結晶成長時に相界面の位置を測定する方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING INTERFACE POSITION AT CRYSTAL GROWTH - 特許庁

結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する．例文帳に追加

To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control. - 特許庁

すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。例文帳に追加

That is, distances from a measurement device to the foremost surfaces of measurement objects are obtained at the respective parts to measure the differences between them, whereby the thickness of the n-type epitaxial layer 2 grown on the surface of the semiconductor substrate 1 can be measured. - 特許庁

選択成長によるエピタキシャル半導体層の膜厚を測定する膜厚測定パターンを、特段の構成材料要素を要せずに形成する。例文帳に追加

To form a film thickness measuring pattern for measuring the film thickness of an epitaxial semiconductor layer formed by the selective growth, without needing any special constituting material element. - 特許庁

この後、測定された段差部６の高さ分だけ選択成長層５の一部を除去する。例文帳に追加

Part of the selective growth layer 5 is removed by an amount corresponding to the measured height of the step 6. - 特許庁

したがって、成長中のＧａＮ層１６の膜厚をリアルタイムで測定することができる。例文帳に追加

Thus, the film thickness of the GaN layer 16 being growing is measured in real time. - 特許庁

植物成長測定システム及びその制御方法並びに制御プログラム例文帳に追加

SYSTEM FOR MEASURING GROWTH OF PLANT, METHOD FOR CONTROLLING THE SYSTEM, AND PROGRAM FOR CONTROLLING THE SYSTEM - 特許庁

成長するシリコンインゴットの直径を正確に測定できるシリコンインゴットの成長を制御する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for controlling the growth of a silicon ingot capable of correctly measuring a diameter of a growing silicon ingot. - 特許庁

結晶成長・溶解速度試験用試験センサー及びその製造方法並びにそれを用いた原位置結晶成長・溶解速度測定法例文帳に追加

TEST SENSOR FOR CRYSTAL GROWTH/DISSOLUTION RATE TEST, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND IN-SITU CRYSTAL GROWTH/DISSOLUTION RATE MEASURING METHOD USING THE SENSOR - 特許庁

昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing SiC capable of accurate temperature measurement for long hours, by suppressing deposition of a material sublimed into a hole for measuring the temperature, in crystal growth of SiC by a sublimation method. - 特許庁

本発明は、半導体プロセスに影響することがなく、再生可能なダミーウェーハを用い、簡易に膜厚測定を行うことが可能な膜厚測定方法、気相成長装置および膜厚測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film thickness measuring method in which film thickness can be easily measured using a reproducible dummy wafer without affecting a semiconductor process, a vapor phase growth method, and a film thickness measuring instrument. - 特許庁

半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率を測定する方法において、測定対象となる半導体シリコン基板の被測定面の酸化膜を除去した後、酸化膜成長を伴う洗浄を行い、その後被測定面に洗浄による酸化膜が形成された状態で導電型及び抵抗率を測定する半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定方法。例文帳に追加

In the method of measuring the conductivity type and the resistivity of the semiconductor silicon substrate, after removing an oxide film on a measured surface of the semiconductor silicon substrate to be measured, oxide-film-growth-inducing cleaning is performed and the conductivity type and the resistivity are measured in a state that the oxide film is formed on the measured surface by cleaning. - 特許庁

この後、選択成長用マスク４を除去し、選択成長用マスク４が除去された領域と、選択成長層５が積層されている選択領域３との境界部分に形成された段差部６の高さを測定する。例文帳に追加

Next, the selective growth mask 4 is removed, and the height of a step 6 formed at the boundary between an area on the first epitaxial layer 2 other than the removed selective growth mask 4 and the selective area 3 having the selective growth layer 5 laminated thereon is measured. - 特許庁

次にサンプル基板１２上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより間接測定した基板温度とエピタキシャル成長直後に測定したサンプル用基板のヘイズとの相関線を設定し、量産用基板上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより基板温度Ｔｘを間接測定する。例文帳に追加

Then, a correlation line is set between substrate temperature indirectly measured by the upper pyrometer at the time of epitaxial growth onto a sample substrate 12 and haze of a sample substrate measured immediately after epitaxial growth, to indirectly measure a substrate temperature Tx by the upper pyrometer at the time of epitaxial growth onto a mass-production substrate. - 特許庁

