(S4) An operation to the dummy forbidden region is carried out in the dummy of a small size, and the dummy having an overlapping region is erased.例文帳に追加

小さいサイズのダミーでダミー禁止領域との演算を行い、重なった領域があるダミーを消去する（Ｓ４）。 - 特許庁

The forbidden area can be set in consideration of atmospheric pressure variation by weather in each region, atmospheric pressure variation peculiar to a region, and the like.例文帳に追加

禁止エリアは、各地域における天候による気圧変動、地域特有の気圧変動などを考慮して設定することができる。 - 特許庁

(S3) An operation to dummy forbidden region is carried out in the dummy of a large size, and the dummy having an overlapping region is erased.例文帳に追加

大きいサイズのダミーでダミー禁止領域との演算を行い、重なった領域があるダミーを消去する（Ｓ３）。 - 特許庁

A mask member including a frame surrounding the coat forbidden region to abut with the base material, and a covered region provided inside of the frame to cover the coating forbidden region through a space is installed on the base material before formation of the protective film.例文帳に追加

前記塗布禁止領域を囲んで前記基材に当接する枠部と、前記枠部の内側に設けられる空間を介して前記塗布禁止領域を覆う被覆部と、を備えたマスク部材を、前記保護膜が形成される前の前記基材の上に載置する。 - 特許庁

A source layer 30 is formed of semiconductor material whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

また、ソース層３０が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

The gate layer 28 is formed of semiconductor material, whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

ゲート層２８が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

A method for determining and eliminating the forbidden pitch region for any feature size and illumination condition is provided.例文帳に追加

本発明は、任意のフィーチャサイズおよび照明条件に対して禁制ピッチ領域を識別し、除去するための方法を提供する。 - 特許庁

(S2) After a dummy forbidden region is formed on the layout data of an actual pattern, the prepared dummy constituents are arranged all over the data.例文帳に追加

実パターンのレイアウトデータ上にダミー禁止領域を設けた後、用意したダミー構成要素をデータ全面に配置する（Ｓ２）。 - 特許庁

An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectrics IL which bury on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加

金属パッドＰＡＤへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上を埋める層間絶縁膜ＩＬにかかる。 - 特許庁

To reduce a forbidden region formed in a wiring layer positioned at an intermediate point by contact conductors for connecting wiring layers separated by two layers or longer.例文帳に追加

２層以上離れた配線層間を接続するコンタクト導体によって、その中間に位置する配線層に形成される禁止領域を小さくする。 - 特許庁

In the marked area 114, information forbidden or permitted to perform the lamination of the chips is given to the corresponding chip formation region 104.例文帳に追加

マーク付与部１１４には、対応するチップ形成領域１０４にチップを積層することを禁止または許可する情報が付与される。 - 特許庁

An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectric layers IL which is buried on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加

金属パッドＰＡＤへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上を埋める層間絶縁膜ＩＬにかかる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inkjet head, which can prevent liquid from intruding into a coating forbidden region due to capillary phenomenon.例文帳に追加

毛細管現象によって液が塗布禁止領域に侵入することを防止できるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A means 1c detects a site, containing only the forbidden region.例文帳に追加

禁止領域包含サイト検出手段１ｃは、禁止領域のみを含むサイトである禁止領域包含サイトを検出する。 - 特許庁

When they had gone through the region of Phrygia and Galatia, they were forbidden by the Holy Spirit to speak the word in Asia.発音を聞く 例文帳に追加

彼らがフリュギアとガラテアの地方を通って行くと，アシアでみ言葉を語ることを聖霊によって禁じられた。 - 電網聖書『使徒行伝 16:6』

If the positional information is included in the input forbidden region (YES in S203), then the machine does not display the object; whereas, if the input forbidden region is not included (NO in S203), then the machine determines the editing image to be combined with the photographed image (S211).例文帳に追加

オブジェクトの位置情報が入力禁止領域に含まれる場合（Ｓ２０３でＹＥＳ）には当該オブジェクトを表示せず、含まれない場合（Ｓ２０３でＮＯ）には表示し、撮影画像に画像合成する編集用画像を確定する（Ｓ２１１）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which forming of a forbidden region in boundary can be controlled between a thin film Tr (transistor) region and a thick film Tr region.例文帳に追加

薄膜Ｔｒ領域と厚膜Ｔｒ領域との境界における禁止領域の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A means 1e arranges the non-logic cell to the site to be arranged, compares the arrangement state of the forbidden area with the pattern of the non-logic cell in the site containing the forbidden region, and arranges the non-logic cell merely to a site, where they do not interfere mutually.例文帳に追加

非論理セル配置手段１ｅは、被配置サイトに対して非論理セルを配置するとともに、禁止領域包含サイトのうち、禁止領域の配置状態と、非論理セルのパターンとを比較し、これらが相互に干渉しないサイトに対してのみ、非論理セルを配置する。 - 特許庁

