「"as... as..."」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Except where absolutely necessary, the claims shall not, in respect of the technical features of the invention, rely on references to the description or drawings, such as "as described in part ... of the description", or "as illustrated in figure ... of the drawing". 例文帳に追加

クレームは，絶対的に必要な場合を除き，考案の技術的特徴に関しては，「説明の…の箇所に記載されている」又は「図面の…図に示されている」というような説明又は図面への参照に依存してはならない。 - 特許庁

Herein, an introduction amount of arsenic (As) as the n-type impurity into the n-type extension region 113 is set within a certain range of a predetermined value or lower defined on the basis of the thickness of the high dielectric constant gate insulating film 110.例文帳に追加

ここで、Ｎ型イクステンション領域１１３に対するＮ型不純物としての砒素（Ａｓ）の導入量を、高誘電率ゲート絶縁膜１１０の膜厚に基づいて定められる所定値以下である範囲に設定する。 - 特許庁

A signal of a specific frequency band is generated in accordance with a near-end signal (As) and added to the near-end signal (As) as a transmission signal (Ts), and a receiving signal (Rs) is separated into a signal (Fs) of the specific frequency band and a signal (Ns) of another band.例文帳に追加

近端信号(As)に合わせて特定周波数帯域の信号を生成し該近端信号(As)に加算して送信信号(Ts)とし、受信信号(Rs)を、該特定周波数帯域の信号(Fs)とそれ以外の帯域の信号(Ns)に分離する。 - 特許庁

The biosensor includes both a sensor for detecting measurement values (such as, as resistance value) of spokes 36A-36D, which have received a user sample to be measured and a microprocessor 52 for measuring prescribed parameter values by executing prescribed test sequences.例文帳に追加

バイオセンサは、測定されるユーザ試料を受け取ったスポーク３６Ａ〜３６Ｄの測定値（例えば抵抗値）を検出するためのセンサと、所定の試験シーケンスを実行して所定のパラメータ値を測定するためのマイクロプロセッサ５２とを含む。 - 特許庁

The luminous layer is filled with PVK as a hole transport material and Bu-PBD as as electron transport material 100:30 in weight ratio, and Pyrene-R is used as a luminous colorant, and using a spin coater the layer is formed, dried and completed.例文帳に追加

発光層２３は、正孔輸送材料のＰＶＫ、電子輸送材料であるＢｕ−ＰＢＤを重量比で１００：３０で入れ、発光色素にはＰｙｒｅｎｅ−Ｒを用い、スピンコーターを用い、製膜、乾燥させて形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a waste disposal can be executed so that an environmental load substance such as As is not included in a remainder material after screening processing, and available resources included in the remainder material can be effectively recycled.例文帳に追加

廃棄処理の際に、選別処理後の残材にＡｓのような環境負荷物質が含まれないようにすることができ、その残材に含まれている有効な資源のリサイクルを効果的に行うことができるような半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A water intake pool 4 having a large number of water intake holes 20 in the upper face 5 and the side walls 6 is housed in a space for housing the water intake pool and filter layers A1, A2, A3 are formed as as to surround the upper face 5 and the side walls 6 of the water intake pool 4 to give the water intake apparatus.例文帳に追加

取水プール収容空間内に、上面５および側壁６に多数の取水孔２０を設けた取水プール４を収納し、その取水プール４の上面５および側壁６を濾層Ａ_1 、Ａ_2 、Ａ_3 で囲んだ取水装置。 - 特許庁

The active region 17 is provided between the first conductive semiconductor layer 13 and the second conductive semiconductor layer 15 while having a group III-V compound semiconductor layer 21 containing nitrogen (N) and arsenic (As) as V group.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。 - 特許庁

In the feedback control operation, before a heat load is applied to the object (5) from the outside, follow up control is performed based on only the temperature (T1) of the heating medium fluid to indirectly set the temperature (Ts) of the object as as set temperature (SV).例文帳に追加

このフィードバック制御動作では、まず、対象物（５）に外部から熱負荷が加わる前に、熱媒体温度（Ｔ１）のみに基づいて追従制御が行われて、間接的に対象物温度（Ｔｓ）が設定温度（ＳＶ）に整定させられる。 - 特許庁

A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element.例文帳に追加

多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

When an epitaxial layer is formed on the surface of a substrate or the surface of a base film, the Si or a Si compound existing on the surface of the substrate or the surface of the base film is removed, by thermal cleaning process using a hydrogenated gas of As, as a cleaning gas.例文帳に追加

基板の表面または下地膜の表面にエピタキシャル層を形成する場合、基板の表面または下地膜の表面に存在するＳｉまたはＳｉ化合物を、クリーニング用のガスとしてＡｓの水素化ガスを用いたサーマルクリーニング処理によって除去する。 - 特許庁