植物の特徴のデータ資料の記録自動化を図り、植物の成長特徴の人手による測定および記録の不便さを改善すること。例文帳に追加

To automatically record plant feature data, thereby improving the inconvenience of manual measurement and recording the plant features during the growth. - 特許庁

露の成長度合いは、所定時間ごとに測定された試料表面上の露の粒径の変化割合に基づいている。例文帳に追加

The growing degree of the dew is determined based on a changing rate of a particle size of the dew on the sample surface measured at each prescribed time. - 特許庁

また、気相成長装置は、サセプタの温度を測定する測温体として、上記測温体を用いたものである。例文帳に追加

The vapor phase deposition device uses the temperature sensing element hereinbefore as a temperature sensing element for measuring a temperature of a susceptor. - 特許庁

上皮成長因子受容体−チロシンキナーゼ阻害剤に対する肺ガンの感度測定方法および肺ガン治療剤のスクリーニング方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING SENSITIVITY OF PULMONARY CANCER TO EPIDERMAL GROWTH FACTOR RECEPTOR-TYROSINE KINASE INHIBITOR AND METHOD FOR SCREENING PULMONARY CANCER TREATING AGENT - 特許庁

更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。例文帳に追加

Moreover, substrate temperature Ty at the time of epitaxial growth onto the mass-production substrate is estimated by applying the haze of the mass-production substrate measured immediately after epitaxial growth to the correlation line, and then a measured temperature Tx of the upper pyrometer is adjusted to the estimated temperature Ty. - 特許庁

エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。例文帳に追加

It includes measurement of a thickness A of the semiconductor wafer before the epitaxial growth process, measurement of a thickness B of the epitaxial wafer obtained after the epitaxial growth process and calculation of the thickness of the epitaxial layer as a difference (B-A) between the thickness B and the thickness A. - 特許庁

このように測定対象領域内４１で、前記成長層３２〜３４の各一部が除去された後、Ｘ線回折法によって、前記測定対象領域４１内の半導体基板２３および成長層２４〜３１の格子定数が求められる。例文帳に追加

After removing the respective portions of the growth layers 32-34 in the object region to be measured 41, the lattice constants of the semiconductor substrate 23 and growth layers 24-31 in the object region to be measured 41 are obtained, by using X-ray diffraction method. - 特許庁

本発明は、ＡＴＲプリズムの端面に薄膜が成長しなようにすることにより、ＡＴＲにより測定される赤外光の吸光度を薄膜の成長膜厚に対して直線的に増加することを可能とし、正確な結果を得ることができる赤外ＡＴＲ薄膜測定装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To increase the absorbance of an infrared ray measured by ATR linearly with respect to a growth film thickness of a thin film by precluding the thin film from growing in an end face of an ATR prism, so as to provide an accurate result. - 特許庁

単結晶が成長する過程で制御のために必要となる単結晶の直径データをカメラを用いて測定する単結晶の直径測定方法である。例文帳に追加

The method of measuring the diameter of the single crystal comprises measuring diameter data of the single crystal by using the camera, which data are necessary for controlling in a single crystal growth process. - 特許庁

成長期の活動量に対応した運動レベルの測定とその測定結果に基づいた健康管理が行える活動量計を提供することにある。例文帳に追加

To provide an activity monitor by which an exercise level corresponding to activity in a growth period can be measured and health management can be performed based on the measurement result. - 特許庁

成長期の活動量に対応した運動レベルの測定とその測定結果に基づいた健康管理が行える活動量計を提供することにある。例文帳に追加

To provide an activity meter which can perform the measurement of an exercise level corresponding to an active mass in a growth period and health control on the basis of the measurement result. - 特許庁

ＧａＮ基板上に積層されるＧａＮ層又はＡｌＧａＮ層の膜厚の測定が可能な膜成長方法、膜厚測定方法及びエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a film growth method, film thickness measurement method and epitaxial substrate which enable the measurement of film thickness of a GaN layer laminated onto a GaN substrate or an AlGaN layer. - 特許庁

引上げ中に、温度計１３により前記融液温度を測定し、その測定値が前記目標値Ｔｃに管理されるように、結晶成長速度の目標値を補正する。例文帳に追加

While pulling up, the temperature of the fused solution is measured by a thermometer 13, and the aimed crystal growing speed is controlled so that the measured temperature coincides with the aimed temperature Tc. - 特許庁

