けないようにマスク処理を施すマスク手段３２を備えた。 - 特許庁