Claims shall not, except where absolutely necessary, rely in respect of the technical features of the invention on references to the description or drawings; in particular, they shall not rely on such references as “as described in part ...of the description, “ or “as illustrated in figure...of the drawings.” 例文帳に追加

必要不可欠な場合を除き、特許請求の範囲は、発明の技術的特徴に関して明細書又は図面の参照に依存してはならない。特に、「明細書の…部分に記載されている」又は「図面で…と図示されている」等の参照に依存してはならない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dye-sensitized solar battery in which an extent of sintering of a porous oxide semiconductor layer with sensitizing dye on its surface can be raised, and as as result, a photoelectric conversion efficiency of the dye-sensitized solar battery can be improved.例文帳に追加

増感色素を表面に担持した多孔質酸化物半導体層の焼結性を向上させることができ、したがって、色素増感太陽電池の光電変換効率を向上させることができる色素増感太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The audio signal processor 10 is provided with an attenuator 20 for reducing the level of the audio signal AS as much as a prescribed attenuation amount and outputting the audio signal and a switch 21 for selectively switching an output from a functional block 15 for performing various audio processing and an output from the attenuator 20 and connecting the output to the speaker 3 side.例文帳に追加

オーディオ信号ＡＳのレベルを所定の減衰量だけ低減して出力するアッテネータ２０と、各種オーディオ処理を行う機能ブロック１５からの出力とアッテネータ２０の出力を選択的に切り替えてスピーカ３側に接続するスイッチ２１とを備える。 - 特許庁

To provide a means in a medicine press-through pack package which can prevent a person removing a medication from wrongly removing the medication with the whole package without unsealing, without fail, is readily unsealed and is less likely to scatter the medicine, does not require an accessory, such as, as holder for storing the package, and can reduce the manufacturing cost.例文帳に追加

薬剤プレススルーパック包装体において、服用者が破封せずに包装体ごと飲み込むという誤飲を確実に防止でき、破封容易で薬剤の散逸を生じにくく、包装体を納めるホルダーのような付属部品を必要とせず、製品コストを低減できる手段を提供する。 - 特許庁

The slave vehicle S is constituted so as as to perform automatic follow-up running while keeping a position relation with the master vehicle M constant by performing speed change control according to the expansion and contraction quantity of the follow-up control towing rod B and steering control according to the rolling angle on the horizontal face.例文帳に追加

子機Ｓは、追従制御牽引桿Ｂの伸縮量に応じた変速制御と水平面上の回転角に応じた操向制御を行うことによって、親機Ｍに対して一定の位置関係を維持しながら自動追従走行を行うように構成した。 - 特許庁

Claims shall not, except where absolutely necessary, rely, in respect of the technical features of the invention, on references to the description or drawings; in particular, they shall not rely on such references as: "as described in Part ... of the description," or "as illustrated in Figure ... of the drawings." 例文帳に追加

クレームは，不可欠である場合を除くほか，発明の技術的特徴について明細書又は図面を引用する記載によってはならない。特に，クレームは，「明細書の…の箇所に記載したように」又は「図面の…の図に示したように」のような引用をする記載によってはならない。 - 特許庁

(4) Claims shall not, except where absolutely necessary, rely in respect of the technical features of the invention on references to the description or drawings; in particular, they shall not rely on such references as “as described in part of the description,” or “as illustrated in figure ... of the drawings.”例文帳に追加

(4) クレームは，絶対に必要な場合以外は，発明の技術的特徴に関して明細書又は図面に言及してはならない。特に，「明細書の一部において説明されているように」又は「図面の図---において図示されているように」といった言及をしてはならない。 - 特許庁

Claims shall not, except where absolutely necessary, rely, in respect of the technical features of the invention, on references to the description or drawings; and in particular, they shall not rely on such references as “as described in part ... of the description”, or “as illustrated in figure ... of the drawings” or the equivalent Chinese characters, as appropriate. 例文帳に追加

クレームは，不可欠な場合を除き，発明の技術的特徴について説明又は図面の引用に依拠してはならない。特に，クレームは，「説明の...の箇所に記載したように」若しくは「図面の...の図に示したように」のような又は場合により同等の漢字による引用に依拠してはならない。 - 特許庁

Subject to subsections (2) and (3), claims shall not, except where necessary, rely, in respect of the features of the invention, on references to the description or drawings and, in particular, they shall not rely on such references as: “as described in Part ... of the description”, or “as illustrated in figure ... of the drawings”. 例文帳に追加

(1) (2)及び(3)に従うことを条件として，クレームは，必要な場合を除き，発明の特徴に関して，詳細な説明又は図面の引用により記載してはならず，特に「詳細な説明の…の部分に記載したように」との引用又は「図面の…図に例示するように」との引用により記載してはならない。 - 特許庁