反応性の高い複数種の原料ガスを供給するための気相成長装置において基板の任意位置でかつ広範囲の温度測定を精度良く行うことができる気相成長装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a vapor phase glowth system capable of executing the measurement of temperature in a wide range at the optional position of a sub strate in a vapor phase growth system for feeding plural kinds of gaseous starting materials high in reactivity with good accuracy. - 特許庁

赤外線放射温度計６は成長室１の外部に配置され、かつビューポート５を介して成長室１内部の基板３１の温度を測定可能である。例文帳に追加

An infrared radiation thermometer 6 is arranged outside the growth chamber 1, and the temperature of the substrate 31 located inside the growth chamber 1 can be measured through the viewport 5. - 特許庁

ホスト処理装置（３０）は、時間に応じて発生している成長欠陥の数の変更を測定するために、時間と関連付けられた成長欠陥の情報を処理するソフトウェア・プログラムを実行することが好ましい。例文帳に追加

The host processor (30) preferably performs a software program that processes the time correlated growth defect information to measure any changes in the number of growth defects that are occurring as a function of time. - 特許庁

これにより、選択成長層５の厚さをより正確に測定することができ、選択成長層５の一部を除去するときに、第１の炭化珪素エピタキシ層２が除去される量を極めて少なくすることができる。例文帳に追加

As a result, the thickness of the selective growth layer 5 can be accurately measured and when part of the selective growth layer 5 is removed, the amount of removal of the first silicon carbide epitaxial layer 2 can be made highly small. - 特許庁

細菌測定装置５６は、フィルム５８に付着した菌糸を、光学顕微鏡付きのＣＣＤカメラ６０で観察し、解析装置６２で解析することによって、細菌の成長量と成長速度を求める。例文帳に追加

The bacteria measuring device 56 uses a CCD camera 60 with an optical microscope for observing bacterial threads deposited on a film 58 and uses an analyzer 62 for analysis to find the quantity and speed of the growth of the bacteria. - 特許庁

メッキ層の厚みを光検出器による反射光検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたので，あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略することが可能である。例文帳に追加

The thickness of the plating layer is detected during the plating growth by whether or not the reflected light is detected by the detector, and hence the plating growth on a check wafer to previously obtain the growth rate and a stage for measuring the thickness of the plating layer are omitted. - 特許庁

予めシリコン融液よりシリコン結晶を成長して抵抗率を測定した後、前記シリコン融液よりシリコン単結晶を成長するＣＺシリコン単結晶製造工程の管理方法。例文帳に追加

The manufacturing process of a CZ silicon single crystal is controlled by a preliminary test wherein resistivity of the grown single crystal from a silicon melt is measured, followed by growing the silicon single crystal from the melt. - 特許庁

ＭＢＥ法により基板上に半導体を結晶成長するに際し、成長結晶表面での散乱光の強度を測定して結晶表面の荒れを検知することにより結晶成長条件を設定することを特徴とする半導体発光装置の製造方法およびその製造装置を提供する。例文帳に追加

In the manufacturing method and apparatus of a semiconductor light emitting device, the intensity of scattered light on a growth crystal surface is measured for detecting the roughness on the crystal surface to set crystal growth conditions when performing the crystal growth of a semiconductor on a substrate by the MBE method. - 特許庁

ＭＢＥ法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。例文帳に追加

This is an MBE-assisted compound semiconductor crystal growing method wherein correlation between the cell temperature and molecular beam rate is determined on the basis of the physical properties of a grown film, the correlation is used for correcting the flux gage measurement, and the corrected measurement is used for setting the cell temperature. - 特許庁

シリコンウエーハ上に成長させたシリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定するキャリア濃度測定方法であって、シリコンエピタキシャルウエーハの表面に電界を印加して最大空乏層幅の空乏層を形成し、該最大空乏層幅を測定することによってキャリア濃度を求めることを特徴とするキャリア濃度測定方法。例文帳に追加

In the method for measuring the carrier concentration, where the carrier concentration of the silicon epitaxial layer grown on a silicon wafer is measured by means of the surface photovoltage technique, a depletion layer of maximum width is formed by applying an electric field on the surface of the silicon epitaxial wafer and the carrier concentration is obtained by measuring the maximum depletion layer width. - 特許庁