The active layer 14 includes an abnormal growth portion 14a formed at a peripheral edge of the predetermined region and a forbidden bandwidth increase portion 14b formed at a periphery of the abnormal growth portion 14a and having a larger forbidden bandwidth than other parts of the active layer 14 except the abnormal growth portion 14a.例文帳に追加

活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。 - 特許庁

Specifically, the metal pad PAD is provided on the dummy pattern forbidden region PROH, wherein the metal pad is connected to the semiconductor device circuits through the interlayer dielectric layers IL and has an electrically connected region to an outside.例文帳に追加

すなわち、ダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上に層間絶縁膜ＩＬを介して半導体素子回路に繋がり外部との電気的接続領域を有する金属パッドＰＡＤが設けられている。 - 特許庁

Specifically, the metal pad PAD is provided on the dummy pattern forbidden region PROH, wherein the metal pad is connected to the semiconductor device circuits through the interlayer dielectrics IL and has an electrically connected region to an outside.例文帳に追加

すなわち、ダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上に層間絶縁膜ＩＬを介して半導体素子回路に繋がり外部との電気的接続領域を有する金属パッドＰＡＤが設けられている。 - 特許庁

To provide a spray device capable of applying a liquid only to a coating region without depositing the liquid on a coating forbidden region and carrying out highly productive coating.例文帳に追加

塗布禁止領域に液体を付着させることなく，塗布領域にのみ液体を塗布できるとともに，生産性の良好な塗布を行うことができるスプレー装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the inkjet head includes: a base material having a coating region and a coating forbidden region; and a protective film formed in the coating region and for protecting the base material from ink.例文帳に追加

一つの実施の形態に係るインクジェットヘッドの製造方法は、塗布領域と塗布禁止領域とを有した基材と、前記塗布領域に形成されて前記基材をインクから保護する保護膜と、を備えたインクジェットヘッドの製造方法である。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁

In the Daijokanpu (official documents of the Daijokan, Grand Council of State) issued on December 3, 895, people holding the fifth rank or higher and relatives of the Emperor were forbidden to go out of the Kinai region and Osaka no seki was considered as the east boundary.発音を聞く 例文帳に追加

寛平7年（895年）12月3日_(旧暦)（12月26日）の太政官符では「五位以上及孫王」が畿内を出ることを禁じており、この中で会坂関を畿内の東端と定義している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a hinge mount for preventing obstruction to the operation of a backrest by inhibiting a fixed cam from entering an forbidden region unexpectedly during the movement of the backrest.例文帳に追加

背もたれの移動中に固定カムが不用意に禁制領域に入り込むことを阻止して、背もたれの動作を阻害することを防止するヒンジマウントを提供する。 - 特許庁

The maximum values of engine torque and engine speed in the recovery control forbidden region are set to a higher value according as the degree of degradation of the front stage catalyst is higher.例文帳に追加

そして、前段触媒の劣化度合いが高いほど、回復制御禁止領域の機関トルクおよび機関回転数の最大値をより高い値に設定する。 - 特許庁

If the first parameter is larger than the second parameter, the blank region is generated or the main photographic object protrudes in the album image and insertion of the static image is forbidden.例文帳に追加

第１パラメータが第２パラメータよりも大きいと、空白領域の発生又は主要被写体がはみ出るアルバム画像となり、静止画の嵌め込みが禁止される。 - 特許庁

The kernel is started when the unaltered state of the kernel is confirmed, and during the operation of the kernel, access to a kernel region 110 of a memory 11 from the user application is forbidden.例文帳に追加

カーネルが改竄されていないことが確認できた場合にカーネルが起動され、カーネルの稼働中は、メモリ１１のカーネル領域１１０に対するユーザアプリケーションからのアクセスが禁止される。 - 特許庁

According to this constitution, it is unnecessary to read the B image data 62 from the memory 60 as to the forbidden region 250, and thereby the response of the navigation system 1 can be improved.例文帳に追加

これによって、禁止領域２５０については、メモリ６０からＢ画像データ６２を読み込む必要がなく、その分、ナビゲーション装置１のレスポンスを向上させることができる。 - 特許庁

Since the contact conductors 15 and 16 for connecting the wiring layers separated by two layers or longer are arranged in one direction, a forbidden region 17 formed at the intermediate wiring layer L2 is reduced.例文帳に追加

本発明によれば、２層以上離れた配線層間を接続するコンタクト導体１５，１６が一方向に配列されていることから、中間の配線層Ｌ２に形成される禁止領域１７が小さくなる。 - 特許庁

When in the forbidden region of the gear change stage suppression control, the gear change stage suppression control is cancelled to realize a regular gear change control (S9 to S11).例文帳に追加

一方、変速段抑制制御の禁止領域である場合には、変速段抑制制御をキャンセルして通常の変速制御を実施する（Ｓ９〜Ｓ１１）。 - 特許庁

By providing a signal mode with a reduced effective index, the "forbidden" (evanescent) region of the core is reduced, and bend-induced distortion of the propagating mode is remarkably avoided.例文帳に追加

