a p iとは 意味・読み方・使い方

The apparatus includes a feedback correction circuit used to sense the value of I_m or I_p.例文帳に追加

装置はI_mまたはI_pの値を感知するために使用される帰還修正回路を含む。 - 特許庁

In an apparatus and method for generating a current pair I_p, I_m where the ratio of the pair is exponentially related to a control signal, either I_p or I_m is larger than a minimum value or smaller than a maximum value.例文帳に追加

対の比率が制御信号に指数関数的に関係する電流対I_p、I_mを発生する装置および方法であって、ここにI_pまたはI_mのいずれかは最小値より大きいかまたは最大値より小さい。 - 特許庁

Secret information sets S, T are dispersed by a threshold value dispersion method to obtain Si, Ti and the Si and a Ui (=g exponential (Ti/Si mod q)mod p) are delivered to terminal (i) (=1-5).例文帳に追加

秘密情報Ｓ，Ｔを閾値分散法により分散して、Ｓ_iとＴ_iを求め、Ｓ_iとｕ_i(＝g^(Ｔ_i／Ｓ_i mod q)mod p)を端末ｉ（＝１〜５）に配送しておく。 - 特許庁

A safe balance _ss is calculated on the basis of the replenishment margin frequency Ti, the generation ratio P(Ti), the money reception rate P_I, the standard deviation σ_I, the money payment rate P_O, and the standard deviation σ_O (S11).例文帳に追加

補充余裕回数Ti、発生比率P(Ti)、入金率P_I、標準偏差σ_I、出金率P_O及び標準偏差σ_Oに基づいて安全残高ssを算出する（Ｓ１１）。 - 特許庁

The counter 1 is cleared at the rear edge, counts a horizontal synchronizing signal PH(P) of the system at each clearing and outputs a scan signal L(P)i.例文帳に追加

カウンタは、その後縁でクリアされ、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(P)を計数し、走査信号Ｌ_(P)iを出力する。 - 特許庁

A hot carrier life is estimated by a hot carrier life model having a feature of τ∝I_p^-m.I_d^m-2 by setting τ as the life, I_p as light quantity of light emission of the MOS transistor, I_d as a drain current and (m) as a fitting parameter.例文帳に追加

τを寿命、I_pをMOSトランジスタの発光の光量強度、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ I_p^-m・I_d^m-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁

Also, a relative relation r_ij = r(p_i, p_j) of the position p_j to the position p_i is decided.例文帳に追加

また、ポジションｐ_ｉ に対するポジションｐ_ｊ の相対的なリレーションｒ_ｉｊ＝ｒ（ｐ_ｉ ，ｐ_ｊ ）が判定される。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