生体試料中のインスリン様成長因子（ＩＧＦ）の量を高い精度で正確に免疫学的に測定することができ、とりわけ測定にあたって、煩雑な操作および特別な機械を必要とせず、また試薬の保存・取扱いも容易であり、大量の検体について簡便な測定が可能であり、さらに、試験費用が低く経済的にも有利な測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive economical measurement method, by which the quantity of an insulin-like growth factor(IGF) in bio-samples can easily be measured immunologically with high accuracy, even when the number of the samples is large by easily preserving and handling a reagent, without requir ing complicated operations nor special machine. - 特許庁

特定の測定装置により検出可能な酸素析出物の下限サイズより小さな酸素析出物を含有するシリコンウエーハに、新たな酸素析出物を発生させることなく酸素析出物を成長させる熱処理を加えて、前記下限サイズより小さな酸素析出物のすべてを前記特定の測定装置により検出可能なサイズに成長させた後に、前記シリコンウエーハ中の酸素析出物密度を前記特定の測定装置により測定するシリコンウエーハの評価方法。例文帳に追加

The silicon wafer evaluating method comprises heat treating of a silicon wafer containing oxygen deposits which are smaller than a lower limit of oxygen deposits detectable by a specific measuring instrument, thereby growing all the oxygen deposits smaller than the lower limit size, up to a size detectable by the specific measuring instrument, without producing new oxygen deposits, and measuring the density of the oxygen deposits in the silicon wafer to evaluate it. - 特許庁

Ｓｎを主成分とするはんだの接合部の疲労評価方法において、はんだ接合部の切断面を電子顕微鏡により拡大して、Ｓｎ相２０やＡｇ_３Ｓｎ相２２の相寸法ｄを測定し、この測定値ｄを４乗して相成長評価パラメータＳとする。例文帳に追加

The method for evaluating the fatigue of a solder junction containing Sn as a main component includes the steps of enlarging a cut section of the junction by an electron microscope, measuring a phase size (d) of an Sn phase 20 and an Ag_3Sn phase 22, and biquadrating the measured value (d) to a phase growth evaluating parameter S. - 特許庁

微細な繊維が絡み合って集合した凝集体構造を有し、水銀加入法による細孔容量測定において、孔径２０ｎｍ〜４μｍの範囲の細孔として測定される空隙を２．４ｍｌ／ｇ以上有する気相成長炭素繊維。例文帳に追加

The vapor-phase growth carbon fiber has such an agglomerate-like structure that minute fibers are entangled with one another and agglomerated and is characterized in that the void to be measured as pores each having 20 nm to 4 μm pore diameter is ≥2.4 ml/g when the pore volume is measured by a mercury penetration method. - 特許庁

エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に半導体ウェーハの表面に形成したエピタキシャル層を研磨すること、研磨後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。例文帳に追加

The method includes measuring the thickness A of the semiconductor wafer before the epitaxial growth step, polishing the epitaxial layer formed on the surface of the semiconductor wafer after the epitaxial growth step, measuring the thickness B of the epitaxial wafer obtained after polishing, and computing the thickness of the epitaxial layer as a difference (B-A) between the thickness B and the thickness A. - 特許庁

種々の成膜条件で実際にウェーハサンプル上にエピタキシャル膜を成長させてみて、成長前後のウェーハの全面での厚み形状を測定し、その差から、種々の成膜条件下でのエピタキシャル膜の全域での膜厚形状を把握し記憶する。例文帳に追加

Epitaxial layers are experimentally grown upon actual wafer samples under various different layer formation conditions, thickness profiles are measured over the entire surfaces of these wafers before and after growth of the layers, and from differences thereof, layer thickness profiles over the entire areas of the epitaxial layers under the various different layer formation conditions are ascertained and stored. - 特許庁

多層構造半導体２１に設定される測定対象領域４１に対して成長層側からエッチングが行われ、測定対象領域４１内で、キャップ層３４、中間層３３およびｐ型第２クラッド層３２の各一部が除去される。例文帳に追加

An object region to be measured 41, which is set in a multi-layer semiconductor 21, is etched from its growth layer side, and respective portions of a capping layer 34, a middle layer 33 and a p-type second cladding layer 32 in the object region to be measured 41 are removed. - 特許庁