The rapidly soluble drug composition contains (R)-2-(4-bromo-2-fluorobenzyl)-1,2,3,4-tetrahydropyrrolo[1,2-a]pyrazine-4-spiro-3'-pyrrolidine-1,2',3,5'-tetraone (hereinafter referred to as AS-3201), finely pulverized to an average particle diameter of about 20μm or smaller and having strong aldose reductase inhibiting action.例文帳に追加

平均粒子径を約２０μｍ以下に微粉砕化した、強力なアルドース還元酵素（アルドースリダクターゼ）阻害作用を有する（Ｒ）−２−（４−ブロモ−２−フルオロベンジル）−１，２，３，４−テトラヒドロピロロ［１，２−ａ］ピラジン−４−スピロ−３’−ピロリジン−１，２’，３，５’−テトラオン（以下「ＡＳ−３２０１」という）を含有することからなる速溶性医薬組成物。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with amorphous silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is 70 or more) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非晶質シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入するすることで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To manufacture high purity silicon nitride powder suitable for use as a release agent for production of polycrystalline silicon through direct nitriding of metallic silicon easy to mass-produce by lowering the contents of metal impurities present by ≥10 μg/g, such as Al, Ca and Mg and impurities which are B, P and As as dopants of p- and n-type semiconductors.例文帳に追加

１０μｇ／ｇ以上に存在するＦｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ等のような金属不純物と、ｐ型、ｎ型半導体のドープ剤であるＢ、Ｐ、Ａｓとの不純物含有量を著しく少なくし、多結晶シリコン製造用離型材として好適な高純度の窒化ケイ素粉末を、量産化の容易な金属シリコンの直接窒化法によって製造する。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with non-monocrystal silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is ≥70) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed on a silicon substrate 10 with non-single-crystal silicon, and a source-drain region of the nMOS transistor is formed by implanting an n-type dopant having a relatively large mass number (the mass number ≥70) such as As or Sb using the gate electrode 14 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

An end portion of a side surface plate 3 of the butting portion 4 of the frame 2 is bent inward at the bending measurements of a same degree as as-cast roundness RC of the counterweight 1 to be the butting portion 4 between the frame 2 and the counterweight 1.例文帳に追加

フレーム２とカウンタウエイト１との突合せ部分４を斜めに、かつ同じ長さ寸法で配置すると共に、フレーム２の突合せ部分４の側面板３の端部を、カウンタウエイト１の鋳放しの丸みＲＣと同程度の曲げ寸法Ｒで内側に曲げて、フレーム２とカウンタウエイト１との突合せ部分４としたことを特徴とするフレームとカウンタウエイトの合わせ構造である。 - 特許庁

For a semiconductor 1, a GaAs substrate 2 is set at a susceptor of MOCVD method, while the GaAs substrate 2 is heated under control, TMA, etc., as III group material, AsH3 as As material, DMHy(dimethyl hydrazine) of an organic nitride compound, etc., as nitrogen material, are supplied into a reaction chamber at the same time for growing with hydrogen as carrier gas.例文帳に追加

半導体１は、ＭＯＣＶＤ法のサセプターにＧａＡｓ基板２をセットし、ＧａＡｓ基板２を加熱制御しつつ、III 族原料としてＴＭＡ等を、Ａｓ原料としてＡｓＨ_3 を、窒素原料として有機系窒素化合物であるＤＭＨｙ等を、キャリアガスとして水素を使用して、これらの原料ガスとキャリアガスを同時に反応室内に供給して成長させる。 - 特許庁

To provide a rubber-made road accessory capable of being used as as an indicator for catching an attention to the presence of a side strip or the like and imparting shock absorbing property to the upper edge part of the rigid side strip with excellent safety, and further with excellent resource saving property by effective use of waste rubber such as tire and also with excellent productivity.例文帳に追加

本発明は、路側帯等が存在していることを喚起する表示具として用いることができるとともに強固な路側帯等の上縁部等に衝撃吸収性を付与することができ安全性に優れ、さらにタイヤ等の廃棄ゴムの有効利用を図り省資源性に優れるとともに生産性に優れるゴム製道路用補助具を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance the creep resistance at use of an air conditioner or the like, in a blast fan made of synthetic resin using acrylonitrile styrene resin (hereinafter abbreviated as AS resin) or heat-resistant polystyrene resin (hereinafter abbreviated as heat-resistant PS resin), and to enhance the moldability at molding of a fan and also, enhance the productivity, in, especially, heat- resistant polystyrene resin.例文帳に追加

アクリロニトリル・スチレン系樹脂（以下、ＡＳ系樹脂と略す）または耐熱ポリスチレン系樹脂（以下、耐熱ＰＳ系樹脂）を用いた合成樹脂製の送風ファンにおいて、空気調和機等の使用時に耐熱クリープ性を向上させるとともに、特に耐熱ポリスチレン系樹脂においては、ファン成形時の成形性を向上させ生産性の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