減少された実効屈折率を信号モードに与えることによって、コアの「禁じられた」（エバネセント）領域が減少され、伝播するモードの曲げにより誘起される歪みが大幅に回避される。 - 特許庁

In the turned state of the backrest in which the fixed cam 50 is dislocated above a holding lug 40, a holding arm of a holding device 68 abuts on the fixed cam 50 so that the fixed cam 50 is inhibited from entering the forbidden region 78.例文帳に追加

固定カム５０が保持ラグ４０の上方に外れた背もたれの旋回作動状態において、保持装置６８の保持アームが固定カム５０に当接して、固定カム５０が禁制領域７８に入り込むことを阻止する。 - 特許庁

And the mounting surface 6 is provided with package forbidden regions 51a-51d, in which a circuit pattern is not formed, in four corners, and a chip mounting region 50, in which a semiconductor chip is mounted, in a center portion.例文帳に追加

そして半導体実装面６は、４隅に配線パターンの形成されないパッケージ禁止領域５１ａ〜５１ｄを備え、中央部に半導体チップが実装されるチップ実装領域５０を備える。 - 特許庁

With respect to a given illumination angle, the forbidden pitch region is the location where the field produced by the neighboring features interferes with the field of the main feature destructively.例文帳に追加

所与の照明角に対して、禁制ピッチ領域は、隣接するフィーチャによって生成される電界が主フィーチャの電界と弱め合うように相互作用する位置である。 - 特許庁

The light passing the dot defects out of the light of the prescribed frequencies propagated through the waveguide from a light leading out/in section 36 and demultiplexed from the prescribed dot defects is not included in the waveguide transmission band 51 of the forbidden band region to which the frequency adjoins and is therefore reflected in the boundaries 351 and 352 of the forbidden band regions and is introduced into the prescribed dot defects.例文帳に追加

光導出入部３６から導波路を伝播し所定の点状欠陥から分波される所定周波数５２の光のうち、その点状欠陥を通過した光は、その周波数が隣接する禁制帯領域の導波路透過帯域５１に含まれないため、禁制帯領域境界３５１，３５２において反射され、所定の点状欠陥に導入される。 - 特許庁

The Fermi level of the floating gate electrode 6 resides in the forbidden band of the channel region in a state that an external voltage is not applied between the channel region 4 and the control gate electrode 8 in state that an electric charge is injected in the floating gate electrode 6.例文帳に追加

フローティングゲート電極６に電荷が注入された状態において、チャネル領域４とコントロールゲート電極８との間に外部から電圧を印加しない状態のときに、フローティングゲート電極６のフェルミ準位がチャネル領域の禁制帯の中に位置する。 - 特許庁

A first electrode 13, a second electrode 14, a third electrode 15 and a fourth electrode 16 are formed along the optical waveguide 101 so as to overlap with only a forbidden band region 100 and not to overlap with the optical waveguide 101 in a laminating direction.例文帳に追加

第１電極１３、第２電極１４、第３電極１５、第４電極１６は、積層方向において禁止帯領域１００にのみ重なり光導波路１０１には重ならないように、光導波路１０１に沿って形成されている。 - 特許庁

A pattern inside the forbidden region 404m is removed from a pattern 204m of the main chip of a memory cell for the formation of a main chip modified pattern 7, data D4 and data D7 are composited into a pattern D8 for a test chip.例文帳に追加

メモリセルの本チップのパターン２０４ｍから、禁止領域４０４ｍ内にあるパターンを除き、本チップ修正パターン（Ｄ７）とし、データＤ３とデータＤ７とを合成して、テストチップのためのパターンデータＤ８とする。 - 特許庁

A channel layer 14 of a vertical SiCMOSFET is made into a p-type semiconductor by doping Al, and includes Si_0.9Ge_0.1C mixed crystal doped with Ge having a large ion radius and a narrow forbidden band, thereby making a lattice constant of a channel region large.例文帳に追加

縦型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴにおけるチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、イオン半径が大きく禁制帯幅が狭いＧｅがドープされたＳｉ_0.9Ｇｅ_0.1Ｃ混晶とすることでチャネル領域の格子定数を大きくする。 - 特許庁

When the total number of the common electrodes is represented by m and that of the segment electrodes is represented by n, the picture memory 30 has a data store part of a m×n bitmap type corresponding to respective intersections of the electrodes, wherein a portion of the data store part corresponding to imaginary pixels with no real intersections of the electrodes is made to be an invalid memory region 31 to which access is forbidden.例文帳に追加

画像メモリ３０は、コモン電極の総本数をｍ，セグメント電極の総本数をｎとして、その各電極交点に対応するｍ×ｎのビットマップ形式のデータストア部を有し、そのうちの実際に電極交点が存在しない架空画素に対応するデータストア部をアクセス禁止の無効メモリ領域３１とする。 - 特許庁